一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術】
[0002]顯示裝置包括多個透光區(qū)，以及圍繞每個透光區(qū)的遮光區(qū)，其中，遮光區(qū)上包括黑矩陣，該黑矩陣可防止從背光源出射的光從遮光區(qū)泄漏，以保證透光區(qū)正常顯示畫面。
[0003]然而，本申請發(fā)明人在實際應用中發(fā)現(xiàn)，黑矩陣僅可用于防止從背光源出射的光從遮光區(qū)泄漏，而沒有其他作用，這就使得遮光區(qū)無法得到有效利用。并且，隨著顯示裝置分辨率逐漸增加，遮光區(qū)的面積也在逐漸增加，因而亟需尋求方法以有效利用遮光區(qū)。

【發(fā)明內容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，以有效利用遮光區(qū)。
[0005]為達到上述目的，本發(fā)明采用如下技術方案:
[0006]一種陣列基板，包括多個透光區(qū)，以及圍繞每個所述透光區(qū)的遮光區(qū)，所述遮光區(qū)上包括依次層疊設置的第一電極、光電轉換薄膜和第二電極，所述第一電極、所述光電轉換薄膜和所述第二電極構成光電轉換單元，所述第一電極為透明電極。
[0007]本發(fā)明提供的陣列基板具有如上結構，由于遮光區(qū)上包括依次層疊設置的第一電極、光電轉換薄膜和第二電極，并且第一電極為透明電極，因而背光源出射的光可透過第一電極到達光電轉換薄膜，光電轉換薄膜可將光能轉換為電能，也即，第一電極、光電轉換薄膜和第二電極構成的光電轉換單元可吸收從背光源出射的光，使光無法透過，因而第一電極、光電轉換薄膜和第二電極構成的光電轉換單元可與現(xiàn)有技術中的黑矩陣一樣起到遮光作用；并且，光電轉換薄膜產生的電能可供應給顯示裝置，與現(xiàn)有技術中黑矩陣僅能用于遮光相比，本發(fā)明中，光電轉換單元除用于遮光外，還能產生可供給顯示裝置的電能，因而可有效利用遮光區(qū)。
[0008]此外，本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括如上所述的陣列基板。由于該顯示裝置包括以上所述的陣列基板，因而顯示裝置與陣列基板相對于現(xiàn)有技術所具有的優(yōu)勢相同，在此不再贅述。
[0009]此外，本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制作方法，所述陣列基板包括多個透光區(qū)，以及圍繞每個所述透光區(qū)的遮光區(qū)，所述方法包括:
[0010]形成第一電極層，經過構圖工藝在所述遮光區(qū)上形成包括第一電極的圖形；
[0011]形成光電轉換薄膜層，經過構圖工藝在所述遮光區(qū)上形成包括光電轉換薄膜的圖形；
[0012]形成第二電極層，經過構圖工藝在所述遮光區(qū)上形成包括第二電極的圖形；
[0013]其中，所述第一電極、所述光電轉換薄膜和所述第二電極構成光電轉換單元，且所述第一電極為透明電極。
[0014]由于上述陣列基板的制作方法與陣列基板相對于現(xiàn)有技術所具有的優(yōu)勢相同，因而在此不再贅述。
【附圖說明】
[0015]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0016]圖1為本發(fā)明實施例提供的陣列基板的平面結構圖；
[0017]圖2為圖1中沿A-A’方向的剖面圖；
[0018]圖3為本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制作方法流程圖。
[0019]附圖標記說明:
[0020]I 一遮光區(qū)；11 一第一電極；12—光電轉換薄膜；
[0021]13一第二電極；14一第二電極；2—透光區(qū)；
[0022]21—像素電極；22—公共電極；23—絕緣層；
[0023]24—彩色濾光層。
【具體實施方式】
[0024]下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0025]實施例一
[0026]本發(fā)明實施例提出了一種陣列基板，如圖1和圖2所示，該陣列基板包括多個透光區(qū)2，以及圍繞每個透光區(qū)2的遮光區(qū)1，遮光區(qū)I上包括依次層疊設置的第一電極11、光電轉換薄膜12和第二電極13，第一電極11、光電轉換薄膜12和第二電極13構成光電轉換單元，其中，第一電極11為透明電極。
[0027]需要說明的是，光電轉換薄膜12包括N型半導體薄膜和P型半導體薄膜，N型半導體薄膜和P型半導體薄膜構成PN結；此外，光電轉換薄膜12還可包括位于N型半導體薄膜和P型半導體薄膜之間的I型半導體薄膜，N型半導體薄膜、I型半導體薄膜和P型半導體薄膜構成PIN結。優(yōu)選地，光電轉換薄膜12包括N型半導體薄膜、I型半導體薄膜和P型半導體薄膜，以構成PIN結。與PN結相比，PIN結因具有I型半導體薄膜而使其勢皇較大，此時PIN結能夠吸收大量的光子，并將其轉換為電流，因此PIN結對光線的轉換效率較高。
[0028]以下以光電轉換薄膜12為PIN結為例，對光電轉換薄膜12的材質進行說明。光電轉換薄膜12的材質可為非晶硅材質或微晶硅材質，當光電轉換薄膜12的材質為非晶硅材質時，示例性地，如圖2所示，光電轉換薄膜12從下向上可依次包括摻磷氫化非晶硅層、本征氫化非晶硅層和摻硼氫化非晶硅層，其中摻磷氫化非晶硅層作為N型半導體薄膜，本征氫化非晶硅層作為I型半導體薄膜，摻硼氫化非晶硅層作為P型半導體薄膜，摻磷氫化非晶硅層、本征氫化非晶硅層和摻硼氫化非晶硅層構成PIN結。當光電轉換薄膜12的材質為微晶硅材質時，示例性地，如圖2所示，光電裝換薄膜22從下到上可依次包括摻磷氫化微晶硅層、本征氫化微晶硅層和摻硼氫化微晶硅層，其中摻磷氫化微晶硅層作為N型半導體薄膜，本征氫化微晶硅層作為I型半導體薄膜，摻硼氫化微晶硅層作為P型半導體薄膜，摻磷氫化微晶硅層、本征氫化微晶硅層和摻硼氫化微晶硅層構成PIN結。
[0029]在以上所述陣列基板中，第一電極11為透明電極，示例性地，第一電極11可為氧化銦錫材質第一電極，如此設計，可使背光源出射的光線透過第一電極11到達光電轉換薄膜12，從而利用光電轉換薄膜12將光能轉換為電能。
[0030]在現(xiàn)有技術中，通常使用黑矩陣實現(xiàn)遮光區(qū)的遮光作用，而在本發(fā)明中，由于第一電極11、光電轉換薄膜12和第二電極13構成的光電轉換單元可吸收從背光源出射的光，使光無法透過，因而第一電極11、光電轉換薄膜12和第二電極13構成的光電轉換單元的作用與現(xiàn)有技術中黑矩陣的作用相同，此時可使光電轉換單元替代黑矩陣。
[0031]陣列基板工作時，在遮光區(qū)1，從背光源出射的光線透過第一電極11照射到光電轉換薄膜12上，光電轉換薄膜12將光能轉換為電能，從而可供應給顯示裝置中需要電量的器件，與現(xiàn)有技術中黑矩陣只有遮光作用相比，本發(fā)明的光電轉換單元不僅能起到遮光作用，還能將光能轉換為電能，進而可將電能供應給顯示裝置，因而可有效利用遮光區(qū)I。
[0032]在上述實施例中，第二電極13不做特殊限定，可為透明電極，示例性地，為氧化銦錫材質第二電極；也可為非透明電極，示例性地，為金屬材質第二電極。由于背光源出射的光有可能未被光電轉換薄膜12完全吸收，此時可能會有部分光線透過遮光區(qū)，因而優(yōu)選地，第二電極13為非透明電極，此時第二電極13可遮擋未被光電轉換薄膜12完全吸收的光，從而使背光源出射的光線無法透過光電轉換單元，也即無法透過遮光區(qū)，因而可保證透光區(qū)正常顯示，不會出現(xiàn)亮條紋等缺陷。
[0033]此外，如圖2所示，遮光區(qū)上還可包括第三電極14，光電轉換薄膜12、第二電極13和第三電極14依次層疊設置，該第三電極14為非透明電極。示例性地，第三電極14為金屬材質第三電極。如此設計，使得當?shù)诙姌O13為透明電極時，第三電極14可遮擋未被光電轉換薄膜12完全吸收的光，從而