陣列基板、顯示裝置及制備方法
【專利摘要】本公開的實施例公開了一種陣列基板、顯示裝置及制備方法。陣列基板包括襯底基板以及設(shè)置于所述襯底基板上的像素陣列結(jié)構(gòu)，其中，所述像素陣列結(jié)構(gòu)包括源漏金屬層圖案，所述源漏金屬層圖案包括薄膜晶體管的源極及漏極和數(shù)據(jù)線；所述源漏金屬層圖案遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面至少部分設(shè)置有遮光材料。該陣列基板可以避免顯示裝置發(fā)生漏光，提高顯示裝置的開口率。
【專利說明】
陣列基板、顯示裝置及制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本公開的實施例涉及一種陣列基板、顯示裝置及制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]顯示面板通常由陣列基板和彩膜基板對盒而成。陣列基板上設(shè)置的金屬電極/導(dǎo)線在通電后會產(chǎn)生側(cè)向電場，這種電場會導(dǎo)致與該金屬電極/導(dǎo)線相鄰的液晶的偏轉(zhuǎn)混亂，造成顯示面板的漏光現(xiàn)象。為了防止顯示面板由于金屬電極/導(dǎo)線產(chǎn)生的側(cè)向電場而發(fā)生漏光，通常會在彩膜基板一側(cè)設(shè)置黑矩陣，防止金屬電極/導(dǎo)線產(chǎn)生的側(cè)向電場造成的漏光，以及避免外界光照對TFT(薄膜晶體管)溝道的漏電流的影響。
[0003]彩膜基板與陣列基板對盒時可能會產(chǎn)生一定的偏移，因此黑矩陣的尺寸通常設(shè)計的偏大一些，導(dǎo)致顯示面板的開口率下降。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本公開的實施例提供了一種陣列基板、顯示裝置及制備方法，該陣列基板可以避免顯示裝置的漏光，并提高顯示裝置的開口率。
[0005]本公開的一個方面提供了一種陣列基板，包括襯底基板以及設(shè)置于所述襯底基板上的像素陣列結(jié)構(gòu)，其中，所述像素陣列結(jié)構(gòu)包括源漏金屬層圖案，所述源漏金屬層圖案包括薄膜晶體管的源極及漏極和數(shù)據(jù)線;所述源漏金屬層圖案遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面至少部分設(shè)置有遮光材料。
[0006]在一個實施例的陣列基板中，例如，所述像素陣列結(jié)構(gòu)在所述襯底基板與所述源漏金屬層圖案之間還可以包括有源層圖案;所述有源層圖案包括位于所述薄膜晶體管的源極及漏極之間的溝道區(qū)。
[0007]在一個實施例的陣列基板中，例如，所述遮光材料的圖案與所述源漏金屬層圖案在所述襯底基板的厚度方向上可以彼此重合。
[0008]在一個實施例的陣列基板中，例如，所述像素陣列結(jié)構(gòu)還可以包括公共電極，其中，所述公共電極的遠(yuǎn)離所述襯底基板且與所述溝道區(qū)對應(yīng)的表面設(shè)置遮光材料。進(jìn)一步地，例如所述公共電極遠(yuǎn)離所述襯底基板且與所述源漏金屬層圖案對應(yīng)的表面設(shè)置遮光材料。
[0009]在一個實施例的陣列基板中，例如，所述像素陣列結(jié)構(gòu)還可以包括平坦層以及與所述公共電極彼此絕緣的像素電極，其中，所述像素電極通過穿過所述公共電極和所述平坦層的第一過孔與所述漏極連接。
[0010]在一個實施例的陣列基板中，例如，所述平坦層的材料可以為有機(jī)材料。
[0011]在一個實施例的陣列基板中，例如，所述像素陣列結(jié)構(gòu)還可以包括像素電極，其中，所述像素電極遠(yuǎn)離所述襯底基板且與所述溝道區(qū)對應(yīng)的表面設(shè)置遮光材料。進(jìn)一步地，例如所述像素電極遠(yuǎn)離所述襯底基板且與所述源漏金屬層圖案對應(yīng)的表面設(shè)置遮光材料。
[0012]在一個實施例的陣列基板中，例如，所述像素陣列結(jié)構(gòu)還可以包括設(shè)置于所述源漏金屬層圖案與所述像素電極之間的平坦層，其中，所述像素電極通過穿過所述平坦層的過孔與所述漏極連接。
[0013]在一個實施例的陣列基板中，例如，所述像素陣列結(jié)構(gòu)還可以包括平坦層，其中，所述平坦層遠(yuǎn)離所述襯底基板且與所述溝道區(qū)對應(yīng)的表面設(shè)置遮光材料。
[0014]在一個實施例的陣列基板中，例如，所述像素陣列結(jié)構(gòu)還可以包括柵金屬層圖案，所述柵金屬層圖案的遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面設(shè)置遮光材料。
[0015]在一個實施例的陣列基板中，例如，所述柵金屬層圖案的靠近所述襯底基板的表面還可以設(shè)置有遮光材料。
[0016]在一個實施例的陣列基板中，例如，所述柵金屬層圖案可以包括柵線和公共電極線。
[0017]在一個實施例的陣列基板中，例如，所述像素陣列結(jié)構(gòu)還可以包括像素電極和公共電極，所述公共電極與所述像素電極彼此絕緣，并且位于同一層上或不同層上。
[0018]在一個實施例的陣列基板中，例如，所述源漏金屬層圖案靠近所述襯底基板的表面還可以至少部分設(shè)置遮光材料。
[0019]在一個實施例的陣列基板中，例如，所述遮光材料可以為氧化鉬。
[0020]在一個實施例的陣列基板中，例如，所述像素陣列結(jié)構(gòu)還可以包括彩色濾光層，所述彩色濾光層包括多個彩色濾光單元。
[0021]本公開的另一個方面提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0022]本公開的再一個方面提供了一種陣列基板的制備方法，包括:提供襯底基板;在所述襯底基板上形成像素陣列結(jié)構(gòu)。所述像素陣列結(jié)構(gòu)包括源漏金屬層圖案，所述源漏金屬層圖案遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)至少部分表面形成有遮光材料。
[0023]在一個實施例的方法中，例如，形成所述源漏金屬層圖案的工藝步驟可以為:沉積源漏金屬層以及遮光材料層;將所述源漏金屬層及所述遮光材料層構(gòu)圖，以形成至少部分表面形成有所述遮光材料的所述源漏金屬層圖案。
[0024]在一個實施例的方法中，例如，所述像素陣列結(jié)構(gòu)還包括柵金屬層圖案，其中，形成所述柵金屬層圖案的工藝步驟可以為:在所述襯底基板上沉積柵金屬層和遮光材料層，將所述柵金屬層和所述遮光材料層構(gòu)圖，形成所述柵金屬層圖案;所述柵金屬層圖案遠(yuǎn)離所述襯底基板的至少部分表面形成有遮光材料。
[0025]在一個實施例的方法中，例如，所述像素陣列結(jié)構(gòu)包括有源層圖案，所述有源層圖案包括薄膜晶體管的溝道區(qū)。在形成所述源漏金屬層圖案之后還可以包括:在所述源漏金屬層圖案上形成平坦層;在所述平坦層上沉積公共電極層和遮光材料層，將所述公共電極層和所述遮光材料層構(gòu)圖，形成在與所述溝道區(qū)對應(yīng)的位置形成有遮光材料的公共電極。
[0026]在一個實施例的方法中，例如，所述遮光材料為氧化鉬。
[0027]在一個實施例的方法中，例如，所述像素陣列結(jié)構(gòu)還可以包括彩色濾光層，所述彩色濾光層包括多個彩色濾光單元。
【附圖說明】
[0028]為了更清楚地說明本公開實施例的技術(shù)方案，下面將對實施例的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本公開的一些實施例，而非對本公開的限制。
[0029]圖1a為本公開一個實施例的陣列基板俯視示意圖；
[0030]圖1b為圖1a中的陣列基板沿A-Al方向的剖視示意圖；
[0031]圖1c為圖1a中的陣列基板沿B-Bl方向的剖視示意圖；
[0032]圖2為本公開另一個實施例的陣列基板的公共電極與TFT溝道區(qū)對應(yīng)位置設(shè)置遮光材料的不意圖；
[0033]圖3為本公開另一個實施例的陣列基板的像素電極與TFT溝道區(qū)對應(yīng)位置設(shè)置遮光材料的不意圖；
[0034]圖4為本公開另一個實施例的陣列基板的平坦層與TFT溝道區(qū)對應(yīng)位置設(shè)置遮光材料的不意圖；
[0035]圖5為本公開另一個實施例的陣列基板中柵金屬層設(shè)置遮光材料示意圖；
[0036]圖6為本公開另一個實施例的陣列基板的柵金屬層圖案靠近襯底基板的一側(cè)設(shè)置遮光材料不意圖；
[0037]圖7為本公開另一個實施例的COA陣列基板的示意圖。
【具體實施方式】
[0038]為使本公開的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本公開實施例的附圖，對本公開實施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例是本公開的一部分實施例，而不是全部的實施例?；谒枋龅谋竟_的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在無需創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本公開保護(hù)的范圍。
[0039]在顯示面板中，黑矩陣通常設(shè)置在彩膜基板一側(cè)。設(shè)置黑矩陣的位置可以包括陣列基板的金屬電極/導(dǎo)線的上方，以避免由于金屬電極/導(dǎo)線產(chǎn)生的側(cè)向電場使與該金屬電極/導(dǎo)線相鄰的液晶分子偏轉(zhuǎn)混亂而導(dǎo)致的漏光；設(shè)置黑矩陣的位置也可以包括TFT(薄膜晶體管)溝道區(qū)的上方，以防止光線照射到TFT的溝道區(qū)而產(chǎn)生漏電流。在陣列基板和彩膜基板對盒以形成顯示面板時，陣列基板與彩膜基板之間的相對位置可能會產(chǎn)生一定的偏差。因此，通常黑矩陣的尺寸設(shè)計得偏大，以抵消由于對盒偏差帶來的不利影響。但是，黑矩陣尺寸采取偏大的冗余設(shè)計時，也會導(dǎo)致顯示面板的開口率下降。
[0040]本公開的一個方面的實施例提供了一種陣列基板，包括襯底基板以及設(shè)置于所述襯底基板上的像素陣列結(jié)構(gòu)，其中，所述像素陣列結(jié)構(gòu)包括源漏金屬層圖案，所述源漏金屬層圖案包括薄膜晶體管的源極及漏極和數(shù)據(jù)線;所述源漏金屬層圖案遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面至少部分設(shè)置有遮光材料。本公開實施例的陣列基板可以避免所得到的顯示裝置發(fā)生漏光，并提高顯示裝置的開口率。像素陣列結(jié)構(gòu)還可以包括柵金屬層圖案、有源層圖案、像素電極層圖案等。
[0041]需要說明的是，遮光材料例如至少在源漏金屬層遠(yuǎn)離襯底基板的表面設(shè)置。例如源漏金屬層圖案的該側(cè)表面可全部設(shè)置有遮光材料，或者例如在源漏金屬層的該側(cè)表面可部分設(shè)置有遮光材料。例如，數(shù)據(jù)線的遠(yuǎn)離襯底基板一側(cè)設(shè)置的遮光材料在數(shù)據(jù)線寬度方向上的尺寸與數(shù)據(jù)線的寬度相等。例如一部分?jǐn)?shù)據(jù)線在遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)設(shè)置遮光材料，對于另一部分?jǐn)?shù)據(jù)線，可以仍然對應(yīng)地設(shè)置黑矩陣以避免漏光，例如在彩膜基板一側(cè)設(shè)置黑矩陣。該遮光材料的設(shè)置方式例如是沉積或覆蓋于源漏金屬層的遠(yuǎn)離襯底基板側(cè)的表面。
[0042]實施例一
[0043]圖1a為本公開一個實施例的陣列基板的一個像素單元(子像素)的俯視示意圖。參見圖la，陣列基板的每個像素單元通過彼此交叉的柵線102和數(shù)據(jù)線107界定，且在柵線102與數(shù)據(jù)線交叉位置附近設(shè)置作為開關(guān)元件的TFT(薄膜晶體管)。例如，TFT的源極108與數(shù)據(jù)線107連接，漏極109與像素電極140連接。例如，公共電極線101與柵線102位于同一層且彼此平行延伸。
[0044]需要說明的是，圖1a示意性地示出了像素單元的結(jié)構(gòu)，例如像素電極為梳狀電極。但本公開并不限于此，例如，像素電極也可以為塊狀電極或其它形狀的電極。
[0045 ]圖1b為圖1a的陣列基板沿A-AI方向的剖視示意圖。圖1 c為圖1 a的陣列基板沿B-BI方向的剖視示意圖(同樣，圖2-圖7所示的陣列基板的剖視示意圖的剖切線方向也為B-Bl，在此一并指出)。
[0046]參照圖1b和圖lc，陣列基板包括襯底基板100以及設(shè)置于襯底基板100上的像素陣列結(jié)構(gòu)。像素陣列結(jié)構(gòu)包括:柵金屬層圖案，其包括柵線與柵線連接的柵極103;覆蓋于柵金屬層圖案之上的柵絕緣層;有源層圖案，其包括作為TFT(薄膜晶體管)溝道區(qū)的部分104;源漏金屬層圖案，其包括數(shù)據(jù)線107、與數(shù)據(jù)線107連接的源極108、與像素電極140連接的漏極109。
[0047]在該像素陣列結(jié)構(gòu)中，例如，柵金屬層圖案還可以包括公共電極線101。又例如，有源層圖案還可以包括位于數(shù)據(jù)線之下的部分114。
[0048]綜合參照圖1b和圖lc，源漏金屬層圖案遠(yuǎn)離襯底基板100的一側(cè)設(shè)置有遮光材料115。該遮光材料可以避免由源漏金屬層導(dǎo)致的漏光或反光，并由此能提高顯示裝置的開口率。
[0049]在本實施例的一個示例中，繼續(xù)參照圖lc，如上所述，像素陣列結(jié)構(gòu)在襯底基板與源漏金屬層圖案之間包括有源層圖案；該有源層圖案包括位于薄膜晶體管的源極108及漏極109之間溝道區(qū)104，也即溝道區(qū)位于有源層的與源極108及漏極109分布對應(yīng)的源極區(qū)和漏極區(qū)之間，從而在對應(yīng)于對該溝道區(qū)的柵極被施加導(dǎo)通電壓時，該溝道區(qū)104可使TFT的源漏極之間導(dǎo)通。
[0050]在本實施例的一個示例中，例如，所述遮光材料的圖案與所述源漏金屬層圖案在所述襯底基板的厚度方向上彼此重合。也就是說，源漏金屬層圖案遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)均設(shè)置遮光材料，從而有效遮擋例如由數(shù)據(jù)線等產(chǎn)生的漏光。
[0051 ]在本實施例的一個示例中，例如，所述像素陣列結(jié)構(gòu)還可以包括公共電極130，其中，所述公共電極的遠(yuǎn)離所述襯底基板且與所述溝道區(qū)對應(yīng)的表面設(shè)置遮光材料。
[0052]在該像素陣列結(jié)構(gòu)中，柵金屬層圖案形成在襯底基板100上，柵絕緣層120覆蓋在柵金屬層圖案上，有源層圖案和源漏金屬層圖案形成在柵絕緣層120上，平坦層110覆蓋在有源層圖案和源漏金屬層圖案上，公共電極130形成在平坦層110上，層間絕緣層150覆蓋在公共電極130上，而像素電極140設(shè)置在層間絕緣層150之上。例如，平坦層110和層間絕緣層150可由相同的無機(jī)或有機(jī)絕緣材料制備。該實施例的示例中，公共電極130與像素電極140不在同一層上設(shè)置，由此可以得到ADS(高級超維場轉(zhuǎn)換)模式陣列基板，但是本公開不限于此，例如公共電極與像素電極可以位于同一層上，由此可以得到IPS(面內(nèi)轉(zhuǎn)換)模式陣列基板。
[0053]實施例二
[0054]圖2為本公開另一個實施例的陣列基板中公共電極與TFT溝道對應(yīng)區(qū)覆蓋遮光材料的示意圖。參照圖2，襯底基板100上設(shè)置有柵金屬層圖案、柵絕緣層120、有源層圖案、源漏金屬層圖案、公共電極130、層間絕緣層150和像素電極140。有源層圖案包括溝道區(qū)104，公共電極130的遠(yuǎn)離襯底基板100且與溝道區(qū)104對應(yīng)的表面設(shè)置遮光材料115。由于TFT溝道區(qū)在受到光線照射時，會產(chǎn)生漏電流，從而影響顯示效果。通過在公共電極的遠(yuǎn)離襯底基板的表面設(shè)置遮光材料，可以避免光線照射TFT溝道區(qū)，確保顯示裝置的顯示效果。
[0055]在本實施例的一個示例中，如圖2所示，所述像素陣列結(jié)構(gòu)還可以包括平坦層110、與所述公共電極130絕緣的像素電極140、公共電極130和像素電極140之間的層間絕緣層150，其中，當(dāng)像素電極140位于公共電極130之上時，可通過穿過層間絕緣層150、公共電極130和所述平坦層110的第一過孔與例如TFT的漏極連接。
[0056]該實施例的示例中，公共電極130與像素電極140不在同一層上設(shè)置，但是本公開不限于此，例如公共電極與像素電極可以位于同一層上。另外，公共電極130的遠(yuǎn)離襯底基板100且與TFT溝道區(qū)104對應(yīng)的表面設(shè)置有遮光材料115。例如，該遮光材料115在襯底基板厚度方向上與源漏極至少部分重疊，從而更好的保護(hù)源漏極。例如，還可以在公共電極130的遠(yuǎn)離襯底基板100且與源漏金屬層圖案對應(yīng)的表面均設(shè)置遮光材料，以更好的防止漏光。像素電極140通過穿過層間絕緣層150、遮光材料115、公共電極140、平坦層110以及漏極109遠(yuǎn)離襯底基板100側(cè)覆蓋的遮光材料115的第一過孔117與漏極109連接。
[0057]源漏極金屬層之上通常設(shè)置有平坦層，例如該平坦層的材料可以為有機(jī)材料，例如聚酯、聚氯乙烯等。在本實施例中，該平坦層的作用例如包括使源漏金屬層和公共電極彼此絕緣，以及覆蓋在源漏金屬層之上以獲得平整的表面，方便后續(xù)工藝。在平坦層之上，例如，公共電極和像素電極可以形成在一個平面上或者形成在不同平面上，并施加不同電壓，以在公共電極和像素電極之間形成用于驅(qū)動液晶分子運(yùn)動的電場。例如，如圖所示，像素電極140設(shè)置于公共電極130之上。由于像素電極需要與位于源漏金屬層的漏極電連接，因此層間絕緣層以及平坦層的與漏極對應(yīng)的位置設(shè)置有連接過孔。同樣的，如果需要，則公共電極在與漏極對應(yīng)的位置也可以包括與平坦層中的連接過孔連通的連接過孔，或者公共電極非形成在連接過孔的位置。像素電極通過該連接孔與漏極電連接。
[0058]像素電極與漏極電連接例如可如下方式實現(xiàn)。在形成穿過層間絕緣層、公共電極和平坦層的第一過孔之后，沉積用于形成像素電極的ΙΤ0。在沉積了ITO層之后，ITO材料可以進(jìn)入第一過孔中，從而實現(xiàn)像素電極與TFT漏極的電連接。
[0059]在本實施例的一個示例中，所述平坦層的材料為有機(jī)材料。如上所述，平坦層的材料可以為聚氯乙烯，例如，也可以為其它絕緣的有機(jī)材料。
[0060]實施例三
[0061]圖3為本公開另一個實施例的陣列基板中公共電極與TFT溝道對應(yīng)區(qū)覆蓋遮光材料的示意圖。參照圖3，襯底基板100上設(shè)置有柵金屬層圖案、柵絕緣層、有源層圖案、源漏金屬層圖案、公共電極130和像素電極140。在本實施中，所述像素電極遠(yuǎn)離所述襯底基板且與所述溝道區(qū)對應(yīng)的位置也設(shè)置遮光材料。如上所述，TFT的溝道區(qū)需要進(jìn)行遮擋，以避免發(fā)生漏電流，因此可以在像素電極遠(yuǎn)離襯底基板且與溝道區(qū)對應(yīng)的表面設(shè)置遮光材料。例如，在形成像素電極圖案時，在與TFT溝道區(qū)對應(yīng)的位置保留像素電極圖案，以在該部分像素電極圖案上設(shè)置遮光材料，實現(xiàn)對TFT溝道區(qū)的有效保護(hù)。例如，還可以在像素電極的與源漏金屬層圖案對應(yīng)的表面設(shè)置遮光材料，以更有效遮擋由源漏金屬層導(dǎo)致的漏光。
[0062]在本實施例的一個示例中，所述像素陣列結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置于所述源漏金屬層圖案與所述像素電極之間的平坦層、層間絕緣層，所述像素電極通過穿過所述平坦層、層間絕緣層的過孔與所述漏極電連接。如圖中所述，像素電極140與公共電極140可以設(shè)置在不同層上且像素電極140在遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)，例如，也可以是像素電極設(shè)置于靠近襯底基板一偵U，公共電極設(shè)置于遠(yuǎn)離襯底基板的層上。當(dāng)像素電極與公共電極采取這種設(shè)置方式時，像素電極與層間絕緣層相鄰。因此，像素電極可以通過穿過層間絕緣層和平坦層的過孔電連接到TFT的漏極。
[0063]實施例四
[0064]在本公開的再一個實施例中，平坦層遠(yuǎn)離所述襯底基板且與所述溝道區(qū)對應(yīng)的表面設(shè)置遮光材料。圖4為本公開在一個實施例的陣列基板中平坦層與TFT溝道區(qū)對應(yīng)區(qū)設(shè)置遮光材料的示意圖。參照圖4，襯底基板100上設(shè)置有柵金屬層圖案、柵絕緣層、有源層圖案、源漏金屬層圖案、平坦層110、公共電極130和像素電極140。源漏金屬層圖案(包括TFT的源極108和漏極109以及數(shù)據(jù)線107)的遠(yuǎn)離襯底基板100的表面設(shè)置有遮光材料115，平坦層110覆蓋于遮光材料115及源漏金屬層圖案之上。有源層圖案包括溝道區(qū)104，平坦層110的遠(yuǎn)離襯底基板100且與溝道區(qū)104對應(yīng)的表面設(shè)置遮光材料115。例如，如上所述，該遮光材料115也可以在襯底基板100厚度方向上與TFT源漏極至少部分重疊，和/或與源漏金屬層圖案彼此重疊，以進(jìn)一步避免漏光。通過在平坦層110遠(yuǎn)離襯底基板且與TFT溝道對應(yīng)的表面設(shè)置遮光材料，可以起到保護(hù)TFT溝道區(qū)且防止產(chǎn)生漏電流的作用。
[0065]實施例五
[0066]在本公開的再一個實施例中，柵金屬層圖案的遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面設(shè)置遮光材料。柵金屬層圖案例如可以包括柵線、與柵線連接的柵極、公共電極線等，這些金屬電極/導(dǎo)線在通電后產(chǎn)生的電場可能導(dǎo)致液晶分子偏轉(zhuǎn)發(fā)生混亂，進(jìn)而造成漏光。
[0067]圖5為本公開實施例的陣列基板中柵金屬層設(shè)置遮光材料示意圖。參照圖5，陣列基板包括襯底基板100、依次設(shè)置于襯底基板100上的柵金屬層圖案、柵絕緣層、源漏金屬層圖案、平坦層、公共電極130和像素電極140。圖中，源漏金屬層圖案的遠(yuǎn)離襯底基板100的表面設(shè)置遮光材料115，同時，柵金屬層圖案的遠(yuǎn)離襯底基板的表面也設(shè)置遮光材料。例如，柵金屬層圖案包括柵線、與柵線連接的柵極103、公共電極線101，且柵線、柵極和公共電極線的遠(yuǎn)離襯底基板的表面均設(shè)置遮光材料。即，柵金屬層圖案遠(yuǎn)離襯底基板一側(cè)的整個表面均設(shè)置遮光材料。通過在柵金屬層圖案上設(shè)置遮光材料，可以進(jìn)一步避免發(fā)生漏光，保護(hù)TFT溝道區(qū)，提高顯示裝置的開口率。
[0068]在本實施例的一個示例中，例如，所述柵金屬層圖案的靠近所述襯底基板的表面也可以進(jìn)一步設(shè)置有遮光材料。圖6為本公開實施例的陣列基板中柵金屬層圖案的靠近襯底基板的表面也設(shè)置遮光材料示意圖。參照圖6，陣列基板包括襯底基板100、依次設(shè)置于襯底基板100上的柵金屬層圖案、柵絕緣層、源漏金屬層圖案、平坦層、公共電極130和像素電極140。圖中，源漏金屬層圖案的遠(yuǎn)離襯底基板100的表面設(shè)置遮光材料115，同時柵金屬層圖案的靠近襯底基板100的表面也設(shè)置遮光材料115。例如，如圖所示，源漏金屬層圖案遠(yuǎn)離襯底基板100的表面設(shè)置遮光材料115、與TFT溝道區(qū)對應(yīng)位置設(shè)置用于遮擋溝道區(qū)的遮光材料115、且柵金屬層圖案的遠(yuǎn)離及靠近襯底基板100側(cè)表面均設(shè)置遮光材料115。從而更好的避免顯示裝置漏光，防止光線照射TFT溝道區(qū)，提高顯示裝置開口率。
[0069]需要說明的是，液晶顯示裝置通常包括背光源；而制備源漏金屬層和柵金屬層的材料，例如鋁或鋁合金、銅或銅合金等，具有較強(qiáng)的反射性。因此，背光源所發(fā)出的光可以在陣列基板中發(fā)生多次發(fā)射和折射，產(chǎn)生如下問題。一方面，這些經(jīng)過發(fā)射和折射的光線，可能從各個方向照射到TFT溝道，產(chǎn)生漏電流；另一方面，這些經(jīng)過反射和折射的光線也可能會在沒有黑矩陣遮擋的地方形成漏光，影響顯示效果。通過在柵金屬層的靠近及遠(yuǎn)離襯底基板的兩側(cè)均設(shè)置遮光材料，可以有效降低光線的反射，避免或減少TFT溝道漏電流的產(chǎn)生，并進(jìn)一步降低漏光現(xiàn)象，提高顯示效果。
[0070]在本實施例的一個示例中，例如，所述柵金屬層圖案包括柵線和公共電極線。
[0071]在本實施例的一個示例中，例如，所述像素陣列結(jié)構(gòu)還包括公共電極，其中，所述公共電極通過第二過孔連接到所述公共電極線。參照圖5，襯底基板100上依次設(shè)置柵金屬層圖案、柵絕緣層、有源層圖案、源漏金屬層圖案、平坦層、公共電極130和像素電極140。柵金屬層圖案包括公共電極線101，且公共電極130與公共電極線101通過第二過孔118連接，從而公共電極線101向公共電極130施加公共電壓信號。圖中所示的陣列基板具有底柵結(jié)構(gòu)，即柵金屬層圖案的上方(遠(yuǎn)離襯底基板側(cè))例如設(shè)置有柵絕緣層、有源層、源漏金屬層、平坦層110和公共電極130。因此，用于連接公共電極130與公共電極線101的第二過孔118例如穿過平坦層和柵絕緣層(圖中所示的公共電極線遠(yuǎn)離襯底基板100—側(cè)設(shè)置有遮光材料115，為了使公共電極與公共電極線連接，第二過孔118穿過該遮光材料115)。公共電極與公共電極線的連接例如可以采用金屬或其它導(dǎo)體。
[0072]在一個實施例中，所述源漏金屬層圖案靠近所述襯底基板的表面還至少部分設(shè)置遮光材料。液晶顯示裝置通常包括背光源。制備源漏金屬層的材料，例如鋁或鋁合金、銅或鋁合金等，具有較強(qiáng)的反射性。因此，背光源所發(fā)出的光可以在陣列基板中通過例如源漏金屬層發(fā)生多次發(fā)射和折射，并產(chǎn)生如下問題。一方面，這些經(jīng)過發(fā)射和折射的光線，可以從各個方向照射到TFT溝道區(qū)，造成漏電流；另一方面，這些經(jīng)過例如源漏金屬層反射和折射的光線，也會形成漏光，影響顯示效果。通過在源漏金屬層的靠近及遠(yuǎn)離襯底基板的兩側(cè)表面均設(shè)置遮光材料，可以有效降低光線的反射，避免或減少TFT溝道漏電流的產(chǎn)生，同時進(jìn)一步降低漏光現(xiàn)象、提高顯示效果。
[0073]在一個實施例中，例如，所述遮光材料可以為氧化鉬。通過采用氧化鉬這種無機(jī)材料作為遮光材料，可以避免TFT設(shè)備受到污染，降低陣列基板的漏光，并能夠有效保護(hù)TFT的溝道區(qū)，從而提高顯示效果，具有廣闊的市場前景。
[0074]實施例五
[0075]在本公開的另一個實施例中，陣列基板上除了設(shè)置像素陣列結(jié)構(gòu)之外，還包括彩色濾光層。彩色濾光層包括對應(yīng)于各個像素單元的彩色濾光單元，例如可以為紅、綠或藍(lán)色(RGB)濾光單元。這樣的陣列基板可以被稱為C0A(Color-filter On Array)基板。而且，使用該COA基板構(gòu)成顯示面板時，對置基板上可以不再設(shè)置彩色濾光層，并且該顯示面板可以具有提高的的開口率和對盒精度。
[0076]圖7為本公開另一個實施例的COA陣列基板的示意圖。參照圖7，陣列基板包括襯底基板100以及設(shè)置于襯底基板100上的像素陣列結(jié)構(gòu)。像素陣列結(jié)構(gòu)包括:柵金屬層圖案，其包括柵線與柵線連接的柵極103;覆蓋于柵金屬層圖案之上的柵絕緣層;有源層圖案，其包括作為TFT(薄膜晶體管)溝道區(qū)的部分104;源漏金屬層圖案，其包括數(shù)據(jù)線107、與數(shù)據(jù)線107連接的源極108、與像素電極140連接的漏極109。源漏金屬層圖案遠(yuǎn)離襯底基板100的一側(cè)設(shè)置有遮光材料115。該遮光材料可以避免由源漏金屬層導(dǎo)致的漏光或反光，并由此能提尚顯不裝置的開口率。
[0077]相比與圖1c所示的實施例相比，該陣列基板在平坦層110和公共電極130之間還設(shè)置有彩色濾光層，該彩色濾光層還包括多個彩色濾光單元，例如，圖中所對應(yīng)的像素單元包括紅色濾光單元210，與之相鄰的像素單元包括綠色或藍(lán)色濾光單元220。
[0078]需要說明的是，附圖1-7所示均為具有底柵結(jié)構(gòu)的陣列基板，本公開的實施例同樣適應(yīng)于具有頂柵結(jié)構(gòu)的陣列基板。
[0079]以上實施例可以相互組合，進(jìn)而獲得更好的技術(shù)效果。例如，源漏金屬層的遠(yuǎn)離及靠近襯底基板的表面設(shè)置遮光材料，柵金屬層的遠(yuǎn)離及靠近襯底基板的表面設(shè)置遮光材料，以及TFT溝道對應(yīng)區(qū)覆蓋遮光材料，從而以更好地阻止例如背光源所發(fā)出的光在襯底基板中發(fā)生反射和折射，降低漏光，保護(hù)TFT溝道，獲得更好的顯示效果。
[0080]實施例六
[0081]本公開的另一個方面的實施例提供了一種顯示裝置，其包括上述任一種陣列基板。由于該陣列基板，該顯示裝置具有如上所述的技術(shù)效果，可以參照之前的描述。另外，與陣列基板對盒的對置基板(比如彩膜基板)例如可以不設(shè)置黑矩陣，進(jìn)一步簡化了對置基板的結(jié)構(gòu)。在陣列基板為COA基板的情況下，對置基板還可以進(jìn)一步不再設(shè)置彩色濾光層。
[0082]實施例七
[0083]本公開的再一個方面的實施例提供了一種陣列基板的制備方法，其包括:提供襯底基板;在所述襯底基板上形成像素陣列結(jié)構(gòu)。所述像素陣列結(jié)構(gòu)包括源漏金屬層圖案;其中，所述源漏金屬層圖案遠(yuǎn)離所述襯底基板的至少部分表面形成有遮光材料。
[0084]在采用本公開實施例的這種方法制備的陣列基板中，源漏金屬層圖案遠(yuǎn)離所述襯底基板的至少部分表面形成有遮光材料，可以有效防止例如顯示面板的漏光。同時由于作為遮光材料的黑矩陣設(shè)置于陣列基板一側(cè)，不存在對盒偏移問題，因此，黑矩陣的寬度相對較小，提高了開口率。
[0085]例如，形成所述源漏金屬層圖案的工藝步驟可以為:沉積源漏金屬層以及遮光材料層;采用一次掩模工藝，將所述源漏金屬層及所述遮光材料層構(gòu)圖，以形成至少部分表面形成有所述遮光材料的所述源漏金屬層圖案。這里，由于遮光材料層的圖案與源漏金屬層圖案同時形成，因此沒有增加額外的步驟，成本較低。同時，所形成的遮光材料層完全覆蓋源漏金屬層圖案，具有較好的防漏光效果。
[0086]例如，所述像素陣列結(jié)構(gòu)還可以包括柵金屬層圖案，其中，形成所述柵金屬層圖案的工藝步驟可以為:在所述襯底基板上沉積柵金屬層和遮光材料層，采用一次掩模工藝，將所述柵金屬層和所述遮光材料層構(gòu)圖，以形成所述柵金屬層圖案;所述柵金屬層圖案遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面至少部分形成有遮光材料。這里，遮光材料層的圖案與柵金屬層圖案依次沉積，并采用一次掩?？涛g而成，沒有增加額外的步驟，成本較低。同時，由于在柵金屬層圖案的遠(yuǎn)離襯底基板的表面也覆蓋有遮光材料層，因此可以避免例如反射和折射的光線照射TFT溝道而產(chǎn)生漏電流。
[0087]例如，所述像素陣列結(jié)構(gòu)還可以包括有源層圖案，所述有源層圖案包括TFT溝道區(qū)。
[0088]在實施例的示例中，在形成所述源漏金屬層圖案之后還可以包括:在所述源漏金屬層圖案上形成平坦層;在所述平坦層上沉積公共電極層和遮光材料層；以及蝕刻所述公共電極層和所述遮光材料層，形成在與所述TFT溝道區(qū)對應(yīng)的位置形成設(shè)置有遮光材料的公共電極。通過在TFT溝道區(qū)上方形成遮光材料層，可避免光線照射TFT溝道，產(chǎn)生漏電流。同時，由于遮光材料層設(shè)置于陣列基板一側(cè)，不存在對盒偏移問題，遮光材料層的尺寸相對較小，提高了開口率。
[0089]例如，在形成所述公共電極之后，本公開實施例的方法還可以包括:形成層間絕緣層，以及形成第一過孔和像素電極;使所述像素電極通過所述第一過孔與所述薄膜晶體管的漏極連接。例如，平坦層之上形成公共電極之后，在公共電極之中與漏極對應(yīng)的位置預(yù)留過孔(或開口)，從而在形成層間絕緣層之后，方便形成穿過層間絕緣層、平坦層的第一過孔。
[0090]例如，在上述結(jié)構(gòu)之中，遮光材料可以為氧化鉬。通過采用氧化鉬這種無機(jī)材料作為遮光材料，可以避免TFT設(shè)備受到污染并能夠有效保護(hù)TFT的溝道區(qū)，降低陣列基板的漏光，提高顯示效果，具有廣闊的市場前景。
[0091]以下僅以在源漏金屬層圖案的遠(yuǎn)離襯底基板一側(cè)以及對應(yīng)TFT溝道的公共電極上形成遮光材料層圖案為例，詳細(xì)說明本公開實施例的陣列基板的制備方法，但是本公開的實施例不限于此。
[0092](I)形成柵金屬層圖案
[0093]在襯底基板例如玻璃基板上沉積一層金屬薄膜，例如金屬薄膜的材料采用鋁;在金屬層的表面涂覆一層光刻膠，并通過掩模板曝光去除柵金屬層圖案之外的的光刻膠，以漏出該層金屬薄膜的待蝕刻部分，由此得到光刻膠圖案?？梢圆捎谜怨饪棠z或負(fù)性光刻膠。例如，采用蝕刻液蝕刻掉金屬層薄膜通過光刻膠圖案露出的部分。之后，除去剩余的光刻膠，以形成柵金屬層圖案。例如，該金屬層圖案包括柵線與柵線連接的柵極，還可以進(jìn)一步包括公共電極線。
[0094]然后，在柵金屬層圖案上形成柵絕緣層，以覆蓋柵金屬層圖案。
[0095](2)形成有源層和源漏金屬層圖案，其中，源漏金屬層圖案的遠(yuǎn)離襯底基板的表面設(shè)置有遮光材料。
[0096]例如，依次在柵絕緣層上沉積有源層、源漏金屬層以及氧化鉬材料。
[0097]氧化鉬材料即為本公開實施例中的遮光材料的一種，其顏色為黑色，遮光效果與黑矩陣類似。例如，沉積氧化鉬的工藝可以在同一設(shè)備中不同腔室與例如濺射金屬層薄膜的工藝依次進(jìn)行。濺射氧化鉬的靶材例如為鉬靶材或者鉬鈮靶材，所采用的氣體例如可以為氧氣或氬氣。
[0098]在氧化鉬材料層之上涂覆一層光刻膠;通過半色調(diào)或灰色調(diào)光刻工藝，以形成源漏金屬層圖案和有源層的溝道區(qū)。半色調(diào)或灰色調(diào)光刻工藝采用正性光刻膠，所采用的掩模板的透光區(qū)對應(yīng)于有源層、源漏金屬層、氧化鉬層的待刻蝕去除的部分，掩模板的半透光區(qū)或部分透光區(qū)對應(yīng)于溝道區(qū)，而掩模板的非透光區(qū)對應(yīng)于源漏金屬層圖案。通過該掩模板對光刻膠進(jìn)行曝光、顯影之后，與透光區(qū)對應(yīng)的光刻膠被去除，而與半透光區(qū)或部分透光區(qū)對應(yīng)的光刻膠被部分保留(厚度減小)，而與非透光區(qū)對應(yīng)的光刻膠例如基本保留，由此得到光刻膠圖案。采用該光刻膠圖案進(jìn)行刻蝕，例如，可以采用一種蝕刻液蝕刻掉漏出的氧化鉬，以形成氧化鉬層圖案;接著采用另一種蝕刻液蝕刻掉漏出的源漏金屬層，以形成源漏金屬層圖案，該源漏金屬層圖案的遠(yuǎn)離襯底基板一側(cè)均覆蓋氧化鉬材料;接著采用另一種蝕刻液蝕刻掉漏出的有源層。之后，對光刻膠圖案進(jìn)行灰化工藝，以去除對應(yīng)于半透光區(qū)或部分透光區(qū)的光刻膠但是部分保留對應(yīng)于非透光區(qū)的光刻膠(厚度減小)，采用蝕刻液分別蝕刻掉露出的對應(yīng)于溝道區(qū)的氧化鉬材料和源漏金屬層，形成TFT溝道;最后，去除光刻膠。
[0099](3)形成平坦層及過孔圖案
[0100]沉積平坦層，如果需要還可以采用掩模曝光工藝形成過孔圖案，參照之前的描述。該過孔用于之后形成的公共電極與公共電極線電連接。
[0101](4)形成公共電極及對應(yīng)TFT溝道的氧化鉬層
[0102]沉積ITO(氧化銦錫)層和氧化鉬材料；該ITO層用于形成公共電極。采用半色調(diào)或灰色調(diào)光刻工藝構(gòu)圖氧化鉬層和ITO層。在氧化鉬材料上涂覆光刻膠，例如正性光刻膠，半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板的透光區(qū)對應(yīng)于公共電極以外的區(qū)域，掩模板的半透光區(qū)或部分透光區(qū)對應(yīng)于公共電極除保留氧化鉬的區(qū)域之外的區(qū)域，掩模板的非透光區(qū)對應(yīng)于保留氧化鉬的區(qū)域。通過該半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板對光刻膠進(jìn)行曝光，以得到光刻膠圖案。采用該光刻膠圖案，去除暴露的氧化鉬和ITO材料;然后通過灰化工藝去除對應(yīng)于半透光區(qū)或部分透光區(qū)的光刻膠，但是部分保留對應(yīng)于非透光區(qū)的光刻膠(厚度減小)，部分露出公共電極之上的氧化鉬材料，接著進(jìn)行一次刻蝕去除暴露出的氧化鉬材料，形成公共電極。之后去除剩余的光刻膠。并且，該公共電極在對應(yīng)于之后形成用于連接像素電極和TFT的漏極的過孔位置具有開口。
[0103]另外，為了在TFT溝道的正上方覆蓋遮光材料，掩模板的與TFT溝道對應(yīng)的部分為非透光區(qū)。
[0104](5)形成層間絕緣層及過孔
[0105]在公共電極層上，沉積層間絕緣層，并采用掩模曝光工藝形成過孔圖案，參照之前的描述。
[0106](6)形成像素電極
[0107]在層間絕緣層再沉積一層ΙΤ0，并通過掩模、曝光和蝕刻步驟得到像素電極圖案。該像素電極通過上述過孔與源漏金屬層中的漏極連接。
[0108]通過這種方法形成的陣列基板，源漏金屬層圖案的上方以及公共電極的與TFT溝道對應(yīng)的區(qū)域均覆蓋遮光材料氧化鉬?？善鸬接行Х乐孤┕庖约氨Ｗo(hù)TFT溝道區(qū)的作用，且由于不存在對盒位移，因此，具有較高的開口率，可參照之前的描述。
[0109]在本實施例的一個示例中，在源漏金屬層圖案之上形成平坦層之后，即上述步驟
(3)與步驟(4)之間，例如，還可以在平坦層上形成三基色的彩色濾光單元的工藝。例如，對應(yīng)于像素單元形成RGB (紅綠藍(lán))濾光單元，由此可以得到COA基板。
[0110]例如，形成RGB濾光單元工藝可以如下進(jìn)行:例如通過涂覆形成紅色色阻層，再通過光刻工藝以及蝕刻工藝形成紅色濾光單元;然后例如通過涂覆形成綠色色阻層，再通過光刻工藝以及蝕刻工藝形成綠色濾光單元；以及形成藍(lán)色色阻層，再通過光刻工藝以及蝕刻工藝形成藍(lán)色濾光單元。這些RGB濾光單元可以彼此并列，或者在邊界部分彼此部分重置。
[0111]這里，由于上述步驟(3)與(4)之間引入了形成彩色濾光單元的步驟，如果彩色濾光單元覆蓋了對應(yīng)于TFT的漏極的位置，因此，在形成連接TFT的漏極的過孔時，還需要蝕刻掉相應(yīng)彩色濾光單元的色阻材料層。例如，在形成的陣列基板產(chǎn)品中，連接漏極的過孔依次穿過平坦層、光阻材料層、RGB亞像素以及氧化鉬。當(dāng)然，如果所形成的彩色濾光單元將對應(yīng)于TFT的漏極的位置已經(jīng)露出，則在形成上述過孔時不需要蝕刻掉相應(yīng)彩色濾光單元的色阻材料層。
[0112]也就是說，本公開的實施例既可以用于三基色濾光單元設(shè)置在彩膜基板一側(cè)的情況，也可以應(yīng)用在三基色綠色單元設(shè)置于陣列基板一側(cè)的情況，且均落在本公開的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0113]同樣的，本公開的實施例，在陣列基板制備時，例如還可以在源漏金屬圖案靠近襯底基板的表面，柵金屬層圖案的遠(yuǎn)離及靠近襯底基板的表面，以及TFT溝道對應(yīng)區(qū)覆蓋遮光材料，均覆蓋例如氧化鉬等遮光材料，以進(jìn)一步避免由光線反射、折射等導(dǎo)致的TFT溝道處漏電流的產(chǎn)生，提高顯示效果。
[0114]本公開的實施例中的其它結(jié)構(gòu)的陣列基板的制備方法與之類似，在此不作贅述。
[0115]在本文中，諸如“第一”、“第二”等術(shù)語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區(qū)分開來，而不要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何關(guān)系或者順序。術(shù)語“包括”、“包含”這些表述為開放式的，并不排除所包括的過程、方法、物品，還存在其他要素。還需要說明的是，“上”、“下”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本公開和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本公開的限制。除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接;可以是機(jī)械連接，也可以是電連接;可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內(nèi)部的連通。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語在本公開中的具體含義。
[0116]以上所述僅是本公開的示范性實施方式，而非用于限制本公開的保護(hù)范圍，本公開的保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求確定。
【主權(quán)項】
1.一種陣列基板，包括襯底基板以及設(shè)置于所述襯底基板上的像素陣列結(jié)構(gòu)， 其中，所述像素陣列結(jié)構(gòu)包括源漏金屬層圖案，所述源漏金屬層圖案包括薄膜晶體管的源極及漏極和數(shù)據(jù)線； 所述源漏金屬層圖案遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面至少部分設(shè)置有遮光材料。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中，所述像素陣列結(jié)構(gòu)在所述襯底基板與所述源漏金屬層圖案之間還包括有源層圖案;所述有源層圖案包括位于所述薄膜晶體管的源極及漏極之間的溝道區(qū)。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其中，所述遮光材料的圖案與所述源漏金屬層圖案在所述襯底基板的厚度方向上彼此重合。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其中，所述像素陣列結(jié)構(gòu)還包括公共電極， 其中，所述公共電極的遠(yuǎn)離所述襯底基板且與所述溝道區(qū)對應(yīng)的表面設(shè)置遮光材料。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其中，所述像素陣列結(jié)構(gòu)還包括平坦層以及與所述公共電極彼此絕緣的像素電極， 其中，所述像素電極通過穿過所述公共電極和所述平坦層的第一過孔與所述漏極連接。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其中，所述平坦層的材料為有機(jī)材料。7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其中，所述像素陣列結(jié)構(gòu)還包括像素電極， 其中，所述像素電極遠(yuǎn)離所述襯底基板且與所述溝道區(qū)對應(yīng)的表面設(shè)置遮光材料。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其中，所述像素陣列結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置于所述源漏金屬層圖案與所述像素電極之間的平坦層， 其中，所述像素電極通過穿過所述平坦層的過孔與所述漏極連接。9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其中，所述像素陣列結(jié)構(gòu)還包括平坦層， 其中，所述平坦層的遠(yuǎn)離所述襯底基板且與所述溝道區(qū)對應(yīng)的表面設(shè)置有遮光材料。10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其中，所述像素陣列結(jié)構(gòu)還包括柵金屬層圖案，所述柵金屬層圖案的遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面設(shè)置遮光材料。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板，其中，所述柵金屬層圖案的靠近所述襯底基板的表面還設(shè)置有遮光材料。12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板，其中，所述柵金屬層圖案包括柵線和公共電極線。13.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其中，所述像素陣列結(jié)構(gòu)還包括像素電極和公共電極，所述公共電極與所述像素電極彼此絕緣，并且位于同一層上或不同層上。14.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其中，所述源漏金屬層圖案靠近所述襯底基板的表面還至少部分設(shè)置遮光材料。15.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其中，所述遮光材料為氧化鉬。16.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其中，所述像素陣列結(jié)構(gòu)還包括彩色濾光層，所述彩色濾光層包括多個彩色濾光單元。17.—種顯示裝置，包括如權(quán)利要求1-16任意一項所述的陣列基板。18.一種陣列基板的制備方法，包括: 提供襯底基板； 在所述襯底基板上形成像素陣列結(jié)構(gòu)； 其中，所述像素陣列結(jié)構(gòu)包括源漏金屬層圖案;其中，所述源漏金屬層圖案遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)至少部分表面形成有遮光材料。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的陣列基板的制備方法，其中，形成所述源漏金屬層圖案的工藝步驟為: 沉積源漏金屬層以及遮光材料層； 將所述源漏金屬層及所述遮光材料層構(gòu)圖，以形成至少部分表面形成有所述遮光材料的所述源漏金屬層圖案。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的陣列基板的制備方法，其中，所述像素陣列結(jié)構(gòu)還包括柵金屬層圖案，形成所述柵金屬層圖案的工藝步驟為: 在所述襯底基板上沉積柵金屬層和遮光材料層，將所述柵金屬層和所述遮光材料層構(gòu)圖，以形成所述柵金屬層圖案， 其中，所述柵金屬層圖案遠(yuǎn)離所述襯底基板的至少部分表面形成有遮光材料。21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的陣列基板的制備方法，其中，所述像素陣列結(jié)構(gòu)包括有源層圖案，所述有源層圖案包括薄膜晶體管的溝道區(qū)， 在形成所述源漏金屬層圖案之后還包括: 在所述源漏金屬層圖案上形成平坦層； 在所述平坦層上沉積公共電極層和遮光材料層，將所述公共電極層和所述遮光材料層構(gòu)圖，形成在與所述溝道區(qū)對應(yīng)的位置形成有遮光材料的公共電極。22.根據(jù)權(quán)利要求17-21任意一項所述的陣列基板的制備方法，其中，所述遮光材料為氧化鉬。23.根據(jù)權(quán)利要求17-21任意一項所述的陣列基板的制備方法，其中，所述像素陣列結(jié)構(gòu)還包括彩色濾光層，所述彩色濾光層包括多個彩色濾光單元。
【文檔編號】G02F1/1335GK105842904SQ201610352949
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2016年5月25日
【發(fā)明人】王守坤, 郭會斌, 馮玉春, 李梁梁, 劉正
【申請人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司