本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)，具體地涉及一種陣列基板、陣列基板的制備方法和液晶面板。

背景技術(shù)：

在平板顯示器中，薄膜晶體管液晶顯示器(thinfilmtransistorliquidcrystaldisplay,tft-lcd)具有體積小、無(wú)輻射和制造成本相對(duì)較低等特點(diǎn)，在當(dāng)前的平板顯示器市場(chǎng)占據(jù)了主導(dǎo)地位。tft-lcd通常包括液晶面板和背光模組(也可稱(chēng)為背光源)。液晶面板本身并不發(fā)光，它顯示圖形或字符是它對(duì)光線調(diào)制的結(jié)果。背光模組為tft-lcd的關(guān)鍵零組件之一，是位于薄膜晶體管液晶顯示器背后的一種光源，能夠?yàn)橐壕姘逄峁┚鶆?、高亮度的光源，使tft-lcd能正常顯示影像。背光模組主要由光源、導(dǎo)光板、光學(xué)用膜片和塑膠框等組成。背光源具有亮度高，壽命長(zhǎng)、發(fā)光均勻等特點(diǎn)，而背光模組的發(fā)光效果將直接影響到薄膜晶體管液晶顯示器的視覺(jué)效果。

現(xiàn)有的液晶面板主要包括相對(duì)設(shè)置的陣列基板、彩膜基板以及設(shè)置于所述陣列基板和所述彩膜基板之間的液晶層。由于受被動(dòng)發(fā)光方式的制約，tft-lcd的功耗尤其是大尺寸的tft-lcd的功耗比較高。陣列基板的掃描線一般采用鋁釹/鉬(alnd/mo)復(fù)合材料制作，其本身不能被光所透過(guò)，因此背光源在向外界傳輸?shù)哪芰康膿p耗除了在穿透偏光片和液晶材料中損失掉，還有很大一部分光被陣列基板的掃描線、柵極遮擋并吸收掉，因此大大降低了背光的利用效率，由此增加了tft-lcd的功耗。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)存在的由于陣列基板中的柵極吸收光而使得背光源的利用效率較低的問(wèn)題，提供一種陣列基板，該陣列基板能夠?qū)⒔?jīng)過(guò)柵極的光反射回去，從而提高了背光源的利用效率。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明一方面提供一種陣列基板，所述陣列基板包括襯底基板、形成于所述襯底基板上的以陣列形式分布的多個(gè)像素單元，每個(gè)所述像素單元包括薄膜晶體管開(kāi)關(guān)，其中，所述薄膜晶體管開(kāi)關(guān)包括形成于所述襯底基板上的柵極，所述柵極包括形成于所述襯底基板上的第一反光層。

優(yōu)選地，所述柵極包括形成于所述第一反光層上方的第一透明導(dǎo)電層。

優(yōu)選地，所述第一反光層由反光金屬材料制備形成，所述反光金屬材料選自al和ag中的一種，和/或所述第一透明導(dǎo)電層由金屬氧化物制備形成，所述金屬氧化物選自ito和igzo中的一種。

優(yōu)選地，所述第一反光層的厚度為100nm-350nm，并且/或者，所述第一透明導(dǎo)電層的厚度為10nm-100nm。

優(yōu)選地，所述薄膜晶體管開(kāi)關(guān)包括依次形成于所述柵極上方的柵絕緣層、半導(dǎo)體層、源漏電極層和鈍化保護(hù)層。

優(yōu)選地，所述源漏電極層包括間隔設(shè)置于所述半導(dǎo)體層的表面的源極和漏極。

優(yōu)選地，每個(gè)所述像素單元包括存儲(chǔ)電容部，所述存儲(chǔ)電容部包括依次形成于所述襯底基板上的存儲(chǔ)電容下極板、電介質(zhì)層以及穿過(guò)設(shè)置于所述鈍化保護(hù)層表面的通孔與所述漏極電氣連接的像素電極層。

優(yōu)選地，所述存儲(chǔ)電容下極板包括形成于所述襯底基板上的第二反光層。

優(yōu)選地，所述存儲(chǔ)電容下極板包括形成于所述第二反光層的上方的第二透明導(dǎo)電層。

優(yōu)選地，所述第二反光層由反光金屬材料制備形成，所述反光金屬材料選自al和ag中的一種，和/或所述第二透明導(dǎo)電層由金屬氧化物制備形成，所述金屬氧化物選自ito和igzo中的一種。

優(yōu)選地，所述電介質(zhì)層包括依次形成于所述存儲(chǔ)電容下極板上方的絕緣層和保護(hù)層，所述絕緣層與所述柵絕緣層形成一體結(jié)構(gòu)，所述保護(hù)層與所述鈍化保護(hù)層形成一體結(jié)構(gòu)。

在上述技術(shù)方案中，通過(guò)在所述襯底基板上設(shè)置含有所述第一反光層的所述柵極，從而使得由背光源發(fā)出的光經(jīng)過(guò)所述陣列基板時(shí)，所述柵極能夠?qū)⒔?jīng)過(guò)自身的光反射回去，這樣，當(dāng)將該陣列基板應(yīng)用于液晶面板中時(shí)，能夠提高背光源的利用效率，同時(shí)降低液晶面板的顯示功耗。另外，由于能夠?qū)⒔?jīng)過(guò)所述陣列基板的柵極的部分光反射回去，這樣減少了光照對(duì)所述陣列基板的電學(xué)特性的影響，由此大大降低了所述陣列基板因受到光照影響而產(chǎn)生較大漏電流的幾率。

本發(fā)明第二面提供一種陣列基板的制備方法，所述陣列基板的制備方法包括以下步驟：

s10、在襯底基板上依次沉積第一材料和透明導(dǎo)電材料并構(gòu)圖形成能夠反光的柵極和存儲(chǔ)電容下極板；

s20、在所述柵極的表面依次沉積第二材料和第三材料并構(gòu)圖形成柵絕緣層、絕緣層、半導(dǎo)體層，其中，所述絕緣層與所述柵絕緣層同時(shí)形成且均由所述第二材料沉積并構(gòu)圖形成；

s30、在所述半導(dǎo)體層的表面沉積第四材料并構(gòu)圖形成源漏電極層，其中，所述源漏電極層包括源極和漏極；

s40、在所述源漏電極層的表面沉積第五材料并構(gòu)圖形成鈍化保護(hù)層和保護(hù)層，其中，所述保護(hù)層與所述鈍化保護(hù)層同時(shí)形成且均由所述第五材料沉積并構(gòu)圖形成，所述鈍化保護(hù)層的表面形成與所述漏極相通的通孔；

s50、在所述保護(hù)層上沉積第六材料并構(gòu)圖形成像素電極層，所述像素電極層穿過(guò)所述通孔與所述漏極電氣連接。

本發(fā)明提供的陣列基板的制備方法中，使用了較少次數(shù)的掩膜版，使得整個(gè)制備過(guò)程較為簡(jiǎn)單，便于操作，大大降低了生產(chǎn)成本。

優(yōu)選地，所述第一材料選自al和ag中的一種；所述透明導(dǎo)電材料包括ito；所述第二材料包括氮化硅和/或氧化硅；所述第三材料包括α-si；所述第四材料為依次沉積于所述半導(dǎo)體層的表面的mo、al、mo；所述第五材料包括氮化硅和/或氧化硅；所述第六材料包括ito。

本發(fā)明第三方面提供一種液晶面板，所述液晶面板包括相對(duì)且間隔設(shè)置的陣列基板和彩膜基板，所述液晶面板還包括位于所述陣列基板和所述彩膜基板之間的液晶，其中，所述陣列基板為本發(fā)明所提供的陣列基板或由本發(fā)明所提供的陣列基板的制備方法制備得到的陣列基板。將本發(fā)明所提供的陣列基板或由本發(fā)明所提供的陣列基板的制備方法制備得到的陣列基板應(yīng)用于所述液晶面板中，能夠使得經(jīng)過(guò)所述陣列基板的柵極的光被反射回去，這樣，提高了背光源的利用效率，同時(shí)降低了所述液晶面板的顯示功耗。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方式的陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明

1-襯底基板；2-像素單元；20-薄膜晶體管開(kāi)關(guān)；200-柵極；200a-第一反光層；200b-第一透明導(dǎo)電層；201-柵絕緣層；202-半導(dǎo)體層；203-源漏電極層；203a-源極；203b-漏極；204-鈍化保護(hù)層；21-存儲(chǔ)電容部；210-像素電極層；211-存儲(chǔ)電容下極板；211a-第二反光層；211b-第二透明導(dǎo)電層；212-電介質(zhì)層；212a-絕緣層；212b-保護(hù)層。

具體實(shí)施方式

在本發(fā)明中，在未作相反說(shuō)明的情況下，使用的方位詞如“上、下、左、右”通常是指結(jié)合附圖中所示的方位和實(shí)際應(yīng)用中的方位理解。

本發(fā)明提供了一種陣列基板，所述陣列基板包括襯底基板1、形成于襯底基板1上的以陣列形式分布的多個(gè)像素單元2，每個(gè)像素單元2包括薄膜晶體管開(kāi)關(guān)20，其中，薄膜晶體管開(kāi)關(guān)20包括形成于襯底基板1上的柵極200，柵極200包括形成于襯底基板1上的第一反光層200a，柵極200能夠?qū)⒔?jīng)過(guò)柵極200自身的光反射回去。通過(guò)在襯底基板1上設(shè)置含有第一反光層200a的柵極200，從而使得由背光源發(fā)出的光經(jīng)過(guò)所述陣列基板時(shí)，柵極200能夠?qū)⒔?jīng)過(guò)自身的光反射回去，這樣，當(dāng)將該陣列基板應(yīng)用于液晶面板中時(shí)，能夠提高背光源的利用效率，同時(shí)降低液晶面板的顯示功耗。另外，由于能夠?qū)⒔?jīng)過(guò)所述陣列基板的柵極的光反射回去，這樣減少了光照對(duì)所述陣列基板的電學(xué)特性的影響，由此大大降低了所述陣列基板因受到光照影響而產(chǎn)生較大漏電流的幾率。需要說(shuō)明的是，襯底基板1是透明的，襯底基板1上形成有橫縱交叉的數(shù)據(jù)線和掃描線，所述橫縱交叉的數(shù)據(jù)線和掃描線限定多個(gè)以陣列形式分布的區(qū)域以分別容納相應(yīng)的像素單元2，每個(gè)區(qū)域基本分為兩部分，其中一個(gè)部分區(qū)域中形成有薄膜晶體管開(kāi)關(guān)20，另一個(gè)部分區(qū)域中形成有發(fā)光顯示部，光能夠透過(guò)發(fā)光顯示部以被看到從而進(jìn)行有效顯示，可以明白的是，柵極200可與相應(yīng)的所述掃描線相連。至于發(fā)光顯示部的優(yōu)選結(jié)構(gòu)將在下面的內(nèi)容中進(jìn)行介紹。另外，每個(gè)區(qū)域中還形成有存儲(chǔ)電容區(qū)域以在該區(qū)域中形成存儲(chǔ)電容部21，至于存儲(chǔ)電容部21的優(yōu)選結(jié)構(gòu)將在下面的內(nèi)容中進(jìn)行詳細(xì)的介紹，此處不再贅述。

如圖1中所示，薄膜晶體管開(kāi)關(guān)20可包括依次形成于柵極200上方的柵絕緣層201、半導(dǎo)體層202、源漏電極層203和鈍化保護(hù)層204，其中，鈍化保護(hù)層204用于保護(hù)所述陣列基板的電學(xué)特性。至于形成各層的材料的種類(lèi)并不受到具體的限制，只要滿足各層所需的功能即可。優(yōu)選地，鈍化保護(hù)層204可由氮化硅和/或氧化硅制備形成，柵絕緣層201可由氮化硅和/或氧化硅制備形成，半導(dǎo)體層202可由α-si制備形成，源漏電極層203可通過(guò)在半導(dǎo)體層202表面依次沉積mo、al、mo制備形成，也就是說(shuō)，源漏電極層203由依次沉積于半導(dǎo)體層202表面的mo金屬層、al金屬層和mo金屬層構(gòu)成，鈍化保護(hù)層204可由氮化硅和/或氧化硅制備形成。

進(jìn)一步地，源漏電極層203包括間隔設(shè)置于半導(dǎo)體層202的表面的源極203a和漏極203b，其中，源極203a與相應(yīng)的所述數(shù)據(jù)線相連。

其中，第一反光層200a可由反光金屬材料制備形成，至于形成第一反光層200a的反光金屬材料的種類(lèi)并不受到具體的限制，只要保證第一反光層200a能夠反射光即可。優(yōu)選地，所述反光金屬材料可選用al和ag中的一種，此外，第一反光層200a的厚度優(yōu)選為100nm-350nm，這樣，不僅使得第一反光層200a具有合理的厚度，而且第一反光層200a能夠進(jìn)行有效的反光。進(jìn)一步地，第一反光層200a的厚度優(yōu)選為150nm-300nm，更進(jìn)一步地，第一反光層200a的厚度優(yōu)選為180nm-250nm。

為了保護(hù)第一反光層200a，可在第一反光層200a的上方設(shè)置第一透明導(dǎo)電層200b，其中，第一透明導(dǎo)電層200b可由金屬氧化物制備形成，所述金屬氧化物可選用ito和igzo中的一種，另外，為了既不影響第一反光層200a的功能作用并且又能夠有效保護(hù)第一反光層200a，第一透明導(dǎo)電層200b的厚度優(yōu)選為10nm-100nm。進(jìn)一步地，第一透明導(dǎo)電層200b的厚度優(yōu)選為20nm-80nm，更進(jìn)一步地，第一透明導(dǎo)電層200b的厚度優(yōu)選為30nm-50nm。

如圖1中所示，每個(gè)像素單元2包括存儲(chǔ)電容部21，存儲(chǔ)電容部21可包括依次形成于襯底基板1上的存儲(chǔ)電容下極板211、電介質(zhì)層212以及穿過(guò)設(shè)置于鈍化保護(hù)層204表面的通孔與漏極203b電氣連接的像素電極層210?？梢岳斫獾氖?，源極203a與相應(yīng)的數(shù)據(jù)線連通，所述數(shù)據(jù)線能夠?qū)?shù)據(jù)信號(hào)傳輸給對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管開(kāi)關(guān)20的源極203a；柵極200與掃描線連通，所述掃描線能夠?qū)呙栊盘?hào)傳輸給對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管開(kāi)關(guān)20的柵極200；漏極203b與像素電極層210連通，根據(jù)所述掃描信號(hào)控制是否將所述數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸給對(duì)應(yīng)的像素電極層210。需要說(shuō)明的是，像素電極層210此處可被當(dāng)作是存儲(chǔ)電容上極板，與存儲(chǔ)電容下極板211以及電介質(zhì)層212共同構(gòu)成了電容器，這樣，當(dāng)顯示屏進(jìn)行有效顯示時(shí)所述電容器能夠保持畫(huà)面，直到下一個(gè)畫(huà)面覆蓋。

優(yōu)選地，存儲(chǔ)電容下極板211可包括形成于襯底基板1上的第二反光層211a，第二反光層211a能夠?qū)⒔?jīng)過(guò)自身的光反射回去，進(jìn)一步提高了背光源的利用效率，進(jìn)一步降低了顯示功耗，可以理解的是，存儲(chǔ)電容下極板211只占用相應(yīng)的像素單元的很小一部分面積。第二反光層211a可由反光金屬材料制備形成，至于所述反光金屬材料的種類(lèi)并不受到具體的限制，只要使得第二反光層211a反光即可，優(yōu)選地，所述反光金屬材料可選用al和ag中的一種。在制備所述陣列基板的過(guò)程中，第二反光層211a與第一反光層200a可同時(shí)被沉積并構(gòu)圖形成，具體的制備過(guò)程將在下面的制備方法中進(jìn)行闡述，此處不再一一贅述。

進(jìn)一步地，存儲(chǔ)電容下極板211可包括形成于第二反光層211a的上方的第二透明導(dǎo)電層211b以保護(hù)第二反光層211a。其中，第二透明導(dǎo)電層211b可由金屬氧化物制備形成，優(yōu)選地，所述金屬氧化物可選用ito和igzo中的一種。同樣的，第二透明導(dǎo)電層211b優(yōu)選與第一透明導(dǎo)電層200b被同時(shí)沉積并構(gòu)圖形成，這將在下面的內(nèi)容中進(jìn)行闡述，此處不再贅述。

另外，電介質(zhì)層212可包括依次形成于存儲(chǔ)電容下極板211上方的絕緣層212a和保護(hù)層212b，絕緣層212a與柵絕緣層201形成一體結(jié)構(gòu)，保護(hù)層212b與鈍化保護(hù)層204形成一體結(jié)構(gòu)，可以理解的是，柵絕緣層201可延伸至存儲(chǔ)電容區(qū)域以構(gòu)成絕緣層212a，同樣的，鈍化保護(hù)層204可延伸至存儲(chǔ)電容區(qū)域以構(gòu)成保護(hù)層212b。當(dāng)制備所述陣列基板時(shí)，絕緣層212a可與柵絕緣層201一同沉積并構(gòu)圖形成，也就是說(shuō)，絕緣層212a與柵絕緣層201同時(shí)形成并且絕緣層212a與柵絕緣層201由同一種材料沉積并構(gòu)圖形成，保護(hù)層212b可與鈍化保護(hù)層204一同沉積并構(gòu)圖形成，也就是說(shuō)，保護(hù)層212b可與鈍化保護(hù)層204同時(shí)形成并且保護(hù)層212b可與鈍化保護(hù)層204由同一種材料沉積并構(gòu)圖形成。另外，至于形成絕緣層212a和鈍化保護(hù)層204的材料可相應(yīng)的參見(jiàn)前述內(nèi)容的形成柵絕緣層201和鈍化保護(hù)層204的材料，此次不再贅述。

每個(gè)像素單元2包括發(fā)光顯示部，所述發(fā)光顯示部包括依次形成于襯底基板1上的電介質(zhì)層和像素電極層，其中，所述像素電極層穿過(guò)設(shè)置于鈍化保護(hù)層204表面的通孔與漏極203b電氣連接。進(jìn)一步地，所述電介質(zhì)層優(yōu)選包括依次形成于襯底基板1上的絕緣層和保護(hù)層。需要說(shuō)明的是，所述發(fā)光顯示部中所形成的絕緣層、保護(hù)層以及像素電極層與前述提到的絕緣層212a、保護(hù)層212b和像素電極層210的形成材料一樣，并且可同時(shí)沉積形成，此處不再贅述。

本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制備方法，所述陣列基板的制備方法包括以下五個(gè)步驟。

步驟s10、在襯底基板1上依次沉積第一材料和透明導(dǎo)電材料并構(gòu)圖形成能夠反光的柵極200和存儲(chǔ)電容下極板211，柵極200包括依次形成于襯底基板1上的第一材料層即第一反光層200a和透明導(dǎo)電材料層，存儲(chǔ)電容下極板211也包括依次形成于襯底基板1上的第一材料層即第二反光層211a和透明導(dǎo)電材料層，另外，還使得襯底基板1上形成了多個(gè)掃描線，每個(gè)所述掃描線包括第一材料層和透明導(dǎo)電材料層。其中，所述第一材料層的厚度可為100nm-350nm，進(jìn)一步地，所述第一材料層的厚度優(yōu)選為150nm-300nm，更進(jìn)一步地，所述第一材料層的厚度優(yōu)選為180nm-250nm；所述透明導(dǎo)電材料層的厚度優(yōu)選為10nm-100nm，進(jìn)一步地，所述透明導(dǎo)電材料層的厚度優(yōu)選為20nm-80nm，更進(jìn)一步地，所述透明導(dǎo)電材料層的厚度優(yōu)選為30nm-50nm。優(yōu)選地，所述第一材料可選用al和ag中的一種，另外，所述透明導(dǎo)電材料可選用ito。

在上述步驟s10中，可優(yōu)選通過(guò)物理濺鍍的方式將所述第一材料和所述透明導(dǎo)電材料依次沉積于襯底基板1的表面，然后通過(guò)光刻工藝定義相關(guān)圖案，之后進(jìn)行刻蝕，最終使得襯底基板1上的每個(gè)像素單元2的相應(yīng)的區(qū)域中形成柵極200和存儲(chǔ)電容下極板211，并在襯底基板1的相應(yīng)的區(qū)域中形成多個(gè)掃描線。

步驟s20、在柵極200的表面依次沉積第二材料和第三材料并構(gòu)圖形成柵絕緣層201、絕緣層212a、半導(dǎo)體層202，其中，絕緣層212a與柵絕緣層201同時(shí)形成且均由所述第二材料沉積并構(gòu)圖形成，也就是說(shuō)，絕緣層212a與柵絕緣層201共同被沉積形成。柵絕緣層201以及半導(dǎo)體層202的厚度可根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行選擇，并不受到具體的限制。由于絕緣層212a與柵絕緣層201共同被沉積形成，絕緣層212a的厚度與柵絕緣層201的厚度相同。其中，所述第二材料可選用氮化硅和/或氧化硅；所述第三材料可選用α-si。

在上述步驟s20中，可優(yōu)選通過(guò)氣相沉積的方式將所述第二材料和所述第三材料依次沉積于柵極200的表面，然后通過(guò)光刻工藝定義相關(guān)圖案，之后進(jìn)行刻蝕，最終使得柵極200上形成柵絕緣層201和半導(dǎo)體層202，其中，柵絕緣層201延伸至存儲(chǔ)電容區(qū)域以構(gòu)成絕緣層212a。

步驟s30、在半導(dǎo)體層202的表面沉積第四材料并構(gòu)圖形成源漏電極層203，此外，還形成了多條數(shù)據(jù)線，多個(gè)數(shù)據(jù)線與多條掃描線橫縱交叉以形成陣列分布的區(qū)域，其中，源漏電極層203包括源極203a和漏極203b，源極203a和漏極203b間隔分布于半導(dǎo)體層202的表面，源極203a與相應(yīng)的數(shù)據(jù)線相連。優(yōu)選地，所述第四材料為依次沉積于半導(dǎo)體層202的表面的mo、al、mo，也就是說(shuō)，首先在半導(dǎo)體層202的表面沉積金屬材料mo形成mo金屬層，之后，沉積金屬材料al形成al金屬層，然后再沉積金屬材料mo形成mo金屬層。。

在上述步驟s30中，可優(yōu)選通過(guò)物理濺鍍的方式將所述第四材料沉積于半導(dǎo)體層202的表面，然后通過(guò)光刻工藝定義相關(guān)圖案，之后進(jìn)行刻蝕，最終使得半導(dǎo)體層202上形成源漏電極層203，并在襯底基板1上的相應(yīng)的區(qū)域形成多條數(shù)據(jù)線。

步驟s40、在源漏電極層203的表面上沉積第五材料并構(gòu)圖形成鈍化保護(hù)層204和保護(hù)層212b，其中，保護(hù)層212b與鈍化保護(hù)層204同時(shí)形成且均由所述第五材料沉積并構(gòu)圖形成，也就是說(shuō)，保護(hù)層212b與鈍化保護(hù)層204共同被沉積形成，鈍化保護(hù)層204的表面形成與漏極203b相通的通孔以便于使得像素電極層210穿過(guò)并與漏極203b電氣連接。需要指出的是，鈍化保護(hù)層204的厚度可根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行選擇，并不受到具體的限制。由于保護(hù)層212b與鈍化保護(hù)層204共同被沉積形成，保護(hù)層212b的厚度與鈍化保護(hù)層204的厚度相同。另外，所述第五材料可選用氮化硅和/或氧化硅。

在上述步驟s40中，可優(yōu)選通過(guò)氣相沉積的方式將所述第五材料沉積于源漏電極層203的表面，然后通過(guò)光刻工藝定義相關(guān)圖案，之后進(jìn)行刻蝕，最終使得源漏電極層203上形成鈍化保護(hù)層204，鈍化保護(hù)層204延伸至存儲(chǔ)電容區(qū)域以構(gòu)成保護(hù)層212b。

步驟s50、在保護(hù)層212b上沉積第六材料并構(gòu)圖形成像素電極層210，，由于鈍化保護(hù)層204可延伸至存儲(chǔ)電容區(qū)域以構(gòu)成保護(hù)層212b，也可以認(rèn)為，在鈍化保護(hù)層204上沉積第六材料并構(gòu)圖形成像素電極層210，像素電極層210穿過(guò)所述通孔與漏極203b電氣連接。需要指出的是，可根據(jù)實(shí)際需求設(shè)定像素電極層210的厚度。其中，所述第六材料可選用ito。

在上述步驟s50中，可優(yōu)選通過(guò)物理濺鍍的方式將所述第六材料沉積于保護(hù)層212b也就是鈍化保護(hù)層204的表面，然后通過(guò)光刻工藝定義相關(guān)圖案，之后進(jìn)行刻蝕，最終使得保護(hù)層212b上形成像素電極層210。

本發(fā)明提供的陣列基板的制備方法中，使用了較少次數(shù)的掩膜版，使得整個(gè)制備過(guò)程較為簡(jiǎn)單，便于操作，大大降低了生產(chǎn)成本。另外，需要指出的是，上述陣列基板的制備方法尤其適用于制備本發(fā)明所提供的陣列基板。

本發(fā)明還提供了一種液晶面板，所述液晶面板包括相對(duì)且間隔設(shè)置的陣列基板和彩膜基板，所述液晶面板還包括位于所述陣列基板和所述彩膜基板之間的液晶，其中，所述陣列基板為本發(fā)明所提供的陣列基板或由本發(fā)明所提供的陣列基板的制備方法制備得到的陣列基板。將本發(fā)明所提供的陣列基板或由本發(fā)明所提供的陣列基板的制備方法制備得到的陣列基板應(yīng)用于所述液晶面板中，能夠使得經(jīng)過(guò)所述陣列基板的柵極200的光被反射回去，這樣，提高了背光源的利用效率，同時(shí)降低了所述液晶面板的顯示功耗。

以上結(jié)合附圖詳細(xì)描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，但是，本發(fā)明并不限于此。在本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思范圍內(nèi)，可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行多種簡(jiǎn)單變型，包括各個(gè)具體技術(shù)特征以任何合適的方式進(jìn)行組合。為了避免不必要的重復(fù)，本發(fā)明對(duì)各種可能的組合方式不再另行說(shuō)明。但這些簡(jiǎn)單變型和組合同樣應(yīng)當(dāng)視為本發(fā)明所公開(kāi)的內(nèi)容，均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。