專利名稱：使用導(dǎo)電針用于光掩模的抗靜電方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于包括導(dǎo)電光屏蔽層的光掩模的抗靜電方法。
在電子束曝光裝置中，當(dāng)光掩模電子被充電時(shí)，電子束的軌跡被充電的電子彎折，從而不可能在光掩模上繪出準(zhǔn)確圖形。
另一方面，光掩模一般是通過(guò)玻璃基片、玻璃基片上的由Cr制成的光屏蔽層、光屏蔽層上的由CrO制成的反射避免(reflection avoiding)層，以及反射避免層上的電子束阻擋(resist)層制成的。這個(gè)光掩模放置在電子束曝光裝置的暗盒(cassette)中，用于在其上繪制圖形。
為避免光掩模中的電子，即其光屏蔽層中的電子被充電，在暗盒中被彈簧支撐的導(dǎo)電針插入光掩模中。這樣，在光屏蔽層充電的電子有效地從導(dǎo)電層放電。這種情況下，如果施加于導(dǎo)電針的力不夠，則不可能使導(dǎo)電針穿過(guò)電子束阻擋層和反射避免層。結(jié)果，導(dǎo)電針不會(huì)與光屏蔽層接觸。與此相反，如果施加于導(dǎo)電針的力太強(qiáng)，則過(guò)量的作用力作用到光掩模，結(jié)果，光掩模畸變或變形，從而也不可能在光掩模上繪成準(zhǔn)確的圖形。
在第一現(xiàn)有技術(shù)用于光掩模的抗靜電方法中，與光屏蔽層相比，反射避免層的尺寸減小了，結(jié)果導(dǎo)電針很容易地穿透電子束阻擋層，到達(dá)光屏蔽層，這是由于導(dǎo)電針下面沒有反射避免層(見JP-A-4-371952)。這將在后面詳細(xì)描述。
然而在第一現(xiàn)有技術(shù)光掩模中，通過(guò)汽化處理在光屏蔽層上形成反射避免層需要覆蓋光屏蔽層外周邊的夾具，所以反射避免層的厚度變得不均勻，特別是在這個(gè)夾具的邊緣周圍。
在第二現(xiàn)有技術(shù)光掩模中，導(dǎo)電針與電子束阻擋層接觸，另外，高電源電極穿透電子束阻擋層并到達(dá)光屏蔽層。此狀態(tài)中，當(dāng)高電源電壓施加于高電源電極時(shí)，在導(dǎo)電針和光屏蔽層之間的電子束阻擋層部分被靜電破壞，從而導(dǎo)電針與光屏蔽層接觸(見JP-A-2-125416)。這也將在后面詳細(xì)描述。然而第二現(xiàn)有技術(shù)光掩模，使裝置復(fù)雜化，所以制造成本高。
本發(fā)明的目的是提供一種用于光掩模的改進(jìn)的抗靜電方法。不需減小反射避免層的尺寸并且不需要復(fù)雜的裝置。
根據(jù)本發(fā)明，在用于包括導(dǎo)電光屏蔽層的光掩模的抗靜電方法中，至少兩個(gè)導(dǎo)電針插入光掩模，從而使導(dǎo)電針與導(dǎo)電光屏蔽層接觸。然后，光掩模放置在電子束曝光裝置的暗盒中。再通過(guò)導(dǎo)電板使導(dǎo)電針與暗盒電連接。這樣，在導(dǎo)電光屏蔽層被電子束充電的電子有效地從導(dǎo)電針向暗盒放電。
通過(guò)參照附圖并與現(xiàn)有技術(shù)對(duì)比，使本發(fā)明更清楚地被理解，其中圖1A是表示第一現(xiàn)有技術(shù)光掩模的平面圖；圖1B是沿圖1A中的線Ⅰ-Ⅰ截取的剖面圖；圖1C是其中設(shè)置有圖1A和1B的光掩模的電子束曝光裝置的暗盒平面圖；圖1D是在圖1C的導(dǎo)電針周轉(zhuǎn)的光掩模的剖面圖；圖2是第二現(xiàn)有技術(shù)光掩模的截面圖；圖3A是根據(jù)本發(fā)明導(dǎo)電針安裝裝置的透視圖；圖3B是根據(jù)本發(fā)明導(dǎo)電針支架的透視圖；圖3C是根據(jù)本發(fā)明光掩模的透視圖；圖4是沿圖3A的線Ⅳ-Ⅳ截面的剖面圖；圖5是沿圖3C的線Ⅴ-Ⅴ截取的剖面圖；圖6A、6B、6C和6D是用于解釋圖3A的導(dǎo)電針安裝裝置的操作的示意圖；圖7A是其中設(shè)置圖3C的光掩模的電子束曝光裝置的暗盒的平面圖；圖7B是沿圖7A的線Ⅶ-Ⅶ截取的剖面圖；在說(shuō)明優(yōu)選實(shí)施例之前，首先參照?qǐng)D1A、1B、1C、1D和圖2解釋現(xiàn)有技術(shù)光掩模。
圖1A表示第一現(xiàn)有技術(shù)光掩模，圖1B是沿圖1A的線Ⅰ-Ⅰ截取的剖面圖(見JP-A-4-371952)。在圖1A和1B中，參考標(biāo)記101表示其上形成由Cr制成的光屏蔽層102的玻璃基片。而且，在光屏蔽層102上形成CrO制成的反射避免層103，這樣，通過(guò)在晶片曝光處理過(guò)程中多次反射可以抑制圖形的準(zhǔn)確性的減少。此情況下，與光屏蔽層102相比，反射避免層103尺寸減小了，因而光屏蔽層102的外周邊暴露出來(lái)。
電子束阻擋層104，在圖1A和1B中未示出，但在圖1C和1D中示出了，涂覆在圖1A和1B的光掩模的整個(gè)表面上。然后，如圖1C所示，光掩模被設(shè)置在電子束曝光裝置的暗盒105中。然后在光掩模上設(shè)置導(dǎo)電板(彈簧)106。結(jié)果，由于在導(dǎo)電針106a的下面沒有反射避免層，如圖1D所示，所以導(dǎo)電板106的導(dǎo)電針106a很容易地穿透電子束阻擋層104，到達(dá)光屏蔽層102。這樣，在光屏蔽層被電子束充電的電子有效地從導(dǎo)電板106放電。
在如圖1A-1D所示的第一現(xiàn)有技術(shù)光掩模中，由于通過(guò)汽化處理在光屏蔽層102上形成反射避免層103需要覆蓋光屏蔽層102的外周邊的夾具，所以反射避免層103的厚度不均勻，特別是在這個(gè)夾具的邊緣周圍。
在表示第二現(xiàn)有技術(shù)光掩模的圖2中(見JP-A-2-125416)中，由玻璃基片201、Cr形成的光屏蔽層202和電子束阻擋層203形成的光掩模200放置在電子束曝光裝置的暗盒204上。應(yīng)指出，光掩?？梢园ㄔ诠馄帘螌?02和電子束阻擋層203之間的反射避免層(未示出)。而且，在暗盒204由彈簧片206支撐的導(dǎo)針205與電子束阻擋層203接觸。另外，高電源電極207穿透電子束阻擋層203并到達(dá)光屏蔽層202。在此狀態(tài)，當(dāng)高電源電壓施加于高電源電極207時(shí)，在導(dǎo)電針205和光屏蔽層202之間的部分電子束阻擋層203被靜電破壞，從而使導(dǎo)電針205與光屏蔽層202電接觸。然后，除去高電源電極207。這樣，在光屏蔽層202被電子束充電的電子有效地從導(dǎo)電針205放電。
然而，圖2中所示第二現(xiàn)有技術(shù)光掩模使裝置復(fù)雜，從而使制造成本增加。
下面參照


根據(jù)本發(fā)明的抗靜電系統(tǒng)的實(shí)施例。
圖3A是表示根據(jù)本發(fā)明導(dǎo)電針安裝裝置1的透視圖，圖3B是表示根據(jù)本發(fā)明導(dǎo)電針支架2的透視圖，圖3C是表示根據(jù)本發(fā)明光掩模3的透視圖。
圖3A的導(dǎo)電針安裝裝置1從圖3B所示的導(dǎo)電針支架2拾起導(dǎo)電針21并將導(dǎo)電針21安裝于圖3C所示的光掩模3上。
圖3A的導(dǎo)電針安裝裝置，將在下面詳細(xì)說(shuō)明。
基座11通過(guò)由滾筒或氣缸(未示出)驅(qū)動(dòng)的轉(zhuǎn)軸12是可動(dòng)的。也就是，轉(zhuǎn)軸12可以在垂直方向上下移動(dòng)，可以在水平方向移動(dòng)，并且沿著它的軸可轉(zhuǎn)動(dòng)。而且，兩吸臂13與基座11相連并與兩空氣吸管14相連，其中空氣吸管14與真空源(未示出)相連。每個(gè)吸臂13都是由具有吸墊15的空筒形成，用于吸取導(dǎo)電針21。吸墊15形成由微分子材料制成的空筒。
由Cu等材料制成的電阻探測(cè)針16固定于吸臂13的側(cè)面上；但是，電阻探測(cè)針16與吸臂13是電絕緣的。也即電阻探測(cè)針16除了它們端部外都被膠等覆蓋。因此，當(dāng)吸墊15與導(dǎo)電針21接觸時(shí)，電阻探測(cè)針16也與導(dǎo)電針21接觸。
電阻探測(cè)針16通過(guò)電線17與電阻測(cè)量計(jì)18連接，這樣就可檢測(cè)電阻探測(cè)針16之間的電阻。電阻測(cè)量計(jì)18可以顯示從零歐姆到無(wú)窮大歐姆的電阻值。
而且，在基座11上提供力調(diào)節(jié)單元19，用于調(diào)節(jié)施加于導(dǎo)電針的力。也即如表示沿圖3A的線Ⅳ-Ⅳ截取的剖面圖的圖4所示，每個(gè)力調(diào)節(jié)單元19由固定在基座11上的外殼191和在吸臂階狀部分13a推動(dòng)吸臂13的彈簧192。彈簧192被密封在外殼191中。這樣，施加于吸臂13的力可以通過(guò)彈簧192的張力調(diào)節(jié)。
參見圖3C，導(dǎo)電針21排成兩列，這樣圖3A的導(dǎo)電針安裝裝置可以容易地拾起導(dǎo)電針21。
圖3B的導(dǎo)電針21和圖3C的光掩模3將在下面參照?qǐng)D5詳細(xì)說(shuō)明。光掩模3是由玻璃基片31和Cr等制成的光屏蔽層32及CrO等制成的反射避免層33制成的。而且，在反射避免層33上淀積電子束阻擋層33。導(dǎo)電針21是具有至少一個(gè)錐形突起21a的圓形或多邊形。導(dǎo)電針21的錐形突起21a的圓形或多邊形。導(dǎo)電針21的錐形突起21a穿透電子束阻擋層34和反射避免層33并到達(dá)光屏蔽層32。這樣，在光屏蔽層32被電子束充電的電子有效地從導(dǎo)電針21放電。
下面參照?qǐng)D6A、6B、6C和6D說(shuō)明圖3A的導(dǎo)電針安裝裝置1的操作。
首先，參見圖6A，導(dǎo)電針安裝裝置1向下移動(dòng)到導(dǎo)電針支架2。結(jié)果，導(dǎo)電針支架2上的兩導(dǎo)電針21被吸臂13吸取。此情況下，由于在吸臂13的端部上存在絕緣吸墊15，所以吸臂13與導(dǎo)電針21電絕緣。另一方面，電阻探測(cè)針16與導(dǎo)電針21接觸，結(jié)果，電阻測(cè)量計(jì)18顯示主要由導(dǎo)電針支架2確定的例如1000Ω的電阻值。
其次，參見圖6B，導(dǎo)電針安裝裝置1向上運(yùn)動(dòng)。結(jié)果導(dǎo)電針21之間的連接斷開，從而電阻測(cè)量計(jì)18顯示例如∞Ω的電阻值。
接著，參見圖6C，導(dǎo)電針安裝裝置1向下移動(dòng)到光掩模3。這將繼續(xù)直到電阻測(cè)量計(jì)18顯示主要由光屏蔽層32確定的例如1000Ω的電阻值為止。也即，在此狀態(tài)下，突起21a穿透電子束阻擋層34和反射避免層33，到達(dá)光屏蔽層32(見圖5)。應(yīng)注意，施加于光掩模3的力由圖4所示的力調(diào)節(jié)單元19調(diào)節(jié)為最佳值。
最后，參見6D，停止由吸臂13對(duì)導(dǎo)電針21的吸取，并向上移動(dòng)導(dǎo)電針安裝裝置1。
此后，如圖6D所示安裝導(dǎo)電針21的光掩模3置于電子束曝光裝置的暗盒71中，如圖7A和7B所示。然后Cu制成的導(dǎo)電板(彈簧)72在導(dǎo)電針21和暗盒71之間耦合。這樣，在光掩模3的光屏蔽層32被充電的電子經(jīng)過(guò)導(dǎo)電板72從導(dǎo)電針21向暗盒71有效地放電。
圖5中，雖然施加于光掩模的力由使用彈簧192的力調(diào)節(jié)單元19調(diào)節(jié)，但是力調(diào)節(jié)單元19可以由使用空氣壓力或流體壓力的力調(diào)節(jié)單元代替。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，由于導(dǎo)電針穿透光掩模同時(shí)檢測(cè)其間的電阻，所以導(dǎo)電針可以可靠地與光屏蔽層接觸。結(jié)果在光屏蔽層被電子束充電的電子可以有效地從導(dǎo)電針放電。另外，由于施加于導(dǎo)電針的力由使用彈簧或其它類似物的力調(diào)節(jié)單元調(diào)節(jié)，所以可以避免施加給光掩模過(guò)量的力，這樣就防止了光掩模的變形。
權(quán)利要求
1．一種用于包括導(dǎo)電光屏蔽層(32)的光掩模(3)的抗靜電方法，包括以下步驟把至少兩上導(dǎo)電針插入所述光掩模，從而使所述導(dǎo)電針與所述導(dǎo)電光屏蔽層接觸；在把所述導(dǎo)電針插入所述光掩模之后把所述光掩模置于電子束曝光裝置的暗盒(71)中；通過(guò)導(dǎo)電板(72)把所述導(dǎo)電針電連接到所述暗盒，以使在所述導(dǎo)電光屏蔽層被電子束充電的電子有效地從所述導(dǎo)電針向所述暗盒放電。
2．如權(quán)利要求1的方法，還包括通過(guò)檢測(cè)所述導(dǎo)電針之間的電阻是否低于預(yù)定值來(lái)檢測(cè)所述導(dǎo)電針是否與所述導(dǎo)電光屏蔽層接觸的步驟。
3．如權(quán)利要求1的方法，其中所述插入步驟是通過(guò)對(duì)施加于所述光掩模的力進(jìn)行調(diào)節(jié)的力調(diào)節(jié)單元(19)把所述導(dǎo)電針插入所述光掩模的。
4．一種用于包括導(dǎo)電光屏蔽層(32)的光掩模(3)的抗靜電方法，包括以下步驟通過(guò)使用一個(gè)在其端部具有吸墊(15)的吸臂從導(dǎo)電針支架(2)拾取至少兩個(gè)導(dǎo)電針(21)，并使接觸電阻探測(cè)針(16)與所述導(dǎo)電針接觸；把所述導(dǎo)電針移動(dòng)到所述光掩模并將所述導(dǎo)電針插入所述光掩模，直到所述導(dǎo)電針之間的電阻值低于預(yù)定值為止；在將所述導(dǎo)電針插入所述光掩模之后使吸臂釋放所述導(dǎo)電針；在所述吸臂從所述導(dǎo)電針除去后把所述光掩模置于電子束曝光裝置的暗盒(71)中并將所述導(dǎo)電針電連接到所述暗盒上。
5．一種用于把抗靜電導(dǎo)電針(21)安裝于包括導(dǎo)電光屏蔽層(32)的光掩模(3)上的導(dǎo)電針安裝裝置，包括至少兩個(gè)吸臂(13)，用于吸取所述導(dǎo)電針；至少兩上電阻探測(cè)針(16)，每個(gè)分別設(shè)置于所述吸臂的側(cè)面，用于與所述導(dǎo)電針電接觸；電阻測(cè)量計(jì)(18)，與所述電阻探測(cè)針相連，用于探測(cè)所述電阻探測(cè)針之間的電阻值。
6．如權(quán)利要求5的裝置，還包括至少兩個(gè)絕緣吸墊(15)，其每個(gè)設(shè)置在所述吸臂的一端。
7．如權(quán)利要求5的裝置，還包括至少兩個(gè)力調(diào)節(jié)單元(19)，其每個(gè)為所述吸臂之一提供，用于調(diào)節(jié)由所述吸臂之一施加于所述光掩模的力。
8．如權(quán)利要求7的裝置，其中每個(gè)所述力調(diào)節(jié)單元包括用于推動(dòng)所述吸臂之一的彈簧(192)。
9．一種用于電子束裝置中的光掩模(3)的抗靜電導(dǎo)電針，其特征在于，它是具有至少一個(gè)錐形突起(21a)的圓形的。
10．一種用于電子束裝置中的光掩模(3)的抗靜電導(dǎo)電針，其特征在于它是具有至少一個(gè)錐形突起(21a)的多邊形的。
全文摘要
在用于包括導(dǎo)電光屏蔽層(32)的光掩模(3)的抗靜電方法中,至少兩個(gè)導(dǎo)電針插入光掩模,從而導(dǎo)電針與導(dǎo)電光屏蔽層接觸。然后,光掩模被置于電子束曝光裝置的暗盒(71)中。再通過(guò)導(dǎo)電板(72)使導(dǎo)電針與暗盒電連接。這樣,在導(dǎo)電光屏蔽層被電子束充電的電子有效地從導(dǎo)電針向暗盒放電。
文檔編號(hào)G03F1/20GK1209641SQ9811763
公開日1999年3月3日 申請(qǐng)日期1998年8月24日 優(yōu)先權(quán)日1997年8月22日
發(fā)明者山崎浩 申請(qǐng)人:日本電氣株式會(huì)社