，其角度可能與在顯示器表面直接反射的光線的角度相同，從而造成同方向光線的疊 加使反射光過強(qiáng)而影響顯示效果，因而，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，反射電極3具有凹凸 不平的表面，從而使反射電極3對(duì)環(huán)境入射光的反射形成漫反射，反射方向各不相同，不會(huì) 與在顯示器表面直接反射的光同方向疊加，從而保證顯示效果，增強(qiáng)對(duì)比度。
[0051] 請(qǐng)參閱圖4,在本發(fā)明的反射式TFT陣列面板的一個(gè)實(shí)施方式中，反射電極3表面 設(shè)置有多個(gè)凸條3"，相鄰的兩個(gè)凸條3"之間的間距小于80ym'，所述凸條3"之間形成凹 陷，起導(dǎo)光板的作用，凸條3"的材質(zhì)可W與反射電極3的材質(zhì)一樣，兩者一體成型，當(dāng)然，在 其它實(shí)施方式中，凸條3"和反射電極3也可W采用不同的導(dǎo)光材料。在本實(shí)施方式中，凸 條3"的延伸方向是垂直于反射電極連接線3'，凸條3"間的間距為70ym，但是，在其它實(shí) 施方式中，設(shè)計(jì)者可根據(jù)對(duì)光方向的要求而設(shè)置凸條3"的方向W及相鄰的凸條3"之間的 具體間距。也就是說，凸條3"的延伸方向可W是平行于反射電極連接線3'，或與反射電極 連接線3'成一定角度，相鄰的凸條3"之間的間距可W在l〇-50ym范圍之間。
[0化2] 在本發(fā)明的反射式TFT陣列面板的一個(gè)實(shí)施方式中，反射電極3為金屬侶、鋼、銀、 銅和銘中的至少一種。
[0053]在本發(fā)明的反射式TFT陣列面板的一個(gè)實(shí)施方式中，反射電極3的材質(zhì)可W與所 述柵極、柵線的材質(zhì)相同或不相同。
[0化4] 在本發(fā)明的反射式TFT陣列面板的一個(gè)實(shí)施方式中，有源層5可W是非晶娃層或 石墨締層。
[0化5] 在本發(fā)明的反射式TFT陣列面板的一個(gè)實(shí)施方式中，透明像素電極12可W是氧化 銅錫層或金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu)。
[0化6] 本發(fā)明還提供一種液晶顯示器，包括彩色濾光片和所述反射式TFT陣列面板，W及位于彩色濾光片和所述反射式TFT陣列面板之間的液晶顯示層。
[0化7] 本發(fā)明還提供一種制備反射式TFT陣列面板的方法，請(qǐng)參閱圖5,提供一種制備圖 1、2和3所對(duì)應(yīng)實(shí)施方式中的反射式TFT陣列面板的方法，所述方法包括：
[0化引步驟1、采用物理氣相沉積法（PVD)在基板上沉積金屬層，通過第一次構(gòu)圖工藝形 成柵極、柵線、反射電極連接線和反射電極，在一個(gè)實(shí)施方式中，第一次構(gòu)圖工藝包括曝光、 顯影、濕蝕刻和剝離等工序；
[0化9] 步驟2、采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD)法在完成步驟1的基板上依次 沉積柵絕緣層、有源層和滲雜半導(dǎo)體層，通過第二次構(gòu)圖工藝形成柵絕緣層、有源層和滲雜 半導(dǎo)體層的圖形，在一個(gè)實(shí)施方式中，第二次構(gòu)圖工藝即通過曝光、顯影、干蝕刻、剝離等工 序，去掉不要的材料，留下需要的材料形成柵絕緣層、有源層和滲雜半導(dǎo)體層；
[0060] 步驟3、采用PVD法在完成步驟2的基板上沉積源漏極金屬層，通過第S次構(gòu)圖工 藝形成漏極、源極和數(shù)據(jù)線，在一個(gè)實(shí)施方式中，第=次構(gòu)圖工藝即通過曝光、顯影、濕蝕刻 和剝離形成數(shù)據(jù)線和尚未斷開的源漏極，最后通過干刻得到溝道及由溝道隔開的漏極和源 極；
[0061] 步驟4、采用PECVD法在完成步驟3的基板上沉積娃的氮化物或娃的氧化物，得到 絕緣保護(hù)層，并通過第四次構(gòu)圖工藝形成過孔，即通過曝光、顯影、干刻和剝離等工序形成 過孔；
[0062] 步驟5、采用PVD法在完成步驟4的基板上沉積透明導(dǎo)電材料，通過第五次構(gòu)圖工 藝形成透明像素電極，在一個(gè)實(shí)施方式中，第五次構(gòu)圖工藝即通過曝光、顯影、濕蝕刻和剝 離等工序得到透明像素電極。
[0063] 雖然反射式TFT陣列面板設(shè)置了反射電極，但因反射電極直接設(shè)置在基板上，與 柵線、柵極同一道工序完成制作，無需增加另外的工序，因此工藝簡單、易實(shí)現(xiàn)。
[0064] 在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，步驟1具體為；采用物理氣相沉積法在基板上沉積 一層金屬，所述金屬為鋼、侶、銘、銀和銅之中的至少一種，通過第一次構(gòu)圖工藝形成柵極、 柵線、反射電極連接線和反射電極。
[0065] 在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，步驟2中所述柵絕緣層為娃的氮化物或氧化物，所 述有源層為非晶娃或石墨締，所述滲雜半導(dǎo)體層為滲雜非晶娃。
[0066] 在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，步驟1中的金屬層厚度為3000-6000A。
[0067] 在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，步驟2中的柵絕緣層厚度為2000-5000A，有源層 和滲雜半導(dǎo)體層厚度為1500-3000A。
[0068] 在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，步驟3中的源漏極材料層厚度為3000-6000A。
[0069] 在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，步驟4中的絕緣保護(hù)層厚度為2000-5000A。
[0070] 在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，步驟5中的透明導(dǎo)電材料厚度為400-1000A。
[0071]W上所述的實(shí)施方式，并不構(gòu)成對(duì)該技術(shù)方案保護(hù)范圍的限定。任何在上述實(shí)施 方式的精神和原則之內(nèi)所作的修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在該技術(shù)方案的保護(hù)范 圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種反射式TFT陣列面板，其特征在于，包括： 基板； 柵極、柵線、反射電極和反射電極連接線，形成于所述基板上； 柵絕緣層，形成于所述柵極、柵線、反射電極和反射電極連接線上； 依次形成于所述柵絕緣層上的有源層和摻雜半導(dǎo)體層，所述有源層和摻雜半導(dǎo)體層位 于所述柵極正上方； 源極、漏極和數(shù)據(jù)線，所述源極和所述漏極形成于所述摻雜半導(dǎo)體層上，所述數(shù)據(jù)線與 所述漏極連接； 絕緣保護(hù)層，形成于所述源極、所述漏極和所述數(shù)據(jù)線上； 透明像素電極，形成于所述絕緣保護(hù)層上，通過過孔與所述源極相接； 所述反射電極連接線與所述柵線平行，所述數(shù)據(jù)線與所述柵線、所述反射電極連接線 垂直，且所述柵線、所述反射電極連接線與相鄰兩根所述數(shù)據(jù)線在所述基板上的投影形成 閉合的矩形，所述反射電極位于所述矩形范圍內(nèi)，且所述反射電極為具有反光性的金屬材 質(zhì)。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射式TFT陣列面板，其特征在于，所述柵極、所述柵線、所述 反射電極連接線和所述數(shù)據(jù)線，皆為具有反光性的金屬材質(zhì)。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的反射式TFT陣列面板，其特征在于，所述反射電極具有凹凸不 平的表面。4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的反射式TFT陣列面板，其特征在于，所述反射電極表面設(shè)置有 多個(gè)凸條，相鄰的兩個(gè)所述凸條之間的間距小于80 ym。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的反射式TFT陣列面板，其特征在于，所述反射電極為金屬鋁、 鉬、銀、鈦、銅和鉻中的至少一種。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的反射式TFT陣列面板，其特征在于，所述有源層為非晶硅層或 石墨稀層。7. -種液晶顯示器，其特征在于，包括彩色濾光片、權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的反射 式TFT陣列面板，以及夾在所述彩色濾光片和所述反射式TFT陣列面板之間的液晶層。8. -種制備權(quán)利要求1所述反射式TFT陣列面板的方法，其特征在于，包括： 步驟1、采用物理氣相沉積法在基板上沉積一層金屬層，通過第一次構(gòu)圖工藝形成柵 極、柵線、反射電極和反射電極連接線； 步驟2、采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在完成步驟1的基板上依次沉積柵絕緣層、 有源層和摻雜半導(dǎo)體層，通過第二次構(gòu)圖工藝形成柵絕緣層、有源層和摻雜半導(dǎo)體層的圖 形； 步驟3、采用物理氣相沉積法在完成步驟2的基板上沉積源漏極金屬層，通過第三次構(gòu) 圖工藝形成漏極、源極和數(shù)據(jù)線； 步驟4、采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在完成步驟3的基板上沉積硅的氮化物或 硅的氧化物，形成絕緣保護(hù)層，并通過第四次構(gòu)圖工藝形成過孔； 步驟5、采用物理氣相沉積法在完成步驟4的基板上沉積透明導(dǎo)電材料，通過第五次構(gòu) 圖工藝形成透明像素電極。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，步驟1具體為：采用物理氣相沉積法在基 板上沉積一層金屬，所述金屬為鉬、鋁、鉻、銀和銅之中的至少一種，通過第一次構(gòu)圖工藝形 成柵極、柵線、反射電極和反射電極連接線。10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的方法，其特征在于，步驟2中所述柵絕緣層為硅的氮化 物或氧化物，所述有源層為非晶硅或石墨烯，所述摻雜半導(dǎo)體層為摻雜非晶硅。
【專利摘要】本發(fā)明公開一種反射式TFT陣列面板，包括：基板、柵極、柵線、反射電極、反射電極連接線、柵絕緣層、有源層和摻雜半導(dǎo)體層、源極、漏極、數(shù)據(jù)線、絕緣保護(hù)層、透明像素電極，所述反射電極連接線與所述柵線平行，所述數(shù)據(jù)線與所述柵線、反射電極連接線垂直，且所述柵線、反射電極連接線與相鄰兩根所述數(shù)據(jù)線在基板上的投影形成閉合的矩形，所述反射電極位于所形成的矩形內(nèi)，且所述反射電極為具有反光性的金屬。所述反射式TFT陣列面板結(jié)構(gòu)簡單，反射面積大。本發(fā)明還公開一種制備反射式TFT陣列面板的方法以及液晶顯示器。
【IPC分類】G02F1/1362, G02F1/13, G02F1/1343
【公開號(hào)】CN104965358
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510413303
【發(fā)明人】徐向陽
【申請(qǐng)人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司
【公開日】2015年10月7日
【申請(qǐng)日】2015年7月14日