像素結(jié)構(gòu)及其制作方法、陣列基板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種像素結(jié)構(gòu)及其制作方法、陣列基板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示裝置是目前使用最廣泛的一種平板顯示裝置，可為各種電子設(shè)備如移動(dòng)電話、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、數(shù)字相機(jī)以及計(jì)算機(jī)等提供具有高分辨率彩色屏幕。其中FFS(Fringe Field Switching，邊緣場(chǎng)開關(guān)技術(shù))液晶顯示裝置以其觀看視角廣以及開口率高等特點(diǎn)受到廣大用戶的喜愛(ài)。目前普遍采用的FFS液晶顯示裝置，通常包括彩膜基板、陣列基板以及設(shè)置在彩膜基板和陣列基板之間的液晶層。其中在陣列基板上設(shè)置有多條數(shù)據(jù)線、柵線以及由多條數(shù)據(jù)線柵線交叉限定的多個(gè)像素結(jié)構(gòu)。
[0003]如圖1所示，傳統(tǒng)FFS顯示技術(shù)的像素結(jié)構(gòu)包括襯底基板3'，在襯底基板3'上設(shè)置有薄膜晶體管4'、第一透明電極層1'、第二透明電極層V。其中，第一透明電極層1'為面狀結(jié)構(gòu)電極，第二透明電極層2丨包括若干個(gè)條狀電極，第一透明電極層1丨與第二透明電極層2'之間存在重疊區(qū)域。具體的排布結(jié)構(gòu)如圖2所示。由圖1以及圖2可以看出傳統(tǒng)的像素結(jié)構(gòu)第一透明電極層1'與第二透明電極層2'的重疊區(qū)域較大，因此第一透明電極層廠與第二透明電極層2'之間形成的存儲(chǔ)電容(Cst)較大。較大的存儲(chǔ)電容延長(zhǎng)了像素的充電時(shí)間，使像素單元易出現(xiàn)充電不足的現(xiàn)象，導(dǎo)致顯示面板亮度下降，嚴(yán)重影響了顯示質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是:解決如何降低現(xiàn)有的像素結(jié)構(gòu)中第一透明電極層以及第二透明電極層之間的存儲(chǔ)電容的問(wèn)題。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述的發(fā)明目的，本發(fā)明提供了一種像素結(jié)構(gòu)及其制作方法、陣列基板及顯示裝置。
[0006]依據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種像素結(jié)構(gòu):包括襯底基板以及設(shè)置在所述襯底基板上的第一透明電極層和第二透明電極層，所述第二透明電極層包括多個(gè)條狀電極，其特征在于，所述第一透明電極層包括至少一個(gè)狹縫，且每一個(gè)所述狹縫至少部分位于所述條狀電極在所述襯底基板的投影內(nèi)。
[0007]優(yōu)選地，每一個(gè)所述狹縫全部位于所述條狀電極在所述襯底基板的投影內(nèi)。
[0008]優(yōu)選地，對(duì)于每一個(gè)所述狹縫，其寬度與其相對(duì)的條狀電極的寬度之比為10%?100%。
[0009]優(yōu)選地，所述第一透明電極層中所述狹縫的數(shù)量與所述第二透明電極層中所述條狀電極的數(shù)量之比為1:50?1:2。
[0010]依據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種陣列基板，包括上述所述的像素結(jié)構(gòu)。
[0011]依據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供了一種顯示裝置，包括上述所述的陣列基板。
[0012]依據(jù)本發(fā)明的第四方面，提供了一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，包括:
[0013]在襯底基板上形成第一透明電極層和第二透明電極層，其中，所述第二透明電極層包括多個(gè)條狀電極，所述第一透明電極層包括至少一個(gè)狹縫，且每一個(gè)所述狹縫至少部分位于所述條狀電極在所述襯底基板的投影內(nèi)。
[0014]優(yōu)選地，每一個(gè)所述狹縫全部位于所述條狀電極在所述襯底基板的投影內(nèi)。
[0015]優(yōu)選地，對(duì)于每一個(gè)所述狹縫，其寬度與其相對(duì)的條狀電極的寬度之比為10%?100%。
[0016]優(yōu)選地，所述第一透明電極層中所述狹縫的數(shù)量與所述第二透明電極層中所述條狀電極的數(shù)量之比為1:50?1:2。
[0017]本發(fā)明提供的該像素結(jié)構(gòu)，通過(guò)在第一透明電極層上形成狹縫，并使狹縫至少部分位于條形電極在襯底基板上的投影內(nèi)，有效減小了第一透明電極層與第二透明電極層的重疊區(qū)域，從而降低了其間形成的存儲(chǔ)電容，提高像素的充電效率以及顯示裝置的顯示質(zhì)量。
【附圖說(shuō)明】
[0018]通過(guò)閱讀下文優(yōu)選實(shí)施方式的詳細(xì)描述，各種其他的優(yōu)點(diǎn)和益處對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將變得清楚明了。附圖僅用于示出優(yōu)選實(shí)施方式的目的，而并不認(rèn)為是對(duì)本發(fā)明的限制。而且在整個(gè)附圖中，用相同的參考符號(hào)表示相同的部件。在附圖中:
[0019]圖1是現(xiàn)有技術(shù)的像素結(jié)構(gòu)截面示意圖；
[0020]圖2是現(xiàn)有技術(shù)的像素結(jié)構(gòu)俯視圖；
[0021 ]圖3是本發(fā)明提供的像素結(jié)構(gòu)截面示意圖；
[0022]圖4是本發(fā)明提供的一種像素結(jié)構(gòu)俯視圖；
[0023]圖5是本發(fā)明提供的另一種像素結(jié)構(gòu)俯視圖；
[0024]圖6是本發(fā)明提供的不同狹縫設(shè)置比率對(duì)應(yīng)的電壓-透過(guò)率曲線示意圖；
[0025]圖7是本發(fā)明提供的不同狹縫設(shè)置比率對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)電容比率示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說(shuō)明本發(fā)明，但不用來(lái)限制本發(fā)明的范圍。
[0027]本發(fā)明提供了一種像素結(jié)構(gòu)，包括襯底基板以及設(shè)置在襯底基板上的第一透明電極層和第二透明電極層，第二透明電極層包括多個(gè)條狀電極，第一透明電極層包括至少一個(gè)狹縫，且每一個(gè)狹縫至少部分位于條狀電極在襯底基板的投影內(nèi)。
[0028]本發(fā)明提供的像素結(jié)構(gòu)通過(guò)在第一透明電極層上形成狹縫，并使狹縫至少部分位于條形電極在襯底基板上的投影內(nèi)，有效減小了第一透明電極層與第二透明電極層的重疊區(qū)域，從而降低了其間形成的存儲(chǔ)電容，提高像素的充電效率以及顯示裝置的顯示質(zhì)量。
[0029]參見(jiàn)圖3，圖3為本發(fā)明實(shí)施方式提供的像素結(jié)構(gòu)，包括襯底基板3，襯底基板3上設(shè)置有薄膜晶體管4、第一透明電極層1、第二透明電極層2，以及位于第一透明電極層1與第二透明電極層2之間的鈍化層5。其中，薄膜晶體管4包括柵極41、柵極絕緣層42、有源層43、源極44和漏極45，第一透明電極層1為面狀電極，第二透明電極層2包括多個(gè)條狀電極6，在第一透明電極層1和第二透明電極層2之間存在有重疊區(qū)域。為了減小重疊區(qū)域從而降低其間形成的存儲(chǔ)電容，在第一透明電極層1上還設(shè)置有至少一個(gè)狹縫7，且狹縫7至少部分位于條狀電極6在襯底基板3的投影內(nèi)。狹縫7的設(shè)置減小了第一透明電極層1和第二透明電極層2之間的重疊區(qū)域，從而降低了第一透明電極層1和第二透明電極層2之間形成的存儲(chǔ)電容。
[0030]其中，如圖3所示，第一透明電極層1上形成的狹縫7可以全部位于條狀電極6在襯底基板3的投影內(nèi)。對(duì)于每一個(gè)狹縫7，其寬度與其上方正對(duì)的條狀電極6的寬度之比可以在10 %?100 %之內(nèi)，例如，可以如圖4所示，狹縫7的寬度小于其上對(duì)應(yīng)的條狀電極6的寬度，還可以如圖5所示，狹縫7的寬度與其上對(duì)應(yīng)的條狀電極6的寬度相同，狹縫7與條狀電極6之間的寬度之比可