l與第二數(shù)據(jù)線DL2加以驅動。此外，第一像素電極PEl與第二像素電極PE2可分別作為兩個不同次像素的像素電極，或者作為同一個次像素的主區(qū)與副區(qū)(或稱為亮區(qū)或暗區(qū))的像素電極。
[0063]請參考圖5，并一并參考圖1至圖4。圖5繪示了本發(fā)明的第一實施例的顯示面板的示意圖。如圖5所示，本實施例的顯示面板100包括第一實施例的像素結構I (或其它變化實施例的像素結構)、第二基板30以及顯示介質層40。第二基板30與第一基板10相對設置。第二基板30可為硬質基板或可撓式基板例如玻璃基板、石英基板、藍寶石基板、塑膠基板或其它適合的基板。顯示介質層40設置于第一基板10與第二基板30之間。本實施例的顯示介質層40可選用液晶層，但不以此為限。舉例而言，顯示介質層40也可包括其它非自發(fā)光顯示介質層例如電泳顯示介質層、電濕潤顯示介質層、或其它合適的非自發(fā)光顯示介質層；或自發(fā)光顯示介質層例如有機電激發(fā)光顯示介質層、無機電激發(fā)光顯示介質層、電漿顯示介質層、場發(fā)射顯示介質層、或其它合適的個發(fā)光顯示介質層。本實施例的顯示面板100的共通電極XE可設置于第二基板30上，且顯示面板100可進一步包括其它元件例如黑色矩陣32、彩色濾光層CF、間隔物(圖未示)、配向膜(圖未示)等，其功能與配置在此不贅述。此外，本實施例的顯示面板100可為平面顯示面板、曲面顯示面板、可撓式顯示面板或其它型式的顯示面板。本實施例的顯示面板100可進一步與背光模塊結合而形成顯示
目.ο
[0064]本發(fā)明的像素結構及顯示面板并不以上述實施例為限。下文將依序介紹本發(fā)明的其它較佳實施例的像素結構及顯示面板，且為了便于比較各實施例的相異處并簡化說明，在下文的各實施例中使用相同的符號標注相同的元件，且主要針對各實施例的相異處進行說明，而不再對重復部分進行贅述。
[0065]請參考圖6與圖7，并一并參考圖1與圖4。圖6與圖7繪不了本發(fā)明的第一實施例的第一變化實施例的像素結構的剖面示意圖。如圖6與圖7所示，第一變化實施例的絕緣層12可選用彩色濾光層，亦即像素結構IA為彩色濾光層在陣列基板(color filter onarray, COA)的像素結構，但不以此為限。此外，像素結構IA可進一步包括至少一第一介電薄膜PVl及/或至少一第二介電薄膜PV2，其中第一介電薄膜PVl位于第一柵極絕緣層GIl與絕緣層12之間以及第二柵極絕緣層GI2與絕緣層12之間，并可覆蓋第一主動元件SWl與第二主動元件SW2，用以保護第一主動元件SWl與第二主動元件SW2。此外，第一介電薄膜PVl可部分暴露出第一漏極Dl與第二漏極D2。第一介電薄膜PVl的材料可包括無機絕緣材料例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，藉此可增加第一柵極絕緣層GIl與絕緣層12之間以及第二柵極絕緣層GI2與絕緣層12之間的附著。第一介電薄膜PVl的材料亦可為其它適合的介電材料。第二介電薄膜PV2位于第一像素電極PEl與絕緣層12之間、第一連接電極CEl與絕緣層12之間、第二像素電極PE2與絕緣層12之間以及第二連接電極CE2之間，且第二介電薄膜PV2可選用與第一介電薄膜PVl相同或不同的材料，并可增加上述膜層之間的附著。此外，第二介電薄膜PV2可進一步覆蓋絕緣層12的第一接觸洞121與第二接觸洞122的側壁并部分暴露出第一漏極Dl與第二漏極D2，藉此第一連接電極CEl與第二連接電極CE2可分別與第一漏極Dl與第二漏極D2電性連接。
[0066]請參考圖8與圖9，并一并參考圖1與圖4。圖8與圖9繪示了本發(fā)明的第一實施例的第二變化實施例的像素結構的剖面示意圖。如圖8與圖9所示，第二變化實施例的像素結構IB可進一步包括半導體圖案SE及/或重摻雜半導體圖案11A，設置于第一數(shù)據(jù)線DLl與第一柵極絕緣層GIl之間，并于柵極線GL、第一數(shù)據(jù)線DLl與第一連接電極CEl在垂直投影方向Z上重疊，以及設置于第二數(shù)據(jù)線DL2與第二柵極絕緣層GI2之間，并于柵極線GL、第二數(shù)據(jù)線DL2與第二連接電極CE2在垂直投影方向Z上重疊。半導體圖案SE與第一半導體層SEl及第二半導體層SE2可為同一層圖案化半導體層，但不以此為限；重摻雜半導體圖案IlA與重摻雜半導體層11可為同一層圖案化摻雜半導體層，但不以此為限。半導體圖案SE及/或重摻雜半導體圖案IlA可進一步減少柵極線GL與第一連接電極CEl之間的第一柵極/源極電容CgsI，以及減少柵極線GL與第二連接電極CE2之間的第二柵極/源極電容Cgs2。
[0067]請參考圖10，并一并參考圖2至圖4。圖10繪示了本發(fā)明的第一實施例的第三變化實施例的像素結構的示意圖。如圖10所示，在第三變化實施例的像素結構IC中，第一像素電極PEl與第二像素電極PE2的輔助電極AE與靠近第一數(shù)據(jù)線DLl的分支電極BE的另一端連接及/或與靠近第二數(shù)據(jù)線DL2的分支電極BE的另一端連接。
[0068]請參考圖11至圖14。圖11繪示了本發(fā)明的第二實施例的像素結構的上視示意圖，圖12為沿圖11的剖線C-C’繪示的像素結構的剖面示意圖，圖13為沿圖11的剖線D-D’繪示的像素結構的剖面示意圖，且圖14繪示了本發(fā)明的第二實施例的像素結構的等效電路圖。如圖11至圖14所示，不同于第一實施例，本實施例的像素結構2為一 IDlG驅動方式的像素結構，亦即第一主動元件SWl與第二主動元件SW2共用同一條柵極線GL以及第一數(shù)據(jù)線DLl加以驅動，且第二主動元件SW2的第二源極S2與第一主動元件SWl的第一源極SI電性連接。此外，本實施例的像素結構2另包括信號線SL、共通線XL以及第三主動元件Sff3ο信號線SL設置于第一基板10上并位于柵極線GL與第二像素電極PE之間。共通線XL設置于第一基板10上并位于信號線SL與第二像素電極PE之間，且共通線XL可進一步設置于第一像素電極PEl的至少一側與第二像素電極PE2的至少一側。舉例而言，本實施例的共通線XL設置于第一像素電極PEl的三側，且環(huán)繞第二像素電極PE2，但不以此為限。例如共通線XL的形狀可以I形、H形或其它不同的形狀。此外，共通線XL可與第一像素電極PEl在垂直投影方向Z上部分重疊以形成第一儲存電容CstI，以及共通線XL可與第二像素電極PE2在垂直投影方向Z上部分重疊以形成第二儲存電容Cst2。第三主動元件SW3設置于第一基板10上，且第三主動元件SW3包括第三柵極G3、第三半導體層SE3、第三柵極絕緣層GI3、第三源極S3與第三漏極D3。第三柵極G3與信號線SL連接；第三半導體層SE3對應第三柵極G3并與第三柵極G3在垂直投影方向Z上至少部分重疊設置；第三柵極絕緣層GI3，設置于第三柵極G3與第三半導體層SE3之間；第三源極S3與第三漏極D3分別設置于第三半導體層SE3的兩側，其中第三源極S3與第一漏極Dl電性連接，且第三漏極D3與共通線XL在垂直投影方向Z上部分重疊。信號線SL、共通線XL與第三柵極G3可與柵極線GL、第一柵極G1、第二柵極G2為同一層圖案化導電層。第三柵極絕緣層GI3、第一柵極絕緣層GIl與第二柵極絕緣層GI2可為同一層圖案化絕緣層。第三半導體層SE3、第一半導體層SEl與第二半導體層SE2可為同一層圖案化半導體層。第三源極S3與第三漏極D3可與第一數(shù)據(jù)線DL1、第一源極S1、第一漏極D1、第二源極S2與第二漏極D2為同一層圖案化導電層。此外，信號線SL、共通線XL與柵極線GL三者未連接。此外，本實施例的第一像素電極PEl與第二像素電極PE2可為整面(full-surfaced)電極，但不以此為限。例如，第一像素電極PEl與第二像素電極PE2也可為圖案化電極，其可具有主干電極、分枝電極與狹縫(如圖1所示)，或其它適合的圖案。
[0069]在本實施例中，第三主動元件SW3用以調整第一像素電極PEl的像素電壓，其中第三源極S3與第一漏極Dl電性連接，且第三漏極D3與共通線XL在垂直投影方向Z上部分重疊而形成一調整電容Ccs。舉例而言，于進行顯示時，柵極線GL的柵極信號可開啟第一柵極Gl與第二柵極G2，而在第一柵極Gl與第二柵極G2開啟時，第一數(shù)據(jù)線DLl則會將數(shù)據(jù)信號提供至第一像素電極PEl與第二像素電極PE2。另外，在第一柵極Gl與第二柵極G2關閉后，信號線SL可開啟第三柵極G3，此時第一像素電極PEl與第一漏極Dl會與調整電容Ccs電性連接而使得第一像素電極PEl的像素電壓不同于第二像素電極PE2的像素電壓。本實施例的像素結構2可以視不同考量采用第一實施例的第一、第二、第三變化實施例或其它變化實施例的作法。
[0070]在本實施例中，由于第一連接電極CEl與柵極線GL的重疊部分之間設置有第一數(shù)據(jù)線DLl，而第一數(shù)據(jù)線DLl可以作為屏蔽電極，有效屏蔽第一連接電極CEl與柵極線GL之間的電場，因此可有效減少第二柵極/源極電容Cgs2，進而減少穿通(feed through)電壓效應，故可避免拉低像素電極的像素電壓。藉此，本實施例的像素結構2在顯示時可維持正常的顯示灰階并不會產(chǎn)生閃爍(flicker)現(xiàn)象。
[0071]請參考圖15，并一并參考圖11至圖14。圖15繪示了本發(fā)明的第二實施例的顯示面板的示意圖。如圖15所示，本實施例的顯示面板200包括第二實施例的像素結構2(或其它變化實施例的像素結構)、第二基板30以及顯示介質層40。第二基板30與第一基板10相對設置。第二基板30可為硬質基板或可撓式基板例如玻璃基板、石英基板、藍寶石基板、塑膠基板或其它適合的基板。顯示介質層40設置于第一基板10與第二基板30之間。本實施例的顯示介質層40可選用液晶層，但不以此為限。舉例而言，顯示介質層40也可包括其它非自發(fā)光顯示介質層例如電泳顯示介質層、電濕潤顯示介質層、或其它合適的非自發(fā)光顯示介質層；或自發(fā)光顯示介質層例如有機電激發(fā)光顯示介質層、無機電激發(fā)光顯示介質層、電漿顯示介質層、場發(fā)射顯示介質層、或其它合適的個發(fā)光顯示介質層。本實施例的顯示面板200的共通電極XE可設置于第二基板30上，且顯示面板100可進一步包括其它元件例如黑色矩陣32、彩色濾光層CF、間隔物(