技術(shù)編號：40442957
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明關(guān)于化學(xué)增幅正型抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案形成方法。背景技術(shù)、近年，伴隨集成電路的高整合化，要求更微細的圖案形成，在.μm以下的圖案的加工中，主要使用將酸作為催化劑的化學(xué)增幅抗蝕劑組成物。又，就此時的曝光源而言，使用紫外線、遠紫外線、極紫外線(euv)、電子束(eb)等高能射線，尤其被利用作為超微細加工技術(shù)的eb光刻，就制作半導(dǎo)體制造用的光掩膜時的空白光掩膜的加工方法而言亦為不可或缺。、eb光刻中，以eb所為的描畫，一般是不使用掩膜而進行的。若為正型的情形，則會采用對欲殘留抗蝕劑膜的...
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