0] 為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施 例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0051] 請參閱圖12,本發(fā)明提供一種PSVA型液晶顯示面板，包括上基板、與所述上基板 相對設(shè)置的下基板2、及位于所述上基板與下基板2之間的液晶層；
[0052] 所述上基板包括第一基板、及設(shè)于所述第一基板上的公共電極；
[0053] 所述下基板2包括數(shù)個像素單元，每個像素單元包括第二基板21、設(shè)于所述第二 基板21上的薄膜晶體管、設(shè)于所述第二基板21與薄膜晶體管上的鈍化層22、以及設(shè)于所述 鈍化層22上的像素電極23 ;
[0054] 所述鈍化層22的上表面具有數(shù)條溝槽221，所述數(shù)條溝槽221具有三種以上的深 度；
[0055] 所述像素電極23為厚度均勻、連續(xù)不間斷的整面電極；所述像素電極23整面附著 于圖案化的鈍化層22上而隨鈍化層22具有相應(yīng)的圖案。
[0056] 具體的，所述鈍化層22的厚度彡5000:Λ。優(yōu)選的，所述鈍化層22的厚度為 6000 Ao
[0057] 具體的，所述溝槽221的深度為三種，分別為2000 A、100:0 Λ、4000 A。
[0058] 具體的，所述薄膜晶體管包括柵極、源極、漏極24,所述鈍化層22對應(yīng)所述漏極24 的上方設(shè)有過孔223,所述像素電極23穿過該過孔223與所述漏極24相連接。
[0059] 具體的，所述過孔223與溝槽221通過一個多階調(diào)掩膜板（Multi Tone Mask，MTM) 經(jīng)由一道光刻制程制得。
[0060] 上述PSVA型液晶顯示面板，通過在鈍化層22的上表面設(shè)置數(shù)條深度不同的溝槽 221，然后在鈍化層22的上表面鋪蓋整面的像素電極23,使得所述像素電極23整面附著于 圖案化的鈍化層22上而隨鈍化層22具有相應(yīng)的圖案，由于所述數(shù)條溝槽221具有不同的 深度，從而使得所述液晶顯示面板在不同深度的溝槽221處具有不同的穿透率以及不同的 視角特性，有助于PSVA型液晶顯示面板的大視角特性的提升。
[0061] 請參閱圖9,本發(fā)明還提供一種PSVA型液晶顯示面板的制作方法，包括以下步驟：
[0062] 步驟1、提供第二基板21，在所述第二基板21上制作薄膜晶體管；所述薄膜晶體管 包括柵極、源極、漏極24 ;
[0063] 步驟2、在所述薄膜晶體管及第二基板21上沉積鈍化層22 ;
[0064] 具體的，該步驟中形成的鈍化層22的厚度>5000 iM尤選的，該步驟中形成的 鈍化層22的厚度為6000 A;
[0065] 步驟3、如圖10所示，在所述鈍化層22上涂布光刻膠，利用一個多階調(diào)掩膜板對該 光刻膠進(jìn)行曝光、顯影，得到光阻層50,所述多階調(diào)掩膜板具有用于在鈍化層22上形成過 孔的全曝光區(qū)域、以及用于在鈍化層22上形成溝槽的的半曝光區(qū)域，所述半曝光區(qū)域包括 三種以上的透光度用于形成三種以上深度的溝槽；
[0066] 具體的，該步驟3中多階調(diào)掩膜板上的圖案轉(zhuǎn)印到光阻層50上；
[0067] 步驟4、如圖11所示，以所述光阻層50為遮蔽層，對所述鈍化層22進(jìn)行刻蝕，得到 圖案化的鈍化層22,該圖案化的鈍化層22具有位于所述鈍化層22上表面的數(shù)條溝槽221、 以及貫穿所述鈍化層22且對應(yīng)所述漏極24上方的過孔223,所述數(shù)條溝槽221具有至少三 種以上的深度；
[0068] 具體的，該步驟4中采用干法刻蝕工藝對所述鈍化層22進(jìn)行刻蝕；
[0069] 優(yōu)選的，所述步驟3中提供的多階調(diào)掩膜板的半曝光區(qū)域包括三種透光度，該步 驟4中形成的溝槽221的深度相應(yīng)為三種，分別為2000人、3000 A、4000
[0070] 步驟5、如圖12所示，剝離剩余的光阻層50,在所述鈍化層22上濺射形成像素電 極23;得到下基板2;
[0071] 所述像素電極23整面附著于圖案化的鈍化層22上而隨鈍化層22具有相應(yīng)的圖 案，所述像素電極23穿過過孔223與所述漏極24相連接；
[0072] 步驟6、提供上基板，所述上基板包括第一基板、及設(shè)于所述第一基板上的公共電 極；將所述上基板與下基板對位成盒，得到PSVA型液晶顯示面板。
[0073] 上述PSVA型液晶顯示面板的制作方法，采用一個多階調(diào)掩膜板在一道光刻制程 中同時形成鈍化層22中的過孔223、以及位于所述鈍化層22上表面的數(shù)條深度不同的溝槽 221，從而可減少光罩?jǐn)?shù)量，并減少工藝制程，既節(jié)約成本又可提高生產(chǎn)效率。
[0074] 綜上所述，本發(fā)明提供一種PSVA型液晶顯示面板及其制作方法，本發(fā)明的PSVA型 液晶顯示面板，具有圖案化的鈍化層，所述鈍化層的上表面具有多種深度的溝槽，能在一定 程度上進(jìn)行穿透率均一性彌補(bǔ)，有助于PSVA型液晶顯示面板的大視角特性的提升；本發(fā)明 的PSVA型液晶顯示面板的制作方法，采用多階調(diào)掩膜工藝，利用一張多階調(diào)掩膜經(jīng)一次光 刻制程同時制得鈍化層上的過孔和多種深度的溝槽，降低了生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)效率。
[0075] 以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù) 構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明后附的權(quán)利 要求的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種PSVA型液晶顯示面板，其特征在于，包括上基板、與所述上基板相對設(shè)置的下 基板（2)、及位于所述上基板與下基板（2)之間的液晶層； 所述上基板包括第一基板、及設(shè)于所述第一基板上的公共電極； 所述下基板（2)包括數(shù)個像素單元，每個像素單元包括第二基板（21)、設(shè)于所述第二 基板（21)上的薄膜晶體管、設(shè)于所述第二基板（21)與薄膜晶體管上的鈍化層（22)、以及設(shè) 于所述鈍化層（22)上的像素電極（23); 所述鈍化層（22)的上表面具有數(shù)條溝槽（221)，所述數(shù)條溝槽（221)具有三種以上的 深度； 所述像素電極（23)為厚度均勻、連續(xù)不間斷的整面電極；所述像素電極（23)整面附著 于圖案化的鈍化層（22)上而隨鈍化層（22)具有相應(yīng)的圖案。2. 如權(quán)利要求1所述的PSVA型液晶顯示面板，其特征在于，所述鈍化層（22)的厚度 ^5000A03. 如權(quán)利要求1所述的PSVA型液晶顯示面板，其特征在于，所述鈍化層（22)的厚度為 6000A，所述溝槽（221)的深度為三種，分別為2000A、3000A、4000A。4. 如權(quán)利要求1所述的PSVA型液晶顯示面板，其特征在于，所述薄膜晶體管包括柵極、 源極、漏極（24)，所述鈍化層（22)對應(yīng)所述漏極（24)的上方設(shè)有過孔（223)，所述像素電 極（23)穿過該過孔（223)與所述薄膜晶體管的漏極（24)相連接。5. 如權(quán)利要求4所述的PSVA型液晶顯示面板，其特征在于，所述過孔（223)與溝槽 (221)通過一個多階調(diào)掩膜板經(jīng)由一道光刻制程同時制得。6. -種PSVA型液晶顯示面板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟： 步驟1、提供第二基板（21)，在所述第二基板（21)上制作薄膜晶體管；所述薄膜晶體管 包括柵極、源極、漏極（24); 步驟2、在所述薄膜晶體管及第二基板（21)上沉積鈍化層（22); 步驟3、在所述鈍化層（22)上涂布光刻膠，利用一個多階調(diào)掩膜板對該光刻膠進(jìn)行曝 光、顯影，得到光阻層（50)，所述多階調(diào)掩膜板具有用于在鈍化層（22)上形成過孔的全曝 光區(qū)域、以及用于在鈍化層（22)上形成溝槽的的半曝光區(qū)域，所述半曝光區(qū)域包括三種以 上的透光度用于形成三種以上深度的溝槽； 步驟4、以所述光阻層（50)為遮蔽層，對所述鈍化層（22)進(jìn)行刻蝕，得到圖案化的鈍化 層（22)，該圖案化的鈍化層（22)具有位于所述鈍化層（22)上表面的數(shù)條溝槽（221)、以及 貫穿所述鈍化層（22)且對應(yīng)所述漏極（24)上方的過孔（223)，所述溝槽（221)具有三種以 上的深度； 步驟5、剝離剩余的光阻層（50)，在所述鈍化層（22)上濺射形成像素電極（23);得到 下基板（2); 所述像素電極（23)整面附著于圖案化的鈍化層（22)上而隨鈍化層（22)具有相應(yīng)的 圖案，所述像素電極（23)穿過過孔（223)與所述漏極（24)相連接； 步驟6、提供上基板，所述上基板包括第一基板、及設(shè)于所述第一基板上的公共電極； 將所述上基板與下基板（2)對位成盒，得到PSVA型液晶顯示面板。7. 如權(quán)利要求6所述的PSVA型液晶顯示面板的制作方法，其特征在于，所述步驟2中 沉積鈍化層（22)的厚度彡5000I8. 如權(quán)利要求7所述的PSVA型液晶顯示面板的制作方法，其特征在于，所述步驟3中 提供的多階調(diào)掩膜板的半曝光區(qū)域包括三種透光度，所述步驟4中形成的溝槽（221)的深 度為三種，分別為2000五、3:0:00五、《40001。9. 如權(quán)利要求7所述的PSVA型液晶顯示面板的制作方法，其特征在于，所述步驟2中 沉積鈍化層（22)的厚度為6000A。10. 如權(quán)利要求6所述的PSVA型液晶顯示面板的制作方法，其特征在于，所述步驟4中 采用干法刻蝕工藝對所述鈍化層（22)進(jìn)行刻蝕。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種PSVA型液晶顯示面板及其制作方法，本發(fā)明的PSVA型液晶顯示面板，具有圖案化的鈍化層，所述鈍化層的上表面具有多種深度的溝槽，能在一定程度上進(jìn)行穿透率均一性彌補(bǔ)，有助于PSVA型液晶顯示面板的大視角特性的提升；本發(fā)明的PSVA型液晶顯示面板的制作方法，采用多階調(diào)掩膜工藝，利用一張多階調(diào)掩膜經(jīng)一次光刻制程同時制得鈍化層上的過孔和多種深度的溝槽，降低了生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)效率。
【IPC分類】G02F1/1362, G03F1/32, G02F1/1333, G02F1/1343
【公開號】CN105045002
【申請?zhí)枴緾N201510571677
【發(fā)明人】甘啟明
【申請人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司
【公開日】2015年11月11日
【申請日】2015年9月9日