反射式tft陣列面板及其制備方法和液晶顯示器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及液晶顯示領(lǐng)域，尤其設(shè)及一種TFT陣列面板及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]TFT-LCD燈binFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay,薄膜晶體管液晶顯示 器）是利用設(shè)置在液晶層上電場(chǎng)強(qiáng)度的變化，改變液晶分子的旋轉(zhuǎn)程度，從而控制透光的 強(qiáng)弱來顯示圖像，通常包括偏光片、彩膜基板、TFT陣列面板，W及加在彩膜基板和TFT陣列 面板之間的液晶分子層?，F(xiàn)有技術(shù)中，TFT-LCD-般都具有背光模塊，稱為透射式或半反半 透式TFT-LCD，其缺點(diǎn)是，在強(qiáng)光環(huán)境中，其對(duì)比度和亮度會(huì)大大降低，尤其是專用于戶外顯 示的透射式TFT-LCD，顯示效果更差，而反射式TFT-LCD由于其借助外部光源來達(dá)到顯示效 果，在環(huán)境光線很強(qiáng)的情況下，可W很好地保持顯示的亮度和對(duì)比度，且其無需背光模組， 所W同時(shí)具有耗能低、輕便等優(yōu)點(diǎn)，很適合于便攜式電子設(shè)備。因此，反射式TFT-LCD逐漸 成為液晶顯示市場(chǎng)上的一個(gè)重要組成部分。
[0003] 現(xiàn)有技術(shù)中，往往通過改變偏光片的偏光特性，或者改變液晶的類型或性能，或者 在TFT陣列面板上增加一些部件，W設(shè)計(jì)出顯示效果好的反射式TFT-LCD，然而，該些改變 設(shè)及材料類型、結(jié)構(gòu)和性能等多方面，往往比較復(fù)雜、操作難度大，且反射面積小，難W充分 利用環(huán)境光源。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 有鑒于此，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于，提供一種結(jié)構(gòu)簡單、反射面積大的反 射式TFT陣列面板和液晶顯示器，其可充分利用環(huán)境光源；本發(fā)明還提供一種制備反射式 TFT陣列面板的方法。
[0005] 為了解決上述技術(shù)問題，一方面，本發(fā)明提供一種反射式TFT陣列面板，包括：
[0006] 基板；
[0007] 柵極、柵線、反射電極和反射電極連接線，形成于基板上；
[000引柵絕緣層，形成于所述柵極、柵線、反射電極和反射電極連接線上；
[0009] 依次形成于所述柵絕緣層上的有源層和滲雜半導(dǎo)體層，且位于所述柵極正上方；
[0010] 源極、漏極和數(shù)據(jù)線，所述源極和漏極形成于滲雜半導(dǎo)體層上，所述數(shù)據(jù)線與漏極 連接；
[0011] 絕緣保護(hù)層，形成于所述源極、漏極和數(shù)據(jù)線上；
[0012] 透明像素電極，形成于所述絕緣保護(hù)層上，且位于所述反射電極上方，通過過孔與 源極相接；
[0013] 所述反射電極連接線與所述柵線平行，所述數(shù)據(jù)線與所述柵線、反射電極連接線 垂直，且所述柵線、反射電極連接線與相鄰兩根所述數(shù)據(jù)線在所述基板上的投影形成閉合 的矩形，所述反射電極位于所形成的矩形內(nèi)，且所述反射電極為具有反光性的金屬。
[0014] 其中，所述柵極、柵線、反射電極連接線和所述數(shù)據(jù)線，皆為具有反光性的金屬層。
[0015] 其中，所述反射電極具有凹凸不平的表面。
[0016] 其中，所述反射電極表面設(shè)置有相鄰間距小于80 ym的凸條。
[0017] 其中，所述反射電極為金屬侶、鋼、銀、鐵、銅和銘中的至少一種。
[001引其中，所述反射電極的材質(zhì)與所述柵極、柵線的材質(zhì)相同。
[0019] 其中，所述有源層為非晶娃層或石墨締層。
[0020] 另一方面，本發(fā)明還提供一種液晶顯示器，包括彩色濾光片、權(quán)利要求1至6任一 項(xiàng)所述的反射式TFT陣列面板，W及夾在所述彩色濾光片和所述反射式TFT陣列面板之間 的濃晶層。
[0021] 再一方面，本發(fā)明還提供了一種制備反射式TFT陣列面板的方法，包括：
[0022] 步驟1、采用物理氣相沉積法（PVD)在基板上沉積金屬層，通過第一次構(gòu)圖工藝形 成柵極、柵線、反射電極連接線和反射電極；
[0023] 步驟2、采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD)法在完成步驟1的基板上依次沉 積柵絕緣層、有源層和滲雜半導(dǎo)體層，通過第二次構(gòu)圖工藝形成柵絕緣層、有源層和滲雜半 導(dǎo)體層的圖形；
[0024] 步驟3、采用PVD法在完成步驟2的基板上沉積源漏極金屬層，通過第S次構(gòu)圖工 藝形成漏極、源極和數(shù)據(jù)線；
[0025] 步驟4、采用PECVD法在完成步驟3的基板上沉積娃的氮化物或娃的氧化物，形成 絕緣保護(hù)層，并通過第四次構(gòu)圖工藝形成過孔；
[0026] 步驟5、采用PVD法在完成步驟4的基板上沉積透明導(dǎo)電材料，通過第五次構(gòu)圖工 藝形成透明像素電極。
[0027] 其中，步驟1具體為：采用物理氣相沉積法在基板上沉積一層金屬，所述金屬為 鋼、侶、銘、銀和銅之中的至少一種，通過第一次構(gòu)圖工藝形成柵極、柵線、反射電極連接線 和反射電極。
[002引其中，步驟2中所述柵絕緣層為娃的氮化物或氧化物，所述有源層為非晶娃或石 墨締，所述滲雜半導(dǎo)體層為滲雜非晶娃。
[0029] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有W下技術(shù)效果；（1)本發(fā)明的反射式TFT陣列面板和 液晶顯示器在基板上設(shè)置了反射電極，結(jié)構(gòu)簡單，且反射電極與柵極、柵線可同時(shí)在同一道 工序中完成制作，工藝上簡便可行；（2)本發(fā)明的TFT陣列面板中，反射電極是具有反光性 的金屬，可W充分利用環(huán)境光源。
【附圖說明】
[0030] 為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可 W根據(jù)該些附圖獲得其他的附圖。
[0031] 圖1是本發(fā)明反射式TFT陣列面板的一個(gè)實(shí)施方式的俯視示意圖；
[003引圖2是圖1中沿剖切線A-A的截面示意圖；
[003引圖3是圖1中沿剖切線C-C的截面示意圖；
[0034] 圖4是本發(fā)明反射式TFT陣列面板的一個(gè)實(shí)施方式中設(shè)置了凸條的反射電極；
[0035] 圖5是本發(fā)明制備TFT陣列面板的方法流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0036] 下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述。
[0037] 請(qǐng)同時(shí)參閱圖1、2和3,圖1是本發(fā)明反射式TFT陣列面板的一個(gè)實(shí)施方式的俯視 示意圖；圖2和圖3分別是圖1中沿剖切線A-A、C-C的截面示意圖。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方 式提供一種反射式TFT陣列面板，包括：
[003引基板1;
[0039] 形成于基板上的柵極2、柵線2'和反射電極3,柵極2、柵線2'和反射電極3處于 同一平面，各個(gè)反射電極3之間用反射電極連接線3'連接，反射電極連接線3'與柵線2' 平行，兩者之間分布著彼此分離的柵極2和反射電極3,柵極2、柵線2'、反射電極和反射電 極連接線3'可W是同一種材質(zhì)，例如，可W是侶、鋼、銀、銅、銘或鐵，也可W是該其中兩種 或幾種金屬的合金；
[0040] 柵絕緣層4是一連續(xù)分布層，柵絕緣層4形成于柵極2、柵線2'、反射電極3和反 射電極連接線3'上；
[0041] 有源層5形成于柵絕緣層4上，且位于柵極2正上方，即柵絕緣層4阻隔
[0042] 在有源層5和柵極2之間，有源層5的面積小于柵極2;
[0043] 滲雜半導(dǎo)體層6形成于有源層5上，且其自身在中間處斷開，形成溝道；換言之，滲 雜半導(dǎo)體層6包括兩部分，且在該兩部分之間形成溝道；
[0044] 源極7、漏極8和數(shù)據(jù)線9,所述源極7和漏極8形成于滲雜半導(dǎo)體層6上，數(shù)據(jù)線 9與漏極8連接，且數(shù)據(jù)線9與柵線2'及反射電極連接線3'垂直；
[0045] 絕緣保護(hù)層10和過孔11，絕緣保護(hù)層10形成于源極7、漏極8和數(shù)據(jù)線9上，過 孔11貫穿絕緣保護(hù)層10與源極7相接；
[0046] 透明像素電極12,形成于絕緣保護(hù)層10上，且位于反射電極3上方，透明像素電極 12通過過孔11與源極7連接；
[0047]反射電極連接線3'與柵線2'平行，數(shù)據(jù)線9與柵線2'、反射電極連接線3'垂直， 且柵線2'、反射電極連接線3'與相鄰兩根數(shù)據(jù)線9在基板1上的投影形成閉合的矩形，柵 極2和反射電極3位于所形成的矩形內(nèi)，反射電極3為具有反光性的金屬。
[0048] 由于反射電極設(shè)置為具有反光性的金屬，可W有效反射來自環(huán)境光源的光，從而 充分利用環(huán)境光源。
[0049]在本發(fā)明的反射式TFT陣列面板的一個(gè)實(shí)施方式中，將柵線2'、反射電極連接線 3'、數(shù)據(jù)線9、柵極2和反射電極3均設(shè)置為具有反光性的金屬，也就是說，上述所形成的矩 形，W及分布于其內(nèi)部的電極（即柵極和反射電極）均具有反光性，在保持各電極原有性能 的同時(shí)，形成更大的反射面積，進(jìn)一步充分利用環(huán)境光源。
[0化0] 較強(qiáng)的環(huán)境光入射時(shí)，部分光線可能在進(jìn)入顯示器時(shí)就被光滑的顯示器表面反 射，而進(jìn)入TFT陣列面板的反射電極的光線經(jīng)平坦的表面反射和折射后，從顯示器表面穿 出時(shí)