技術(shù)編號:9326065
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。當(dāng)a-Si TFT(薄膜晶體管)暴露在可見光時,會產(chǎn)生較大的光電流。在TFT-1XD(薄膜晶體管液晶顯示器)中,為了保證較低的漏電流,a-Si TFT的溝道需要盡可能遮光,如在背光一側(cè)有金屬遮擋背光,在另一側(cè)彩膜玻璃基板有黑矩陣遮擋環(huán)境光。實際上,a-Si TFT受不同光強的照射,其漏電流會產(chǎn)生相應(yīng)的變化,當(dāng)光照越強,漏電流越大,此電流被稱為光電流。利用a-Si TFT的光電流的特點,可實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換和光學(xué)輸入。進(jìn)而可在TFT-1XD上實現(xiàn)集成光學(xué)觸摸屏,實...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。