技術(shù)特征：

1.一種新型的耐輻照光纖，其特征在于，包括由內(nèi)到外依次設(shè)置的摻氯纖芯、摻氟內(nèi)包層和純sio2外包層，所述摻氯纖芯的折射率大于純sio2外包層的折射率，純sio2外包層的折射率大于摻氟內(nèi)包層的折射率，所述摻氯纖芯與純sio2的折射率差與摻氟包與純sio2的折射率差形成光纖基模的主導(dǎo)光面，所述摻氟內(nèi)包層由二氧化硅摻氟降低折射率而形成導(dǎo)波結(jié)構(gòu)，所述摻氯纖芯和摻氟內(nèi)包層在界面粘度匹配以消除或減小界面的不規(guī)整性從而減小輻致?lián)p耗。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型的耐輻照光纖，其特征在于，所述纖芯與二氧化硅的相對折射率差為，纖芯粘度為，摻氟內(nèi)包層與二氧化硅的相對折射率差為，摻氟內(nèi)包層粘度為，則可根據(jù)下式進行粘度匹配的計算：；，粘度匹配時，必需滿足下列條件，，最終得到以下公式：，，為芯/包折射率差。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種新型的耐輻照光纖，通過用VAD法制作纖芯，用POVD工藝完成摻氟內(nèi)包層及純SiO2外包層，最后經(jīng)過拉絲工藝制得新型的耐輻照光纖。新型的耐輻照光纖包括由內(nèi)到外依次設(shè)置的摻氯纖芯、摻氟內(nèi)包層和純SiO<subgt;2</subgt;外包層，摻氯纖芯和摻氟內(nèi)包層在界面粘度匹配以消除或減小界面的不規(guī)整性從而減小輻致?lián)p耗。通過上述方式，本技術(shù)新型的耐輻照光纖，通過摻氯纖芯、摻氟包層的界面粘度匹配，來消除或減小界面的不規(guī)整性，從而減少“色心”的形成，使光纖的輻致?lián)p耗能顯著減小，其耐輻射性能顯著提高。

技術(shù)研發(fā)人員：陳炳炎,黎鏡鋒
受保護的技術(shù)使用者：上海天誠通信技術(shù)股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240513
技術(shù)公布日：2024/12/19