110和第二區(qū)120中的覆蓋層140之上形成的吸收層150。吸收層150包括多膜層，每層膜包含鉻、氧化鉻、氮化鉻、鈦、氧化鈦、氮化鈦、鉭、氧化鉭、氮化鉭、氮氧化鉭、氮化硼鉭、氧化硼鉭、氮氧化硼鉭、鋁、鋁-銅、氧化鋁、銀、氧化銀、鈀、釕、鉬、其他合適的材料、或者以上的一些的混合物。在一個實(shí)施例中，吸收層150包括70nm的氮化硼鉭(TaBN)。在另一實(shí)施例中，吸收層150包括56nm的氮化硼鉭(TaBN)和在TaBN層上方沉積的14nm的氧化硼鉭(TaBO)。
[0049]可以通過各種方法形成一層或者多層104、130、135、140和150，包括諸如蒸發(fā)和DC磁控濺射的物理汽相沉積(PVD)工藝，諸如無電電鍍或者電鍍的鍍工藝，諸如大氣壓CVD (APCVD)、低壓CVD (LPCVD)、等離子體增強(qiáng)CVD (PECVD)、或者高密度等離子體CVD (HDPCVD)的化學(xué)汽相沉積(CVD)工藝，離子束沉積、旋涂、金屬有機(jī)分解(M0D)、和/或其他本領(lǐng)域公知的方法。
[0050]參照圖3，圖案化吸收層150以形成在第一區(qū)110中具有第一亞區(qū)210和第二亞區(qū)220的低EUV反射率(LEUVR)掩模200。在第一亞區(qū)210中，保留吸收層150，而在第二亞區(qū)220中，其被去除。在一些例子中，將第一亞區(qū)210稱為吸收區(qū)并且將第二亞區(qū)220稱為反射區(qū)?？梢酝ㄟ^圖案化和蝕刻工藝圖案化吸收層150。蝕刻工藝可以包括干式(等離子體)蝕刻、濕式蝕刻、和/或其他蝕刻方法。例如，干式蝕刻工藝可以使用含氟氣體(例如，CF4、SF6, CH2F2, CHF3、和 / 或 C2F6)、含氯氣體(例如，Cl2, CHC13、0:14和 / 或 BCl 3)、含溴氣體(例如，HBr和/或CHBR3)、含碘氣體、其他合適的氣體和/或等離子體、和/或它們的組合?？蛇x的圖案化工藝包括無掩模光刻、電子束寫入、直寫、和/或離子束寫入。
[0051]參照圖4，除了其具有位于整個LTEM層102上方的高EUV反射率(HEUVR)多層430夕卜，在許多方面與以上在圖2和圖3中討論的LEUVR掩模200類似地形成EUV掩模400。在一個實(shí)施例中，HEUVR多層430與HEUVR多層135相同。EUV掩模400可以包括在HEUV多層430上方沉積的覆蓋層440。EUV掩模400具有圖案化的吸收層450以限定兩個區(qū)，吸收區(qū)410和反射區(qū)420。在吸收區(qū)410中，保留吸收層450，而在反射區(qū)420中，其被去除。在一個實(shí)施例中，圖案化的吸收層450具有與LEUVR掩模200中的其中一個圖案化的吸收層150相同的圖案。
[0052]LEUVR掩模200和EUV掩模400還可以結(jié)合其他分辨率增強(qiáng)技術(shù)，諸如光學(xué)鄰近校正(OPC)。LEUVR掩模200和EUV掩模400還可以經(jīng)歷掩模缺陷修復(fù)系統(tǒng)進(jìn)行的缺陷修復(fù)工藝。掩模缺陷修復(fù)系統(tǒng)是合適的系統(tǒng)，諸如電子束修復(fù)系統(tǒng)和/或聚焦離子束(FIB)修復(fù)系統(tǒng)。
[0053]圖5是根據(jù)本發(fā)明的方面構(gòu)建的評價DUV耀光影響的方法500的流程圖。圖6A和6B是在方法500的各個階段圖案化目標(biāo)600的示意性俯視圖。
[0054]方法500開始于步驟502，提供具有第一 EUV反射率1^的EUV掩模400和具有第二 EUV反射率1*2的LEUVR掩模200。在本實(shí)例中，EUV掩模400和LEUVR掩模200具有相同的吸收圖案。
[0055]參照圖5和6A，方法500繼續(xù)進(jìn)行至步驟504，EUV掃描器利用EUV掩模400對襯底600實(shí)施第一曝光工藝。在本實(shí)施例中，EUV掃描器使用攜帶OOB輻射的EUV輻射。第一曝光工藝開始于被光刻膠層覆蓋的襯底600中的第一區(qū)601，然后在第二區(qū)602處實(shí)施第二曝光工藝，然后在第三區(qū)603處實(shí)施第三曝光工藝等等。在本實(shí)施例中，根據(jù)第一曝光劑量矩陣進(jìn)行第一曝光工藝。配置第一曝光劑量矩陣從而使得通過EUV掩模400，曝光劑量E11用于曝光第一區(qū)601，等于E11 - Δ的曝光劑量E12用于曝光第二區(qū)602 (這里Δ = r 2/AXE11);等于Εη-2Λ的曝光劑量E13用于曝光第三區(qū)603等等?？傊?，曝光劑量Ein等于E11 - (N-1) Δ以曝光第N區(qū)60Ν。
[0056]在一個實(shí)施例中，E11是用于EUV掩模400的優(yōu)化的曝光劑量(Eop)。Eop可以基于曝光劑量確定，該曝光劑量用于EUV掩模400的圖案在相應(yīng)的單個曝光工藝中達(dá)到襯底600上的預(yù)指定目標(biāo)尺寸。Eop可以根據(jù)EUV掩模400的圖案密度變化。因此，E12等于Eop -Δ，E13等于 Εορ-2 Δ.....E 1Ν等于 Eop - (N-1) Δ。
[0057]憑借EUV掩模400的第一 EUV反射率F1，襯底600的區(qū)域60Ν收到的曝光劑量Ein是約T1XE11 - r2 (N-1)E11O當(dāng)曝光劑量具有EUV劑量和OOB耀光劑量時，Ein是約r ^E1ieuv -r2 (N-1) E1ieuv加 E 1100B - (N-1) (γ2/Γι) Euoob? E1ieuv代表 E ^的 EUV 劑量部分并且 E 1100Β代表 E η的OOB耀光劑量部分。在本實(shí)施例中，考慮到OOB耀光劑量E1iduv基本上小于EUV掃描器中的EUV劑量E11euv，并且r2基本上小于r i，可以合理地估計區(qū)域60N接收的曝光劑量Ein接近^XEueuv - r2 (N-1) E11胃加E 1100B?作為實(shí)例，當(dāng)曝光劑量具有EUV劑量和DUV耀光劑量時，區(qū)域601接收F1XE1ieuv加E.Β的曝光劑量;并且區(qū)域602接收r
IlEUV ~~ QXE11euv 加 E 1100B
的曝光劑量；區(qū)域603接收E1ieuv - 2r2 XE1iei^P E _B的曝光劑量；......，以及區(qū)域60N接收 T1XE1ieot - r2 (N-1) E1ieuv加 E 11TOB的曝光劑量。
[0058]參照圖5和6B，方法500進(jìn)行至步驟506，通過具有相同的輻射的相同EUV掃描器利用LEUVR掩模200對襯底600實(shí)施第二曝光。在本實(shí)施例中，根據(jù)第二曝光劑量矩陣進(jìn)行第二曝光工藝。將第二曝光劑量矩陣配置成使得穿過LEUVR掩模200，零曝光劑量用于曝光第一區(qū)601，等于E11的曝光劑量E 22用于曝光第二區(qū)602 ;等于2E n的曝光劑量E 23用于曝光第三區(qū)603……，并且等于(N-1)E11的曝光劑量E 2N用于曝光第N區(qū)60N。
[0059]憑借LEUVR掩模200的第二 EUV反射率r2，第N區(qū)60N接收的曝光劑量接近r2X (N-1) En-和(N-1)E1100b?作為實(shí)例，區(qū)601接收零劑量；區(qū)602接收r2 X E11目和E 11DUV
的曝光劑量；區(qū)603接收2r2XEn麗和2E 11DOT的曝光劑量；.......，區(qū)60N接收r 2 (N-1) Eueuv
和(N-1) E1iduv的曝光劑量。在本實(shí)施例中，考慮到r 2基本上小，可以合理地估計區(qū)60N接收的曝光劑量接近A(N-1)E1■加(N-1)E 11QQB。
[0060]因此，在第一和第二曝光工藝之后，襯底600的每個區(qū)接收的總曝光劑量Et接近在這兩個分別通過兩個掩模的曝光中接收的EUV劑量和OOB耀光劑量的總和。考慮到OOB耀光劑量基本上小于EUV掃描器中的EUV劑量并且r2基本上小于r i，可以合理地估計區(qū)601接收的 En接近 r !XEueu^E1100b;E 602 接收的 ET 2接近 r WEIIei^E1100b;區(qū) 603 接收的 E τ3
接近......;區(qū)60N接收的E TN接近r WEuhjv+NXEl。例如，當(dāng)曝光劑量具有EUV劑量和DUV耀光劑量，區(qū)60N接收的Etn接近r