于0的正整數(shù)。由于r(0)>a，所以 Θ的取值范圍為（〇，π /2)。
[0117] 步驟2011c、根據(jù)圓孔菲涅爾衍射光強(qiáng)公式和目標(biāo)極坐標(biāo)公式確定實(shí)際入射光強(qiáng) 的振幅等于初始入射光強(qiáng)的振幅時(shí)的待形成的透光區(qū)域的區(qū)域形狀參數(shù)。
[0118] 以目標(biāo)齒形為正弦齒形為例，區(qū)域形狀參數(shù)包括正弦齒形的齒長(zhǎng)β和待形成的 開(kāi)口邊緣為正弦齒形的透光區(qū)域的開(kāi)口的半徑a。相應(yīng)的，如圖2-5所示，步驟2011c包括：
[0119] 2011c 1、根據(jù)目標(biāo)極坐標(biāo)公式確定P的表達(dá)式。
[0120] 由于正弦齒形對(duì)應(yīng)的目標(biāo)極坐標(biāo)公式為：r( Θ ) = a[l+0 Sin(m0 )]，則可以根據(jù) 該目標(biāo)極坐標(biāo)公式確定待形成圖形的襯底基板上投影圓之外的任意一點(diǎn)到投影圓的距離 P的表達(dá)式。P的表達(dá)式為：
[0121] p = r ( Θ ) -a = a β sin (m Θ );
[0122] 其中，Θ為平面坐標(biāo)系中的χ軸的正半軸到待形成的透光區(qū)域的圓心到邊緣上任 意一點(diǎn)的直線(xiàn)的角度，r( Θ )為待形成的透光區(qū)域的圓心到邊緣上任意一點(diǎn)的直線(xiàn)的長(zhǎng)度， β為目標(biāo)齒形即正弦齒形的齒長(zhǎng)，m為調(diào)制系數(shù)。
[0123] 2011c2、將P的表達(dá)式代入圓孔菲涅爾衍射光強(qiáng)公式中，得到實(shí)際入射光強(qiáng)的振 幅I p與初始入射光強(qiáng)的振幅I。的目標(biāo)關(guān)系式。
[0124] 通過(guò)步驟2011cl，得到待形成圖形的襯底基板上投影圓之外的任意一點(diǎn)到投影圓 的距離P的表達(dá)式，則將P的表達(dá)式再代入圓孔菲涅爾衍射光強(qiáng)公式中有實(shí)際入射光強(qiáng) 的振幅I p與初始入射光強(qiáng)的振幅I。的目標(biāo)關(guān)系式：
[0125] Ip= I 〇{l-2J〇(2F π β sin(m Θ ))cos[(l+P 2sin2(m Θ )) F JT ]+Jo2(2F 31 β sin(m Θ ))}；
[0126] 其中，Ip為實(shí)際入射光強(qiáng)的振幅，I。為初始入射光強(qiáng)的振幅，J。為零階貝塞爾函 數(shù)，F(xiàn)為菲涅爾系數(shù)，β為目標(biāo)齒形即正弦齒形的齒長(zhǎng)，m為調(diào)制系數(shù)，Θ為平面坐標(biāo)系中 的X軸的正半軸到待形成的透光區(qū)域的圓心到邊緣上任意一點(diǎn)的直線(xiàn)的角度。
[0127] 2011c3、根據(jù)目標(biāo)關(guān)系式確定實(shí)際入射光強(qiáng)的振幅Ip等于初始入射光強(qiáng)的振幅I。 時(shí)的待形成的透光區(qū)域的目標(biāo)齒形的齒長(zhǎng)β和待形成的透光區(qū)域的開(kāi)口的半徑a。
[0128] 由于實(shí)際應(yīng)用中，β的值很小，β為a的一階小量，β2為a的二階小量，所以， β 2Sin2On Θ )的值趨近于〇。則實(shí)際入射光強(qiáng)的振幅Ip與初始入射光強(qiáng)的振幅I。的目標(biāo)關(guān) 系式可以簡(jiǎn)化為：
[0129] Ip= I 0 {1_2J0 (2F π β sin (m Θ )) cos [F π ] +J02 (2F π β sin (m Θ ))};
[0130] 其中，Ip為實(shí)際入射光強(qiáng)的振幅，I。為初始入射光強(qiáng)的振幅，J。為零階貝塞爾函 數(shù)，F(xiàn)為菲涅爾系數(shù)，β為目標(biāo)齒形的齒長(zhǎng)，m為調(diào)制系數(shù)，Θ為平面坐標(biāo)系中的X軸的正 半軸到待形成的透光區(qū)域的圓心到邊緣上任意一點(diǎn)的直線(xiàn)的角度。那么，為了使實(shí)際入射 光強(qiáng)的振幅I p與初始入射光強(qiáng)的振幅I。相等，僅需要J。(2F JT β sin (m Θ ))= 〇即可。
[0131] 為了便于計(jì)算，令m= 1。然后使Θ的取值范圍為（〇,2/π)，對(duì)Θ進(jìn)行積分，即 可進(jìn)一步得到Jq(-2Fjt β)，即Jq(2Fjt β)。其中，F(xiàn)為菲涅爾系數(shù)，且F = aVUL)，a為 待形成的透光區(qū)域的開(kāi)口的半徑，L為掩膜版與待形成圖形的襯底基板的距離，λ為入射 光線(xiàn)的波長(zhǎng)，β為目標(biāo)齒形即正弦齒形的齒長(zhǎng)。
[0132] 由JJ2F3T β)可知，當(dāng)目標(biāo)齒形為正弦齒形時(shí)，通過(guò)調(diào)節(jié)待形成的透光區(qū)域的開(kāi) 口的半徑a、入射光線(xiàn)的波長(zhǎng)λ、正弦齒形的齒長(zhǎng)β的值，使零階貝塞爾函數(shù)J。取其零點(diǎn) 值，也就是讓F β的值為特定值，實(shí)際入射光強(qiáng)的振幅Ip才與初始入射光強(qiáng)的振幅I。相等， 掩膜版的透光區(qū)域的開(kāi)口邊緣的菲涅爾衍射現(xiàn)象才可以被完全抑制。因此，在制造掩膜版 時(shí)，根據(jù)待形成的透光區(qū)域的開(kāi)口的半徑a的值和正弦齒形的齒長(zhǎng)β的值能夠在不透光基 板上形成開(kāi)口邊緣為正弦齒形的透光區(qū)域，從而達(dá)到提高襯底基板上的圖形的質(zhì)量，提高 產(chǎn)品良率的效果。在使用掩膜版時(shí)，采用入射光線(xiàn)的波長(zhǎng)為λ的光線(xiàn)通過(guò)掩膜版的透光區(qū) 域?qū)Υ纬蓤D形的襯底基板進(jìn)行曝光，也可以達(dá)到提高襯底基板上圖形的質(zhì)量，提高產(chǎn)品 良率的效果。
[0133] 步驟2011d、將待形成的透光區(qū)域的區(qū)域形狀參數(shù)確定為預(yù)設(shè)的區(qū)域形狀參數(shù)。
[0134] 將步驟2011c中確定的待形成的透光區(qū)域的目標(biāo)齒形的齒長(zhǎng)β和待形成的透光 區(qū)域的開(kāi)口的半徑a等區(qū)域形狀參數(shù)確定為預(yù)設(shè)的區(qū)域形狀參數(shù)。
[0135] 步驟2012、根據(jù)區(qū)域形狀參數(shù)在不透光基板上形成透光區(qū)域。
[0136] 根據(jù)確定的待形成的透光區(qū)域的目標(biāo)齒形的齒長(zhǎng)β和待形成的透光區(qū)域的開(kāi)口 的半徑a等區(qū)域形狀參數(shù)在不透光基板上形成所需要的透光區(qū)域。
[0137] 需要補(bǔ)充說(shuō)明的是，實(shí)際應(yīng)用中，由于制造出來(lái)的掩膜版的形狀參數(shù)，可能會(huì)與計(jì) 算得到的區(qū)域形狀參數(shù)存在一定的誤差，因此，本發(fā)明實(shí)施例中提供的正弦齒形對(duì)應(yīng)的目 標(biāo)極坐標(biāo)公式還可以表示為：
[0138] r ( Θ )= a[l+ β sin Oii1 Θ ) sin (m Θ )];
[0139] 其中，Θ為平面坐標(biāo)系中的χ軸的正半軸到待形成的透光區(qū)域的圓心到邊緣 上任意一點(diǎn)的直線(xiàn)的角度，r(0)為待形成的透光區(qū)域的圓心到邊緣上任意一點(diǎn)的直線(xiàn) 的長(zhǎng)度，β為目標(biāo)齒形即正弦齒形的齒長(zhǎng)，m為調(diào)制系數(shù)，m為大于0的正整數(shù)，Hi 1為誤 差系數(shù)。令待形成的透光區(qū)域的開(kāi)口邊緣上的點(diǎn)的入射光強(qiáng)振幅為A(0)，由于在掩膜 版的透光區(qū)域的開(kāi)口邊緣的菲涅爾衍射現(xiàn)象消除的情況下，存在A(O) = 1，本發(fā)明實(shí)施 例令abs (A(O)-I) < 0. 05,也就是允許透光區(qū)域的開(kāi)口邊緣的光強(qiáng)波動(dòng)小于0. 05,根據(jù) JJ2F π β)可以確定此時(shí)只需要滿(mǎn)足：abs( π 0F-T)彡0.05,其中，F(xiàn)為菲涅爾系數(shù)，且F =a7( λ L)，a為待形成的透光區(qū)域的開(kāi)口的半徑，L為掩膜版與待形成圖形的襯底基板的 距離，λ為入射光線(xiàn)的波長(zhǎng)，β為目標(biāo)齒形即正弦齒形的齒長(zhǎng)，T為零階貝塞爾函數(shù)J。的任 意階零點(diǎn)，如Jc的第一零點(diǎn)為2. 4048,則T為2. 4048。因此，通過(guò)調(diào)節(jié)待形成的透光區(qū)域的 開(kāi)口的半徑a、正弦齒形的齒長(zhǎng)β、掩膜版與待形成圖形的襯底基板的距離L的值，使這三 個(gè)值滿(mǎn)足abs ( π β F-T)彡0. 05,即可忽略掩膜版上透光區(qū)域開(kāi)口邊緣的菲涅爾衍射現(xiàn)象。
[0140] 圖2-6示出了使用該掩膜版的制造方法制造出來(lái)的透光區(qū)域的開(kāi)口邊緣的形狀 為方齒形的掩膜版；圖2-7示出了使用該掩膜版的制造方法制造出來(lái)的透光區(qū)域的開(kāi)口邊 緣的形狀為鋸齒形的掩膜版；圖2-8示出了使用該掩膜版的制造方法制造出來(lái)的透光區(qū)域 的開(kāi)口邊緣的形狀為正弦齒形的掩膜版；圖2-9示出了使用該掩膜版的制造方法制造出來(lái) 的透光區(qū)域的開(kāi)口邊緣的形狀為高斯齒形的掩膜版。圖2-6至圖2-9中，800為不透光基 板，801為透光區(qū)域，802為遮光區(qū)域。
[0141] 需要補(bǔ)充說(shuō)明的是，圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中的一種掩膜版的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2-10 示出了圖1對(duì)應(yīng)的半徑為15um(微米）的透光區(qū)域的掩膜版和入射光線(xiàn)的強(qiáng)度的分布示意 圖。圖2-10中，橫坐標(biāo)表不掩膜版上任意一點(diǎn)的位置，如0表不透光區(qū)域的圓心，縱坐標(biāo)表 示入射光線(xiàn)的強(qiáng)度。矩形方框表示未出現(xiàn)菲涅爾衍射現(xiàn)象時(shí)，入射光線(xiàn)的強(qiáng)度分布曲線(xiàn)，曲 線(xiàn)A表示出現(xiàn)非涅爾衍射現(xiàn)象時(shí)，入射光線(xiàn)的強(qiáng)度分布曲線(xiàn)。圖2-10中，光源與掩膜版的距 離為200um，入射光線(xiàn)的波長(zhǎng)為365nm(納米）。由圖2-10可知，透光區(qū)域的邊緣區(qū)域?yàn)榛?階區(qū)域（Gray zone)，也就是該邊緣區(qū)域?yàn)榈酵腹鈪^(qū)域的圓心的距離大于5um且小于25um 的環(huán)形區(qū)域?，F(xiàn)有技術(shù)中的掩膜版由于灰階區(qū)域的存在，嚴(yán)重制約著透光區(qū)域的開(kāi)口設(shè)計(jì)， 無(wú)法達(dá)到較小的透光區(qū)域的開(kāi)口。此外，由于現(xiàn)有的光刻膠的感光性存在差異，因此，相同 工藝條件下，生產(chǎn)的不同的光刻膠圖案存在較大的差異，嚴(yán)重影響光刻膠的通用性。而本發(fā) 明實(shí)施例提供的掩膜版的制造方法，將掩膜版的透光區(qū)域的開(kāi)口邊緣調(diào)制呈齒形，相較于 現(xiàn)有的圓形開(kāi)口邊緣，透光區(qū)域到遮光區(qū)域的過(guò)渡更小，入射光線(xiàn)的強(qiáng)度在透光區(qū)域的邊 緣分布的均勻度更高。實(shí)現(xiàn)的線(xiàn)寬更小，且能夠大幅度減少對(duì)光刻工藝中涉及到的光刻膠 材料的依賴(lài)程度，提高邊緣工藝技術(shù)，襯底基板上的圖形的邊緣的清晰度更高，降低了圖形 邊緣存在剝落的風(fēng)險(xiǎn)，提高了襯底基板上的圖形質(zhì)量。圖2-11示例性地示出了使用該掩膜 版的制造方法制造出來(lái)的掩膜版，在光刻工藝中進(jìn)行圖形制作時(shí)，半徑為15um的透光區(qū)域 的掩膜版和入射光線(xiàn)的強(qiáng)度的分布示意圖。由圖2-11可知，透光區(qū)域的邊緣區(qū)域不存在灰 階區(qū)域，入射光線(xiàn)的強(qiáng)度在透光區(qū)域的邊緣分布的均勻度更高。圖2-11中的橫縱坐標(biāo)等其 他說(shuō)明可以參考圖2-10中的說(shuō)明。此外，使用該掩膜版的制造方法制造出來(lái)的掩膜版，適 用于制造 LCD的面板的工藝，尤其適用于制造彩膜基板或陣列基板時(shí)需要用到掩膜版的工 -H- 〇
[0142] 綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜版的制造方法，由于該掩膜版的不透光基板 上形成有透光區(qū)域，該透光區(qū)域的開(kāi)口邊緣呈齒形，相較于現(xiàn)有技術(shù)，透光區(qū)域到遮光區(qū)域 的過(guò)渡更小，入射光線(xiàn)的強(qiáng)度在透光區(qū)域的邊緣分布的均勻度更高，襯底基板上的圖形的 邊緣的清晰度更尚，提尚了襯底基板上的圖形質(zhì)量，因此，提尚了廣品的良率。
[0143] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種掩膜版的制造裝置，如圖3-1所示，該裝置包括：
[0144] 形成單元301，用于在不透光基板上形成透光區(qū)域，該不透光基板上除透光區(qū)域外 的區(qū)域?yàn)檎诠鈪^(qū)域，該透光區(qū)域的開(kāi)口邊緣呈齒形。
[0145] 綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜版的制造裝置，由于該掩膜版的不透光基板 上形成有透光區(qū)域，該透光區(qū)域的開(kāi)口邊緣呈齒形，相較于現(xiàn)有技術(shù)，透光區(qū)域到遮光區(qū)域 的過(guò)渡更小，入射光線(xiàn)的強(qiáng)度在透光區(qū)域的邊緣分布的均勻度更高