像素結構及顯示面板的制作方法【
技術領域：
】[0001]本發(fā)明關于一種像素結構及顯示面板，尤指一種具有低穿通(feedthrough)電壓效應的像素結構及顯示面板?！?br>背景技術：
】[0002]液晶顯示面板由于具有輕薄短小與節(jié)能等優(yōu)點，已被廣泛地應用在各式電子產品，如智慧型手機(smartphone)、筆記型電腦(notebookcomputer)、平板電腦(tabletPC)等。現(xiàn)有液晶顯示面板的像素結構包括柵極線、數(shù)據(jù)線、共通線、主動元件、像素電極與共通電極等元件，其中主動元件的柵極與柵極線連接，源極與數(shù)據(jù)線連接，且漏極與像素電極連接。于進行顯示時，主動元件的柵極會被柵極線提供的柵極信號所開啟，此時數(shù)據(jù)線所提供的數(shù)據(jù)信號可依序經由源極與漏極傳送至像素電極而使得像素電極具有像素電壓，藉此像素電極、共通電極以及位于其間的液晶層會形成液晶電容。此外，像素電極與共通線會形成儲存電容，以維持液晶電容的電容值。除了液晶電容與儲存電容之外，現(xiàn)有液晶顯示面板的像素結構還會包括其它寄生電容，例如柵極/源極電容(Cgs)。柵極/源極電容(Cgs)的電容值會影響像素結構的充電特性，進而影響顯示品質。舉例而言，當柵極/源極電容(Cgs)的電容值過大時，會產生穿通(feedthrough)電壓效應而拉低像素電極的像素電壓，進而影響液晶顯示面板的顯示灰階并會產生閃爍(flicker)現(xiàn)象?！?br/>發(fā)明內容】[0003]本發(fā)明的實施例的目的之一在于提供一種具有低柵極/源極電容的像素結構及顯示面板。[0004]本發(fā)明的一實施例提供一種像素結構，包括第一基板、柵極線、第一數(shù)據(jù)線、第一像素電極、第二像素電極、第一主動元件、第二主動元件、至少一絕緣層、第一連接電極以及第二連接電極。柵極線設置于第一基板上，且柵極線具有第一側與第二側。第一數(shù)據(jù)線設置于第一基板上，其中第一數(shù)據(jù)線與柵極線交錯設置。第一像素電極設置于柵極線的第一偵U，且第二像素電極設置于柵極線的第二側。第一主動元件設置于第一基板上，其中第一主動元件包括第一柵極，與柵極線連接；第一半導體層對應該第一柵極并與第一柵極在垂直投影方向上至少部分重疊設置；第一柵極絕緣層設置于第一柵極與第一半導體層之間；以及第一源極與第一漏極分別設置于第一半導體層的兩側，其中第一源極與第一數(shù)據(jù)線連接，且第一漏極朝向第二像素電極延伸。第二主動元件設置于第一基板上，其中第二主動元件包括第二柵極與柵極線連接；第二半導體層對應第二柵極并與第二柵極在垂直投影方向上至少部分重疊設置；第二柵極絕緣層設置于第二柵極與第二半導體層之間；以及第二源極與第二漏極分別設置于第二半導體層的兩側，其中第二漏極朝向第二像素電極延伸。至少一絕緣層覆蓋第一主動元件與第二主動元件，其中絕緣層具有第一接觸洞暴露出第一漏極，以及第二接觸洞暴露出第二漏極。第一連接電極具有第一端與第二端，第一連接電極的第一端經由第一接觸洞與第一漏極電性連接，且第一連接電極的第二端與第一像素電極電性連接，其中第一連接電極設置于絕緣層上并與第一數(shù)據(jù)線在垂直投影方向上重疊。第二連接電極設置于柵極線的第一側，其中第二連接電極與第二像素電極電性連接并經由第二接觸洞與第二漏極電性連接。[0005]本發(fā)明的另一實施例提供一種顯示面板，包括多個上述的像素結構、第二基板與第一基板相對設置，以及顯示介質層設置于第一基板與第二基板之間?！靖綀D說明】[0006]圖1繪示了本發(fā)明的第一實施例的像素結構的上視示意圖。[0007]圖2為沿圖1的剖線A-A’繪示的像素結構的剖面示意圖。[0008]圖3為沿圖1的剖線B-B’繪示的像素結構的剖面示意圖。[0009]圖4繪示了本發(fā)明的第一實施例的像素結構的等效電路圖。[0010]圖5繪示了本發(fā)明的第一實施例的顯示面板的示意圖。[0011]圖6與圖7繪示了本發(fā)明的第一實施例的第一變化實施例的像素結構的剖面示意圖。[0012]圖8與圖9繪示了本發(fā)明的第一實施例的第二變化實施例的像素結構的剖面示意圖。[0013]圖10繪示了本發(fā)明的第一實施例的第三變化實施例的像素結構的示意圖。[0014]圖11繪示了本發(fā)明的第二實施例的像素結構的上視示意圖。[0015]圖12為沿圖11的剖線C-C’繪示的像素結構的剖面示意圖。[0016]圖13為沿圖11的剖線D-D’繪示的像素結構的剖面示意圖。[0017]圖14繪示了本發(fā)明的第二實施例的像素結構的等效電路圖。[0018]圖15繪示了本發(fā)明的第二實施例的顯示面板的示意圖。[0019]圖16繪示了本發(fā)明的第三實施例的像素結構的上視示意圖。[0020]圖17為沿圖16的剖線E-E’繪示的像素結構的剖面示意圖。[0021]圖18為沿圖16的剖線F-F’繪示的像素結構的剖面示意圖。[0022]圖19繪示了本發(fā)明的第三實施例的像素結構的等效電路圖。[0023]圖20繪示了本發(fā)明的第三實施例的顯示面板的示意圖。[0024]其中，附圖標記:[0025]I,1A,IB,1C,2，3像素結構10第一基板[0026]LI第一方向Z垂直投影方向[0027]GL柵極線DLl第一數(shù)據(jù)線[0028]DL2第二數(shù)據(jù)線12絕緣層[0029]121第一接觸洞122第二接觸洞[0030]El第一側E2第二側[0031]Sffl第一主動元件Gl第一柵極[0032]SEl第一半導體層GI1第一柵極絕緣層[0033]SI第一源極Dl第一漏極[0034]SW2第二主動元件G2第二柵極[0035]SE2第二半導體層GI2第二柵極絕緣層[0036]S2第二源極D2第二漏極[0037]11重摻雜半導體層SW3第三主動元件[0038]G3第三柵極SE3第三半導體層[0039]GI3第三柵極絕緣層S3第三源極[0040]D3第三漏極PEl第一像素電極[0041]PE2第二像素電極ME主干電極[0042]BE分支電極S狹縫[0043]CEl第一連接電極CE2第二連接電極[0044]tl第一端t2第二端[0045]AE輔助電極XL共通線[0046]SL信號線SE半導體圖案[0047]IlA重摻雜半導體圖案XE共通電極[0048]PVl第一介電薄膜PV2第二介電薄膜[0049]CF彩色濾光層32黑色矩陣[0050]Clcl第一液晶電容Clc2第二液晶電容[0051]Cstl第一儲存電容Cst2第二儲存電容[0052]Cgsl第一柵極/源極電容Cgs2第二柵極/源極電容[0053]Ccs調整電容30第二基板[0054]40顯示介質層100,200,300顯示面板【具體實施方式】[0055]為使熟悉本發(fā)明所屬
技術領域：
的一般技藝者能更進一步了解本發(fā)明，下文特列舉本發(fā)明的較佳實施例，并配合所附圖式，詳細說明本發(fā)明的構成內容及所欲達成的功效。[0056]請參考圖1至圖4。圖1繪示了本發(fā)明的第一實施例的像素結構的上視示意圖，圖2為沿圖1的剖線A-A’繪示的像素結構的剖面示意圖，圖3為沿圖1的剖線B-B’繪示的像素結構的剖面示意圖，且圖4繪示了本發(fā)明的第一實施例的像素結構的等效電路圖。如圖1至圖4所示，本實施例的像素結構I包括第一基板10、柵極線GL、第一數(shù)據(jù)線DL1、第二數(shù)據(jù)線DL2、第一像素電極PE1、第二像素電極PE2、第一主動元件SW1、第二主動元件SW2、至少一絕緣層12、第一連接電極CEl以及第二連接電極CE2。第一基板10可為硬質基板或可撓式基板例如玻璃基板、石英基板、藍寶石基板、塑膠基板或其它適合的基板。柵極線GL設置于第一基板10上，且柵極線GL具有第一側El與第二側E2。柵極線GL的第一側El與第二側E2為兩相對應的側邊，本實施例的柵極線GL實質上沿圖1的橫向延伸，因此第一側El與第二側E2分別為圖1的下側邊與上側邊，但不以此為限。舉例而言，在變化實施例中，柵極線GL實質上可沿圖1的縱向延伸，因此第一側El與第二側E2分別為圖1的右側邊與左側邊。第一數(shù)據(jù)線DLl與第二數(shù)據(jù)線DL2設置于第一基板10上，且第一數(shù)據(jù)線DLl與第二數(shù)據(jù)線DL2分別柵極線GL交錯設置。第一數(shù)據(jù)線DLl與第二數(shù)據(jù)線DL2例如可沿圖1的縱向延伸，但不以此為限。[0057]第一像素電極PEl設置于柵極線GL的第一側El，且第二像素電極PE2設置于柵極線GL的第二側E2。第一主動元件SWl設置于第一基板10上，且第一主動元件SWl包括第一柵極G1、第一半導體層SE1、第一柵極絕緣層GI1、第一源極SI與第一漏極D1，其中第一柵極Gl與柵極線GL連接；第一半導體層SEl對應第一柵極Gl并與第一柵極Gl在垂直投影方向Z上至少部分重疊設置；第一柵極絕緣層GI1，設置于第一柵極Gl與第一半導體層SEl之間；第一源極SI與第一漏極Dl分別設置于第一半導體層SEl的兩側，第一源極SI與第一數(shù)據(jù)線DLl連接，且第一漏極Dl由第一源極SI朝向第二像素電極PE2延伸，例如第一漏極Dl可沿第一方向LI延伸。此外，第一源極SI/第一漏極Dl與第一半導體層SEl之間可選擇性設置重摻雜半導體層11(如圖2與圖3所示)，其中重摻雜半導體層11的摻雜濃度高于第一半導體層SE1，以增加歐姆接觸。第二主動元件SW2設置于第一基板10上，且第二主動元件SW2包括第二柵極G2、第二半導體層SE2、第二柵極絕緣層GI2、第二源極S2與第二漏極D2，其中第二柵極G2與柵極線GL連接；第二半導當前第1頁1 2 3 4