本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板、顯示面板及該陣列基板的制備方法。

背景技術(shù)：

液晶顯示面板具有低電壓、微功耗、顯示信息量大、易于彩色化等優(yōu)點(diǎn)，在當(dāng)前的顯示器市場(chǎng)占據(jù)了主導(dǎo)地位，其已被廣泛應(yīng)用于電子計(jì)算機(jī)、電子記事本、移動(dòng)電話、攝像機(jī)、高清電視機(jī)等電子設(shè)備。

在液晶顯示面板顯示時(shí)，每幀畫面的切換都是通過柵極線掃描的方式實(shí)現(xiàn)的。

本申請(qǐng)的發(fā)明人在長(zhǎng)期的研究中發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有顯示面板畫面顯示不均勻，有的地方畫面顯示較亮，有的地方畫面顯示較暗。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種陣列基板、顯示面板及該陣列基板的制備方法，能夠提高顯示畫面的均一性。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種陣列基板，包括：柵極線、薄膜晶體管、鈍化層與像素電極；其中，所述柵極線與所述薄膜晶體管的柵極電連接，所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏極電連接，所述鈍化層位于所述薄膜晶體管所在層與所述像素電極所在層之間，沿所述柵極線的延伸方向，所述鈍化層的厚度逐漸改變。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種顯示面板，包括陣列基板，所述陣列基板包括：柵極線、薄膜晶體管、鈍化層與像素電極；其中，所述柵極線與所述薄膜晶體管的柵極電連接，所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏極電連接，所述鈍化層位于所述薄膜晶體管所在層與所述像素電極所在層之間，沿所述柵極線輸出信號(hào)的方向，所述鈍化層的厚度逐漸改變。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的又一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種陣列基板的制備方法，包括：

提供一襯底基板；

在所述襯底基板上依次形成柵極線、薄膜晶體管、鈍化層與像素電極；

其中，所述柵極線與所述薄膜晶體管的柵極電連接，所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏極電連接，所述鈍化層位于所述薄膜晶體管所在層與所述像素電極所在層之間，且沿所述柵極線的延伸方向，所述鈍化層的厚度逐漸改變。

本發(fā)明的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明通過將薄膜晶體管所在層與像素電極所在層之間的鈍化層設(shè)置為沿柵極線的延伸方向上厚度逐漸改變，能夠改善顯示畫面的均一性。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。其中：

圖1是本發(fā)明陣列基板一實(shí)施方式的俯面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是圖1中陣列基板沿a-b方向的部分剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明顯示面板一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明陣列基板的制備方法一實(shí)施方式的流程示意圖；

圖5是本發(fā)明陣列基板的制備方法另一實(shí)施方式的部分流程示意圖；

圖6是圖5中步驟s4021至s4024對(duì)應(yīng)的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性的勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

參閱圖1和圖2，圖1是本發(fā)明陣列基板一實(shí)施方式的俯面結(jié)構(gòu)示意圖，圖2是圖1中陣列基板沿a-b方向的部分剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

該陣列基板包括：柵極線101、薄膜晶體管102、鈍化層103與像素電極104，可選的，該陣列基板還包括數(shù)據(jù)線106。

其中，薄膜晶體管102包括柵極1021、源極1022以及漏極1023?？蛇x的，柵極線101與柵極1021由同一層金屬制成，柵極線101與柵極1021電連接，像素電極104與漏極1023電連接。當(dāng)需要顯示畫面時(shí)，柵極線101輸入掃描信號(hào)至柵極1021以打開薄膜晶體管102，然后數(shù)據(jù)線106輸入數(shù)據(jù)信號(hào)至源極1022，并經(jīng)過漏極1023輸入像素電極104。

鈍化層103位于薄膜晶體管102所在層與像素電極104所在層之間，沿柵極線101的延伸方向，鈍化層103的厚度逐漸改變，即，對(duì)于鈍化層103來說，不同位置處的厚度不完全相同。由電容的計(jì)算公式：(d為極板間的距離)可知，沿柵極線101的延伸方向，當(dāng)鈍化層103的厚度逐漸改變時(shí)，儲(chǔ)存電容cs的大小也在逐漸改變，具體為：當(dāng)鈍化層103的厚度變大時(shí)，儲(chǔ)存電容變小，當(dāng)鈍化層103的厚度變小時(shí)，儲(chǔ)存電容變大。

又由壓降公式：(δvp為壓降值，cs為儲(chǔ)存電容)可知，隨著儲(chǔ)存電容的逐漸改變，壓降值也在逐漸改變，具體為：當(dāng)儲(chǔ)存電容變大時(shí)，壓降值變小，當(dāng)儲(chǔ)存電容變小時(shí)，壓降值變大。

因此沿柵極線101的延伸方向，當(dāng)鈍化層103的厚度逐漸改變時(shí)，壓降值也在逐漸改變，具體為：當(dāng)鈍化層103的厚度變大時(shí)，壓降值變大，當(dāng)鈍化層103的厚度變小時(shí)，壓降值變小，即鈍化層103的厚度與壓降值成正比。

因此在本實(shí)施方式中，沿著柵極線101的延伸方向，將鈍化層103的厚度設(shè)置為逐漸改變，即，可以通過調(diào)節(jié)鈍化層103的厚度來調(diào)節(jié)壓降值，例如：當(dāng)沿著柵極線101的延伸方向，當(dāng)壓降值過高，顯示畫面較暗時(shí)，可通過降低鈍化層103的厚度來降低壓降值，從而改善顯示面板顯示的均一性。

上述實(shí)施方式中，通過將薄膜晶體管102所在層與像素電極104所在層之間的鈍化層103設(shè)置為沿柵極線101的延伸方向厚度逐漸改變，能夠改善顯示畫面的均一性。

如圖2所示，在上述實(shí)施方式的一個(gè)應(yīng)用場(chǎng)景中，沿柵極線101的延伸方向，鈍化層103的厚度逐漸減小，即，距離柵極線101輸入信號(hào)端距離越遠(yuǎn)，鈍化層103的厚度越小。

由于現(xiàn)有技術(shù)中，隨著柵極線103傳輸距離的增加，信號(hào)會(huì)逐漸受到削弱，隨著傳輸距離的由近到遠(yuǎn)，壓降值會(huì)逐漸增強(qiáng)，畫面逐漸變暗，因此在本應(yīng)用場(chǎng)景中，沿柵極線101的延伸方向，鈍化層103的厚度逐漸減小，而隨著鈍化層103的厚度逐漸減小，壓降值也逐漸減小，以保證畫面不會(huì)隨著柵極線103的延伸方向而變暗，改善畫面顯示的均一性。

可選的，在本實(shí)施方式中，鈍化層103上設(shè)置有過孔(圖未示)，像素電極104通過過孔與漏極1023電連接。

可選的，在本實(shí)施方式中，鈍化層103的材料為氮化硅、氧化硅中的至少一種，當(dāng)然，在其他實(shí)施方式中，鈍化層103的材料也可以為其他有機(jī)物或無機(jī)物材料。

可選的，在本實(shí)施方式中，陣列基板還包括襯底基板105，襯底基板105具有優(yōu)良的光學(xué)性能，較高的透明度和較低的反射率，例如，可采用玻璃材料制成。

參閱圖3，圖3是本發(fā)明顯示面板一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖，該顯示面板300包括陣列基板301，陣列基板301為上述任一項(xiàng)實(shí)施方式中的陣列基板，具體結(jié)構(gòu)可參見上述，在此不再贅述。

參閱圖4，圖4是本發(fā)明陣列基板的制備方法一實(shí)施方式的流程示意圖。

下面結(jié)合圖1和圖2對(duì)該方法進(jìn)行詳細(xì)的說明，該方法包括：

s401：提供一襯底基板105。

襯底基板105具有優(yōu)良的光學(xué)性能，較高的透明度和較低的反射率，例如，可采用玻璃材料制成。

s402：在襯底基板105上依次形成柵極線101、薄膜晶體管102、鈍化層103與像素電極104；其中，柵極線101與薄膜晶體管102的柵極1021電連接，像素電極104與薄膜晶體管102的漏極1023電連接，鈍化層103位于薄膜晶體管102所在層與像素電極104所在層之間，且沿柵極線101的延伸方向，鈍化層103的厚度逐漸改變。

在本實(shí)施方式中，沿柵極線101的延伸方向，將鈍化層103的厚度設(shè)置為逐漸改變，即，可通過調(diào)節(jié)鈍化層103的厚度調(diào)節(jié)壓降值，當(dāng)畫面顯示較亮，需要降低亮度時(shí)，增大該位置處鈍化層101的厚度，提高壓降值，當(dāng)畫面顯示較暗，需要提高亮度時(shí)，減小該位置處鈍化層101的厚度，降低壓降值。

請(qǐng)參閱圖5和圖6，圖5是本發(fā)明陣列基板的制備方式另一實(shí)施方式中步驟s402的具體流程示意圖，圖6是圖5中步驟s4021至s4024對(duì)應(yīng)的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

在本實(shí)施方式中，步驟s402具體包括：

s4021：在襯底基板105上依次形成柵極線101、薄膜晶體管102、鈍化層103和光阻層106，其中，光阻層106位于鈍化層103遠(yuǎn)離薄膜晶體管102的一側(cè)，即，光阻層106覆蓋鈍化層103。

s4022：提供一掩膜板107，對(duì)光阻層106進(jìn)行曝光顯影，其中，沿柵極線101的延伸方向，透過掩膜板107照射在光阻層106的光量108逐漸改變，以使沿柵極線101的延伸方向，顯影后的光阻層106的厚度逐漸改變。

可選的，在本實(shí)施方式中，掩膜板107的透光率可沿柵極線101的延伸方向逐漸改變，使得透過掩膜板107照射在光阻層106的光量108逐漸改變。當(dāng)然，在其他實(shí)施方式中，掩膜板107的透光率也可不沿柵極線101的延伸方向逐漸改變，即，掩膜板107的透光率保證一致，而是通過改變照射在掩膜板107的光量使得透過掩膜板107的光量108逐漸改變。

s4023：對(duì)剩余的光阻層106進(jìn)行蝕刻，以去除剩余的光阻層106并蝕刻掉鈍化層103的部分，從而使得鈍化層103的厚度逐漸改變。

在蝕刻過程中，剩余的光阻層106會(huì)被蝕刻，但在同等時(shí)間內(nèi)，光阻較薄的區(qū)域優(yōu)先被蝕刻，從而該區(qū)域?qū)?yīng)的鈍化層103會(huì)被蝕刻，而光阻較厚的區(qū)域由于光阻未被蝕刻導(dǎo)致對(duì)應(yīng)的鈍化層103未被蝕刻，從而在蝕刻完成后，鈍化層103的厚度逐漸改變。

s4024：在鈍化層103遠(yuǎn)離薄膜晶體管102的一側(cè)，形成像素電極104。

在鈍化層103遠(yuǎn)離薄膜晶體管102的一側(cè)形成像素電極104，即，像素電極104覆蓋鈍化層103，可選的，像素電極104的材料為銦錫氧化物。

可選的，在上述陣列基板的制備方法任一實(shí)施方式中，沿柵極線101的延伸方向，鈍化層103的厚度逐漸減小，保證畫面不會(huì)隨著柵極線103的延伸方向而變暗，改善畫面顯示的均一性。

采用上述任一項(xiàng)陣列基板的制備方法制備的陣列基板為上述任一項(xiàng)實(shí)施方式中的陣列基板，具體的陣列基板結(jié)構(gòu)可參見上述，在此不再贅述。

以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施方式，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。