1.一種化學(xué)增幅正型抗蝕劑組成物，包含：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)增幅正型抗蝕劑組成物，其中，該光酸產(chǎn)生劑是下式(a1)表示者；
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)增幅正型抗蝕劑組成物，其中，z+為下式(cation-1)表示的锍陽離子或下式(cation-2)表示的錪陽離子；
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)增幅正型抗蝕劑組成物，其中，ral為下式(al-1)或(al-2)表示的基團(tuán)；
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)增幅正型抗蝕劑組成物，其中，該聚合物更包含選自下式(b2)表示的重復(fù)單元及下式(b3)表示的重復(fù)單元中的至少1種；
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)增幅正型抗蝕劑組成物，其中，該聚合物更包含下式(b4)表示的重復(fù)單元；
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)增幅正型抗蝕劑組成物，其中，該聚合物包含選自于下式(b5)表示的重復(fù)單元、下式(b6)表示的重復(fù)單元及下式(b7)表示的重復(fù)單元中的至少1種；
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)增幅正型抗蝕劑組成物，其中，該聚合物更包含選自于下式(b8)表示的重復(fù)單元、下式(b9)表示的重復(fù)單元、下式(b10)表示的重復(fù)單元及下式(b11)表示的重復(fù)單元中的至少1種；
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)增幅正型抗蝕劑組成物，更包含有機(jī)溶劑。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)增幅正型抗蝕劑組成物，更包含含有選自于下式(d1)表示的重復(fù)單元、下式(d2)表示的重復(fù)單元、下式(d3)表示的重復(fù)單元及下式(d4)表示的重復(fù)單元中的至少1種，且亦可更含有選自于下式(d5)表示的重復(fù)單元及下式(d6)表示的重復(fù)單元中的至少1種的含氟原子的聚合物；
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)增幅正型抗蝕劑組成物，更包含淬滅劑。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)增幅正型抗蝕劑組成物，更包含式(a)表示的光酸產(chǎn)生劑以外的光酸產(chǎn)生劑。
13.一種抗蝕劑圖案形成方法，包括下列步驟：
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的抗蝕劑圖案形成方法，其中，該高能射線為極紫外線或電子束。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的抗蝕劑圖案形成方法，其中，該基板的最表面是由包含選自于鉻、硅、鉭、鉬、鈷、鎳、鎢及錫中的至少1種的材料所構(gòu)成的。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的抗蝕劑圖案形成方法，其中，該基板是穿透型或反射型空白掩膜。
17.一種穿透型或反射型空白掩膜，其涂布了根據(jù)權(quán)利要求1至12中任一項(xiàng)所述的化學(xué)增幅正型抗蝕劑組成物。