體層SE2對(duì)應(yīng)第二柵極G2并與第二柵極G2在垂直投影方向Z上至少部分重疊設(shè)置；第二柵極絕緣層GI2設(shè)置于第二柵極G2與第二半導(dǎo)體層SE2之間；第二源極S2與第二漏極D2分別設(shè)置于第二半導(dǎo)體層SE2的兩側(cè)，第二源極S2與第二數(shù)據(jù)線DL2連接，且第二漏極D2由第二源極S2朝向第二像素電極PE2延伸，例如第二漏極D2可沿第一方向LI延伸。在本實(shí)施例中，第一漏極Dl、第二漏極D2第一數(shù)據(jù)線DLl與第二數(shù)據(jù)線DL2沿相同方向延伸，例如沿第一方向LI延伸，但不以此為限。在變化實(shí)施例中，第一漏極Dl與第二漏極D2可以朝向第二像素電極PE2延伸，但第一漏極Dl與第二漏極D2可以和第一數(shù)據(jù)線DLl與第二數(shù)據(jù)線DL2沿不同方向延伸，或者第一漏極Dl與第二漏極D2兩者可分別沿不同的方向延伸或具有轉(zhuǎn)折圖案。此外，第二源極S2/第二漏極D2與第二半導(dǎo)體層SE2之間可選擇性設(shè)置重?fù)诫s半導(dǎo)體層11，以增加歐姆接觸。精確而言，本實(shí)施例的第一漏極Dl與該二漏極D2突出于柵極線GL的第二側(cè)E2，也就是說，一部分的第一漏極Dl與該二漏極D2在垂直投影方向Z上分別與第一柵極Gl與第二柵極G2重疊，而另一部分的第一漏極Dl與該二漏極D2則向第一方向LI延伸而未與第一柵極Gl與第二柵極G2重疊。
[0058]第一主動(dòng)元件SWl與第二主動(dòng)元件SW2為主動(dòng)開關(guān)元件，例如薄膜晶體管元件，且第一主動(dòng)元件SWl與第二主動(dòng)元件SW2較佳可利用相同制程同時(shí)制程，但不以此為限。在本實(shí)施例中，第一主動(dòng)元件SWl與第二主動(dòng)元件SW2以底柵型薄膜晶體管元件為例，其中柵極線GL、第一柵極Gl與第二柵極G2可為同一層圖案化導(dǎo)電層例如第一金屬層，其材料可為適合的金屬或合金，且其可為單層結(jié)構(gòu)或多層堆疊結(jié)構(gòu)；第一柵極絕緣層GIl與第二柵極絕緣層GI2可為同一層圖案化絕緣層，其材料可為無機(jī)絕緣材料例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，有機(jī)絕緣材料或有機(jī)無機(jī)混成絕緣材料，且其可為單層結(jié)構(gòu)或多層堆疊結(jié)構(gòu)。第一半導(dǎo)體層SEl與第二半導(dǎo)體層SE2可為同一層圖案化半導(dǎo)體層，其材料可為硅例如非晶娃、多晶娃，氧化物半導(dǎo)體例如氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide, IGZO)或其它適合的半導(dǎo)體材料；第一數(shù)據(jù)線DL1、第一源極S1、第一漏極D1、第二源極S2與第二漏極D2可為同一層圖案化導(dǎo)電層例如第二金屬層，其材料可為適合的金屬或合金，且其可為單層結(jié)構(gòu)或多層堆疊結(jié)構(gòu)。在變化實(shí)施例中，第一主動(dòng)元件SWl與第二主動(dòng)元件SW2也可選用頂柵型薄膜晶體管元件或其它任何類型的薄膜晶體管元件。此外，絕緣層12覆蓋第一主動(dòng)元件SWl與第二主動(dòng)元件SW2，其中絕緣層12具有第一接觸洞121暴露出第一漏極Dl以及第二接觸洞122暴露出第二漏極D2。絕緣層12較佳具有平坦表面，以作為平坦層之用，以增加像素結(jié)構(gòu)I的開口率。本實(shí)施例的絕緣層12的材料可選用有機(jī)絕緣材料，例如環(huán)氧樹脂或壓克力，且其較佳可具有感光特性，藉此可利用曝光顯影制程進(jìn)行圖案化，但不以此為限。在變化實(shí)施例中，絕緣層12的材料也可為無機(jī)絕緣材料例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，或有機(jī)無機(jī)混成絕緣材料，且絕緣層12可為單層結(jié)構(gòu)或多層堆疊結(jié)構(gòu)。此外，本實(shí)施例的絕緣層12可為透明絕緣材料，但不以此為限。舉例而言，絕緣層也可選用彩色濾光層，但不以此為限。本實(shí)施例的第一接觸洞121與第二接觸洞122位于柵極線GL的同一側(cè)(第二側(cè)E2)，因此可以節(jié)省第一方向LI上的布局空間以增加開口率。此外，第一接觸洞121與第二接觸洞122未與第一柵極Gl與第二柵極G2重疊，但不以此為限。第一接觸洞121與第二接觸洞122的尺寸可視絕緣層12的厚度加以調(diào)整，舉例而言，當(dāng)絕緣層12的厚度較大時(shí)，例如作為彩色濾光層時(shí)，則第一接觸洞121與第二接觸洞122的尺寸較大；當(dāng)絕緣層12的厚度較小，例如作為平坦層時(shí)，則第一接觸洞121與第二接觸洞122的尺寸較小，但不以此為限。
[0059]此外，第一像素電極PEl設(shè)置于絕緣層12上并位于第一柵極Gl的第一側(cè)E1。第一連接電極CEl具有第一端tl與第二端t2，其中第一連接電極CEl的第一端tl經(jīng)由第一接觸洞121與第一漏極Dl電性連接，且第一連接電極CEl的第二端t2與第一像素電極PEl電性連接。第一連接電極CEl設(shè)置于絕緣層12上并與第一數(shù)據(jù)線DLl在垂直投影方向Z上重疊。精確而言，第一連接電極CEl同時(shí)與第一數(shù)據(jù)線DLl與柵極線GL在垂直投影方向Z上重疊，且第一連接電極CEl未單獨(dú)與柵極線GL在垂直投影方向Z上重疊。也就是說，第一數(shù)據(jù)線DLl可以作為屏蔽電極，用以屏蔽第一連接電極CEl與柵極線GL之間的電場(chǎng)。此夕卜，本實(shí)施例的第一連接電極CE的第二端t2與第一像素電極PEl的一角落連接，此第一像素電極PEl的角落鄰近第一數(shù)據(jù)線DLl與柵極線GL的第一側(cè)El，例如第一像素電極PEl的右上角，但不以此為限。第二像素電極PE2設(shè)置于絕緣層12上并位于柵極線GL的第二側(cè)E2。第二連接電極CE2設(shè)置于絕緣層12上并位于柵極線GL的第二側(cè)E2，其中第二連接電極CE2與第二像素電極PE2電性連接并經(jīng)由第二接觸洞122與第二漏極D2電性連接。在本實(shí)施例中，第一連接電極CEl及第二連接電極CE2與第一漏極Dl及第二漏極D2為不同層圖案化導(dǎo)電層。舉例而言，第一連接電極CEl及第二連接電極CE2可為同一層圖案化導(dǎo)電層，例如圖案化透明導(dǎo)電層，其材料可為氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)或其它適合的透明導(dǎo)電材料，或圖案化不透明導(dǎo)電層，其材料可為金屬、合金或其它適合的不透明導(dǎo)電材料。第一漏極Dl及第二漏極D2可為另一層圖案化導(dǎo)電層，例如圖案化不透明導(dǎo)電層，其材料可為金屬、合金或其它適合的不透明導(dǎo)電材料。此外，第一連接電極CE1、第二連接電極CE2、第一像素電極PEl與第二像素電極PE2可為同一層圖案化導(dǎo)電層，故可由同一道圖案化制程所形成，但不以此為限。
[0060]在本實(shí)施例中，第一像素電極PEl與第二像素電極PE2選用圖案化(patterned)電極，其分別包括至少一主干電極ME，以及多條分支電極BE，其中各分支電極BE的一端與主干電極ME連接，且兩相鄰的分支電極BE之間具有一狹縫S。舉例而言，主干電極ME可為十字形電極，而分支電極BE可沿不同的方向例如四個(gè)不同的方向延伸?；蛘?，分支電極BE可沿相同的方向延伸，或兩個(gè)不同的方向、三個(gè)不同的方向或更多不同的方向延伸。第一像素電極PEl與第二像素電極PE2的尺寸可以相同或不相同，例如本實(shí)施例的第一像素電極PEl的尺寸大于第二像素電極PE2的尺寸，但不以此為限。在本實(shí)施例中，第一像素電極PEl與第二像素電極PE2的分支電極BE可延伸至第一數(shù)據(jù)線DLl與第二數(shù)據(jù)線DL2的上方并與第一數(shù)據(jù)線DLl與第二數(shù)據(jù)線DL2部分重疊，但不以此為限。在變化實(shí)施例中，分支電極BE也可以與第一數(shù)據(jù)線DLl與第二數(shù)據(jù)線DL2的邊緣切齊，或是分支電極BE可與第一數(shù)據(jù)線DLl與第二數(shù)據(jù)線DL2之間也可分別具有間隙。此外，第一像素電極PEl可選擇性地另包括至少一輔助電極AE，其中輔助電極AE可與第一連接電極CEl的第二端t2以及一部分的分支電極BE的另一端連接。舉例而言，輔助電極AE可與靠近柵極線GL的第一側(cè)El的分支電極BE的另一端連接，此外，另一個(gè)輔助電極AE可與遠(yuǎn)離柵極線GL的第一側(cè)El的分支電極BE的另一端連接。也就是說，第一像素電極PEl可另包括兩個(gè)輔助電極AE，分別與靠近柵極線GL的第一側(cè)El的分支電極BE的另一端連接以及與遠(yuǎn)離柵極線GL的第一側(cè)El的分支電極BE的另一端連接，藉此增加第一像素電極PEl的導(dǎo)電性。在變化實(shí)施例中，輔助電極AE也可與靠近第一數(shù)據(jù)線DLl的分支電極BE的另一端連接及/或與靠近第二數(shù)據(jù)線DL2的分支電極BE的另一端連接，或與所有的分支電極BE的另一端連接。另夕卜，第二像素電極PE2也可另包括輔助電極AE，其功用與配置與第一像素電極PEl的輔助電極AE類似，在此不再贅述。輔助電極AE、第一像素電極PEl與第二像素電極PE2可為同一層圖案化導(dǎo)電層。在變化實(shí)施例中，第一像素電極PEl與第二像素電極PE2也可為整面(full-surfaced)電極。再者，本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)I可另包括共通線(圖未示)設(shè)置于第一基板10上，以及共通電極XE(如圖4所示)，其中第一像素電極PEl可以與共通線形成第一儲(chǔ)存電容Cstl (如圖4所示)、第二像素電極PE2可以與共通線形成第二儲(chǔ)存電容Cst2(如圖4所示)、第一像素電極PEl與共通電極XE形成第一液晶電容Clcl (如圖4所示)，以及第二像素電極PE2與共通電極XE形成第二液晶電容Clc2。
[0061]在本實(shí)施例中，第二接觸洞122與第二像素電極PE2均位于柵極線GL的第二側(cè)E2，因此用以連接第二漏極D2與第二像素電極PE2的第二連接電極CE2不需跨越柵極線GL,故第二連接電極CE2與柵極線GL不會(huì)在垂直投影方向Z上重疊而不會(huì)形成電容，而第二漏極D2與第二柵極G2之間則會(huì)形成第二柵極/源極電容Cgs2。另一方面，雖然第一接觸洞121位于柵極線GL的第二側(cè)E2且第一像素電極PEl位于柵極線GL的第一側(cè)E1，然而用以連接第一漏極Dl (經(jīng)由第一接觸洞121)與第一像素電極PEl的第一連接電極CEl設(shè)置第一數(shù)據(jù)線DLl上，因此可以被第一數(shù)據(jù)線DLl所隔絕。也就是說，設(shè)置于第一連接電極CEl下方的第一數(shù)據(jù)線DLl可以作為第一連接電極CEl與柵極線GL之間的屏蔽電極，有效屏蔽第一連接電極CEl與柵極線GL之間的電場(chǎng)，而第一漏極Dl與第一柵極Gl之間則會(huì)形成第一柵極/源極電容Cgsl。上述配置可有效減少第一柵極/源極電容Cgsl的電容值與第二柵極/源極電容Cgs2的電容值，進(jìn)而減少穿通(feed through)電壓效應(yīng)，故可避免拉低像素電極的像素電壓。藉此，本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)I在顯示時(shí)可維持正常的顯示灰階并不會(huì)產(chǎn)生閃爍(flicker)現(xiàn)象。
[0062]如圖4所示，本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)I為一 2D1G驅(qū)動(dòng)方式的像素結(jié)構(gòu)，亦即第一主動(dòng)元件SWl與第二主動(dòng)元件SW2共用同一條柵極線GL并分別利用不同的第一數(shù)據(jù)線DL