本實用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，更為具體的說，涉及一種陣列基板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

隨著信息技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器在信息科學(xué)的各個方面得到了廣泛的應(yīng)用，例如，由于薄膜晶體管液晶顯示器具有輕、薄、耗電低等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于電視、筆記本電腦、移動電話、個人數(shù)字助理等現(xiàn)代信息設(shè)備中。目前，液晶顯示器在市場上的應(yīng)用越來越重要。陣列基板為液晶顯示裝置的重要組成部件之一，其包括有多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線，且柵極線和數(shù)據(jù)線交叉限定多個像素單元。其中，每一像素單元中包括有一驅(qū)動晶體管和一像素電極。在顯示畫面時，柵極線驅(qū)動晶體管導(dǎo)通，而后晶體管將數(shù)據(jù)線發(fā)送的信號傳輸至像素電極，一達到顯示畫面的目的。由于驅(qū)動晶體管區(qū)域為遮光區(qū)域，故而驅(qū)動晶體管的結(jié)構(gòu)設(shè)計直接影響像素單元的開口率，因此對驅(qū)動晶體管的結(jié)構(gòu)設(shè)計是現(xiàn)今技術(shù)人員的主要研究方向之一。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本實用新型提供了一種陣列基板及顯示裝置，驅(qū)動晶體管的半導(dǎo)體層包括條形部、第一連接部和第二連接部三部分組成，將條形部設(shè)置于像素電極在第一方向上的一側(cè)，以將柵極與條形部的交疊區(qū)域設(shè)置于像素電極在第一方向上的一側(cè)，以提高像素電極在第一方向上兩側(cè)的利用率，而可以使像素電極在第二方向上擴大面積，進而提升像素單元的開口率，提高顯示裝置的顯示效果。

為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供的技術(shù)方案如下：

一種陣列基板，包括沿第一方向排列的多個像素電極列和多條數(shù)據(jù)線，每一所述數(shù)據(jù)線對應(yīng)一所述像素電極列，且所述數(shù)據(jù)線沿第二方向延伸，所述第一方向和第二方向交叉，所述數(shù)據(jù)線通過一驅(qū)動晶體管與相應(yīng)所述像素電極列中一像素電極相連，其中，所述驅(qū)動晶體管包括：

半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層包括沿第二方向延伸的條形部、在所述第二方向上與所述條形部的第一端連通的第一連接部和在所述第一方向上與所述條形部的第二端連通的第二連接部；

與所述條形部絕緣交疊設(shè)置的柵極；

以及，與所述第一連接部接觸設(shè)置的第一電極，和與所述第二連接部接觸設(shè)置的第二電極，其中，所述第一電極連接所述數(shù)據(jù)線，所述第二電極連接所述像素電極。

可選的，在所述第二方向上，所述第二連接部位于所述像素電極列中，相鄰兩個像素電極之間的區(qū)域。

可選的，所述柵極包括與所述條形部絕緣交疊、且沿所述第二方向排列的第一交疊部和第二交疊部，和連通所述第一交疊部和第二交疊部的連通部。

可選的，所述連通部將所述第一交疊部和第二交疊部的同側(cè)一端相連，其中，所述第一交疊部、第二交疊部和連通部組成的柵極呈U形。

可選的，在所述陣列基板的出光方向上，位于所述半導(dǎo)體層下方還設(shè)置有遮光層；

其中，所述遮光層與所述條形部交疊。

可選的，所述數(shù)據(jù)線與所述第一電極位于同一金屬層，所述數(shù)據(jù)線復(fù)用所述第一電極，且所述數(shù)據(jù)線在所述第二方向上與所述條形部交疊設(shè)置。

可選的，每一所述像素電極列沿所述第二方向均包括第一像素電極至第N像素電極，N為不小于1的整數(shù)；

其中，在與所有所述像素電極列的第i像素電極連接的所有驅(qū)動晶體管中，分別與相鄰兩所述第i像素電極連接的兩個驅(qū)動晶體管，其分別對應(yīng)的柵極相互連接，以形成所述陣列基板的第i柵極線，i為不大于N的正整數(shù)。

可選的，在所述柵極呈U形時，連接到所述第i柵極線的相鄰兩個所述柵極，其U形的開口朝向相反。

可選的，所述多個像素電極列定義為第一像素電極列至第M像素電極列，且每一所述像素電極列沿所述第二方向均包括第一像素電極至第N像素電極，N為不小于1的整數(shù)，M為不小于2的整數(shù)；

其中，所有偶數(shù)的像素電極列的所有像素電極呈陣列排列，所有奇數(shù)的像素電極列的所有像素電極呈陣列排列，且所述偶數(shù)的像素電極列的第i像素電極所在區(qū)域，與所述奇數(shù)的像素電極列的第i像素電極所在區(qū)域在所述第二方向上錯位排列，i為不大于N的正整數(shù)。

可選的，連接到所述第i柵極線的相鄰兩個柵極通過一連接線相連通；

其中，在連接到所述第i柵極線的相鄰兩個所述連接線中，一所述連接線位于與其相應(yīng)的像素電極列的所述第i像素電極和第i+1像素電極之間，另一所述連接線自與其相應(yīng)的像素電極列的所述第i像素電極所在區(qū)域絕緣橫穿。

可選的，所述陣列基板包括：

承載基板；

位于所述承載基板一側(cè)的有源層，所述有源層包括所述半導(dǎo)體層；

位于所述有源層背離所述承載基板一側(cè)的柵絕緣層；

位于所述柵絕緣層背離所述承載基板一側(cè)的第一金屬層，所述第一金屬層包括所述柵極；

位于所述第一金屬層背離所述承載基板一側(cè)的隔離層；

以及，位于所述隔離層背離所述承載基板一側(cè)的第二金屬層，所述第二金屬層包括第一電極和第二電極，其中，所述第一電極和第二電極分別通過過孔與所述第一連接部和第二連接部相接觸設(shè)置。

可選的，所述陣列基板包括：

承載基板；

位于所述承載基板一側(cè)的第一金屬層，所述第一金屬層包括所述柵極；

位于所述第一金屬層背離所述承載基板一側(cè)的柵絕緣層；

位于所述柵絕緣層背離所述承載基板一側(cè)的有源層，所述有源層包括所述半導(dǎo)體層；

位于所述有源層背離所述承載基板一側(cè)的第二金屬層，所述第二金屬層包括第一電極和第二電極，其中，所述第一電極和第二電極分別與所述第一連接部和第二連接部相接觸設(shè)置。

相應(yīng)的，本實用新型還提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述的陣列基板。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實用新型提供的技術(shù)方案至少具有以下優(yōu)點：

本實用新型提供了一種陣列基板及顯示裝置，包括沿第一方向排列的多個像素電極列和多條數(shù)據(jù)線，每一所述數(shù)據(jù)線對應(yīng)一所述像素電極列，且所述數(shù)據(jù)線沿第二方向延伸，所述第一方向和第二方向交叉，所述數(shù)據(jù)線通過一驅(qū)動晶體管與相應(yīng)所述像素電極列中一像素電極相連，其中，所述驅(qū)動晶體管包括：半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層包括沿第二方向延伸的條形部、在所述第二方向上與所述條形部的第一端連通的第一連接部和在所述第一方向上與所述條形部的第二端連通的第二連接部；與所述條形部絕緣交疊設(shè)置的柵極；以及，與所述第一連接部接觸設(shè)置的第一電極，和與所述第二連接部接觸設(shè)置的第二電極，其中，所述第一電極連接所述數(shù)據(jù)線，所述第二電極連接所述像素電極。

由上述內(nèi)容可知，本實用新型提供的技術(shù)方案，驅(qū)動晶體管的半導(dǎo)體層包括條形部、第一連接部和第二連接部三部分組成，將條形部設(shè)置于像素電極在第一方向上的一側(cè)，以將柵極與條形部的交疊區(qū)域設(shè)置于像素電極在第一方向上的一側(cè)，以提高像素電極在第一方向上兩側(cè)的利用率，而可以使像素電極在第二方向上擴大面積，進而提升像素單元的開口率，提高顯示裝置的顯示效果。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1a為本申請實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1b為圖1a中一驅(qū)動晶體管區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2a為本申請實施例提供的另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2b為圖2a中一驅(qū)動晶體管區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本申請實施例提供的一種數(shù)據(jù)線和半導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本申請實施例提供的一種柵極線的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本申請實施例提供的又一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本申請實施例提供的一種頂柵型陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本申請實施例提供的一種底柵型陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本申請實施例提供的一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

正如背景技術(shù)所述，陣列基板為液晶顯示裝置的重要組成部件之一，其包括有多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線，且柵極線和數(shù)據(jù)線交叉限定多個像素單元。其中，每一像素單元中包括有一驅(qū)動晶體管和一像素電極。在顯示畫面時，柵極線驅(qū)動晶體管導(dǎo)通，而后晶體管將數(shù)據(jù)線發(fā)送的信號傳輸至像素電極，以達到顯示畫面的目的。由于驅(qū)動晶體管區(qū)域不能進行顯示，為遮光區(qū)域，故而驅(qū)動晶體管的結(jié)構(gòu)設(shè)計直接影響像素單元的開口率，因此對驅(qū)動晶體管的結(jié)構(gòu)設(shè)計是現(xiàn)今技術(shù)人員的主要研究方向之一。

基于此，本申請實施例提供了一種陣列基板及顯示裝置，驅(qū)動晶體管的半導(dǎo)體層包括條形部、第一連接部和第二連接部三部分組成，將條形部設(shè)置于像素電極在第一方向上的一側(cè)，以將柵極與條形部的交疊區(qū)域設(shè)置于像素電極在第一方向上的一側(cè)，以提高像素電極在第一方向上兩側(cè)的利用率，而可以使像素電極在第二方向上擴大面積，進而提升像素單元的開口率，提高顯示裝置的顯示效果。為實現(xiàn)上述目的，本申請實施例提供的技術(shù)方案如下，具體結(jié)合圖1a至圖8所示，對本申請實施例提供的技術(shù)方案進行詳細的描述。

結(jié)合圖1a和圖1b所示，圖1a為本申請實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖1b為圖1a中一驅(qū)動晶體管區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，陣列基板包括：

沿第一方向X排列的多個像素電極列P和多條數(shù)據(jù)線Data，每一所述數(shù)據(jù)線Data對應(yīng)一所述像素電極列P，且所述數(shù)據(jù)線Data沿第二方向Y延伸，所述第一方向X和第二方向Y交叉，所述數(shù)據(jù)線Data通過一驅(qū)動晶體管TFT與相應(yīng)所述像素電極列中一像素電極Pi相連，其中，所述驅(qū)動晶體管TFT包括：

半導(dǎo)體層100，所述半導(dǎo)體層100包括沿第二方向Y延伸的條形部110、在所述第二方向Y上與所述條形部110的第一端連通的第一連接部101和在所述第一方向X上與所述條形部110的第二端連通的第二連接部102；

與所述條形部110絕緣交疊設(shè)置的柵極200；

以及，與所述第一連接部101接觸設(shè)置的第一電極301，和與所述第二連接部102接觸設(shè)置的第二電極302，其中，所述第一電極連301接所述數(shù)據(jù)線Data，所述第二電極302連接所述像素電極Pi。

在顯示裝置中，像素電極在第一方向X上的兩側(cè)均對應(yīng)為非透光區(qū)域，該側(cè)區(qū)域可以設(shè)計一些部件結(jié)構(gòu)，以充分對其進行利用。故而，由上述內(nèi)容可知，本申請實施例提供的技術(shù)方案，驅(qū)動晶體管的半導(dǎo)體層包括條形部、第一連接部和第二連接部三部分組成，將條形部設(shè)置于像素電極在第一方向上的一側(cè)，以將柵極與條形部的交疊區(qū)域設(shè)置于像素電極在第一方向上的一側(cè)，以提高像素電極在第一方向上兩側(cè)的利用率，而可以使像素電極在第二方向上擴大面積，進而提升像素單元的開口率，提高顯示裝置的顯示效果。

在本申請一實施例中，具體參考圖1a所示，在所述第二方向Y上，所述第二連接部102位于所述像素電極列中，相鄰兩個像素電極Pi之間的區(qū)域。此外，第二連接部102還可以為與其他區(qū)域，對此本申請不做具體限制，需要根據(jù)實際應(yīng)用進行設(shè)計。

在本申請一實施例中，驅(qū)動晶體管TFT可以優(yōu)選為雙溝道驅(qū)動晶體管，即參考圖1b所示，所述柵極200包括與所述條形部110絕緣交疊、且沿所述第二方向Y排列的第一交疊部201和第二交疊部202，和連通所述第一交疊部201和第二交疊部202的連通部203。

其中，本申請實施例提供的所述連通部203將所述第一交疊部201和第二交疊部202的同側(cè)一端相連，其中，所述第一交疊部201、第二交疊部202和連通部203組成的柵極200呈U形。采用U形設(shè)計，呈雙柵結(jié)構(gòu)，可以減小驅(qū)動晶體管TFT的漏電流，提高驅(qū)動晶體管TFT的穩(wěn)定性，提升顯示性能。

進一步的，為了避免驅(qū)動晶體管TFT受光照影響，且保證驅(qū)動晶體管TFT的導(dǎo)通和截止能力更強，在本申請一實施例中，還可以在半導(dǎo)體層下方設(shè)置一遮光層。具體結(jié)合圖2a和圖2b所示，圖2a為本申請實施例提供的另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2b為圖2a中一驅(qū)動晶體管區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，在所述陣列基板的出光方向上，位于所述半導(dǎo)體層100下方還設(shè)置有遮光層400；

其中，所述遮光層400與所述條形部110交疊。

在本申請一實施例中，參考圖2b所示，在柵極為U形柵極200時，遮光層400的覆蓋區(qū)域至少包括有柵極200的第一交疊部201和第二交疊部202分別與條形部110的交疊區(qū)域，以及，包括有第一交疊部201和第二交疊部202之間對應(yīng)的條形部110的區(qū)域，進而避免驅(qū)動晶體管TFT的溝道受光照影響，保證驅(qū)動晶體管TFT的導(dǎo)通和截止能力強。

在本申請一實施例中，數(shù)據(jù)線Data和第一電極301可以由同一金屬層制作而成，進而數(shù)據(jù)線Data可以復(fù)用第一電極301。參考圖3所示，為本申請實施例提供的一種數(shù)據(jù)線和半導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，所述數(shù)據(jù)線Data與所述第一電極301位于同一金屬層，所述數(shù)據(jù)線Data復(fù)用所述第一電極301，且所述數(shù)據(jù)線Data在所述第二方向Y上與所述條形部110交疊設(shè)置。

需要說明的是，在本申請實施例提供的數(shù)據(jù)線Data中，其在第一電極301處的區(qū)域?qū)挾瓤梢耘c數(shù)據(jù)線Data本身寬度相同，還可以大于或小于數(shù)據(jù)線Data本身的寬度，對此本申請不做具體限制，需要根據(jù)實際應(yīng)用進行具體設(shè)計。

以及，在本申請一實施例中，柵極線可以由柵極200之間相互連接組成，參考圖4所示，為本申請實施例提供的一種柵極線的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，每一所述像素電極列沿所述第二方向Y均包括第一像素電極至第N像素電極，N為不小于1的整數(shù)；

其中，在所有所述像素電極列的第i像素電極連接的所有驅(qū)動晶體管TFT中，分別與相鄰兩所述第i像素電極連接的兩個驅(qū)動晶體管TFT，其分別對應(yīng)的柵極200相互連接，以形成所述陣列基板的第i柵極線，i為不大于N的正整數(shù)。其中，結(jié)合圖4所示，相鄰兩個柵極200之間通過一連接線210相連通，進而形成柵極線。

在本申請一實施例中，在所述柵極200呈U形時，連接到所述第i柵極線的相鄰兩個所述柵極200，其U形的開口朝向相反，對此本申請實施例不做具體限制，需要根據(jù)實際應(yīng)用進行具體設(shè)計。采用朝向相反的兩個U形柵極，在保證第一交疊部和第二交疊部之間的距離的同時，還可以靈活控制相鄰兩個驅(qū)動晶體管TFT的柵極的連接位置，配合像素電極的交錯排布，最大化提高開口率。

參考圖5所示，為本申請實施例提供的又一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，所述多個像素電極列定義為第一像素電極列P1至第M像素電極列Pm，且每一所述像素電極列沿所述第二方向Y均包括第一像素電極Pi1至第N像素電極Pin，N為不小于1的整數(shù)，M為不小于2的整數(shù)(其中，以N為4，M為3進行舉例說明)；

其中，所有偶數(shù)的像素電極列的所有像素電極呈陣列排列，所有奇數(shù)的像素電極列的所有像素電極呈陣列排列，且所述偶數(shù)的像素電極列的第i像素電極所在區(qū)域，與所述奇數(shù)的像素電極列的第i像素電極所在區(qū)域在所述第二方向Y上錯位排列，i為不大于N的正整數(shù)。如圖5所示，奇數(shù)的像素電極列均超出于偶數(shù)的像素電極列，以適用于SPR(Sub Pixel Rendering，子像素渲染處理)技術(shù)類像素排布的顯示裝置，提高顯示面板的顯示分辨率，提升顯示效果。

在本申請一實施例中，連接到所述第i柵極線的相鄰兩個柵極通過一連接線相連通；

其中，在連接到所述第i柵極線的相鄰兩個所述連接線中，一所述連接線位于與其相應(yīng)的像素電極列的所述第i像素電極和第i+1像素電極之間，另一所述連接線自與其相應(yīng)的像素電極列的所述第i像素電極所在區(qū)域絕緣橫穿。其中，參考圖5所示，分別定義為在第一方向X上相鄰兩個連接線分別為連接線211和連接線212，其中，連接線211位于第一像素電極列P1的第一像素電極Pi1和第二像素電極Pi2之間；以及，連接線212自第二像素電極列P2的第一像素電極Pi1所在區(qū)域絕緣橫穿。

在本申請實施例提供的陣列基板中，其可以為頂柵型陣列基板，即驅(qū)動晶體管TFT可以為頂柵型驅(qū)動晶體管；還可以為底柵型陣列基板，即，驅(qū)動晶體管TFT可以為底柵型驅(qū)動晶體管，對此本申請不做具體限制。具體參考圖6所示，為本申請實施例提供的一種頂柵型陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，所述陣列基板包括：

承載基板10；

位于所述承載基板10一側(cè)的有源層，所述有源層包括所述半導(dǎo)體層100；

位于所述有源層背離所述承載基板10一側(cè)的柵絕緣層20；

位于所述柵絕緣層20背離所述承載基板10一側(cè)的第一金屬層，所述第一金屬層包括所述柵極200；

位于所述第一金屬層背離所述承載基板10一側(cè)的隔離層30；

以及，位于所述隔離層30背離所述承載基板10一側(cè)的第二金屬層，所述第二金屬層包括第一電極301和第二電極302，其中，所述第一電極301和第二電極302分別通過過孔與所述第一連接部101和第二連接部102相接觸設(shè)置。

以及，在第二金屬層背離承載基板10一側(cè)還具有另一隔離層40，且位于隔離層40背離承載基板10一側(cè)具有像素電極Pi，像素電極Pi與第二電極302相接觸連通。

以及，參考圖7所示，為本申請實施例提供的一種底柵型陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，所述陣列基板包括：

承載基板10；

位于所述承載基板10一側(cè)的第一金屬層，所述第一金屬層包括所述柵極200；

位于所述第一金屬層背離所述承載基板10一側(cè)的柵絕緣層50；

位于所述柵絕緣層50背離所述承載基板10一側(cè)的有源層，所述有源層包括所述半導(dǎo)體層100；

位于所述有源層背離所述承載基板10一側(cè)的第二金屬層，所述第二金屬層包括第一電極301和第二電極302，其中，所述第一電極301和第二電極302分別與所述第一連接部101和第二連接部102相接觸設(shè)置。

以及，在第二金屬層背離承載基板10一側(cè)還具有另一隔離層60，且位于隔離層60背離承載基板10一側(cè)具有像素電極Pi，像素電極Pi與第二電極302相接觸連通。

相應(yīng)的，本申請實施例還提供了一種顯示裝置，具體參考圖8所示，為本申請實施例提供的一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，所述顯示裝置包括具有上述任意一實施例提供的陣列基板的顯示面板1000；

以及，在顯示裝置為液晶顯示裝置時，顯示裝置還包括為顯示面板1000提供背光源(如箭頭所示)的背光源模組2000。

需要說明的是，本申請對于提供的顯示裝置的類型不做具體限制，如在本申請其他實施例中，顯示裝置還可以為有機發(fā)光顯示裝置。

本申請實施例提供了一種陣列基板及顯示裝置，包括沿第一方向排列的多個像素電極列和多條數(shù)據(jù)線，每一所述數(shù)據(jù)線對應(yīng)一所述像素電極列，且所述數(shù)據(jù)線沿第二方向延伸，所述第一方向和第二方向交叉，所述數(shù)據(jù)線通過一驅(qū)動晶體管與相應(yīng)所述像素電極列中一像素電極相連，其中，所述驅(qū)動晶體管包括：半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層包括沿第二方向延伸的條形部、在所述第二方向上與所述條形部的第一端連通的第一連接部和在所述第一方向上與所述條形部的第二端連通的第二連接部；與所述條形部絕緣交疊設(shè)置的柵極；以及，與所述第一連接部接觸設(shè)置的第一電極，和與所述第二連接部接觸設(shè)置的第二電極，其中，所述第一電極連接所述數(shù)據(jù)線，所述第二電極連接所述像素電極。

由上述內(nèi)容可知，本申請實施例提供的技術(shù)方案，驅(qū)動晶體管的半導(dǎo)體層包括條形部、第一連接部和第二連接部三部分組成，將條形部設(shè)置于像素電極在第一方向上的一側(cè)，以將柵極與條形部的交疊區(qū)域設(shè)置于像素電極在第一方向上的一側(cè)，以提高像素電極在第一方向上兩側(cè)的利用率，而可以使像素電極在第二方向上擴大面積，進而提升像素單元的開口率，提高顯示裝置的顯示效果。

對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實用新型。對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實用新型的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本實用新型將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。