低3D光柵50的放置高度，使得高PPI的3D顯示成為可能。同時，使得3D顯示裝置薄型化。
[0057]本實施例中，所述3D光柵50上的第一基板51為靠近顯示面板40的基板，第二基板52為遠離所述顯示面板40的基板。其中，所述第一基板51為陣列基板，包括襯底基板511、光柵偏振片60和薄膜晶體管器件層512，光柵偏振片60位于襯底基板與顯示面板40之間。
[0058]在本發(fā)明的其他一些實施例中，光柵偏振片60也可以位于襯底基板511與薄膜晶體管器件層512之間，當光柵偏振片60位于襯底基板511與薄膜晶體管器件層512之間時，光柵偏振片60與薄膜晶體管器件層512之間還需要設置絕緣層，避免電性干擾。該絕緣層的厚度也遠小于現(xiàn)有的偏振片的厚度，因此，同樣可以降低3D光柵50的放置高度。
[0059]上述顯示面板40可以為液晶顯示面板、OLED顯示面板或者其他類型的顯示面板。
[0060]當顯示面板40為液晶顯示面板時，也可以采用光柵偏振片替代液晶顯示面板上的偏光片，以進一步降低3D光柵50的放置高度。
[0061]請參考圖4，圖4為本發(fā)明實施例二的3D顯示裝置的結構示意圖，該3D顯示裝置包括:顯示面板40以及設置于所述顯示面板40出光側的3D光柵50，顯示面板40和3D光柵50通過粘接層30粘合。粘接層30可以為光學透明膠(OCR)。
[0062]所述3D光柵50為液晶光柵，包括相對設置的第一基板51和第二基板52以及位于所述第一基板51和第二基板52之間的液晶層53，其中，所述第一基板51包括:襯底基板511以及直接形成在所述襯底基板511上的光柵偏振片60，所述第一基板52包括:襯底基板521以及直接形成在所述襯底基板521上的光柵偏振片60，兩光柵偏振片60的狹縫的延伸方向垂直。
[0063]本實施例中，所述3D光柵50上的第一基板51為靠近顯示面板40的基板，第二基板52為遠離所述顯示面板40的基板。其中，所述第一基板51為陣列基板，包括襯底基板511、光柵偏振片60、絕緣層513以及薄膜晶體管器件層512。即，光柵偏振片60位于襯底基板511靠近第二基板52的一側。當然，在本發(fā)明的其他一些實施例中，光柵偏振片60也可以位于襯底基板511遠離第二基板52的一側。
[0064]所述顯示面板40為液晶顯示面板，包括相對設置的陣列基板41和彩膜基板42，所述陣列基板41包括:襯底基板411和直接形成在所述襯底基板411上的光柵偏振片60，所述彩膜基板42包括:襯底基板421和直接形成在所述襯底基板421上的光柵偏振片60，兩光柵偏振片60的狹縫的延伸方向垂直。且，彩膜基板42上的光柵偏振片60的狹縫的延伸方向與所述第一基板51上的光柵偏振片60的狹縫的延伸方向一致。
[0065]請參考圖4，3D光柵50的放置高度h等于與以下部件的厚度之和:陣列基板51+粘接層30+彩膜基板42。而，陣列基板51和彩膜基板42上的光柵偏振片60的厚度為納米級尺寸，薄于現(xiàn)有技術中的貼附在陣列基板和彩膜基板外側的偏光片。
[0066]本發(fā)明實施中，由于顯示面板40和3D光柵50上均采用光柵偏振片替代現(xiàn)有的偏光片，因此可進一步減低3D光柵50的放置高度。并進一步減小3D顯示裝置的厚度。
[0067]本實施例中，顯示面板40的陣列基板41包括:襯底基板411、光柵偏振片60、絕緣層412和薄膜晶體管器件層413。光柵偏振片60位于襯底基板411的內側。當然，在本發(fā)明的其他一些實施例中，光柵偏振片411也可以設置于襯底基板的外側，即遠離薄膜晶體管器件層413的一側。
[0068]本實施例中，顯示面板40的彩膜基板42包括:襯底基板421、光柵偏振片60、平坦層422和濾光層423。
[0069]為進一步降低3D光柵50的放置高度，優(yōu)選地，所述第一基板51和所述彩膜基板42可以共用一襯底基板。
[0070]請參考圖5，圖5所示的實施例與圖4所示的實施例的區(qū)別在于，所述第一基板51和所述彩膜基板42共用一襯底基板70。
[0071]上述各實施例中的3D顯示裝置均采用4個襯底基板。本實施例中的3D顯示裝置僅采用三個襯底基板，減少了一個襯底基板，并減少了顯示面板40和3D光柵50之間的粘接層。
[0072]襯底基板通常為玻璃基板，厚度約為0.22mm，從而3D光柵50的放置高度至少減小0.22mm0
[0073]請參考圖5，3D光柵50的放置高度h等于與以下部件的厚度之和:陣列基板51+彩膜基板42。且陣列基板51和彩膜基板42共用一個襯底基板70，從而進一步降低了 3D光柵50的放置高度。
[0074]此外，本實施例中，3D光柵50是直接制作在顯示面板40上的，減少了 3D光柵50和顯示面板40的粘合過程，可避免以粘合造成的對位精度偏差。且，減少了制作工藝，節(jié)省了成本。
[0075]為進一步降低3D光柵50的放置高度，優(yōu)選地，所述第一基板51和所述彩膜基板42還可以共用一光柵偏振片。
[0076]請參考圖6，圖6所示的實施例與圖5所示的實施例的區(qū)別在于，所述第一基板51和所述彩膜基板42還共用一光柵偏振片60。
[0077]請參考圖6，所述彩膜基板42和所述第一基板51的組合結構包括:
[0078]共用的襯底基板70 ；
[0079]設置于所述襯底基板70 —側的光柵偏振片60、平坦層422和濾光層423 ；
[0080]設置于所述襯底基板70另一側的薄膜晶體管器件層512。
[0081]本實施例中，光柵偏振片60位于襯底基板70靠近陣列基板41的一側，在本發(fā)明的其他一些實施例中，光柵偏振片60也可以位于襯底基板70遠離陣列基板41的一側。
[0082]本實施例中，所述第一基板51和所述彩膜基板42共用一襯底基板70和一光柵偏振片60。在本發(fā)明的其他一些實施例中，所述第一基板51和所述彩膜基板42也可以僅共用一光柵偏振片，而不共用一襯底基板。
[0083]請參考圖6，3D光柵50的放置高度h等于與以下部件的厚度之和:陣列基板51+彩膜基板42。且陣列基板51和彩膜基板42共用一個襯底基板70和一個光柵偏振片60，從而進一步降低了 3D光柵50的放置高度。
[0084]優(yōu)選地，上述各實施例中的光柵偏振片的周期小于可見光波長，占空比為0.3-0.7，槽深為 100nm-200nm。
[0085]進一步優(yōu)選地，光柵偏振片的周期為200nm。
[0086]進一步優(yōu)選地，光柵偏振片的占空比為0.5。
[0087]進一步優(yōu)選地，光柵偏振片的槽深為150nm。
[0088]優(yōu)選地，所述光柵偏振片采用金屬材料制成，例如Al、Ag、Au、Cu或Cr等。當然，也不排除采用其他材料制備的可能。
[0089]請參考圖7，圖7為本發(fā)明實施例五的3D顯示裝置的結構示意圖，所述3D顯示裝置，包括顯示面板40以及設置于所述顯示面板40出光側的3D光柵50，所述顯示面板40為液晶顯示面板，包括相對設置的陣列基板41和彩膜基板42以及位于所述陣列基板41和彩膜基板42之間的液晶層43，所述陣列基板41包括:襯底基板411和直接形成在所述襯底基板411上的光柵偏振片60，所述彩膜基板42包括:襯底基板421和直接形成在所述襯底基板421上的光柵偏振片60，兩光柵偏振片60的狹縫的延伸方向垂直。
[0090]光柵偏振片60的結構請參考圖3，在此不再詳細說明。
[0091]由于光柵偏振片僅透過一定偏振方向的偏振光，因此可替代現(xiàn)有的偏光片。且光柵偏振片的厚度為納米級尺寸，而現(xiàn)有的貼附在陣列基板和彩膜基板上的偏光片的厚度約為lOOum，因此，采用光柵偏振片替代偏光片之后，可明顯可降低3D光柵50的放置高度，使得高PPI的3D顯示成為可能。同時，使得3D顯示裝置薄型化。
[0092]本實施例中，顯示面板40的陣列基板41包括:襯底基板411、光柵偏振片60、絕緣層412和薄膜晶體管器件層413。光柵偏振片60位于襯底基板411的內側。當然，在本發(fā)明的其他一些實施例中，光柵偏振片411也可以設置于襯底基板的外側，即遠離薄膜晶體管器件層413的一側。
[0093]本實施例中，顯示面板40的彩膜基板42包括:襯底基板421、光柵偏振片60、平坦層422和濾光層423。
[0094]本實施例中的3D光柵50可以為3D光柵，也可以為其他類型的光柵，例如物理柱狀透鏡光柵等。
[0095]本發(fā)明還提供一種3D顯示裝置的制造