專利名稱：：含有液體添加劑的形成抗蝕劑下層膜的組合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及新型光刻用形成抗蝕劑下層膜的組合物、由該組合物形成的下層膜、以及4吏用該下層膜的光致抗蝕劑圖案的形成方法。另外，本發(fā)明涉及可以在半導體裝置制造的光刻工藝中，作為減輕對涂布在半導體基板上的光致抗蝕劑層的曝光照射光從J4l反射的下層防反射膜、用于將有凹凸的半導體14l進行平坦化的平坦化膜、以及防止在加熱烘烤時等由半導體a生成的物質(zhì)造成光致抗蝕劑層污染的膜等使用的光刻用抗蝕劑下層膜，并涉及用于形成該下層膜的形成抗蝕劑下層膜的組合物和該下層膜的形成方法。另外，本發(fā)明涉及可以用于填埋半導體基板上所形成的孔的光刻用形成抗蝕劑下層膜的組合物。
背景技術(shù)：
：一直以來在半導體器件的制造中，通過使用了光致抗蝕劑的光刻來進行微細加工。所述孩i細加工是下述的加工方法，即通過在硅晶片等的半導體基板上形成光致抗蝕劑薄膜，介由其上描繪了半導體器件的圖案的掩模圖案來照射紫外線等的活性光線，然后進行顯影，以得到的光致抗蝕劑圖案作為保護膜將基板進行蝕刻處理，從而在基板表面形成與上述圖案對應(yīng)的微細凹凸。但是，近年來，半導體器件的高集成化的發(fā)展，所使用的活性光線也有由KrF準分子激光(248nm)向ArF準分子激光(193nm)短波化的傾向。與此伴隨，活性光線從J41漫反射和駐波的影響成為較大問題。因此，為了解決該問題，在光致抗蝕劑與基板之間設(shè)置防反射膜(BottomAnti-ReflectiveCoating,BARC)的方法械人們廣泛研究。作為該防反射膜，從其使用方便等方面出發(fā)，人們對于含有吸光性物質(zhì)和高分子化合物等的有機防反射膜進行了大量研究，可列舉例如，同一分子內(nèi)具有作為交聯(lián)反應(yīng)基團的羥基和吸光基團的丙烯酸樹脂型防反射膜、同一分子內(nèi)具有作為交聯(lián)反應(yīng)基團的羥基和吸光基團的酚醛清漆樹脂型防反射膜等(例如，參考專利文獻l、專利文獻2)。作為有機防反射膜所要求的特性，有對光、放射線具有較大吸光度；不與光致抗蝕劑層發(fā)生混合(對光致抗蝕劑溶劑是不溶的)；加熱烘烤時不發(fā)生低分子物質(zhì)自防反射膜向上層的光致抗蝕劑擴散；具有大于光致抗蝕劑的干蝕刻速度，等等(例如，參考非專利文獻l、非專利文獻2、非專利文獻3)。另外，近年來，為了解決隨著將半導體裝置的圖案規(guī)則進行微細化而逐漸變得明顯的布線延遲問題，人們進行了使用銅作為布線材料的研究。并且與此同時，作為半導體141的布線形成方法，進行了雙嵌入工序的研究。而且，雙嵌入工序中形成通孔，并要對具有較大長寬比的基板形成防反射膜。因此，對該工序所使用的防反射膜，要求可以將孔填充得沒有間隙的填埋特性、和能在#表面形成平坦的膜的平坦化特性等。但是，難以將有機系防反射膜用材料應(yīng)用于具有較大長寬比的基板，近年來，逐漸開發(fā)了將重點放在填埋特性、平坦化特性上的材料(例如，參考專利文獻3、專利文獻4、專利文獻5、專利文獻6)。另外，在半導體等器件制造中，為了減少電介質(zhì)層產(chǎn)生的光致抗蝕劑層中毒效應(yīng)，開發(fā)了將阻擋層設(shè)置在電介質(zhì)層與光致抗蝕劑層之間等方法，所述阻擋層由含有可以交聯(lián)的聚合物等的組合物形成(例如，參考專利文獻7)。人們開發(fā)了含有增塑劑例如二元酸酯的、在半導體裝置制造中使用的形成抗蝕劑下層膜的組合物(例如，參考專利文獻8)。這樣，在近年的半導體裝置制造中，為了獲得以防反射效果為代表的各種效果，逐漸在半導體M與光致抗蝕劑層之間，即作為光致抗蝕劑層的下層，配置由含有有機化合物的組合物形成的有機系下層膜。因為下層膜要求不發(fā)生混合，所以多使用交聯(lián)反應(yīng)來形成下層膜。而且，作為用于形成這樣的交聯(lián)性下層膜的組合物，使用由作為聚合物、交聯(lián)劑和交聯(lián)催化劑的磺酸化合物形成的組合物(例如，參考專利文獻l、專利文獻3、專利文獻4、專利文獻6)。但是，認為由于含有磺酸化合物等強酸，故而這些組合物的保存穩(wěn)定性存在問題。因此，期望4吏用不需要強酸催化劑的交聯(lián)反應(yīng)而形成的下層膜，以及用于形成該下層膜的組合物。專利文獻l專利文獻2專利文獻3專利文獻4專利文獻5專利文獻6專利文獻7專利文獻8美國專利第5919599號說明書美國專利第5693691號說明書特開2000-294504號公報特開2002-47430號公報特開2002-190519號^^才艮國際公開第02/05035號小冊子特開2002-128847號公報特開2002-47430號公報非專利文獻1:TomLynch以及另外3名，"近紫外防反射層的性質(zhì)和小生育巨(PropertiesandPerformanceofNearUVReflectivityControlLayers)",(美國)，抗蝕劑4支術(shù)與加工進展XI(inAdvancesinResistTechnologyandProcessingXI),OmkaramNalamasu編，SPIE^i義記錄(ProceedingsofSPIE)，1994年，第2195巻(Vo1.2195)，225-229頁非專利文獻2:G.Taylor以及另外13名，"用于193nm光刻的甲基丙烯酸酯抗蝕劑和防反射涂層(MethacrylateResistandAntireflectiveCoatingfor193nmLithography)"，(美國)，顯樣史光刻法1999:抗蝕劑技術(shù)與力口工進展XVI(inMicrolithography1999:AdvancesinResistTechnologyandProcessingXVI),WillConley編，SPIE會i義記錄(ProceedingsofSPIE)，1999年，第3678巻(Vo1.3678),174-185頁非專利文獻3:JimD.Meador以及另外6名，"193nm防反射涂層i^^(RecentProgressin193nmAntireflectiveCoating)"，(美國),顯微光刻法1999:抗蝕劑技術(shù)與加工進展XVI(inMicrolithography1999:AdvancesinResistTechnologyandProcessingXVI)，WillConley編，SPIE^i義記錄(ProceedingsofSPIE)，1999年，第3678巻(Vo1.3678)，800-809頁
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供可以在半導體裝置的制造中使用的形成抗蝕劑下層膜的組合物。而且，提供不與在上層涂布、形成的光致抗蝕劑層發(fā)生混合，且具有大于光致抗蝕劑層的干蝕刻速度的光刻用抗蝕劑下層膜，并提供用于形成該下層膜的形成抗蝕劑下層膜的組合物。另外，本發(fā)明提供使用不需要強酸催化劑的交聯(lián)反應(yīng)而形成的抗蝕劑下層膜，并提供該下層膜的形成方法以及用于形成該下層膜的形成抗蝕劑下層膜的組合物。進而，本發(fā)明的目的是提供光刻用抗蝕劑下層膜和用于形成抗蝕劑下層膜的形成抗蝕劑下層膜的組合物，所述抗蝕劑下層膜可以在半導體裝置制造的光刻工藝中，作為減輕對在半導體141上形成的光致抗蝕劑層的曝光照射光自M反射的下層防反射膜、用于將有凹凸的半導體基板進行平坦化的平坦化膜、以及防止在加熱烘烤時等由半導體14l生成的物質(zhì)造成光致抗蝕劑層污染的膜等使用。而且，提供使用形成抗蝕劑下層膜的組合物的光刻用抗蝕劑下層膜的形成方法、以及光致抗蝕劑圖案的形成方法。本發(fā)明作為第l觀點是，一種在半導體裝置制造的光刻工藝中使用的形成抗蝕劑下層膜的組合物，含有樹脂(A)、液體添加劑(B)和溶劑(C)。作為第2觀點是，根據(jù)第1觀點所述的形成抗蝕劑下層膜的組合物，所述液體添加劑(B)是脂肪族聚醚化合物。作為第3觀點是，根據(jù)第1觀點所述的形成抗蝕劑下層膜的組合物，所述液體添加劑(B)是聚醚多元醇、聚縮水甘油醚或它們的組合。作為第4觀點是，根據(jù)第3觀點所述的形成抗蝕劑下層膜的組合物，所述聚醚多元醇是下式(l)所示的化合物，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>式(1)上式中，11表示1~300的整數(shù)，m表示26的整數(shù)，式中Ri分別表示氫原子、或碳原子數(shù)1~10的烷基，R2是碳原子數(shù)l10的烷基、碳原子數(shù)2~6的鏈烯基、碳原子數(shù)2~10的炔基、碳原子數(shù)2~10的烷基羰基、碳原子數(shù)2~10的烷基皿氨基、碳原子數(shù)2~10的烷氧基烷基、碳原子數(shù)1~10的烷氨基、碳原子數(shù)1~10的烷基二氨基或它們的組合，是可以根據(jù)聚氧化晞基的個數(shù)m不同而價數(shù)取2價~6價的有機基團。作為第5觀點是，才艮據(jù)第3觀點所述的形成抗蝕劑下層膜的組合物，所述聚縮7jC甘油醚是下式(2)所示的化合物，上式中，m表示26的整數(shù)，R2與上述式(l)中的定義意義相同，是可以根據(jù)縮水甘油醚基的個數(shù)m不同而價數(shù)取2價~6價的有機基團。作為第6觀點是，根據(jù)第1觀點~第5觀點的任一項所述的形成抗蝕劑下層膜的組合物，還含有吸光性化合物(D)。作為第7觀點是，一種在半導體裝置制造的光刻工藝中使用的抗蝕劑下層膜的形成方法，該形成方法是將第1觀點~第6觀點的任一項所述的形成抗蝕劑下層膜的組合物涂布在半導體141上，然后進行烘烤。作為第8觀點是，一種半導體裝置的制造方法，包括下述工序?qū)⒌?觀點~第6觀點的任一項所述的形成抗蝕劑下層膜的組合物涂布在半導體141上，然后進行烘烤，從而形成抗蝕劑下層膜的工序；在該下層膜上形成光致抗蝕劑層的工序；將4皮覆有抗蝕劑下層膜和光致抗蝕劑層的半導體141進行曝光的工序；以及曝光之后進行顯影的工序。本發(fā)明涉及使用不需要強酸催化劑的交聯(lián)反應(yīng)而形成的抗蝕劑下層膜、以及用于形成該下層膜的形成抗蝕劑下層膜的組合物。因為本發(fā)明的形成抗蝕劑下層膜的組合物不含有強酸催化劑成分，所以保存穩(wěn)定性優(yōu)異。因為本發(fā)明的形成抗蝕劑下層膜的組合物在聚合物彼此的反應(yīng)、或在聚合物與添加劑之間形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)的體系中，不含有一直以來通用的低分子交聯(lián)劑、磺酸化合物等低分子化合物，所以可以減少烘烤中生成的升華物量，從而可以避免來自升華物的顆粒、異物造成半導體基板、潔凈室污染。通過本發(fā)明的形成抗蝕劑下層膜的組合物，可以在不產(chǎn)生空隙(間隙)的狀態(tài)下實現(xiàn)孔內(nèi)部的高填充性。另外，因為可以填埋具有孔的14l的凹凸而進行平坦化，所以可以提高在其上涂布、形成的光致抗蝕劑等的膜厚均勻性。因此，即使在使用具有孔的基板的工序中，也可以形成良好的光致抗蝕劑圖案形狀。通過本發(fā)明的形成抗蝕劑下層膜的組合物，可以提供具有大于光致抗蝕劑的干蝕刻速度、進而不與光致抗蝕劑發(fā)生混合的優(yōu)異抗蝕劑下層膜。而且，本發(fā)明的抗蝕劑下層膜可以作為防反射膜、平坦化膜和光致抗蝕劑層的防污染膜等使用。由此，在半導體裝置制造的光刻工藝中可以容易地、精度良好地形成光致抗蝕劑圖案。將形成抗蝕劑下層膜的組合物涂布在具有凹凸的半導體基板上，并使溶劑蒸發(fā)，然后形成抗蝕劑下層膜。就以往的形成抗蝕劑下層膜的組合物而言，抗蝕劑下層膜在溶劑蒸發(fā)的初期填充孔、從而難以完全平坦化。但是，本發(fā)明的形成抗蝕劑下層膜的組合物由于含有液體添加劑，故而即使在溶劑蒸發(fā)的初期也具有流動性，并且加熱時的再流性提高。因此，可以完全填充孔，從而提高平坦性。另外，本發(fā)明的含有液體添加劑的形成抗蝕劑下層膜的組合物即使是在涂布時填充到孔中的情況下，也不會由于之后通過加熱來除去溶劑而產(chǎn)生空隙(間隙)。這是因為即使在通過加熱來除去溶劑時，液體添加劑也會確保形成抗蝕劑下層膜的組合物的流動性，故而再流性提高，所以空隙(間隙)被填充，而且由于回流性而抗蝕劑下層膜的表面的平坦性提高。該液體添加劑由于其分子內(nèi)具有羥基、環(huán)氧基，故而可以容易地與樹脂成分發(fā)生交聯(lián)結(jié)合而高分子化，從而在填充到孔中之后完全固化。這樣，因為通過含有液體添加劑而在將形成抗蝕劑下層膜的組合物涂布在具有凹凸的半導體基板上、填充孔、然后進行固化的過程中，將孔內(nèi)完全填充，所以形成了平坦性較高的表面。圖1是具有孔的M上形成了抗蝕劑下層膜的狀態(tài)的剖面圖。符號說明a是差(Bias)[致密(Dense)部與開放區(qū)域部的膜厚差(nm)。b是所使用的14l上最初的孔的深度0im)。c是本發(fā)明的抗蝕劑下層膜(間隙填充材料)。具體實施例方式本發(fā)明是一種在半導體裝置制造的光刻工藝中使用的形成抗蝕劑下層膜的組合物，含有樹脂(A)、液體添加劑(B)和溶劑(C)。本發(fā)明的形成抗蝕劑下層膜的組合物中固體成分的比例，只要各成分均勻溶解即可，不特別限制，例如為0.1~70質(zhì)量％，又例如為0.5~50質(zhì)量％或1~30質(zhì)量％。這里所謂固體成分是從形成抗蝕劑下層膜的組合物的所有成分中除去溶劑成分后的成分。而且，作為固體成分中的樹脂(A)的比例為70質(zhì)量％以上，例如為80~100質(zhì)量％,又例如為80~99質(zhì)量°/0或卯~99質(zhì)量％。本發(fā)明所使用的樹脂(A)可以使用任何樹脂。優(yōu)選上述樹脂(A)含有具有被保護的氛基的化合物，以及具有可以與羧基進行反應(yīng)的基團的化合物。另外，上述樹脂(A)可以使用具有被保護的、并且可以與M進行反應(yīng)的基團的化合物。10本發(fā)明所使用的樹脂(A)含有具有式(3)所示的被保護的羧基的化合物，以及具有可以與皿進行反應(yīng)的基團的化合物。—C—〇一C—〇一R4(3)〇HC—R3、(式中、RpR2和R3分別表示氫原子或碳原子數(shù)110的烷基，R4表示碳原子數(shù)1~10的烷基，另外，R3與Rt可以彼此鍵合而形成環(huán)。)另外，本發(fā)明所使用的樹脂(A)，含有具有可以與tt進行反應(yīng)的基團、和上述式(3)所示的被保護的羧基的化合物。所述可以與g進行反應(yīng)的基團是選自環(huán)氧基、氧雜環(huán)丁烷基、喁唑啉基、環(huán)碳酸酯基、烷氧基甲硅烷基、氨基羥曱基、吖丙咬基、羥甲基、羥基、異氰酸酯基、烷氧基甲氨基和羥基甲硅烷基中的基團。上述具有式(3)所示的被保護的氣基的化合物，優(yōu)選是含有式(4)所示的結(jié)構(gòu)單元的聚合物。0HC—R3R2i(式中、L表示構(gòu)成聚合物的主鏈的結(jié)合基團，M表示直接鍵合或連接基團。)上述具有式(3)所示的被保護的氛基的化合物，優(yōu)選是具有至少兩個上述式(3)所示的被保護的羧基、且分子量為200~2000的化合物。上述具有可以與進行反應(yīng)的基團的化合物，是具有至少兩個式(5)所示的基團的化合物?！狽—C—0—R6(5)0—C—〇一R4(4)M—C<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>(9)(式中、p表示構(gòu)成聚合物的主鏈的結(jié)合基團，q表示直M合或連接基團，r8、r9、r1()和r分別表示氫原子或碳原子數(shù)1~6的烷基，x表示0或1。)而且，上述具有可以與M進行反應(yīng)的基團、和式(3)所示的被保護的氛基的化合物，優(yōu)選是含有式(4)所示的結(jié)構(gòu)單元、和選自式(6)、式(7)、式(8)、式(9)、式(10)和式(11)所示的結(jié)構(gòu)單元中的至少一種結(jié)構(gòu)單元的聚合物。式(3)中，RpR2和R3分別表示氫原子或碳原子數(shù)1~10的烷基，R4表示碳原子數(shù)1~10的烷基，另外，議3與R4可以彼此鍵合而形成環(huán)。作為碳原子數(shù)1~10的烷基，可列舉甲基、乙基、正丁基、正辛基、異丙基、叔丁基、2-乙基己基、環(huán)己基等。另外，R3與R4可以彼此鍵合而形成環(huán)，作為這樣形成的環(huán)，可列舉四氫呋喃環(huán)、四氫吡喃環(huán)等。另外，上述具有可以與g進行反應(yīng)的基團的化合物，是含有選自下述式(6)、式(7)、式(8)、式(9)、式(10)和式(11)所示的結(jié)構(gòu)單元中的至少一種結(jié)構(gòu)單元的聚合物。具有式(3)所示的被保護的氣基的化合物，可以通過使式(12)所示的乙烯基醚化合物與具有羧基的化合物進行反應(yīng)來制造。具有羧基的化合物與乙烯基醚化合物的反應(yīng)，例如日本接著學會志第34巻(Vo1.34)、352~356頁所記載的那樣，可以通過以磷酸為催化劑，在室溫下攪拌來進行。作為式(12)所示的乙烯基醚化合物，可列舉例如，甲基乙烯基醚、乙基乙烯基醚、異丙基乙烯基醚、正丁基乙烯基醚、2-乙基己基乙烯基醚、叔丁基乙烯基醚、環(huán)己基乙烯基醚等脂肪族乙烯基醚化合物；2，3-二氫呋喃、4-甲基-2，3-二氫呋喃、2,3-二氫-4H-吡喃等環(huán)狀乙烯基醚化合物。作為與式(12)所示的乙烯基醚化合物進行反應(yīng)的具有羧基的化合物，只要是具有氛基的化合物即可，不特別限制。作為具有氛基的化合物，可列舉例如，苯甲酸、間苯二曱酸、對苯二曱酸、均苯四酸、1，2，4-偏苯三酸、己二酸、馬來酸、丁烷四甲酸、三(2-羧基乙基)異氰脲酸酯、萘-2-曱酸、萘-2，6-二甲酸、樸酸(PamoicAcid)、芘-l-曱酸、1，6-二溴-2-羥基萘-3-甲酸、1,1，-聯(lián)二萘-2，2，-二甲酸、蒽-9-甲酸、蒽-9，10-二甲酸、丙烯酸、甲基丙烯酸、馬來酸、衣康酸、戊二酸、1,2-環(huán)己烷二甲酸、1，2,3，4-環(huán)戊烷四曱酸等。作為由這些化合物制造的具有式(3)所示的被保護的氛基的化合物的分子量，優(yōu)選為200以上。在分子量小于200的情況下，有時產(chǎn)生在為了形成抗蝕劑下層膜而進行烘烤時升華等問題。作為分子量，例如為200~2000,又例如為400~2000。另外，從形成堅固的抗蝕劑下層膜等觀點出發(fā)，具有式(3)所示的被保護的羧基的化合物優(yōu)選具有兩個以上作為該下層膜形成時的反應(yīng)部位的式(3)所示的被保護的絲。作為與式(12)所示的乙烯基醚化合物進行反應(yīng)的具有羧基的化合物，還可以列舉具有氛基的聚合物。作為這樣的聚合物不特別限制，可列舉例13如，含有丙烯酸、甲基丙烯酸、乙烯基苯甲酸和馬來酸等具有羧基的加聚性單體作為結(jié)構(gòu)單元的聚合物。在本發(fā)明中，作為具有式(3)所示的被保護的氛基的化合物，還可以列#^有式(4)所示的結(jié)構(gòu)單元的聚合物。式中，L表示構(gòu)成聚合物的主鏈的結(jié)合基團，M表示直接鍵合或連接基團。作為L，只要是構(gòu)成聚合物的主鏈的結(jié)合基團即可，不特別限制。作為M，可以列舉含有選自亞苯基、-C(-O)-、-CH2-、-NH-和-O-的至少一種連接基團的連接基團或者直接鍵合。作為式(4)所示的結(jié)構(gòu)單元，可以列舉例如式[l-l]~[l-5]所示的結(jié)構(gòu)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>含有式(4)所示的結(jié)構(gòu)單元的聚合物可以通過將具有羧基的聚合物與式(12)所示的乙烯基醚化合物進行反應(yīng)來制造。另外，具有式(3)所示的被保護的羧基的加聚性單體可以通過所使用的聚合反應(yīng)來制造。作為這樣的加聚性單體，可列舉例如，曱基丙烯酸-l-甲氧基乙酯、甲基丙烯酸-l-乙氧基乙酯、曱基丙烯酸-l-異丙氧基乙酯、曱基丙烯酸-l-正己氧基乙酯、曱基丙烯酸(四氬-2H-吡喃-2-基)酯等的曱基丙烯酸半縮醛酯化合物，丙烯酸-l-甲氧基乙酯、丙烯酸-l-叔丁氧基乙酯、丙烯酸-l-異丙氧基乙酯、丙烯酸-l-正丁氧基乙酯、丙烯酸(四氫-2H-吡喃-2-基)酯等的丙烯酸半縮醛酯化合物，l-乙氧基乙基-4-乙烯基苯甲酸酯，二(l-乙氧基乙基)馬來酸酯和甲基(l-乙氧基乙基)馬來酸酯等。制造含有式(4)所示的結(jié)構(gòu)單元的聚合物時，有僅使用一種上述加聚性單體的情況，和組合使用兩種以上加聚性單體的情況。另外，制造含有式(4)所示的結(jié)構(gòu)單元的聚合物時，除了具有上述式(3)所示的被保護的羧基的加聚性單體之外，可以合并使用其它加聚性單體。作為這樣的加聚性單體，可列舉丙烯酸酯化合物、甲基丙烯酸酯化合物、丙烯酰胺化合物、甲基丙烯酰胺化合物、乙烯基化合物、苯乙烯化合物、馬來酰亞胺化合物、馬來酸酐和丙烯腈等。作為丙烯酸酯化合物，可列舉丙烯酸曱酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸異丙酯、丙烯酸節(jié)酯、丙烯酸萘酯、丙烯酸蒽酯、丙烯酸蒽甲酯、丙烯酸苯酯、丙烯酸-2-羥基乙酯、丙烯酸-2-羥基丙酯、丙烯酸-2，2，2-三氟乙酯、丙烯酸-4-羥基丁酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸叔丁酯、丙烯酸環(huán)己酯、丙烯酸異冰片酯、丙烯酸-2-甲氧基乙酯、甲氧基三甘醇丙烯酸酯、丙烯酸-2-乙氧基乙酯、丙烯酸四氫糠酯、丙烯酸-3-甲氧基丁酯、2-甲基-2-金剛烷基丙烯酸酯、2-乙基-2-金剛烷基丙烯酸酯、2-丙基-2-金剛烷基丙烯酸酯、2-曱氧基丁基-2-金剛烷基丙烯酸酯、8-曱基-8-三環(huán)癸基丙烯酸酯、8-乙基-8-三環(huán)癸基丙烯酸酯和5-丙烯酰M-6-羥基降水片晞-2-羧酸-6-內(nèi)酯等。作為甲基丙烯酸酯化合物，可列舉甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丙酯、甲基丙烯酸正戊酯、甲基丙烯酸環(huán)己酯、曱基丙烯酸千酯、曱基丙烯酸萘酯、曱基丙烯酸蒽酯、甲基丙烯酸蒽甲酯、甲基丙烯酸苯酯、曱基丙烯酸-2-苯基乙酯、甲基丙烯酸-2-羥基乙酯、甲基丙烯酸-2-羥基丙酯、甲基15丙烯酸-2，2，2-三氟乙酯、甲基丙烯酸-2，2,2-三氯乙酯、丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸異丁酯、甲基丙烯酸-2-乙基己酯、甲基丙烯酸異癸酯、甲基丙烯酸正十二烷基酯、曱基丙烯酸正十八烷基酯、甲氧基二甘醇甲基丙烯酸酯、甲氧基聚乙二醇甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸四氫糠酯、甲基丙烯酸異冰片酯、甲基丙烯酸叔丁酯、甲基丙烯酸異十八烷基酯、甲基丙烯酸正丁氧基乙酯、甲基丙烯酸-3-氯-2-羥基丙酯、曱基丙烯酸(2-甲基-2-金剛烷)酯、甲基丙烯酸(2-乙基-2-金剛烷)酯、甲基丙烯酸(2-丙基-2-金剛烷)酯、甲基丙晞酸(2-曱氧基丁基-2-金剛烷)酯、曱基丙烯酸(8-甲基-8-三環(huán)癸基)酯、甲基丙烯酸(8-乙基-8-三環(huán)癸基)酯、5-甲基丙烯酰氧基-6-羥基降冰片烯-2-羧酸-6-內(nèi)酯和甲基丙蹄酸(2，2，3,3，4，4，4-七氟丁基)酯等。另外，作為丙烯酸酯化合物、甲基丙烯酸酯化合物，可以列舉下式[1-6~l-8]所示的化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula>[1一8]作為丙烯酰胺化合物，可列舉丙烯酰胺、N-甲基丙烯酰胺、N-乙基丙烯酰胺、N-芐基丙烯酰胺、N-苯基丙烯酰胺和N，N-二甲基丙烯酰胺等。作為甲基丙烯酰胺化合物，可列舉甲基丙烯酰胺、N-甲基甲基丙烯酰<formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula>胺、N-乙基曱基丙烯酰胺、N-節(jié)基曱基丙烯酰胺、N-苯基曱基丙烯酰胺和N，N-二曱基曱基丙烯酰胺等。作為乙烯基化合物，可列舉乙烯基醚、甲基乙烯基醚、芐基乙烯基醚、2-羥基乙基乙烯基醚、苯基乙烯基醚和丙基乙烯基醚等。作為苯乙烯化合物，可列舉苯乙烯、曱基苯乙烯、氯苯乙烯、溴苯乙埽和羥基苯乙烯等。作為馬來酰亞胺化合物，可列舉馬來酰亞胺、N-甲基馬來酰亞胺、N-苯基馬來酰亞胺和N-環(huán)己基馬來酰亞胺等。在這些化合物中，苯環(huán)、萘環(huán)、蒽環(huán)等是具有吸光性的基團，作為吸光性化合物發(fā)揮作用。使用上述加聚性單體制造聚合物時，可以通過在有機溶劑中溶解加聚性單體和根據(jù)需要而添加的鏈轉(zhuǎn)移劑(相對于單體的質(zhì)量為10%以下)，然后加入聚合引發(fā)劑進行聚合反應(yīng)，然后添加聚合終止劑來制造。作為聚合引發(fā)劑的添加量，相對于單體的質(zhì)量為1~10%,作為聚合終止劑的添加量為0.01~0.2%。作為使用的有機溶劑可列舉丙二醇單甲醚、丙二醇單丙醚、乳酸乙酯和二曱基甲酰胺等，作為鏈轉(zhuǎn)移劑可列舉十二烷基硫醇和十二烷基硫醇等，作為聚合引發(fā)劑可列舉偶氮二異丁腈和偶氮二環(huán)己基甲腈等，而且，作為聚合終止劑可列舉4-甲氧基苯酚等。作為反應(yīng)溫度為30~IO(TC，作為反應(yīng)時間可適當選自1~24小時。使用上述的加聚性單體制造含有式(4)所示的結(jié)構(gòu)單元的聚合物時，在使用具有式(3)所示的被保護的羧基的加聚性單體與其它加聚性單體的情況下，作為其l吏用比例，以質(zhì)量比來計算，作為具有式(3)所示的^皮保護的羧基的加聚性單體/其它加聚性單體，例如為10/1~1/10，優(yōu)選為5/1~1/5或3/1~1/3。作為本發(fā)明的形成抗蝕劑下層膜的組合物所使用的含有式(4)所示的結(jié)構(gòu)單元的聚合物的重均分子量，例如為1000~500000,又例如為1000~200000,3000~150000或3000~50000。在本發(fā)明的形成抗蝕劑下層膜的組合物中使用含有式(4)所示的結(jié)構(gòu)單元的聚合物的情況下，可以僅使用一種聚合物，又可以組合^f吏用兩種以上的聚合物。本發(fā)明的形成抗蝕劑下層膜的組合物所使用的是含有式(4)所示的結(jié)構(gòu)單元的聚合物可以是無規(guī)聚合物、嵌段聚合物或接枝聚合物的任一種。而且，這樣的聚合物可以通過自由基聚合、陰離子聚合、陽離子聚合等的方法來制造。另外，其方式可列舉溶液聚合、懸浮聚合、乳液聚合、本體聚合等方法。作為本發(fā)明的形成抗蝕劑下層膜的組合物所含有的具有可以與羧基進行反應(yīng)的基團的化合物，只要是具有與皿進行反應(yīng)而形成化學鍵那樣的基團的化合物即可，不特別限制。作為可以與g進行反應(yīng)的基團，可列舉例如環(huán)氧基、氧雜環(huán)丁烷基、噁唑啉基、環(huán)碳酸酯基、烷氧基甲硅烷基、烷氧基烷基、吖丙咬基、羥曱基、羥基、異氰酸酯基、縮醛基、羥基曱珪烷基、縮酮基、乙烯基醚基、氨基羥曱基、烷氧基甲氨基和亞氨基等。作為這樣的化合物，可列舉例如，三縮水甘油基對氨基苯酚、四縮水甘油基間苯二甲胺、四縮7jC甘油基二氨基二苯曱烷、四縮水甘油基-l，3-二氨基甲基環(huán)己烷、雙酚A-二縮7jc甘油醚、雙酚S-二縮水甘油醚、間苯二酚二縮7jC甘油醚、鄰苯二甲酸二縮水甘油基酯、新戊二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、甲酚酚醛清漆聚縮水甘油醚、四溴雙酚A-二縮7JC甘油醚、雙酚六氟丙酮二縮水甘油醚、丙三醇三縮7jC甘油醚、季戊四醇二縮7JC甘油醚、三(2，3-環(huán)氧丙基)-異氰脲酸酯、單烯丙基二縮水甘油基異氰脲酸酯和曱基丙烯酸縮7jC甘油酯等具有環(huán)氧基的化合物。另外，作為具有環(huán)碳酸酯基的化合物，可列舉例如，通過使上述具有環(huán)氧基的化合物與二氧化碳進行反應(yīng)而得的具有環(huán)碳酸酯基的化合物、1，2-丙二醇碳酸酯、苯基二氧雜環(huán)戊二烯酮、乙烯基碳酸亞乙酯、碳酸亞丁酯、四氯碳酸亞乙酯、氯乙二醇碳酸酯、4-氯甲基-l，3-二氧戊環(huán)-2-酮、1,2-二氯碳酸亞乙酯、4-(l-丙烯氧基曱基)-l，3-二氧戊環(huán)-2-酮、丙三醇碳酸酯、(氯曱基)碳酸亞乙酯、l-節(jié)基甘油-2，3-碳酸酯、4，4-二曱基-5-亞甲基-1，3-二氧戊環(huán)-2-酮和3，3，3-三氟碳酸亞丙酯等。作為具有異氰酸酯基的化合物，可列舉例如，對苯二異氰酸酯、聯(lián)苯二異氰酸酯、亞曱基二(苯基異氰酸酯)、2-異氰酸酯基乙基甲基丙烯酸酯、1，4-環(huán)己基二異氰酸酯、1，3，5-三(6-異氰酸酯基己基)異氰脲酸、1-異氰酸酯基萘、1，5-萘二異氰酸酯、1-丁基異氰酸酯、環(huán)己基異氰酸酯、節(jié)基異氰酸酯、4-氯苯基異氰酸酯、異氰酸酯基三甲基硅烷和己基異氰酸酯等。作為具有烷氧基甲硅烷基的化合物，可列舉例如，三乙氧基辛M烷、三[3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基]異氰脲酸酯、3-(三曱氧基曱硅烷基)-N-[3-(三曱氧基甲硅烷基)丙基-l-丙胺、3-(三曱氧基曱硅烷基)丙基曱基丙烯酸酯、3-異氰酸酯基丙基三乙氧基硅烷、1，4-二(三甲氧基甲硅烷基乙基)苯、苯基三乙氧M烷、甲基三乙氧M烷、(3-三曱氧基甲硅烷基丙基)馬來酸酯、3-(2-氨基乙基氨基)丙基三曱氧基硅烷、甲基三乙酰氧基硅烷、三甲氧基-2-(3，4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基珪烷、3-三曱氧基曱硅烷基丙基(甲基丙烯酸)酯、三甲氧基丙基珪烷、4-(氯曱基)苯基三甲氧基硅烷、2-(3，4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三乙氧M烷、三乙氧基正十二烷M烷和2-巰基乙基三乙氧基硅烷等。作為本發(fā)明的形成抗蝕劑下層膜的組合物所含有的具有可以與羧基進行反應(yīng)的基團的化合物，還可以使用具有至少兩個式(5)所示的基團的化合物。式(5)中，Rs表示氫原子、碳原子數(shù)16的烷基或-CH20R7(式中、R7表示氫原子或碳原子數(shù)1~10的烷基)，R6表示氫原子或碳原子數(shù)1~10的烷基。作為烷基，可列舉曱基、乙基、正丁基、正辛基、異丙基、叔丁基、2-乙基己基、環(huán)己基等。作為這樣的化合物，可列舉氨基的氫原子被羥曱基或烷氧基甲基所取代的蜜胺化合物、脲化合物、甘脲化合物和苯胍胺化合物等。作為具體例，可列舉六曱氧基曱基蜜胺、四曱氧基曱基苯胍胺、1，3，4,6-四(丁氧基曱基)甘脲、1，3，4，6-四(羥曱基)甘脲、1，3-二(羥甲基)脲、1，1，3,3-四(丁氧基甲基)脲、1，1，3,3-四(曱氧基曱基)脲、1，3-二(羥曱基)-4,5-二羥基-2-咪唑啉酮和1,3-二(甲氧基甲基)-4，5-二曱氧基-2-咪唑啉酮等，還可以列舉三井廿^亍、;/夕(林)制造的曱氧基甲基型i胺化合物(商品名寸<乂300、步<>301、19廿0少303、寸0/k350)、丁氧基曱基型蜜胺化合物(商品名7一〕一卜506、7^n—卜508)、甘脲化合物(商品名廿O1170、八。夕歹一y>夕1174)等化合物，曱基化尿素樹脂(商品名UFR65)、丁基化尿素樹脂(商品名UFR300、U-VAN10S60、U-VAN10R、U-VAN11HV)、大日本,>年化學工業(yè)(林)制it^素/甲醛系樹脂(高縮合型，商品名沁、;/力$乂J-300S、沁、;/力$>P-955、X、乂力^yN)等。另外，也可以是使這樣的氨基的氫原子被羥曱基或烷氧基曱基所取代的蜜胺化合物、脲化合物、甘脲化合物和苯胍胺化合物進行縮合而得的化合物，可以列舉例如，美國專利6323310號所記載的由蜜胺化合物(商品名廿<少少303)與苯胍胺化合物(商品名寸<^1123)制造的高分子量化合物。作為本發(fā)明的形成抗蝕劑下層膜的組合物所含有的、具有至少兩個式(5)所示的基團的化合物，還可以使用下述聚合物，所述聚合物是使用N-羥曱基丙烯酰胺、N-曱氧基曱基(甲基丙烯酰胺)、N-乙氧基(甲基丙烯酰胺)、N-丁氧基甲基(甲基丙烯酰胺)等被羥曱基或烷氧基甲基所取代的丙烯酰胺化合物或曱基丙烯酰胺化合物來制造的。這樣的聚合物可以僅由被羥曱基或烷氧基甲基所取代的丙烯酰胺化合物或甲基丙烯酰胺化合物制造，還可以通過將被羥甲基或烷氧基甲基所取代的丙烯酰胺化合物或曱基丙烯酰胺化合物與上述的丙烯酸酯化合物、甲基丙烯酸酯化合物、丙烯酰胺化合物、甲基丙烯酰胺化合物、乙烯基化合物、苯乙烯化合物、馬來酰亞胺化合物、馬來酸酐和丙烯腈等其它加聚性單體進行組合來制造。制造聚合物時，在使用其它加聚性單體的情況下，作為其使用比例，以質(zhì)量比來計算，作為被羥曱基或烷氧基甲基所取代的丙烯酰胺化合物或甲基丙烯酰胺化合物/其它加聚性單體，例如為10/1~1/10，優(yōu)選為5/1~1/5或3/1~1/3。作為這樣的聚合物，可以列舉例如，聚(N-丁氧基甲基丙烯酰胺)、N-丁氧基甲基丙烯酰胺與苯乙烯的共聚物、N-羥曱基(曱基丙烯酰胺)與甲基丙烯酸甲酯的共聚物、N-乙氧基甲基(曱基丙烯酰胺)與甲基丙烯酸千酯的共聚物、以及N-丁氧基甲基丙烯酰胺與甲基丙烯酸千酯以及曱基丙烯酸-2-羥基丙酯的共聚物等。作為這樣的聚合物的重均分子量，例如為1000~500000，又例如為1000~200000，3000~150000或3000~50000。聚合物可以僅使用一種聚合物，還可以組合使用兩種以上聚合物。在上述化合物中，三喚環(huán)等雜環(huán)顯示吸光性，作為吸光性化合物發(fā)揮作用。作為本發(fā)明的形成抗蝕劑下層膜的組合物所含有的具有可以與氯基進行反應(yīng)的基團的化合物，還可以使用含有選自式(6)、式(7)、式(8)、式(9)、式(10)和式(11)所示的結(jié)構(gòu)單元中的至少一種結(jié)構(gòu)單元的聚合物。式中、P表示構(gòu)成聚合物的主鏈的結(jié)合基團，Q表示直接鍵合或連接基團，R8、R9、Rn)和Ru分別表示氫原子或碳原子數(shù)l6的烷基，x表示O或l。作為P只要是構(gòu)成聚合物的主鏈的結(jié)合基團即可，不特別限制。作為P，可以列舉例如，下述式(P-l)式(P-4)所示的基團。作為Q，可以列舉含有選自亞苯基、-C(=0)-、-CH2-、-NH-和-O-的至少一種連接基團的連接基團或者直碰合。H392H5CIC一C———C—C———c—c—-—c一c-H21H2IH2IH2I(P-1)(P-2)(P-3)(P-4)這樣的聚合物可以使用具有環(huán)氧基、氧雜環(huán)丁烷基、噁唑啉基、環(huán)碳酸酯基、烷氧基甲硅烷基或異氰酸酯基的加聚性單體來制造。而且，制造聚合物時，可以組合使用上述的丙烯酸酯化合物、甲基丙烯酸酯化合物、丙烯酰胺化合物、甲基丙烯酰胺化合物、乙烯基化合物、苯乙烯化合物、馬來酰亞胺化合物、馬來酸酐和丙烯腈等其它加聚性單體。制造聚合物時，在使用其它加聚性單體的情況下，作為其使用比例，以質(zhì)量比來計算，作為具有環(huán)氧基、氧雜環(huán)丁烷基、噁唑啉基、環(huán)碳酸酯基、烷M甲硅烷基或異氰酸酯基的加聚性單體/其它加聚性單體，例如為10/1~1/10，優(yōu)選為5/1~1/5或3/1~1/3。作為具有環(huán)氧基的加聚性單體，可以列舉例如，丙烯酸縮水甘油酯和21甲基丙烯酸縮水甘油酯等。作為具有氧雜環(huán)丁烷基的加聚性單體，可以列舉例如，曱基丙烯酸(3-乙基-3-氧雜環(huán)丁烷基)曱酯、丙烯酸(氧雜環(huán)丁烷-3-基)甲酯、曱基丙烯酸(3-甲基-3-氧雜環(huán)丁烷基)甲酯、丙烯酸(氧雜環(huán)丁烷-2-基)甲酯和甲基丙烯酸(氧雜環(huán)丁烷-2-基)甲酯等。作為具有哺、唑啉基的加聚性單體，可以列舉例如，2-異丙烯基-2-嗜、哇啉等。作為具有環(huán)碳酸酯基的加聚性單體，可以列舉例如，乙烯基碳酸亞乙酯等。作為具有烷氧基甲硅烷基的加聚性單體，可以列舉例如，乙烯基三曱氧基硅烷、3-曱基丙烯酰氧丙基三曱氧基硅烷、3-曱基丙烯酰氧丙基三乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧丙基曱基二乙氧基硅烷和3-丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷等。作為具有異氰酸酯基的加聚性單體，可以列舉例如，2-異氰酸酯基乙基(甲基丙烯酸)酯和烯丙基異氰酸酯等。作為含有式(6)所示的結(jié)構(gòu)單元的聚合物，還可以通過將具有羥基的聚合物與環(huán)氧氯丙烷、曱笨璜酸縮水甘油酯等具有環(huán)氧基的化合物進行反應(yīng)來制造?？梢粤信e例如，由苯酚酚醛清漆與環(huán)氧氯丙烷制造的環(huán)氧苯酚酚醛清漆、其它環(huán)氧甲酚酚醛清漆和環(huán)氧基萘酚酚醛清漆等。作為含有選自式(6)、式(7)、式(8)、式(9)、式(10)和式(11)所示的結(jié)構(gòu)單元中的至少一種結(jié)構(gòu)單元的聚合物的重均分子量，例如為1000~500000，又例如為1000~200000，3000~150000或3000~50000。聚合物可以僅使用一種聚合物，還可以組合使用兩種以上聚合物。在本發(fā)明的形成抗蝕劑下層膜的組合物中，作為具有式(3)所示的被保護的羧基的化合物與具有可以與羧基進行反應(yīng)的基團的化合物的含有比例，以質(zhì)量比來計算，作為具有式(3)所示的被保護的氛基的化合物/具有可以與^&進行反應(yīng)的基團的化合物，例如為10/1~1/10，優(yōu)選為5/1~1/5，3/1~1/3或2/1~1/2。作為可以與氛基進行反應(yīng)的基團，可列舉與上述相同的基團。作為這樣的化合物，可以列舉例如，由具有烯烴部分和羧基的化合物來制造的、具有式(3)所示的被保護的羧基和環(huán)氧基的化合物?？梢酝ㄟ^使羧基與式(12)所示的化合物進行反應(yīng)，然后將烯烴部分進行環(huán)氧化，來制造具有式(3)所示的被保護的氛基和環(huán)氧基的化合物。另外，作為具有可以與羧基進行反應(yīng)的基團和式(3)所示的被保護的羧基的化合物，可以列舉具有式(3)所示的被保護的和式(5)所示的基團的聚合物。這樣的聚合物可以通過將例如曱基丙烯酸-l-曱氧基乙酯、甲基丙烯酸-l-乙氧基乙酯、甲基丙烯酸-l-異丙氧基乙酯、甲基丙烯酸-l-正己氧基乙酯和曱基丙烯酸(四氫-2H-吡喃-2-基)酯等甲基丙烯酸半縮醛酯化合物，丙烯酸-l-甲氧基乙酯、丙烯酸-l-叔丁氧基乙酯、丙烯酸-l-異丙氧基乙酯、丙烯酸-l-正丁氧基乙酯和丙烯酸(四氫-2H-吡喃-2-基)酯等丙烯酸半縮醛酯化合物，l-乙氧基乙基-4-乙烯基苯甲酸酯、二(l-乙氧基乙基)馬來酸酯和甲基(l-乙氧基乙基)馬來酸酯等具有式(3)所示的被保護的羧基的加聚性單體，與N-羥甲基丙烯酰胺、N-甲氧基甲基甲基丙烯酰胺、N-乙氧基曱基丙烯酰胺和N-丁氧基甲基(曱基丙烯酰胺)等被羥曱基或烷氧基曱基所取代的丙烯酰胺化合物或甲基丙烯酰胺化合物進行聚合反應(yīng)來制造。制造聚合物時，可以根據(jù)需要使用如上所述的其它加聚性單體。對制造聚合物所使用的、上述具有式(3)所示的被保護的氛基的加聚性單體與被羥甲基或烷氧基曱基所取代的丙烯酰胺化合物或曱基丙烯酰胺化合物的比例，以質(zhì)量比來計算，作為具有式(3)所示的被保護的氣基的加聚性單體/被羥甲基或烷氧基甲基所取代的丙烯酰胺化合物或甲基丙烯酰胺化合物，例如為10/1~1/10，優(yōu)選為5/1~1/5或3/1~1/3。而且，在使用上述其它加聚性聚合物的情況下，該比例在制造聚合物所使用的所有單體中，例如為0.5~80質(zhì)量％，又例如為1~70質(zhì)量％或5~50質(zhì)量％。這樣的聚合物例如可以通過上述使用聚合引發(fā)劑的方法來制造。作為這樣的聚合物的重均分子量，例如為1000~500000，又例如為i000~200000，或3000~150000，或3000~50000。聚合物可以僅使用一種聚合物，還可以組合使用兩種以上聚合物。23作為具有可以與羧基進行反應(yīng)的基團和式(3)所示的被保護的羧基的化合物，還可以使用含有式(4)所示的結(jié)構(gòu)單元、和選自式(6)、式(7)、式(8)、式(9)、式(10)和式(11)所示的結(jié)構(gòu)單元中的至少一種結(jié)構(gòu)單元的聚合物。這樣的聚合物例如可以通過將上述的具有式(3)所示的被保護的羧基的加聚性單體，與上述的具有環(huán)氧基、氧雜環(huán)丁烷基、噁唑啉基、環(huán)碳酸酯基、烷氧基甲硅烷基或異氰酸酯基的加聚性單體進行聚合反應(yīng)來制造。制造聚合物時，可以根據(jù)需要合并使用如上所述的其它加聚性單體、上述的被羥曱基或烷氧基曱基所取代的丙烯酰胺化合物或甲基丙烯酰胺化合物。制造聚合物所使用的、上述的具有式(3)所示的被保護的氛基的加聚性單體與具有環(huán)氧基、氧雜環(huán)丁烷基、噁唑啉基、環(huán)碳酸酯基、烷氧基甲硅烷基或異氰酸酯基的加聚性單體的比例以質(zhì)量比來計算，作為具有式(3)所示的被保護的氛基的加聚性單體/具有環(huán)氧基、氧雜環(huán)丁烷基、喁唑啉基、環(huán)碳酸酯基、烷氧基甲硅烷基或異氰酸酯基的加聚性單體，例如為10/1~1/10，優(yōu)選為5/1~1/5或3/1~1/3。而且，在使用上述的其它加聚性聚合物、被羥曱基或烷氧基甲基所取代的丙烯酰胺化合物或曱基丙烯酰胺化合物的情況下，該比例在制造聚合物所使用的所有單體中，例如為0.5~80質(zhì)量％,又例如為1~70質(zhì)量％或5~50質(zhì)量％。這樣的聚合物例如可以通過上述使用聚合引發(fā)劑的方法來制造。作為這樣的聚合物的重均分子量，例如為1000~500000，又例如為1000~200000，或3000~150000，或3000~50000。聚合物可以僅使用一種聚合物，還可以組合使用兩種以上聚合物。作為本發(fā)明的形成抗蝕劑下層膜的組合物所含有的、具有可以與進行反應(yīng)的基團和式(3)所示的被保護的氣基的化合物，可以列舉例如，下述式[1-9]~式[1-34]所示的聚合物(式中，p、q、r和s表示聚合物中各結(jié)構(gòu)單元的比例)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage25</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage26</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage27</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage28</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage29</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage30</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage31</formula>本發(fā)明的形成抗蝕劑下層膜的組合物所使用的液體添加劑(B)在大氣壓下，在常溫(20。C)270。C左右的溫度下，是以液態(tài)存在的。具體地說是脂肪族聚醚。該脂肪族聚醚是聚醚多元醇、聚縮水甘油醚或它們的組合。本發(fā)明的形成抗蝕劑下層膜的組合物所含有的液體添加劑(B)的添加<formula>formulaseeoriginaldocumentpage32</formula>量在固體成分中為1~40質(zhì)量％，或1~30質(zhì)量％，或1~20質(zhì)量％。作為聚醚多元醇，可以列舉例如式(l)所示的化合物。式(1)中，R表示氫原子、或碳原子數(shù)1~10的烷基。作為上述烷基可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、正戊基等，優(yōu)選為甲基。Ri是氫原子時，式(l)是聚氧乙烯聚醚；R,是甲基時，式(l)是聚氧丙烯聚醚；Ri是烷基時，式(l)是聚氧化烯多元醇。R2是碳原子數(shù)1~10的烷基、碳原子數(shù)2~6的鏈烯基、碳原子數(shù)2~10的炔基、碳原子數(shù)2~10的烷基羰基、碳原子數(shù)2~10的烷基羰基氨基、碳原子數(shù)2~10的烷氧基烷基、碳原子數(shù)1~10的烷氨基、碳原子數(shù)1~10的烷基二氨基或它們的組合。n是l300的整數(shù)，優(yōu)選為2~30，更優(yōu)選為2~10。另外m是26的整數(shù)。上述官能團以l價有機基團表示，但可以在能夠?qū)⒃撚袡C基團所含有的氫原子用聚氧化烯基取代的范圍內(nèi)改變價數(shù)，從而成為該價數(shù)根據(jù)聚氧化烯基的個數(shù)m不同而為2價、3價、4價、5價和6價的有機基團。另外這些官能團可以被羥基、氨基、氰基、卣素基、硝基和巰基等取代。作為上述烷基，可列舉甲基、乙基、正丙基、異丙基、環(huán)丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、環(huán)丁基、1-曱基環(huán)丙基、2-曱基環(huán)丙基、正戊基、1-甲基正丁基、2-曱基正丁基、3-曱基正丁基、l，l-二甲基正丙基、1，2-二甲基正丙基、2，2-二甲基正丙基、1-乙基正丙基、環(huán)戊基、1-曱基環(huán)丁基、2-曱基環(huán)丁基、3-甲基環(huán)丁基、1，2-二曱基環(huán)丙基、2，3-二甲基環(huán)丙基、1-乙基環(huán)丙基、2-乙基環(huán)丙基、正己基、1-曱基正戊基、2-曱基正戊基、3-曱基正戊基、4-甲基正戊基、l，l-二曱基正丁基、1，2-二曱基正丁基、1,3-二甲基正丁基、2，2-二甲基正丁基、2,3-二甲基正丁基、3，3-二曱基正丁基、1-乙基正丁基、2-乙基正丁基、1，1，2-三甲基正丙基、1,2,2-三甲基正丙基、l-乙基-l-甲基正丙基、l-乙基-2-甲基正丙基、環(huán)己基、1，4-二曱基環(huán)己基、1-甲基環(huán)戊基、2-甲基環(huán)戊基、3-甲基環(huán)戊基、1-乙基環(huán)丁基、2-乙基環(huán)丁基、3-乙基環(huán)丁基、1，2-二甲基環(huán)丁基、1,3-二甲基環(huán)丁基、2，2-二曱基環(huán)丁基、2,3-二曱基環(huán)丁基、2，4-二甲基環(huán)丁基、3，3-二甲基環(huán)丁基、1-正丙基環(huán)丙基、2-正丙基環(huán)丙基、1-異丙基環(huán)丙基、2-異丙基環(huán)丙基、1，2，2-三甲基環(huán)丙基、1,2,3-三曱基環(huán)丙基、2，2，3-三曱基環(huán)丙基、l-乙基-2-曱基環(huán)丙基、2-乙基-l-甲基環(huán)丙基、2-乙基-2-曱基環(huán)丙基和2-乙基-3-甲基環(huán)丙基等。作為上述鏈烯基可列舉乙烯基、l-丙烯基、2-丙烯基、l-曱基-l-乙烯基、l-丁?；?、2-丁烯基、3-丁烯基、2-甲基-l-丙烯基、2-曱基-2-丙烯基、1-乙基乙烯基、l-甲基-l-丙烯基、l-甲基-2-丙烯基、l-戊烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、1-正丙基乙烯基、l-甲基-l-丁烯基、l-甲基-2-丁烯基、1-甲基-3-丁烯基、2-乙基-2-丙烯基、2-曱基-l-丁烯基、2-甲基-2-丁烯基、2-曱基-3-丁烯基、3-甲基-l-丁烯基、3-曱基-2-丁烯基、3-曱基-3-丁烯基、1，1-二甲基-2-丙烯基、1-異丙基乙烯基、1，2-二曱基-1-丙烯基、1，2-二甲基-2-丙烯基、l-環(huán)戊烯基、2-環(huán)戊烯基、3-環(huán)戊烯基、l-己烯基、2-己烯基、3-己烯基、4-己烯基、5-己烯基、l-曱基-l-戊烯基、l-甲基-2-戊烯基、1-曱基-3-戊烯基、l-甲基-4-戊烯基、1-正丁基乙烯基、2-曱基-l-戊烯基、2-甲基-2-戊烯基、2-甲基-3-戊烯基、2-甲基-4-戊烯基、2-正丙基-2-丙烯基、3-甲基-l-戊烯基、3-甲基-2-戊烯基、3-甲基-3-戊烯基、3-甲基-4-戊烯基、3-乙基-3-丁烯基、4-曱基-l-戊烯基、4-曱基-2-戊烯基、4-甲基-3-戊烯基、4-甲基-4-戊烯基、1，1-二甲基-2-丁烯基、1，1-二甲基-3-丁烯基、1，2-二曱基小丁烯基、1,2-二曱基-2-丁烯基、1，2-二甲基-3-丁烯基、1-曱基-2-乙基-2-丙烯基、1-仲丁基乙烯基、1,3-二甲基-1-丁烯基、1，3-二甲基-2-丁烯基、1,3-二曱基-3-丁烯基、1-異丁基乙烯基、2,2-二甲基-3-丁烯基、2，3-二曱基-1-丁烯基、2，3-二甲基-2-丁烯基、2，3-二甲基-3-丁烯基、2-異丙基-2-丙烯基、3，3-二甲基-1-丁烯基、l-乙基-l-丁烯基、l-乙基-2-丁烯基、l-乙基-3-丁烯基、l-正丙基-l-丙烯基、l-正丙基-2-丙烯基、2-乙基-l-丁烯基、2-乙基-2-丁烯基、2-乙基-3-丁烯基、1,1，2-三甲基-2-丙烯基、1-叔丁基乙烯基、1-曱基-l-乙基-2-丙烯基、l-乙基-2-曱基-l-丙烯基、l-乙基-2-曱基-2-丙烯基、l-異丙基-l-丙烯基、l-異丙基-2-丙烯基、l-曱基-2-環(huán)戊烯基、l-甲基-3-環(huán)戊烯基、2-甲基-l-環(huán)戊烯基、2-曱基-2-環(huán)戊烯基、2-甲基-3-環(huán)戊烯基、2-34曱基-4-環(huán)戊烯基、2-曱基-5-環(huán)戊烯基、2-亞甲基環(huán)戊基、3-甲基-l-環(huán)戊烯基、3-甲基-2-環(huán)戊烯基、3-甲基-3-環(huán)戊烯基、3-甲基-4-環(huán)戊烯基、3-甲基-5-環(huán)戊烯基、3-亞甲基環(huán)戊基、l-環(huán)己烯基、2-環(huán)己烯基和3-環(huán)己烯基等。作為上述炔基，可列舉乙炔基、l-丙炔基、2-丙炔基、l-丁炔基、2-丁炔基、3-丁炔基、l-甲基-2-丙炔基、l-戊炔基、2-戊炔基、3-戊炔基、4-戊炔基、l-甲基-2-丁炔基、l-甲基-3-丁炔基、2-甲基-3-丁炔基、3-甲基-1-丁炔基、1，1-二甲基-2-丙炔基、2-乙基-2-丙炔基、l-己炔基、2-己炔基、3-己炔基、4-己炔基、5-己炔基、l-曱基-2-戊炔基、l-曱基-3-戊炔基、1-甲基-4-戊炔基、2-甲基-3-戊炔基、2-甲基-4-戊炔基、3-甲基-l-戊炔基、3-甲基-4-戊炔基、4-曱基-l-戊炔基、4-甲基-2-戊炔基、1，1-二曱基-2-丁炔基、l，l-二甲基-3-丁炔基、1，2-二曱基-3-丁炔基、2，2-二甲基-3-丁炔基、3，3-二甲基-l-丁炔基、l-乙基-2-丁炔基、l-乙基-3-丁炔基、l-正丙基-2-丙炔基、2-乙基-3-丁炔基、l-甲基小乙基-2-丙炔基和l-異丙基-2-丙炔基等。作為上述烷基羰基，可列舉甲基羰基、乙基羰基、正丙基羰基、異丙基羰基、環(huán)丙基羰基、正丁基羰基、異丁基羰基、仲丁基羰基、叔丁基羰基、環(huán)丁基羰基、1-甲基環(huán)丙基羰基、2-甲基環(huán)丙基羰基、正戊基羰基、1-甲基正丁基羰基、2-甲基正丁基羰基、3-甲基正丁基羰基、l，l-二曱基正丙基羰基、1，2-二甲基正丙基羰基、2，2-二曱基正丙基羰基、1-乙基正丙基羰基、環(huán)戊基羰基、1-甲基環(huán)丁基羰基、2-曱基環(huán)丁基羰基、3-甲基環(huán)丁基to、1,2-二甲基環(huán)丙基羰基、2，3-二曱基環(huán)丙基羰基、1-乙基環(huán)丙基羰基、2-乙基環(huán)丙基m&、正己基、1-曱基正戊基羰基、2-曱基正戊基M、3-甲基正戊基羰基、4-甲基正戊基羰基、l，l-二甲基正丁基羰基、1，2-二曱基正丁基羰基、1，3-二甲基正丁基羰基、2,2-二甲基正丁基羰基、2，3-二甲基正丁基羰基、3,3-二曱基正丁基羰基、1-乙基正丁基羰基、2-乙基正丁基羰基、1，1，2-三曱基正丙基羰基、1,2,2-三甲基正丙基羰基、l-乙基-l-甲基正丙基tt、l-乙基-2-曱基正丙基M、環(huán)己基羰基、1-曱基環(huán)戊基羰基、2-曱基環(huán)戊基羰基、3-甲基環(huán)戊基羰基、1-乙基環(huán)丁基羰基、2-乙基環(huán)丁基羰基、3-乙基環(huán)丁基羰基、1，2-二甲基環(huán)丁基羰基、1，3-二甲基環(huán)丁基羰基、2，2-二甲基環(huán)丁基羰基、2,3-二甲基環(huán)丁基羰基、2，4-二甲基環(huán)丁基羰基、3，3-二甲基環(huán)丁基羰基、1-正丙基環(huán)丙基羰基、2-正丙基環(huán)丙基羰基、1-異丙基環(huán)丙基羰基、2-異丙基環(huán)丙基羰基、1，2，2-三甲基環(huán)丙基羰基、1,2,3-三甲基環(huán)丙基羰基、2，2，3-三甲基環(huán)丙基羰基、l-乙基-2-曱基環(huán)丙基羰基、2-乙基-1-甲基環(huán)丙基、2-乙基-2-曱基環(huán)丙基羰基和2-乙基-3-曱基環(huán)丙基羰基等。作為上述烷基羰基氨基，可列舉曱基羰基氨基、乙基羰基氨基、正丙基羰基氨基、異丙基羰基氨基、環(huán)丙基羰基氨基、正丁基羰基氨基、異丁基羰基氨基、仲丁基羰基氨基、叔丁基羰基氨基、環(huán)丁基羰基氨基、1-甲基環(huán)丙基羰基氨基、2-甲基環(huán)丙基羰基氨基、正戊基羰基氨基、1-甲基正丁基羰基M、2-曱基正丁基羰基JL&、3-曱基正丁基氨基、l，l-二曱基正丙基羰基氨基、1,2-二甲基正丙基羰基M、2，2-二曱基正丙基羰基氨基、1-乙基正丙基羰基氨基、環(huán)戊基羰基氨基、1-曱基環(huán)丁基羰基氨基、2-曱基環(huán)丁基羰基M、3-甲基環(huán)丁基羰基氨基、1,2-二曱基環(huán)丙基羰基氨基、2，3-二曱基環(huán)丙基羰基氨基、1-乙基環(huán)丙基羰基氨基、2-乙基環(huán)丙基羰基氨基、正己基羰基氨基、1-甲基正戊基羰基氨基、2-甲基正戊基羰基氨基、3-甲基正戊基羰基氨基、4-甲基正戊基羰基氨基、l，l-二曱基正丁基羰基氨基、1,2-二甲基正丁基羰基氨基、1，3-二曱基正丁基羰基氨基、2，2-二曱基正丁基R&氨基、2，3-二甲基正丁基羰基氨基、3，3-二甲基正丁基羰基氨基、1-乙基正丁基羰基氨基、2-乙基正丁基羰基氨基、1,1,2-三甲基正丙基羰基狄、1,2,2-三曱基正丙基絲絲、l-乙基-l-曱基正丙基tt氨基、1-乙基-2-甲基正丙基#^、環(huán)己基tt^J^、l-甲基環(huán)戊基羰基M、2-曱基環(huán)戊基^&、3-甲基環(huán)戊基皿M、1-乙基環(huán)丁基羰基氨基、2-乙基環(huán)丁基羰基氨基、3-乙基環(huán)丁基羰基氨基、1，2-二甲基環(huán)丁基M氨基、1，3-二甲基環(huán)丁基羰基氨基、2，2-二曱基環(huán)丁基羰基氨基、2，3-二甲基環(huán)丁基tt氨基、2，4-二甲基環(huán)丁基羰基氨基、3，3-二曱基環(huán)丁基氨基、1-正丙基環(huán)丙基羰基氬基、2-正丙基環(huán)丙基MM、1-異丙基環(huán)丙基羰基氨基、2-異丙基環(huán)丙基羰基氨基、1，2，2-三甲基環(huán)丙基羰基氨基、1，2，3-三甲基環(huán)丙基羰基氨基、2，2，3-三曱基環(huán)丙基羰基絲、l-乙基-2-甲基環(huán)丙基羰基氨基、2-乙基-l-曱基環(huán)丙基羰基氨基、2-乙基-2-甲基環(huán)丙基羰基氨基和2-乙基-3-曱基環(huán)丙基羰基氛基等。作為上述烷氧基烷基，可列舉甲氧基甲基、乙氧基乙基、乙氧基曱基、丙氧基丙基、丙氧基曱基、叔丁氧基叔丁基、甲基叔丁基等。作為上述烷氨基，可列舉甲氨基、乙氨基、正丙氨基、異丙氛基、環(huán)丙氨基、正丁氨基、異丁氨基、仲丁氨基、叔丁氨基、環(huán)丁氨基、1-曱基環(huán)丙氨基、2-曱基環(huán)丙氨基、正戊氨基、1-甲基正丁氨基、2-甲基正丁氛基、3-曱基正丁M、1，l-二甲基正丙M等。作為上述烷基二氨基，可列舉甲基二氨基、乙基二氨基、正丙基二氨基、異丙基二氨基、環(huán)丙基二氨基、正丁基二氨基、異丁基二氨基、仲丁基二氨基、叔丁基二氨基、環(huán)丁基二氨基、1-曱基環(huán)丙基二氨基、2-曱基環(huán)丙基二氨基、正戊基二氨基、1-曱基正丁基二氨基、2-甲基正丁基二氨基、3-曱基正丁基二氨基、l，l-二曱基正丙基二氨基等。上述式(1)所示的聚醚多元醇可例示例如式[2-1]~[2-18]。37<formula>formulaseeoriginaldocumentpage38</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage39</formula>式(l)的R2優(yōu)選可以使用相當于乙基、正丙基的2價或3價的烴基?？闪信e例如，聚氧乙烯二醇、聚氧丙烯二醇、聚氧乙烯三醇、聚氧丙烯三醇等，氧化烯的重復個數(shù)n優(yōu)選為2~10。作為聚縮水甘油醚，可列舉例如式(2)所示的化合物。在式(2)中，R2表示與式(l)中所示的R2相同的基團。m是26的整數(shù)。R2的官能基以l價有機基團表示，但可以在能夠?qū)⒃撚袡C基團所含有的氫原子用縮7JC甘油醚基取代的范圍內(nèi)改變價數(shù)，從而根據(jù)縮水甘油醚基的個數(shù)m不同而成為該價數(shù)為2價、3價、4價、5價或6價的有機基團?？梢詢?yōu)選^f吏用m為2的二縮水甘油醚化合物。上述式(2)所示的聚縮水甘油醚可例示例如式[3-l]~[3-6]。本發(fā)明的形成抗蝕劑下層膜的組合物中，可以添加吸光性化合物(D)、表面活性劑、流變調(diào)節(jié)劑、粘結(jié)助劑等。作為吸光性化合物(D)，只要是對設(shè)置在抗蝕劑下層膜上的光致抗蝕劑層中的感光成分的感光特性波長區(qū)域中的光具有較高的吸收能力，從而可能防止自J41反射而產(chǎn)生的駐波、防止_1414面的段差造成的漫>^射的吸光性化合物即可4吏用，不特別限制。作為這樣的吸光性化合物(D),可以使用例如，二苯甲酮化合物、苯并三唑化合物、偶氮化合物、萘化合物、蒽化合物、蒽醌化合物、三溱化合物、異氰脲酸化合物、壹啉化合物等。能夠使用萘化合物、蒽化合物、三溱化合物、異氰脲酸化合物。而且，吸光性化合物也優(yōu)選可以與上述具有環(huán)氧基的成分進行反應(yīng)，因此，優(yōu)選使用具有羧基或酚羥基的化合物。作為具體例，可以列舉例如，l-萘曱酸、2-萘甲酸、l-萘酚、2-萘酚、萘乙酸、l-羥基-2-萘甲酸、3-羥基-2-萘甲酸、3,7-二羥基-2-萘曱酸、6-溴-2-羥基萘、2，6-萘二甲酸、9-蒽甲酸、10-溴-9-蒽甲酸、蒽-9，10-二甲酸、l-蒽甲酸、1-羥基蒽、1，2，3-蒽三酚、2，7，9-蒽三酚、苯甲酸、4-羥基苯曱酸、4-溴苯甲酸、3-碘苯曱酸、2，4，6-三溴苯酚、2,4,6-三溴間苯二酚、3，4，5-三碘苯曱酸、2，4，6-三碘-3-氨基苯曱酸、2，4，6-三碘-3-羥基苯甲酸、2，4,6-三溴-3-羥基苯甲酸等。另外，作為吸光性化合物，可列舉例如，具有下述式[4-l]~[4-3]所示的結(jié)構(gòu)單元的聚合物、式[4-4]所示的化合物等。式[4-4]中，Ar表示可以被碳原子數(shù)1~5的烷基、碳原子數(shù)1~5的烷氧基、氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、硝基、氰基、羥基、巰基、碳原子數(shù)1~5的硫代烷基、羧基、苯氧基、乙?；?、碳原子數(shù)1~5的烷氧羰基或乙烯基取代的苯環(huán)、萘環(huán)或蒽環(huán)。HIIo—c—c一c一o—cH26HH2C」OH,IIIH2Ar—C一0—C一C一C、H2HNCTOOHHOH2III/C一C一C一O—C一Ar^HH2人[4—4]N》OIHIIH2C—C—C—O—C一ArOHH242這些吸光性化合物既可以僅使用一種，又可以兩種以上組合使用。本發(fā)明的形成抗蝕劑下層膜的組合物含有吸光性化合物時，其添加量在固體成分中為30質(zhì)量％以下，例如為1~20質(zhì)量％或1~10質(zhì)量％。本發(fā)明的形成抗蝕劑下層膜的組合物可以含有表面活性劑。作為表面活性劑可以列舉例如，失水山梨糖醇單月桂酸酯、失水山梨糖醇單棕櫚酸酯、失水山梨糖醇單硬脂酸酯、失水山梨糖醇單油酸酯、失水山梨糖醇三油酸酯、失水山梨糖醇三硬脂酸酯等失水山梨糖醇脂肪酸酯類，聚氧乙烯失水山梨糖醇單月桂酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇單棕櫚酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇單硬脂酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇三油酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇三硬脂酸酯等聚氧乙烯失水山梨糖醇脂肪酸酯類等非離子系表面活性劑，工7卜、7:/EF301、EF303、EF352((抹)卜一^厶7口夕、夕、乂制造)、^力、7:r、乂夕F171、F173(大日本0年化學工業(yè)(林)制造)、7口，一KFC430、FC431(住友7y—工厶(林)制造)、7寸匕力、一KAG710、寸一7口yS-382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106(旭硝子(林)制造)等氟系表面活性劑，以及有才M氧烷聚合物KP341(信越化學工業(yè)(林)制造)等。這些表面活性劑的配合量在本發(fā)明的防反射膜形成組合物的總成分中，通常為0.2質(zhì)量％以下，優(yōu)選為0.1質(zhì)量％以下。這些表面活性劑既可以單獨添加，又可以2種以上組合添加。為了^f吏以光刻工藝凈皮覆在上層的光致抗蝕劑與抗蝕劑下層膜的酸性度一致，可以在本發(fā)明的形成抗蝕劑下層膜的組合物中添加生酸劑。作為生酸劑，可以列舉苯偶姻曱苯磺酸酯和2-硝基節(jié)基甲苯磺酸酯等有機磺酸烷基酯化合物，二苯1^典錯三氟曱磺酸鹽、二苯M錯十二烷基苯磺酸鹽、二(4-叔丁基苯基)碘錯樟腦磺酸鹽、二(4-叔丁基苯基)碘錄九氟正丁基磺酸鹽、二(4-叔丁基苯基)碘錯三氟曱磺酸鹽和三苯基锍三氟甲磺酸鹽等的錯鹽化合物。還可以列舉2，4，4,6-四溴環(huán)己二烯酮、苯基二(三氯甲基)-均三嗪和N-羥基琥珀酰亞胺三氟甲磺酸鹽等生酸劑。作為生酸劑的添加量，在形成抗蝕劑下層膜的組合物的固體成分中為20質(zhì)量％以下，優(yōu)選根據(jù)需要以10質(zhì)量％以下或2質(zhì)量％以下的量^f吏用。43組合物根據(jù)需要還可以含有其它流變調(diào)節(jié)劑、粘結(jié)助劑等。作為流變調(diào)節(jié)劑，可以列舉例如，鄰苯二甲酸二甲酯、鄰苯二曱酸二乙酯、鄰苯二甲酸二異丁酯、鄰苯二甲酸二己酯、丁基異癸基鄰苯二甲酸酯、己二酸二正丁酯、己二酸二異丁酯、己二酸二異辛酯、辛基癸基己二酸酯、蘋果酸二正丁酯、蘋果酸二乙酯、蘋果酸二壬酯、油酸甲酯、油酸丁酯、油酸四氫糠酯、硬脂酸正丁酯和硬脂酸甘油酯等。這些流變調(diào)節(jié)劑通常以不足10質(zhì)量％的比例添加在形成抗蝕劑下層膜的組合物的固體成分中。作為粘結(jié)助劑，可以列舉例如，三甲基氯珪烷、二甲基乙烯基氯硅烷、甲基二苯基氯硅烷、氯甲基二曱基氯硅烷、三甲基甲氧基硅烷、二曱基二乙氧基硅烷、甲基二甲氧基硅烷、二曱基乙烯基乙氧基硅烷、Y-曱基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、六曱基二硅烷基胺、N，N，-二(三曱基曱硅烷基)脲、二甲基(三甲基甲硅烷基)胺、三甲基甲硅烷基咪唑、乙烯基三氯硅烷、，氯丙基三曱氧基硅烷、，氨基丙基三乙氧基硅烷、Y-環(huán)氧丙氧基丙基三曱氧基硅烷、，曱基丙烯酰氧丙基三曱氧基珪烷、苯并三哇、苯并咪唑、吲唑、咪唑、2-巰基苯并咪哇、2-巰基苯并瘞唑、2-巰基苯并I唑、尿唑、硫尿嘧啶、巰基咪唑、巰基嘧啶、l，l-二甲基脲、1，3-二甲基脲和硫脲等。這些粘結(jié)助劑通常以不足2質(zhì)量％的比例添加在抗蝕劑下層膜形成總組合物的固體成分中。本發(fā)明的形成抗蝕劑下層膜的組合物中，作為用于溶解上述固體成分的溶劑(C)，可以使用各種溶劑。作為這樣的溶劑，可以使用例如，乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、曱基乙酸溶纖劑、乙基乙酸溶纖劑、二甘醇單甲醚、二甘醇單乙醚、丙二醇、丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇丙醚乙酸酯、曱苯、二甲苯、曱乙酮、環(huán)戊酮、環(huán)己酮、2-羥基丙酸乙酯、2-羥基-2-曱基丙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、羥基乙酸乙酯、2-羥基-3-曱基丁酸曱酯、3-曱氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸甲酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳44酸乙酯、乳酸丁酯、N，N-二甲基曱酰胺、N，N-二曱基乙酰胺和N-曱基吡咯烷酮等。這些溶劑可以單獨使用或兩種以上組合^f吏用。進而，還可以混合使用丙二醇單丁醚、丙二醇單丁醚乙酸酯等的高沸點溶劑。以下，對于使用本發(fā)明的形成抗蝕劑下層膜的組合物進行說明。在半導體基板(例如，硅/二氧化硅被覆基板、氮化硅基板、玻璃基板141、ITOM等)上面，通過旋涂器、涂布器等適當?shù)耐坎挤椒ㄍ坎急景l(fā)明的形成抗蝕劑下層膜的組合物，然后通過烘烤來形成抗蝕劑下層膜。作為烘烤條件，可自烘烤溫度80。C250。C、烘烤時間0.3~60分鐘之中適當選擇。優(yōu)選為烘烤溫度130。C250。C、烘烤時間0.55分鐘。這里，作為抗蝕劑下層膜的膜厚，例如為0.01~3.0jun，又例如為0.03~l.Opm。本發(fā)明的形成抗蝕劑下層膜的組合物如上所述，含有樹脂(A)、液體添加劑(B)和溶劑(C)。樹脂(A)含有具有式(3)所示的被保護的氛基的化合物、具有可以與進行反應(yīng)的基團的化合物，或者含有具有可以與g進行反應(yīng)的基團和式(3)所示的被保護的氣基的化合物。在將形成抗蝕劑下層膜的組合物涂布在基板上時，例如可在具有凹凸的半導體a上使溶劑溶劑蒸發(fā)之后形成抗蝕劑下層膜?？刮g劑下層膜中含有液體添加劑。因為該液體添加劑即使在溶劑蒸發(fā)之后也是液態(tài)，所以可以容易地流入孔中，從而填充孔而進行平坦化。該液體添加劑因為其分子內(nèi)具有羥基、環(huán)氧基，所以可以容易地與樹脂成分發(fā)生交聯(lián)結(jié)合而高分子化，并在填充到孔中之后完全固化。對于該組合物的樹脂成分(A),在通過涂布在半導體141上、并烘烤而形成抗蝕劑下層膜時，式(3)所示的被保護的氛基由于熱而發(fā)生分解，從而得到。并且，這樣生成的g在烘烤中，與環(huán)氧基、氧雜環(huán)丁烷基、喁唑啉基、烷氧基甲硅烷基、氨基羥曱基和異氰酸酯基等上述可以與羧基進行反應(yīng)的基團進行反應(yīng)。另外上述樹脂成分(A)的羧基也與液體添加劑(B)的羥基、環(huán)氧基進行反應(yīng)而形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)。這樣，通過樹脂成分(A)的被保護的氛基熱分解而生成的羧基，與樹脂成分(A)中具有可以與g進行反應(yīng)的基團的成分和液體添加劑(B)進行反應(yīng)，從而生成具有交聯(lián)結(jié)構(gòu)的聚合物。特別是，在使用兩種以上具有式(3)所示的被保護的氣基或可以與g進行反應(yīng)的基團的化合物時，通過將羧基與可以與羧基進行反應(yīng)的基團進行反應(yīng)，從而使得化合物之間連續(xù)結(jié)合。而且，由于這樣的化合物之間的連續(xù)結(jié)合，形成的抗蝕劑下層膜變得堅固，在其上層涂布的光致抗蝕劑組合物中一般使用的有機溶劑，是對例如乙二醇單甲醚、乙基乙酸溶纖劑、二甘醇單乙醚、丙二醇、丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇丙醚乙酸酯、甲苯、曱乙酮、環(huán)己酮、2-羥基丙酸乙酯、2-羥基-2-甲基丙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、丙酮酸曱基、乳酸乙酯和乳酸丁酯等的溶解性較低的溶劑。因此，由本發(fā)明的形成抗蝕劑下層膜的組合物形成的抗蝕劑下層膜不與光致抗蝕劑發(fā)生混合。另外，認為在使用具有多個反應(yīng)部位的化合物時，形成的抗蝕劑下層膜更加堅固。特別是可以認為，在使用具有式(3)所示的被保護的氛基或可以與M進行反應(yīng)的基團的聚合物時，通過在烘烤中進行反應(yīng)來形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)，抗蝕劑下層膜更加堅固。另外，通過式(3)所示的被保護的氛基熱分解而生成氛基，以及這樣生成的羧基與環(huán)氧基、羥基、氧雜環(huán)丁烷基、喁唑啉基、烷氧基甲硅烷基、氨基羥甲基和異氰酸酯基等進行的反應(yīng)，在烘烤條件下容易地進行，所以不需要催化劑。因此，本發(fā)明的形成抗蝕劑下層膜的組合物中不必添加磺酸化合物等強酸，所述強酸一直以來在用于形成交聯(lián)性下層膜的組合物中作為交聯(lián)催化劑^R通用的。進而，因為在本發(fā)明的形成抗蝕劑下層膜的組合物通過聚合物彼此進行反應(yīng)而形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)的體系中，不含有一直以來通用的低分子交聯(lián)劑、磺酸化合物等低分子化合物，所以可以減少烘烤中生成的升華物量，從而可以避免來自升華物的顆粒、異物造成半導體M、潔凈室污染。接著，在抗蝕劑下層膜上形成光致抗蝕劑層。形成光致抗蝕劑層可以通過周知的方法來進行，即通過在下層膜上涂布光致抗蝕劑組合物溶液并烘烤來進行。作為在本發(fā)明的抗蝕劑下層膜上涂布、形成的光致抗蝕劑，只要是對曝光光感光的光致抗蝕劑即可，不特別限制。另外，可以^使用負型光致抗蝕劑和正型光致抗蝕劑的任一種。包括含有酚醛清漆樹脂和1,2-二疊氮萘醌磺酸酯的正型光致抗蝕劑、含有具有可被酸分解而提高堿溶解速度的基團的粘合劑和光生酸劑的化學放大型光致抗蝕劑、含有可被酸分解而提的化學放大型光致抗蝕劑、含有具有可被酸分解而提高堿溶解速度的基團的粘合劑和可被酸分解而提高光致抗蝕劑的堿溶解速度的低分子化合物以及光生酸劑的化學放大型光致抗蝕劑等，可列舉例如，^7P—社制造的商品名APEX-E、住友化學工業(yè)(林)制造的商品名PAR710、信越化學工業(yè)(林)制造商品名SEPR430等。接著，通過規(guī)定的掩模進行曝光。曝光可以使用KrF準分子激光(波長248nm)、ArF準分子激光(波長193nm)和F2準分子激光(波長157nm)等。在曝光之后，可以根據(jù)需要進行曝光后加熱(PEB:PostExposureBake)。曝光后加熱，加熱溫度可適當選自70°C~150°C、加熱時間可適當選自0.3~10分鐘。接著，用光致抗蝕劑用顯影液進行顯影。由此，在例如使用正型光致抗蝕劑的情況下，除去^:曝光部分的光致抗蝕劑，從而形成光致抗蝕劑的圖案。作為光致抗蝕劑用顯影液，可以列舉氫氧化鉀、氫氧化鈉等堿金屬氫氧化物的水溶液，四甲基氬氧化銨、四乙基氫氧化銨、膽堿等氫氧化季銨的水溶液，乙醇胺、丙胺、乙二胺等胺水溶液等堿性水溶液為例。進而，這些顯影液中可以添加表面活性劑等。作為顯影條件，溫度可適當選自5~50°C、時間可適當選自10~300秒。然后，以這樣形成的光致抗蝕劑圖案作為保護膜，除去抗蝕劑下層膜并加工半導體基板?？梢允褂盟姆淄?、全氟環(huán)丁烷(CtF8)、全氟丙烷(C3F8)、三氟曱烷、一氧化碳、氬氣、氧氣、氮氣、六氟化硫、二氟甲烷、三氟化氮和三氟化氯等氣體來除去抗蝕劑下層膜。在半導體基板上形成本發(fā)明的抗蝕劑下層膜之前或之后，可以涂布、形成有機系防反射膜層。作為這里所使用的防反射膜組合物不特別限制，可以自到目前為止在光刻工藝中常用的組合物中任意選擇來使用，另外，可以通過常用的方法，例如通過用旋涂器、涂布器進行涂布并烘烤來形成防反射膜。作為防反射膜組合物可以列舉例如，以吸光性化合物、聚合物和溶劑為主要成分的組合物，以通過化學鍵連接的具有吸光性基團的聚合物、交聯(lián)劑和溶劑為主要成分的組合物，以吸光性化合物、交聯(lián)劑和溶劑為主要成分的組合物，以及以具有吸光性的高分子交聯(lián)劑和溶劑為主要成分的組合物等。這些防反射膜組合物根據(jù)需要還可以含有酸成分、生酸劑成分、流變調(diào)節(jié)劑等。作為吸光性化合物，只要是對設(shè)置在防反射膜上的光致抗蝕劑中的感光成分的感光特性波長區(qū)域中的光具有較高的吸收能力的化合物即可使用，可以列舉例如，二苯曱酮化合物、苯并三唑化合物、偶氮化合物、萘化合物、蒽化合物、蒽醌化合物、三溱化合物等。作為聚合物，可以列舉聚酯、聚酰亞胺、聚苯乙烯、酚醛清漆樹脂、聚縮醛、丙烯酸聚合物等。作為通過化學鍵連接的具有吸光性基團的聚合物，可以列舉具有蒽環(huán)、萘環(huán)、苯環(huán)、壹啉環(huán)、喹喔啉環(huán)、噻唑環(huán)等吸光性芳香環(huán)結(jié)構(gòu)的聚合物。另外，本發(fā)明的形成抗蝕劑下層膜的組合物所涂布的半導體基板，可以是其表面具有用CVD法等形成的無機系防反射膜的基板，可以在其上形成本發(fā)明的抗蝕劑下層膜。由本發(fā)明的形成抗蝕劑下層膜的組合物形成的抗蝕劑下層膜還可以根據(jù)光刻工藝中所^使用的曝光光的波長不同而對該光具有吸收，這種情況下，可以作為具有防止自！41的反射光的效果的層，即作為防反射膜使用。在使用KrF準分子激光(波長248nm)的光刻工藝中使用抗蝕劑下層膜作為防反射膜的情況下，優(yōu)選形成抗蝕劑下層膜的組合物的固體成分中含有具有蒽環(huán)或萘環(huán)的成分。而且，在使用ArF準分子激光(波長193nm)的光刻工藝中^f吏用抗蝕劑下層膜作為防反射膜的情況下，優(yōu)選形成抗蝕劑下層膜的組合物的固體成分中含有具有苯環(huán)的化合物。另外，在使用F2準分子激光(波長157nm)的光刻工藝中使用抗蝕劑下層膜作為防反射膜的情原子的化合物。進而，本發(fā)明的抗蝕劑下層膜可以作為用于防止1^反與光致抗蝕劑相互作用的層、具有防止光致抗蝕劑所^使用的材料或?qū)庵驴刮g劑進行曝光時所生成物質(zhì)對M產(chǎn)生不良作用的功能的層、具有防止加熱烘烤時由基板生成的物質(zhì)在上層光致抗蝕劑中擴散并產(chǎn)生不良作用的功能的層、以及用于減少半導體基板電介質(zhì)層造成的光致抗蝕劑層中毒效應(yīng)的阻擋層等來使用。另外，由形成抗蝕劑下層膜的組合物形成的抗蝕劑下層膜適用于在雙嵌入工序中使用的形成了通孔的皿，可以作為能夠?qū)⒖滋畛涞脹]有間隙的填埋材料使用，還可以作為用于將基板表面進行平坦化的平坦化材料使用。以下，通過實施例更具體地說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不受這些實施例限制。實施例合成例1在80.0g丙二醇單曱醚乙酸酯中，溶解9.00g曱基丙烯酸-l-丁氧基乙酉旨(本州化學工業(yè)(林)制品)、6.87g甲基丙烯酸縮7K甘油酯、2.74g丁內(nèi)酯甲基丙烯酸酯和4.16g丙烯酸曱酯，在該溶液中流通氮氣30分鐘，然后升溫到65°C。將反應(yīng)溶液保持在65°C，同時添加0.37g偶氮二異丁腈和0.37g1_十二烷_^^克醇。在氮氣氣氛下，在65。C攪拌24小時，然后添加0.1g二叔丁基對曱苯酚，從而得到4元共聚物(式[l-33])的溶液。將得到的共聚物進行GPC分析，結(jié)果是數(shù)均分子量Mn為5900，重均分子量(標準聚苯乙烯校準)Mw為9900。合成例2在80.0g丙二醇單甲醚乙酸酯中，溶解9，00g甲基丙蟑酸-l-丁氧基乙酯(本州化學工業(yè)(林)制品)、7.85g曱基丙烯酸縮7jc甘油酯、2.35g的，丁內(nèi)49酯甲基丙烯酸酯和3.19g甲基丙烯酸節(jié)酯，在該溶液中流通氮氣30分鐘，然后升溫到65°C。將反應(yīng)溶液保持在65°C,同時添加0.38g偶氮二異丁腈和0.38g1-十二烷基琉醇。在氮氣氣氛下，在65。C攪拌24小時，然后添加O.lg4-曱氧基苯酚，從而得到4元共聚物(式[l-34)的溶液。將得到的共聚物進行GPC分析，結(jié)果是數(shù)均分子量Mn為6500，重均分子量(標準聚苯乙烯校準)Mw為10000。實施例1在10.0g合成例1所得的含有共聚物的溶液(固體成分濃度20.0%)中，加入O.lOg式[3-6]所示的化合物(商品名f、于〕一/k850L、于力、t夕厶亍、乂夕7(林)制造)作為液體添加劑，加入0.75g丙二醇單曱醚乙酸酯和2.03g乳酸乙酯作為溶劑，制成14%的溶液。然后，使用孔徑0.05jim的聚乙烯制微型過濾器進行過濾，從而調(diào)制形成抗蝕劑下層膜的組合物的溶液。實施例2在10.0g合成例2所得的含有共聚物的溶液(固體成分濃度20.0%)中，加入0.05g式2-l]所示的化合物(商品名步>二、;/夕7GP-600、三洋化成工業(yè)(林)制造)作為液體添加劑，加入1.35g丙二醇單甲醚乙酸酯和3.97g乳酸乙酯作為溶劑，制成13.5%的溶液，然后使用孔徑0.05nm的聚乙烯制微型過濾器進行過濾，從而調(diào)制形成抗蝕劑下層膜的組合物的溶液。比較例1在10.0g合成例1所得的含有共聚物的溶液(固體成分濃度20.0%)中，加入0.75g丙二醇單曱醚乙酸酯和2.03g乳酸乙酯作為溶劑，制成14%的溶液。然后，使用孔徑0.05nm的聚乙烯制微型過濾器進行過濾，從而調(diào)制形成抗蝕劑下層膜的組合物的溶液。比較例2在10.0g合成例2所得的含有共聚物的溶液(固體成分濃度20.0%)中，加入1.35g丙二醇單甲醚乙酸酯和3.97g乳酸乙酯作為溶劑，制成13.5%的溶液，然后使用孔徑0.05nm的聚乙烯制微型過濾器進行過濾，從而調(diào)制形成抗蝕劑下層膜的組合物的溶液。在光致抗蝕劑溶劑中的溶出試驗將實施例1、實施例2、比較例1和比較例2所得的形成抗蝕劑下層膜的組合物的溶液用旋涂器涂布在硅晶片上。在電熱板上，在205。C加熱1分鐘，從而抗蝕劑下層膜(膜厚0.30nm)。將該抗蝕劑下層膜浸漬在光致抗蝕劑所使用的溶劑，例如乳酸乙酯、丙二醇單甲醚乙酸酯和丙二醇單甲醚中，確認為在該溶劑中是不溶的。與光致抗蝕劑的混合試驗將實施例1、實施例2、比較例1和比較例2所得的形成抗蝕劑下層膜的組合物的溶液用旋涂器涂布在硅晶片上。在電熱板上，在205。C加熱1分鐘，從而抗蝕劑下層膜(膜厚0.30nm)。在該抗蝕劑下層膜的上層用^走涂器涂布市售的光致抗蝕劑溶液(使用富士寫真7<少厶(林)制造的、商品名GARS8105G1，以及信越化學工業(yè)(林)制造的、商品名SEPR430)。在電熱板上，在90。C或110。C加熱1.5分鐘。將光致抗蝕劑進行曝光，然后在卯。C進行曝光后加熱1.5分鐘。將光致抗蝕劑進行顯影，然后測定抗蝕劑下層膜的膜厚，確認為抗蝕劑下層膜與光致抗蝕劑層不發(fā)生混合。平坦率、填充性的試驗將實施例1、實施例2、比較例1和比較例2所得的形成抗蝕劑下層膜的組合物的溶液用旋涂器涂布在具有孔(直徑0.11nm、深度0.70nm)的Si02晶片基板上。所使用的基板是如圖1所示的具有孔的致密(Dense)圖案的Si02晶片皿。致密圖案是從孔中心至相鄰的孔中心的間隔為該孔的直徑的1倍的圖案。致密圖案lcm見方，致密圖案之間為0.6mm。涂布之后，在電熱板上，在205。C加熱1分鐘，從而形成抗蝕劑下層膜。在附近沒有孔圖案的開放區(qū)域，膜厚為OJOnm。通過使用掃描型電子顯微鏡(SEM)，觀察涂布了實施例1、實施例2、比較例1和比較例2所得的形成抗蝕劑下層膜的組合物的具有孔的Si02晶片^i4反的剖面形狀，來評價抗蝕劑下層膜帶來的平坦性。表1中，通過測定致密部的膜厚與開放區(qū)域的膜厚，求出其差(Bias)來評價平坦性。51另外，未觀察到孔內(nèi)部產(chǎn)生空隙(間隙)，而觀察到孔內(nèi)部被抗蝕劑下層膜填充。[表1]<table>tableseeoriginaldocumentpage52</column></row><table>實施例1和實施例2的抗蝕劑下層膜的致密(Dense)圖案上的膜厚和與附近沒有孔圖案的開放區(qū)域之間的膜厚差(Bias)，小于比較例1、比較例2的相應(yīng)值。認為這是由于，通過在固體樹脂中添加液體樹脂，從而形成抗蝕劑下層膜的組合物的溶液均勻地流入，并且在加熱時再流性提高的原因。光學參數(shù)的測定將實施例1所調(diào)制的形成抗蝕劑下層膜的組合物溶液用旋涂器涂布在硅晶片上。在電熱板上，在205。C烘烤1分鐘，從而形成下層膜(膜厚0.20nm)。然后，用分光橢圓偏振計測定這些防反射膜在波長193nm的折射率(n值)和阻尼系數(shù)(k值)，結(jié)果是折射率(n值)為1.65，阻尼系數(shù)(k值)為0.00。干蝕刻速度的試驗將實施例1、實施例2、比較例1和比較例2所得的形成抗蝕劑下層膜的組合物的溶液用旋涂器涂布在硅晶片上。在電熱板上，在205。C加熱1分鐘，從而形成光刻用下層膜(膜厚0.30nm)。然后，將它們使用日本廿,工:/亍,:7^、乂夕制造的RIE系統(tǒng)ES401，在使用CF4作為干蝕刻氣體的#^牛下，測定干蝕刻速度。將結(jié)果示于表2。干蝕刻選擇性表示在設(shè)定KrF激光光刻用的光致抗蝕劑(信越化學工業(yè)(林)制造、商品名SEPR430)的干蝕刻速度為1.00時，抗蝕劑下層膜的干蝕刻速度。[表2]干蝕刻選擇性實施例11.70實施例21.55比較例11.65比較例21.50可判斷，由實施例1和實施例2的形成抗蝕劑下層膜的組合物得到的抗蝕劑下層膜的蝕刻速度，大于由比較例1和比較例2的形成抗蝕劑下層膜的組合物得到的抗蝕劑下層膜的蝕刻速度?？刮g劑下層膜的干蝕刻速度必須高于光致抗蝕劑的干蝕刻速度，這是因為下述原因，即由于在將形成在抗蝕劑下層膜上的光致抗蝕劑進行顯影、然后通過干蝕刻來使M的基底曝光的工序中，通過使得抗蝕劑下層膜的干蝕刻速度高于光致抗蝕劑的干蝕刻速度，可以在光致抗蝕劑被削取之前除去抗蝕劑下層膜，故而可以將所顯影的光致抗蝕劑的圖案準確地轉(zhuǎn)印到絲上。就抗蝕劑下層膜的蝕刻速度而言，優(yōu)選平坦化膜、下層防反射膜等抗蝕劑下層膜比抗蝕劑膜快，但優(yōu)選根據(jù)抗蝕劑膜的種類不同來改變抗蝕劑下層膜的蝕刻速度，因此在本發(fā)明中可以通過含有液體添加劑(B)來調(diào)節(jié)蝕刻速度。5權(quán)利要求1.一種形成抗蝕劑下層膜的組合物，含有樹脂(A)、液體添加劑(B)和溶劑(C)，且是在制造半導體裝置的光刻工藝中使用的。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的形成抗蝕劑下層膜的組合物，所述液體添加劑(B);O旨肪族聚醚化合物。3.根據(jù)權(quán)利要求l所述的形成抗蝕劑下層膜的組合物，所述液體添加劑(B)是聚醚多元醇、聚縮水甘油醚或它們的組合。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的形成抗蝕劑下層膜的組合物，所述聚醚多元醇是下式(l)所示的化合物，上式中，n表示l300的整數(shù)，m表示26的整數(shù)，R，分別表示氫原子、或碳原子數(shù)1~10的烷基，R2是碳原子數(shù)1~10的烷基、碳原子數(shù)2~6的鏈烯基、碳原子數(shù)2~10的炔基、碳原子數(shù)2~10的烷基羰基、碳原子數(shù)2~10的烷基羰基tt、碳原子數(shù)2~10的烷氧基烷基、碳原子數(shù)1~IO的烷氛基、碳原子數(shù)1~10的烷基二氨基或它們的組合，是可以根據(jù)聚氧化烯基的個數(shù)m不同而價數(shù)取2價~6價的有機基團。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的形成抗蝕劑下層膜的組合物，所述聚縮水甘油醚是下式(2)所示的化合物，上式中，m表示26的整數(shù)，R2與上述式(l)中的定義意義相同，是可以根據(jù)縮水甘油醚基的個數(shù)m不同而價數(shù)取2價~6價的有機基團。6.根據(jù)權(quán)利要求1~5的任一項所述的形成抗蝕劑下層膜的組合物，還含有吸光性化合物(D)。7.—種抗蝕劑下層膜的形成方法，將權(quán)利要求1~6的任一項所述的形成抗蝕劑下層膜的組合物涂布在基&上并進行烘烤，從而形成在制造半導體裝置的光刻工藝中使用的抗蝕劑下層膜。8.—種半導體裝置的制造方法，包括下述工序?qū)?quán)利要求1~6的烤，從而形成抗蝕劑下層膜的工序；在該下層膜上形成光致抗蝕劑層的工序；對被覆有抗蝕劑下層膜和光致抗蝕劑層的半導體a進行曝光的工序；全文摘要本發(fā)明的課題是提供一種光刻用形成抗蝕劑下層膜的組合物，該組合物在半導體裝置制造的光刻工藝中使用。作為本發(fā)明的解決問題的方法是，提供一種在半導體制造裝置的光刻工藝中使用的形成抗蝕劑下層膜的組合物，該組合物含有樹脂(A)、液體添加劑(B)和溶劑(C)。該液體添加劑(B)是脂肪族聚醚化合物。該液體添加劑(B)是聚醚多元醇、聚縮水甘油醚或它們的組合。本發(fā)明還提供一種半導體裝置的制造方法，包括下述工序?qū)⑿纬煽刮g劑下層膜的組合物涂布在半導體基板上，然后進行烘烤，從而形成抗蝕劑下層膜的工序；在該下層膜上形成光致抗蝕劑層的工序；將被覆有抗蝕劑下層膜和光致抗蝕劑層的半導體基板進行曝光的工序；以及，曝光之后進行顯影的工序。文檔編號G03F7/11GK101506736SQ20078003157公開日2009年8月12日申請日期2007年8月20日優(yōu)先權(quán)日2006年8月28日發(fā)明者堀口有亮,新城徹也,竹井敏申請人:日產(chǎn)化學工業(yè)株式會社