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光電傳感器及其驅(qū)動方法、陣列基板和顯示裝置的制造方法_2

文檔序號:9326065閱讀:來源:國知局
同,并采用其他信號線進行驅(qū)動,相應的技術方案也能夠達到本發(fā)明的基本目的,也應該落入本發(fā)明的保護范圍。
[0033]在本發(fā)明實施例中,各個晶體管均為N型晶體管,這樣做的好處是能夠采用同一的工藝制作,降低制作難度。當然就為了達到本發(fā)明的基本目的而言,上述的各個晶體管中的部分晶體管也可以替換為P型晶體管,相應的技術方案也應該落入本發(fā)明的保護范圍。當上述的讀出晶體管T3為P型的晶體管時,在讀出階段施加到讀出晶體管T3的柵極的控制信號可以為低電平脈沖,相應的當上述的復位晶體管T4為P型的晶體管時,在復位階段施加到復位晶體管T4的柵極的控制信號可以為低電平脈沖。
[0034]在本發(fā)明實施例中,上述的光電晶體管Tl的柵極也連接低電壓輸入端Vss,這樣就通過共用低電壓輸入端的方式將光電晶體管Tl處于關斷狀態(tài),以使光電晶體管Tl能夠感應光照變化產(chǎn)生相應的電流。
[0035]在本發(fā)明實施例中,電容Cl的第二端也連接低電壓輸入端Vss,這樣能夠使電容Cl的第二端的電壓保持穩(wěn)定,避免受到靜電或者其他因素影響而發(fā)生電壓變化,從而避免因為電容Cl的第二端的電壓變化導致電容Cl的第一端的電壓變化。
[0036]實施例二
[0037]本發(fā)明實施例二提供的光電傳感器的結(jié)構(gòu)可以參考圖4,與圖2中的光電傳感器的結(jié)構(gòu)不同的是,采用光電二極管L替換光電晶體管Tl,該光電二極管L的陽極連接電容Cl的第一端,陰極連接高電壓輸入端Vbias。實施例二提供的結(jié)構(gòu)同樣可以完成相應的光電檢測的過程,并且同樣能夠增加通過讀取線檢測到的信號的信噪比。
[0038]對實施例二提供的光電傳感器的驅(qū)動方法可以與對實施例一中的驅(qū)動方法一致,在此不再詳細說明。
[0039]另一方面,本發(fā)明還提供了一種陣列基板,該陣列基板包括:基底以及形成在基底上的多條柵極和多條數(shù)據(jù)線,所述多條柵線和所述多條數(shù)據(jù)線將陣列基板劃分為多個像素區(qū)域;還包括:
[0040]形成在基底上的光電傳感器,所述光電晶體管可以為實施例一或二任一項所述的光電傳感器。
[0041]在具體實施時,上述的陣列基板中,每一個光電傳感器設置在相鄰兩行的柵線之間;其中的讀出晶體管的柵極所連接的輸入端連接相鄰兩行柵線的上一行柵線,適于在該柵線上施加柵極掃描脈沖時導通;復位晶體管的柵極所連接的輸入端連接相鄰兩行柵線的下一行柵線,適于在該柵線上施加柵極掃描脈沖時導通。具體來說,當為實施例一或二中的光電傳感器時,上述的柵極掃描脈沖可以為圖3中所示的高電平脈沖。
[0042]這樣就借助于現(xiàn)有的信號線完成了對光電傳感器的驅(qū)動過程,降低了顯示基板的結(jié)構(gòu)復雜度。
[0043]這里的顯示基板可以為液晶顯示裝置中的顯示基板,也可以為有機電致發(fā)光顯示裝置中的顯示基板。
[0044]再一方面,本發(fā)明還提供了一種顯示裝置,包括上述所述的顯示基板。
[0045]這里的顯示裝置可以為:電子紙、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0046]不難理解的是,本發(fā)明提供的顯示裝置可以為液晶顯示裝置,也可以為其他類型的顯示裝置。
[0047]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式,應當指出,對于本技術領域的普通技術人員來說,在不脫離本發(fā)明技術原理的前提下,還可以做出若干改進和潤飾,這些改進和潤飾也應視為本發(fā)明的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種光電傳感器,其特征在于,包括:光電晶體管、放大晶體管、讀出晶體管、復位晶體管和電容,并具有若干輸入端;其中,所述光電晶體管的漏極、所述放大晶體管的柵極和所述復位晶體管的源極連接所述電容的第一端;所述光電晶體管的源極、所述讀出晶體管的源極、所述放大晶體管的源極連接高電壓輸入端;所述復位晶體管的漏極、所述放大晶體管的漏極連接低電壓輸入端;所述光電晶體管的柵極、所述讀出晶體管的柵極和所述復位晶體管的柵極各自連接一個輸入端。2.如權(quán)利要求1所述的光電傳感器,其特征在于,所述讀出晶體管和所述復位晶體管的導通電平相同。3.如權(quán)利要求2所述的光電傳感器,其特征在于,各個晶體管均為N型晶體管。4.如權(quán)利要求3所述的光電傳感器,其特征在于,所述光電晶體管的柵極連接所述低電壓輸入端。5.如權(quán)利要求1所述的光電傳感器,其特征在于,所述電容的第二端連接所述低電壓輸入端。6.如權(quán)利要求1所述的光電傳感器,其特征在于,所述光電晶體管替換為光電二極管,所述光電二極管的陽極連接所述電容的第一端,陰極連接所述高電平輸入端。7.—種陣列基板,其特征在于,包括基底以及形成在基底上的多條柵極和多條數(shù)據(jù)線,所述多條柵線和所述多條數(shù)據(jù)線將陣列基板劃分為多個像素區(qū)域;還包括: 形成在所述基底上的光電傳感器,所述光電晶體管為如權(quán)利要求1-6任一項所述的光電傳感器。8.如權(quán)利要求7所述的陣列基板,其特征在于,所述光電傳感器為如權(quán)利要求2所述的光電傳感器,每一個光電傳感器設置在相鄰兩行的柵線之間;其中的讀出晶體管的柵極所連接的輸入端連接相鄰兩行柵線的上一行柵線,適于在該柵線上施加柵極掃描脈沖時導通;復位晶體管的柵極所連接的輸入端連接相鄰兩行柵線的下一行柵線,適于在該柵線上施加柵極掃描脈沖時導通。9.一種用于驅(qū)動如權(quán)利要求1-6任一項所述的光電傳感器的方法,其特征在于,包括: 在讀出階段,在所述讀出晶體管的柵極所連接的輸入端施加控制信號使所述讀出晶體管導通; 在復位階段,在所述復位晶體管的柵極所連接的輸入端施加控制信號使所述復位晶體管導通。10.一種顯示裝置,其特征在于,包括權(quán)利要求7或8所述的陣列基板。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種光電傳感器及其驅(qū)動方法、陣列基板和顯示裝置,該光電傳感器包括:光電晶體管、放大晶體管、讀出晶體管、復位晶體管和電容,并具有若干輸入端;其中,光電晶體管的漏極、放大晶體管的柵極和復位晶體管的源極連接電容的第一端,光電晶體管的源極、讀出晶體管的源極、放大晶體管的源極連接高電壓輸入端;復位晶體管的漏極、放大晶體管的漏極連接低電壓輸入端;光電晶體管的柵極、讀出晶體管的柵極和復位晶體管的柵極各自連接一個輸入端。本發(fā)明中,設置放大晶體管對寫入到電容的電信號進行放大,這樣能夠在讀出階段,放大所讀出的信號的強度,從而提高讀取到的信號的信噪比,有助于提高光電檢測精度。
【IPC分類】G02F1/1333, G06F3/042, G06F3/041
【公開號】CN105044955
【申請?zhí)枴緾N201510557736
【發(fā)明人】吳俊緯
【申請人】京東方科技集團股份有限公司
【公開日】2015年11月11日
【申請日】2015年9月2日
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