本發(fā)明涉及一種觸控裝置，尤其涉及一種內(nèi)嵌式觸控裝置。

背景技術(shù)：

在面板設(shè)計(jì)時(shí)，直接將柵極驅(qū)動(dòng)電路制作在主動(dòng)元件數(shù)組基板上，以代替外接的驅(qū)動(dòng)芯片的技術(shù)，被稱為柵極驅(qū)動(dòng)電路基板技術(shù)(Gate drive on Array,GOA)。在共平面切換式(In-Plane Switching,IPS)型態(tài)或邊際場(chǎng)切換式(Fringe Field Switching,FFS)型態(tài)的顯示設(shè)備中，柵極驅(qū)動(dòng)電路通常是配置于主動(dòng)元件數(shù)組基板的周邊區(qū)，而其上方并沒有任何的屏蔽元件，因此柵極驅(qū)動(dòng)電路容易受到靜電放電(Electrostatic Discharge,ESD)的損害。

為了解決上述的問題，已知通過在彩色濾光基板相對(duì)遠(yuǎn)離主動(dòng)元件數(shù)組基板的外表面上形成一透明導(dǎo)電層，以全面性地覆蓋在顯示區(qū)以與門極驅(qū)動(dòng)電路所在的周邊區(qū)。上述方式確實(shí)可以避免柵極驅(qū)動(dòng)電路受到靜電放電的損害。然而。在現(xiàn)今電子產(chǎn)品多功能的訴求下，通常會(huì)在顯示設(shè)備中附設(shè)有觸控功能，如內(nèi)嵌式觸控顯示設(shè)備。由于內(nèi)嵌式觸控顯示設(shè)備具有嵌入式的觸控電極，因此不可能在彩色濾光基板的外表面上設(shè)置用來屏蔽靜電的全面性透明導(dǎo)電層，因?yàn)檫@樣會(huì)影響元件電性及觸控電極的觸控功能。如此一來，內(nèi)嵌式觸控顯示設(shè)備的柵極驅(qū)動(dòng)電路要如何才能有效避免靜電放電的損害是一個(gè)重要的課題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種內(nèi)嵌式觸控裝置，其可有效避免柵極驅(qū)動(dòng)電路受到靜電放電的損害。

本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控裝置，其包括主動(dòng)元件數(shù)組基板、至少一柵極驅(qū)動(dòng)電路、對(duì)向基板與屏蔽層。主動(dòng)元件數(shù)組基板具有顯示區(qū)與周邊區(qū)，且周邊區(qū)與顯示區(qū)連接。柵極驅(qū)動(dòng)電路配置于主動(dòng)元件數(shù)組基板上且位于周邊區(qū)。 對(duì)向基板配置于主動(dòng)元件數(shù)組基板的對(duì)向。屏蔽層配置于主動(dòng)元件數(shù)組基板與對(duì)向基板之間。屏蔽層于主動(dòng)元件數(shù)組基板上的正投影至少部分重疊于柵極驅(qū)動(dòng)電路于主動(dòng)元件數(shù)組基板上的正投影。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的主動(dòng)元件數(shù)組基板包括基板、多個(gè)主動(dòng)元件、多個(gè)像素電極、共享電極以及接地環(huán)。主動(dòng)元件數(shù)組排列于基板上且位于顯示區(qū)。像素電極配置于基板上且位于顯示區(qū)，其中像素電極分別與對(duì)應(yīng)的主動(dòng)元件電性連接。共享電極配置于基板與像素電極之間，或是對(duì)向基板與像素電極之間且位于顯示區(qū)。接地環(huán)配置于基板上且位于周邊區(qū)，其中柵極驅(qū)動(dòng)電路位于接地環(huán)與顯示區(qū)之間。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的屏蔽層結(jié)構(gòu)性且電性連接共用電極，且屏蔽層與共用電極或像素電極屬于同一膜層。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的屏蔽層電性連接接地環(huán)，且屏蔽層與像素電極或共用電極屬于同一膜層。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的屏蔽層與像素電極或共用電極屬于同一膜層，且屏蔽層電性浮置。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的屏蔽層配置于對(duì)向基板上，且通過導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與接地環(huán)電性連接。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的屏蔽層于主動(dòng)元件陣列基板上的正投影完全覆蓋柵極驅(qū)動(dòng)電路于主動(dòng)元件陣列基板上的正投影。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的屏蔽層配置于對(duì)向基板上，且屏蔽層電性浮置。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的內(nèi)嵌式觸控裝置還包括多個(gè)觸控驅(qū)動(dòng)單元與多個(gè)觸控感測(cè)單元。觸控驅(qū)動(dòng)單元及觸控感測(cè)單元其中的一個(gè)位于對(duì)向基板上，觸控驅(qū)動(dòng)單元及觸控感測(cè)單元其中的另一個(gè)位于主動(dòng)元件數(shù)組基板上。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的內(nèi)嵌式觸控裝置為自容式觸控裝置。

基于上述，由于本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控裝置具有屏蔽層，其中屏蔽層是配置于主動(dòng)元件數(shù)組基板與對(duì)向基板之間，且屏蔽層于主動(dòng)元件數(shù)組基板上的正投影至少部分重疊于柵極驅(qū)動(dòng)電路于主動(dòng)元件數(shù)組基板上的正投影。如此一來，柵極驅(qū)動(dòng)電路可受到屏蔽層的保護(hù)，以避免柵極驅(qū)動(dòng)電路被靜電放電 現(xiàn)象所破壞。

為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下。

附圖說明

圖1A顯示為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種內(nèi)嵌式觸控裝置的俯視示意圖；

圖1B顯示為圖1A的內(nèi)嵌式觸控裝置的局部剖面示意圖；

圖1C顯示為圖1B中像素電極與共享電極的俯視示意圖；

圖1D顯示為本發(fā)明另一實(shí)施例的內(nèi)嵌式觸控裝置的局部剖面示意圖；

圖1E顯示為本發(fā)明又一實(shí)施例的內(nèi)嵌式觸控裝置的局部剖面示意圖；

圖1F顯示為圖1A的主動(dòng)元件數(shù)組基板的俯視示意圖；

圖2顯示為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種內(nèi)嵌式觸控裝置的局部剖面示意圖；

圖3顯示為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種內(nèi)嵌式觸控裝置的局部剖面示意圖；

圖4顯示為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種內(nèi)嵌式觸控裝置的局部剖面示意圖；

圖5顯示為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種內(nèi)嵌式觸控裝置的局部剖面示意圖。

附圖標(biāo)記：

100a、100a1、100a2、100b、100c、100d、100e：內(nèi)嵌式觸控裝置；

110、110’、110”：主動(dòng)元件數(shù)組基板；

112：基板；

114、114’：主動(dòng)元件；

116：像素電極；

118、118’：共享電極；

118a：狹縫；

119：接地環(huán)；

120：柵極驅(qū)動(dòng)電路；

130：對(duì)向基板；

140a、140a1、140a2、140b、140c、140d、140e：屏蔽層；

150：顯示介質(zhì)；

155、155a：密封膠層；

160：導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；

162：具有導(dǎo)電性質(zhì)的密封膠層；

164：導(dǎo)電層；

166：導(dǎo)電通孔；

170、175：絕緣層；

172：開孔；

AA：顯示區(qū)；

BB：周邊區(qū)；

A、A’：主動(dòng)層；

D、D’：漏極；

DI：內(nèi)層介電層；

G、G’：柵極；

GI、GI’：柵絕緣層；

S、S’：源極；

T：觸控單元。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)將詳細(xì)地參考本發(fā)明的示范性實(shí)施例，示范性實(shí)施例的實(shí)例說明于附圖中。只要有可能，相同元件符號(hào)在附圖和描述中用來表示相同或相似部分。

圖1A顯示為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種內(nèi)嵌式觸控裝置的俯視示意圖。圖1B顯示為圖1A的內(nèi)嵌式觸控裝置的局部剖面示意圖。為了方便說明起見，圖1A與圖1B中有省略顯示部分元件。請(qǐng)同時(shí)參考圖1A與圖1B，在本實(shí)施例中，內(nèi)嵌式觸控裝置100a包括主動(dòng)元件數(shù)組基板110、至少一柵極驅(qū)動(dòng)電路120(圖1A中示意地顯示兩個(gè))、對(duì)向基板130與屏蔽層140a。主動(dòng)元件數(shù)組基板110具有顯示區(qū)AA及與顯示區(qū)AA連接的周邊區(qū)BB，于另一實(shí)施例中，周邊區(qū)BB可為環(huán)繞顯示區(qū)AA。柵極驅(qū)動(dòng)電路120配置于主動(dòng)元件數(shù)組基板110上且位于周邊區(qū)BB。對(duì)向基板130配置于主動(dòng)元件數(shù)組基板110 的對(duì)向。屏蔽層140a配置于主動(dòng)元件數(shù)組基板110與對(duì)向基板130之間。屏蔽層140a于主動(dòng)元件數(shù)組基板110上的正投影至少部分重疊于柵極驅(qū)動(dòng)電路120于主動(dòng)元件數(shù)組基板110上的正投影。

詳細(xì)來說，請(qǐng)?jiān)賲⒖紙D1B，本實(shí)施例的主動(dòng)元件數(shù)組基板110包括基板112、多個(gè)主動(dòng)元件114(圖1B示意地顯示一個(gè))、多個(gè)像素電極116(圖1B示意地顯示一個(gè))、共享電極118以及接地環(huán)119。主動(dòng)元件114數(shù)組排列于基板112上，位于顯示區(qū)AA，且與柵極驅(qū)動(dòng)電路120連接。每一主動(dòng)元件114是由柵極G、柵絕緣層GI、主動(dòng)層A、源極S與漏極D所組成。換言之，主動(dòng)元件數(shù)組基板110可視為是薄膜晶體管數(shù)組基板。像素電極116配置于基板112上且位于顯示區(qū)AA，其中像素電極116分別與對(duì)應(yīng)的主動(dòng)元件114的漏極D電性連接。更詳細(xì)的說,主動(dòng)元件114上設(shè)置有絕緣層170,絕緣層170上設(shè)置有像素電極116,其中像素電極116是通過延伸至絕緣層170的開孔172內(nèi)而與漏極D電性連接。共享電極118配置于對(duì)向基板130與像素電極116之間且位于顯示區(qū)AA，其中共享電極118于基板112上的正投影至少部分重疊于像素電極116于基板112上的正投影。于其他實(shí)施例中，共享電極118亦可配置于基板112與像素電極116之間，于此并不加以限制共享電極118的位置。

具體來說，請(qǐng)同時(shí)參考圖1B與圖1C，本實(shí)施例的共享電極118是配置于像素電極116的上方，且具有多個(gè)狹縫118a。當(dāng)然，于其他未顯示的實(shí)施例中，亦可以是像素電極116位于共享電極118的上方，且像素電極116與共享電極118中至少一個(gè)可具有多個(gè)狹縫或多個(gè)分支圖案。此處,共享電極118與像素電極116之間具有絕緣層175以電性隔離共享電極118與像素電極116。此外，接地環(huán)119是配置于基板112上且位于周邊區(qū)BB，其中柵極驅(qū)動(dòng)電路120位于接地環(huán)119與顯示區(qū)AA之間。

值得一提的是，主動(dòng)元件數(shù)組基板110可不限于圖1B的設(shè)置方式，也可以是如以下的圖1D及圖1E的設(shè)置方式。詳細(xì)來說，請(qǐng)參考圖1D與圖1E，在內(nèi)嵌式觸控裝置100a1、內(nèi)嵌式觸控裝置100a2中，主動(dòng)元件數(shù)組基板110’、主動(dòng)元件數(shù)組基板110”的主動(dòng)層A’是使用低溫多晶硅(LTPS)，因此主動(dòng)元件114’是采用上柵極式的配置方式，即主動(dòng)層A’配置于基板112上，柵絕緣層GI’覆蓋主動(dòng)層A’，柵極G’配置于柵絕緣層GI’上，內(nèi)層介電層DI覆蓋柵 極GI，而源極S’與漏極D’配置于內(nèi)層介電層DI上且貫穿內(nèi)層介電層DI與柵絕緣層GI’而與主動(dòng)層A’接觸。此處，主動(dòng)元件114’為雙柵極G’的結(jié)構(gòu)，但于其他實(shí)施例中，亦可為單柵極G’的結(jié)構(gòu)，于此并不加以限制。

更具體來說，圖1D與圖1E的差別在于，圖1D中共享電極118’是設(shè)置于像素電極116與基板112之間，而屏蔽層140a1結(jié)構(gòu)性且電性連接共享電極118'，且屏蔽層140a1與共享電極118’屬同一膜層。而圖1E中共享電極118是設(shè)置于像素電極116與對(duì)向基板130之間，而屏蔽層140a2結(jié)構(gòu)性且電性連接共享電極118，且屏蔽層140a2與共享電極118屬同一膜層。再者，請(qǐng)參考圖1F，本實(shí)例的內(nèi)嵌式觸控裝置100a還包括多個(gè)觸控單元T，其中觸控單元T配置于主動(dòng)元件數(shù)組基板110的顯示區(qū)AA。此處，觸控單元T依照其感測(cè)方式的不同而大致上區(qū)分為電阻式觸控單元、電容式觸控單元、光學(xué)式觸控單元、聲波式觸控單元或是電磁式觸控單元。需說明的是，圖1F所顯示的觸控單元T是表示觸碰感測(cè)點(diǎn)的位置，并不是表示觸控單元T的具體結(jié)構(gòu)。舉例來說，若觸控單元T為互容式觸控單元，則其是由多個(gè)X方向的觸控驅(qū)動(dòng)串行與多個(gè)Y方向的觸控感測(cè)串行所組成(可互換)，其中X方向的觸控驅(qū)動(dòng)串行與Y方向的觸控感測(cè)串行可分別配置于主動(dòng)元件數(shù)組基板110與對(duì)向基板130上，且X方向的觸控驅(qū)動(dòng)串行與Y方向的觸控感測(cè)串行其中的一個(gè)與共用電極118或像素電極116屬于同一膜層。；若觸控單元T為自容式觸控單元，則僅由共同電極118進(jìn)行驅(qū)動(dòng)及感測(cè)的動(dòng)作。由于本實(shí)施例的觸控單元T是直接使用共同電極118進(jìn)行驅(qū)動(dòng)及感測(cè)的自容式觸控裝置，其不但可減少整體內(nèi)嵌式觸控裝置100a的制程步驟，亦可有效降低整體內(nèi)嵌式觸控裝置100a的制作成本與厚度。

特別是，請(qǐng)?jiān)賲⒖紙D1B，本實(shí)施例的屏蔽層140a具體化是結(jié)構(gòu)性且電性連接共享電極118，此處屏蔽層140a與共享電極118屬于同一膜層，故是使用同一光罩，可有效降低制作成本。換言之，本實(shí)施例的屏蔽層140與共享電極118采用相同材料，如透明導(dǎo)電材料，即如銦錫氧化物(indium tin oxide,ITO)、銦鋅氧化物(indium zinc oxide,IZO)、氧化鋁鋅(Al doped ZnO,AZO)、銦鎵鋅氧化物(Indium-Gallium-Zinc Oxide,IGZO)、摻鎵氧化鋅(Ga doped zinc oxide,GZO)、鋅錫氧化物(Zinc-Tin Oxide,ZTO)、氧化銦(In₂O₃)、氧化鋅(ZnO)、或二氧化錫(SnO₂)，但并不此此為限。此外，屏蔽層140a于主動(dòng)元件數(shù)組基 板110上的正投影具體化是完全覆蓋于柵極驅(qū)動(dòng)電路120于主動(dòng)元件數(shù)組基板110上的正投影，也就是說，柵極驅(qū)動(dòng)電路120于主動(dòng)元件數(shù)組基板110上的正投影完全位于屏蔽層140a于主動(dòng)元件數(shù)組基板110上的正投影內(nèi)。當(dāng)然，于其他未顯示的實(shí)施例中，屏蔽層140a于主動(dòng)元件數(shù)組基板110上的正投影亦可以是部分重疊于柵極驅(qū)動(dòng)電路120于主動(dòng)元件數(shù)組基板110上的正投影，于此并不加以限制。

此外，本實(shí)施例的對(duì)向基板130具體化為彩色濾光基板，如圖1A所示，對(duì)向基板130的表面積具體化是小于主動(dòng)元件數(shù)組基板110的表面積。再者，內(nèi)嵌式觸控裝置100a還包括顯示介質(zhì)150，其中顯示介質(zhì)150配置于主動(dòng)元件數(shù)組基板110與對(duì)向基板130之間。此處，顯示介質(zhì)150例如是液晶層，但并不以此為限。此外，本實(shí)施例的內(nèi)嵌式觸控裝置100a還包括密封膠層155，配置于主動(dòng)元件數(shù)組基板110與對(duì)向基板130之間，以至少將顯示介質(zhì)150密封于主動(dòng)元件數(shù)組基板110與對(duì)向基板130之間。

由于本實(shí)施例的屏蔽層140a是配置于主動(dòng)元件數(shù)組基板110與對(duì)向基板130之間，且屏蔽層140a于主動(dòng)元件數(shù)組基板110上的正投影重疊于柵極驅(qū)動(dòng)電路120于主動(dòng)元件數(shù)組基板110上的正投影。因此，相較于已知設(shè)置于彩色濾光基板的外表面上的透明導(dǎo)電層而言，本實(shí)施例的屏蔽層140a的設(shè)置除了不會(huì)影響觸控單元T的觸控功能之外，亦可使柵極驅(qū)動(dòng)電路120受到屏蔽層140a的保護(hù)，可有效避免被靜電放電現(xiàn)象所破壞。此外，由于本實(shí)施例的屏蔽層140a與共享電極118屬于同一膜層，因此可減少光罩的使用數(shù)量，可有效降低制作成本。

值得一提的是，于另一未顯示的實(shí)施例中，屏蔽層140a與像素電極116屬于同一膜層，但屏蔽層140a與像素電極116結(jié)構(gòu)上且電性上并無相連接。此屏蔽層140是藉由像素電極116與共同電極118之間的絕緣層的穿孔，而與共同電極118電性連接。于此實(shí)施例中，由于屏蔽層140a與像素電極116屬于同一膜層，因此也可以減少光罩的使用數(shù)量，可有效降低制作成本。

在此必須說明的是，下述實(shí)施例沿用前述實(shí)施例的元件標(biāo)號(hào)與部分內(nèi)容，其中采用相同的標(biāo)號(hào)來表示相同或近似的元件，并且省略了相同技術(shù)內(nèi)容的說明。關(guān)于省略部分的說明可參考前述實(shí)施例，下述實(shí)施例不再重復(fù)贅述。

圖2顯示為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種內(nèi)嵌式觸控裝置的局部剖面示意 圖。請(qǐng)參考圖2，本實(shí)施例的內(nèi)嵌式觸控裝置100b與圖1B的內(nèi)嵌式觸控裝置100a相似，二者主要差異之處在于：本實(shí)施例的屏蔽層140b電性連接接地環(huán)119，且屏蔽層140b與像素電極116屬于同一膜層。于其他未顯示的實(shí)施例中，屏蔽層140b亦可以是共享電極118屬于同一膜層，于此并不加以限制。于其他未顯示的實(shí)施例中，亦可以是像素電極116位于共享電極118的上方。如圖2所示，雖然本實(shí)施例的屏蔽層140b與像素電極116屬于同一膜層，但是屏蔽層140b并沒有結(jié)構(gòu)性與電性連接像素電極116。此外，屏蔽層140b于主動(dòng)元件數(shù)組基板110上的正投影具體化是完全覆蓋柵極驅(qū)動(dòng)電路120于主動(dòng)元件數(shù)組基板110上的正投影。當(dāng)然，于其他未顯示的實(shí)施例中，屏蔽層140b于主動(dòng)元件數(shù)組基板110上的正投影亦可以是部分重疊于柵極驅(qū)動(dòng)電路120于主動(dòng)元件數(shù)組基板110上的正投影，于此并不加以限制。

圖3顯示為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種內(nèi)嵌式觸控裝置的局部剖面示意圖。請(qǐng)參考圖3，本實(shí)施例的內(nèi)嵌式觸控裝置100c與圖1B的內(nèi)嵌式觸控裝置100a相似，二者主要差異之處在于：本實(shí)施例的屏蔽層140c與共享電極118屬于同一膜層，且屏蔽層140c電性浮置(floating)。也就是說，本實(shí)施例的屏蔽層140c沒有與共享電極118、像素電極116或者是接地環(huán)119電性連接。于其他未顯示的實(shí)施例中，屏蔽層140c亦可以與像素電極116屬于同一膜層，于此并不加以限制。此外，屏蔽層140c于主動(dòng)元件數(shù)組基板110上的正投影具體化是部分重疊于柵極驅(qū)動(dòng)電路120于主動(dòng)元件數(shù)組基板110上的正投影。當(dāng)然，于其他未顯示的實(shí)施例中，屏蔽層140c于主動(dòng)元件數(shù)組基板110上的正投影亦可以是完全覆蓋柵極驅(qū)動(dòng)電路120于主動(dòng)元件數(shù)組基板110上的正投影，于此并不加以限制。

圖4顯示為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種內(nèi)嵌式觸控裝置的局部剖面示意圖。請(qǐng)參考圖4，本實(shí)施例的內(nèi)嵌式觸控裝置100d與圖1B的內(nèi)嵌式觸控裝置100a相似，二者主要差異之處在于：本實(shí)施例的屏蔽層140d是配置于對(duì)向基板130上，且屏蔽層140d是通過導(dǎo)電結(jié)構(gòu)160與接地環(huán)119電性連接。詳細(xì)來說，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)160包括具有導(dǎo)電性質(zhì)的密封膠層162、導(dǎo)電層164以及導(dǎo)電通孔166。具有導(dǎo)電性質(zhì)的密封膠層162配置于屏蔽層140d與導(dǎo)電層164之間，而導(dǎo)電通孔166配置于導(dǎo)電層164與接地環(huán)119之間。屏蔽層140d依序通過具有導(dǎo)電性質(zhì)的密封膠層162、導(dǎo)電層164以及導(dǎo)電通孔166而電 性連接至接地環(huán)，此處，具有導(dǎo)電性質(zhì)的密封膠層162的材質(zhì)例如是是含有金?；蚱渌饘倭Ｗ拥酿ぶ牧?，而導(dǎo)電層164例如是與像素電極116或共享電極118屬于同一膜層，于此并不加以限制。

圖5顯示為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種內(nèi)嵌式觸控裝置的局部剖面示意圖。請(qǐng)參考圖5，本實(shí)施例的內(nèi)嵌式觸控裝置100e與圖1B的內(nèi)嵌式觸控裝置100a相似，二者主要差異之處在于：本實(shí)施例的屏蔽層140e是配置于對(duì)向基板130上，且屏蔽層140e電性浮置。也就是說，本實(shí)施例的屏蔽層140e沒有與共享電極118、像素電極116或者是接地環(huán)119電性連接。由于密封膠層155a的材質(zhì)為絕緣材料，因此屏蔽層140e并不能通過密封膠層155a與主動(dòng)元件數(shù)組基板110上的元件電性連接，故屏蔽層140e處于電性浮置的狀態(tài)。

綜上所述，本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控裝置具有屏蔽層，其中屏蔽層是配置于主動(dòng)元件數(shù)組基板與對(duì)向基板之間，且屏蔽層于主動(dòng)元件數(shù)組基板上的正投影至少部分重疊于柵極驅(qū)動(dòng)電路于主動(dòng)元件數(shù)組基板上的正投影。因此，相較于已知設(shè)置于彩色濾光基板的外表面上的透明導(dǎo)電層而言，本發(fā)明的屏蔽層的設(shè)置除了不會(huì)影響觸控單元的觸控功能之外，亦可使柵極驅(qū)動(dòng)電路受到屏蔽層的保護(hù)，可有效避免被靜電放電現(xiàn)象所破壞。再者，由于本發(fā)明的屏蔽層亦可以與主動(dòng)元件數(shù)組基板上的像素電極和/或共享電極屬于同一膜層，因此可減少光罩的使用數(shù)量，可有效降低制作成本。此外，本發(fā)明的屏蔽層亦可設(shè)置于對(duì)向基板上，只要屏蔽層是配置于主動(dòng)元件數(shù)組基板與對(duì)向基板之間，且屏蔽層于主動(dòng)元件數(shù)組基板上的正投影重疊于柵極驅(qū)動(dòng)電路于主動(dòng)元件數(shù)組基板上的正投影，皆屬于本發(fā)明所欲保護(hù)的范圍。屏蔽層配置于主動(dòng)元件數(shù)組基板與對(duì)向基板之間也可以使屏蔽層受到保護(hù)，不會(huì)因外部的刮傷而影響其屏蔽柵極驅(qū)動(dòng)電路的功能，提供裝置的可靠度。

最后應(yīng)說明的是：以上各實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述各實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。