，從而調(diào)制出抗 蝕劑下層膜形成用組合物。
[0080] <調(diào)制例8>
[0081 ]在由上述合成例3獲得的包含共聚物2.60g的溶液8.67g中，添加丙二醇單甲基酸 乙酸醋68.18g和環(huán)己酬23.15g，制成溶液。然后，使用孔徑0.OlWIi的聚乙締制微型過濾器進 行過濾，從而調(diào)制出抗蝕劑下層膜形成用組合物。
[0082] <調(diào)制例9>
[00削在由上述合成例5獲得的包含聚合物1.07g的溶液3.56g中，添加由上述合成例6獲 得的包含聚合物2. Ug的溶液7.1 Ig、丙二醇單甲基酸乙酸醋60.29g和乳酸乙醋29.04g，審。 成溶液。然后，使用孔徑0.01皿的聚乙締制微型過濾器進行過濾，從而調(diào)制出抗蝕劑下層膜 形成用組合物。
[0084] < 調(diào)制例 1〇>
[0085] 在由上述合成例4獲得的包含共聚物2.SOg的溶液13.73g中，添加四甲氧基甲基甘 脈[POWD邸LINK(注冊商標）1174、日本哥^テッ夕斗シ歹乂W-乂(株）制]0.69g、化晚《奇對 甲苯橫酸0. 〇7g、丙二醇單甲基酸56.57g和丙二醇單甲基酸乙酸醋28.95g，制成溶液。然后， 使用孔徑0.01皿的聚乙締制微型過濾器進行過濾，從而調(diào)制出抗蝕劑下層膜形成用組合 物。
[0086] <實施例1>
[0087] 在娃基板上，利用旋轉涂布在1900rpm、60秒的條件下涂布由調(diào)制例1調(diào)制的抗蝕 劑下層膜形成用組合物，在220°C烘烤60秒，從而制作出60nm的膜厚的涂膜。
[008引 < 實施例2>
[0089]在娃基板上，利用旋轉涂布在1 lOOrpm、60秒的條件下涂布由調(diào)制例1調(diào)制的抗蝕 劑下層膜形成用組合物，在220°C烘烤60秒，從而制作出SOnm的膜厚的涂膜。
[0090] <實施例3>
[0091] 在娃基板上，利用旋轉涂布在1900rpm、60秒的條件下涂布由調(diào)制例2調(diào)制的抗蝕 劑下層膜形成用組合物，在220°C烘烤60秒，從而制作出60nm的膜厚的涂膜。
[0092] <實施例4>
[0093] 在娃基板上，利用旋轉涂布在1900rpm、60秒的條件下涂布由調(diào)制例3調(diào)制的抗蝕 劑下層膜形成用組合物，在220°C烘烤60秒，從而制作出60nm的膜厚的涂膜。
[0094] <實施例5>
[00M]在娃基板上，利用旋轉涂布在1900巧m、60秒的條件下涂布由調(diào)制例4調(diào)制的抗蝕 劑下層膜形成用組合物，在220°C烘烤60秒，從而制作出60nm的膜厚的涂膜。
[0096] <實施例6>
[0097] 在娃基板上，利用旋轉涂布在1900rpm、60秒的條件下涂布由調(diào)制例5調(diào)制的抗蝕 劑下層膜形成用組合物，在220°C烘烤60秒，從而制作出60nm的膜厚的涂膜。
[009引 < 實施例7>
[0099] 在娃基板上，利用旋轉涂布在1900rpm、60秒的條件下涂布由調(diào)制例6調(diào)制的抗蝕 劑下層膜形成用組合物，在220°C烘烤60秒，從而制作出60nm的膜厚的涂膜。
[0100] <實施例8>
[0101] 在娃基板上，利用旋轉涂布在1900rpm、60秒的條件下涂布由調(diào)制例7調(diào)制的抗蝕 劑下層膜形成用組合物，在220°C烘烤60秒，從而制作出60nm的膜厚的涂膜。
[0102] <實施例9>
[0103] 在娃基板上，利用旋轉涂布在1900rpm、60秒的條件下涂布由調(diào)制例8調(diào)制的抗蝕 劑下層膜形成用組合物，在220°C烘烤60秒，從而制作出60nm的膜厚的涂膜。
[0104] < 實施例 10>
[0105] 在娃基板上，利用旋轉涂布在1900rpm、60秒的條件下涂布由調(diào)制例9調(diào)制的抗蝕 劑下層膜形成用組合物，在260°C烘烤60秒，從而制作出60nm的膜厚的涂膜。
[0106] <比較例1>
[0107] 在娃基板上，利用旋轉涂布在1900rpm、60秒的條件下涂布由調(diào)制例10調(diào)制的抗蝕 劑下層膜形成用組合物，在220°C烘烤60秒，從而制作出60nm的膜厚的涂膜。
[0108] (在光致抗蝕劑溶劑中的溶出試驗）
[0109] 將由實施例1~實施例10制作的涂膜在作為光致抗蝕劑涂布時所使用的溶劑的 0K73稀釋劑(東京應化工業(yè)(株)制，丙二醇單甲基酸和丙二醇單甲基酸乙酸醋的混合物）中 浸潰1分鐘，確認了浸潰前后的各抗蝕劑下層膜的膜厚的變化為InmW下。其結果顯示能夠 在由實施例1~實施例10制作的涂膜的上層疊層抗蝕劑。
[0110] (在抗蝕劑顯影液中的溶出試驗）
[0111] 將由實施例1~實施例10制作的涂膜在作為光致抗蝕劑顯影時所使用的顯影液的 NMD-3(東京應化工業(yè)(株)制）中浸潰1分鐘，確認了浸潰前后的抗蝕劑下層膜的膜厚的變化 為InmW下。
[0112] (在堿性過氧化氨水溶液中的耐性試驗）
[0113] 將由實施例1~實施例10制作的涂膜在下述表1所示的組成的作為堿性過氧化氨 水溶液的藥液A和藥液B中，W同表所示的溫度浸潰12分鐘，然后目視觀察水洗、干燥后的抗 蝕劑下層膜的狀態(tài)。將其結果示于下述表2中。表2中的"O"表示涂膜中未觀察到剝落的狀 態(tài)，"X"表示在涂膜的一部分或全部中觀察到剝落的狀態(tài)。
[0114] [表 1]
[0115] [表 1]
[0116] 表1:堿性過氧化氨水溶液的組成和處理溫度
[0121]由上述表2的結果顯示，由實施例1~實施例10制作的涂膜對堿性過氧化氨水溶液 具有充分的耐性。
【主權項】
1. 一種圖案形成方法，其包括下述工序： 第1工序，在表面可以形成無機膜的半導體基板上，涂布抗蝕劑下層膜形成用組合物， 進行烘烤而形成抗蝕劑下層膜，所述抗蝕劑下層膜形成用組合物包含重均分子量1000~ 100000的具有環(huán)氧基的聚合物和溶劑， 第2工序，在所述抗蝕劑下層膜上形成抗蝕劑圖案， 第3工序，將所述抗蝕劑圖案作為掩模對所述抗蝕劑下層膜進行干蝕刻，使所述無機膜 或所述半導體基板的表面露出，以及 第4工序，將干蝕刻后的所述抗蝕劑下層膜作為掩模，使用堿性過氧化氫水溶液對所述 無機膜或所述半導體基板進行濕蝕刻。2. 根據(jù)權利要求1所述的圖案形成方法，所述聚合物進一步具有被保護的羧基。3. 根據(jù)權利要求1或2所述的圖案形成方法，所述聚合物進一步具有在193nm的波長具 有吸收的吸光部位或在248nm的波長具有吸收的吸光部位。4. 根據(jù)權利要求1所述的圖案形成方法，所述抗蝕劑下層膜形成用組合物進一步包含 選自具有被保護的羧基的聚合物、具有在193nm的波長具有吸收的吸光部位的聚合物、以及 具有在248nm的波長具有吸收的吸光部位的聚合物中的1種或2種以上聚合物。5. 根據(jù)權利要求1~4的任一項所述的圖案形成方法，所述抗蝕劑下層膜形成用組合物 進一步包含具有選自環(huán)氧基、氧雜環(huán)丁基、羧基、硫醇基和苯基中的1種或2種以上基團的化 合物作為交聯(lián)劑。6. 根據(jù)權利要求1~5的任一項所述的圖案形成方法，所述無機膜由選自多晶硅膜、氧 化硅膜、氮化硅膜、BPSG膜、氮化鈦膜、氮氧化鈦膜、鎢膜、氮化鎵膜和砷化鎵膜中的1種或2 種以上構成。7. 根據(jù)權利要求1~6的任一項所述的圖案形成方法，所述堿性過氧化氫水溶液包含 氨、氫氧化鈉、氫氧化鉀、氰化鈉、氰化鉀、三乙醇胺或尿素。8. 根據(jù)權利要求1~7的任一項所述的圖案形成方法，所述堿性過氧化氫水溶液為25質 量％~30質量％的氨水溶液(A)、30質量％~36質量％的過氧化氫水溶液(B)和水(C)的混 合物，所述過氧化氫水溶液(B)相對于所述氨水溶液(A)的體積比(B) / (A)為0.1~20.0，以 及所述水(C)相對于所述氨水溶液(A)的體積比（C)/(A)為5.0~50.0。
【專利摘要】本發(fā)明的課題是提供一種使用了對堿性過氧化氫水溶液具有耐性的抗蝕劑下層膜的圖案形成方法。作為解決本發(fā)明課題的方法為一種圖案形成方法，其包括下述工序：第1工序，在表面可以形成無機膜的半導體基板上，涂布抗蝕劑下層膜形成用組合物，進行烘烤而形成抗蝕劑下層膜，所述抗蝕劑下層膜形成用組合物包含重均分子量1000～100000的具有環(huán)氧基的聚合物和溶劑；第2工序，在上述抗蝕劑下層膜上形成抗蝕劑圖案；第3工序，將上述抗蝕劑圖案作為掩模對上述抗蝕劑下層膜進行干蝕刻，使上述無機膜或上述半導體基板的表面露出；以及第4工序，將干蝕刻后的上述抗蝕劑下層膜作為掩模，使用堿性過氧化氫水溶液對上述無機膜或上述半導體基板進行濕蝕刻。
【IPC分類】G03F7/40, C08F8/14, G03F7/11, H01L21/027, G03F7/26, C08F20/32
【公開號】CN105492973
【申請?zhí)枴緾N201480046626
【發(fā)明人】大橋智也, 木村茂雄, 臼井友輝, 緒方裕斗
【申請人】日產(chǎn)化學工業(yè)株式會社
【公開日】2016年4月13日
【申請日】2014年8月27日
【公告號】EP3040777A1, WO2015030060A1