本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、其制作方法及液晶顯示面板、顯示裝置。

背景技術(shù)：

液晶顯示面板(liquidcrystaldisplay，lcd)具有重量輕、厚度薄、功耗低、易于驅(qū)動(dòng)、不含有害射線等優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)廣泛應(yīng)用在電視、筆記本電腦、移動(dòng)電話、個(gè)人數(shù)字助理等現(xiàn)代信息設(shè)備，有著廣闊的發(fā)展前景。對(duì)個(gè)人使用者而言，曲面顯示具有比平面顯示更好的視角體驗(yàn)和顯示效果。因此，曲面液晶顯示面板技術(shù)是液晶顯示面板的一個(gè)重要發(fā)展方向。

扭轉(zhuǎn)向列(twistednematic,tn)型液晶顯示面板由液晶在陣列基板與對(duì)向基板間旋轉(zhuǎn)90度而形成。對(duì)于常白模式的液晶顯示面板，顯示一幅黑畫面時(shí)，非顯示區(qū)域產(chǎn)生的漏光現(xiàn)象，會(huì)使圖像的對(duì)比度下降。而扭轉(zhuǎn)向列型液晶顯示面板由于其液晶的分布方式，可以在常白模式下避免漏光，使得扭轉(zhuǎn)向列型液晶顯示面板在曲面顯示方面具有較大的優(yōu)勢(shì)。

然而，曲面液晶顯示面板技術(shù)需要將液晶顯示面板進(jìn)行彎曲，在彎曲的過程中，液晶面板的對(duì)向基板和陣列基板容易發(fā)生位移，導(dǎo)致液晶顯示面板出現(xiàn)漏光現(xiàn)象。現(xiàn)有技術(shù)中通過增大黑矩陣的尺寸來(lái)防止漏光，這樣勢(shì)必會(huì)降低液晶顯示面板的開口率。

因此，如何在防止漏光的同時(shí)，有效提高液晶顯示面板的開口率，是目前本領(lǐng)域技術(shù)人員亟需解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板、其制作方法及液晶顯示面板、顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的如何在防止漏光的同時(shí)，有效提高液晶顯示面板的開口率的問題。

因此，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板，包括：襯底基板，設(shè)置于所述襯底基板上的數(shù)據(jù)線，以及設(shè)置于所述數(shù)據(jù)線所在層之上的像素電極層；其中，

所述像素電極層由多個(gè)相互獨(dú)立的像素電極組成；

所述數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的正投影覆蓋相鄰的兩列所述像素電極之間間隙在所述襯底基板上的正投影，且所述數(shù)據(jù)線的寬度大于所述相鄰的兩列所述像素電極之間間隙的寬度。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的正投影部分覆蓋相鄰的兩列所述像素電極在所述襯底基板上的正投影。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的正投影與相鄰的兩列所述像素電極在所述襯底基板上的正投影的交疊區(qū)域具有相同的寬度。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，還包括：設(shè)置于所述數(shù)據(jù)線所在層與所述像素電極層之間的色阻層。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，還包括：設(shè)置于所述色阻層與所述像素電極層之間的平坦層。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，還包括：設(shè)置于所述襯底基板與所述數(shù)據(jù)線所在層之間的柵線，以及與所述柵線同層設(shè)置的多條橫向公共電極線和多條縱向公共電極線。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，各所述縱向公共電極線與各列所述像素電極一一對(duì)應(yīng)；

各所述縱向公共電極線在所述襯底基板上的正投影位于各列所述像素電極在所述襯底基板上的正投影的中心位置。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種液晶顯示面板，包括上述陣列基板，以及與所述陣列基板相對(duì)而置的對(duì)向基板。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述液晶顯示面板中，還包括：設(shè)置于所述對(duì)向基板面向所述陣列基板一側(cè)的黑矩陣；或，

設(shè)置于所述陣列基板面向所述對(duì)向基板一側(cè)的黑矩陣，且所述黑矩陣位于色阻層中各色阻之間的間隙處。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示裝置，包括上述液晶顯示面板。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種上述陣列基板的制作方法，包括：

提供一襯底基板；

在所述襯底基板上形成數(shù)據(jù)線；

在所述數(shù)據(jù)線所在層上形成由多個(gè)相互獨(dú)立的像素電極組成的像素電極層；其中，

所述數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的正投影覆蓋相鄰的兩列所述像素電極之間間隙在所述襯底基板上的正投影，且所述數(shù)據(jù)線的寬度大于所述相鄰的兩列所述像素電極之間間隙的寬度。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述制作方法中，在所述數(shù)據(jù)線所在層上形成由多個(gè)相互獨(dú)立的像素電極組成的像素電極層之前，還包括：

在所述數(shù)據(jù)線所在層上形成色阻層。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述制作方法中，在所述數(shù)據(jù)線所在層上形成由多個(gè)相互獨(dú)立的像素電極組成的像素電極層之前，且在所述數(shù)據(jù)線所在層上形成色阻層之后，還包括：在所述色阻層上形成平坦層。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述制作方法中，在所述襯底基板上形成數(shù)據(jù)線之前，還包括：

在所述襯底基板上同時(shí)形成柵線，以及多條橫向公共電極線和多條縱向公共電極線；

各所述縱向公共電極線與各列所述像素電極一一對(duì)應(yīng)；

各所述縱向公共電極線在所述襯底基板上的正投影位于各列所述像素電極在所述襯底基板上的正投影的中心位置。

本發(fā)明有益效果如下：

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板、其制作方法及液晶顯示面板、顯示裝置，包括：襯底基板，設(shè)置于襯底基板上的數(shù)據(jù)線，以及設(shè)置于數(shù)據(jù)線所在層之上的像素電極層；其中，像素電極層由多個(gè)相互獨(dú)立的像素電極組成；數(shù)據(jù)線在襯底基板上的正投影覆蓋相鄰的兩列像素電極之間間隙在襯底基板上的正投影，且數(shù)據(jù)線的寬度大于相鄰的兩列像素電極之間間隙的寬度。由于數(shù)據(jù)線在襯底基板上的正投影覆蓋相鄰的兩列像素電極之間間隙在襯底基板上的正投影，且數(shù)據(jù)線的寬度大于相鄰的兩列像素電極之間間隙的寬度，這樣設(shè)置，可以使數(shù)據(jù)線與像素電極之間形成方向由陣列基板指向?qū)ο蚧宓目v向電場(chǎng)線，從而可以通過控制液晶的扭轉(zhuǎn)，防止數(shù)據(jù)線方向漏光，與此同時(shí)，不需要再使用黑矩陣來(lái)防止漏光，有效提高了開口率。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板中縱向公共電極線與像素電極的相對(duì)位置關(guān)系示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作流程圖；

圖4a至圖4g分別為圖3所示的陣列基板的制作方法在執(zhí)行各步驟后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板、其制作方法及液晶顯示面板、顯示裝置的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)的說明。

附圖中各膜層的形狀和大小不反映其在陣列基板或液晶顯示面板中的真實(shí)比例，目的只是示意說明本發(fā)明內(nèi)容。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板，如圖1所示，包括：襯底基板101，設(shè)置于襯底基板101上的數(shù)據(jù)線102，以及設(shè)置于數(shù)據(jù)線102所在層之上的像素電極層103；其中，

像素電極層103由多個(gè)相互獨(dú)立的像素電極1031組成；

數(shù)據(jù)線102在襯底基板101上的正投影覆蓋相鄰的兩列像素電極之間間隙在襯底基板101上的正投影，且數(shù)據(jù)線102的寬度a大于相鄰的兩列像素電極之間間隙的寬度b。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，由于數(shù)據(jù)線102在襯底基板101上的正投影覆蓋相鄰的兩列像素電極之間間隙在襯底基板101上的正投影，且數(shù)據(jù)線102的寬度a大于相鄰的兩列像素電極之間間隙的寬度b，這樣設(shè)置，可以使數(shù)據(jù)線102與像素電極1031之間形成方向由陣列基板指向?qū)ο蚧宓目v向電場(chǎng)線，從而可以通過控制液晶的扭轉(zhuǎn)，防止數(shù)據(jù)線102方向漏光，與此同時(shí)，不需要再使用黑矩陣來(lái)防止漏光，有效提高了開口率。

需要說明的是，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，襯底基板101可以是柔性襯底基板，例如由聚乙烯醚鄰苯二甲酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、多芳基化合物、聚醚酰亞胺、聚醚砜或聚酰亞胺等具有優(yōu)良的耐熱性和耐久性的塑料基板；還可以是剛性襯底基板，例如玻璃基板，在此不做限定。

具體地，為了不影響正常顯示，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，數(shù)據(jù)線102在襯底基板101上的正投影部分覆蓋相鄰的兩列像素電極在襯底基板101上的正投影。

并且，較佳地，為了便于工藝制作，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，如圖1所示，數(shù)據(jù)線102在襯底基板101上的正投影與相鄰的兩列像素電極在襯底基板101上的正投影的交疊區(qū)域具有相同的寬度c。

當(dāng)然，在具體實(shí)施時(shí)，數(shù)據(jù)線102在襯底基板101上的正投影與相鄰的兩列像素電極在襯底基板101上的正投影的交疊區(qū)域也可以具有不同的寬度，在此不做限定。

一般地，在數(shù)據(jù)線102對(duì)像素電極1031充電的過程中需要穩(wěn)壓一段時(shí)間，但是，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，由于數(shù)據(jù)線102與像素電極1031之間存在交疊區(qū)域，因此，數(shù)據(jù)線102與像素電極1031之間在交疊區(qū)域會(huì)形成一定的電容，該電容會(huì)對(duì)像素電極1031上的穩(wěn)定電壓造成一定程度的干擾，進(jìn)而影響顯示效果。

于是，為減小數(shù)據(jù)線102與像素電極1031之間的電容，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，還可以包括：設(shè)置于數(shù)據(jù)線102所在層與像素電極層103之間的色阻層104。這樣，使得數(shù)據(jù)線102與像素電極1031之間的距離增大，從而減小了二者之間的電容，降低了二者之間的電容擾動(dòng)像素電極1031上的穩(wěn)定電壓的風(fēng)險(xiǎn)。此外，將色阻層104設(shè)置在陣列基板上，還可以避免色阻層104與像素電極1031未嚴(yán)格對(duì)準(zhǔn)的問題，從而可以提高液晶顯示面板的開口率，增加液晶顯示面板的亮度。

較佳地，為了進(jìn)一步減小數(shù)據(jù)線102與像素電極1031之間的電容，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，還可以包括：設(shè)置于色阻層104與像素電極層103之間的平坦層105。即通過進(jìn)一步增大數(shù)據(jù)線102與像素電極1031之間的距離，來(lái)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)線102與像素電極1031之間更小的電容。并且，一般地，色阻層104由多個(gè)不同顏色的色阻組成，任意相鄰的兩個(gè)色阻在制作過程中會(huì)產(chǎn)生一定程度的交疊區(qū)域，進(jìn)而產(chǎn)生斷差，該交疊區(qū)域上方的液晶會(huì)因斷差出現(xiàn)倒向錯(cuò)亂的現(xiàn)象，這種現(xiàn)象會(huì)嚴(yán)重影響顯示效果。通過在色阻層104上設(shè)置一層平坦層105，可以減小色阻層104中任意相鄰的兩個(gè)色阻之間因重疊產(chǎn)生的斷差，從而提高顯示品質(zhì)。

并且，平坦層105的材料可以為聚丙烯酸樹脂、聚環(huán)氧丙烯酸樹脂、感光性聚酰亞胺樹脂、聚酯丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯樹脂、酚醛環(huán)氧壓克力樹脂等有機(jī)絕緣材料，在此不做限定。

一般地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，還需要包括：薄膜晶體管，該薄膜晶體管具體可以為底柵型結(jié)構(gòu)；或者，也可以為頂柵型結(jié)構(gòu)，在此不做限定。

具體地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中的薄膜晶體管為底柵型結(jié)構(gòu)時(shí)，如圖4g所示，在每個(gè)薄膜晶體管中，源/漏極404均位于有源層403的上方，柵極401位于有源層403的下方，柵極401與有源層403之間設(shè)置有柵絕緣層402，源/漏極404所在層之上設(shè)置有鈍化層405。每個(gè)像素電極1031位于對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管中的源/漏極404的上方，并且，每個(gè)像素電極1031通過貫穿鈍化層405、色阻層104和平坦層105的過孔與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管中的源/漏極404電性連接。

其中，柵極401和源/漏極404的材料可以是鉬、鋁，鎢、鈦、銅其中之一或合金組合，在此不做限定。柵絕緣層402和鈍化層405的材料可以為氧化硅、氮化硅其中之一或組合，在此不做限定。有源層403的材料可以為多晶硅半導(dǎo)體材料、非晶硅半導(dǎo)體材料、氧化物半導(dǎo)體材料或有機(jī)半導(dǎo)體材料，在此不做限定。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，如圖2所示，還包括：設(shè)置于襯底基板101與數(shù)據(jù)線102所在層之間的柵線106，以及與柵線106同層設(shè)置的多條橫向公共電極線107a和多條縱向公共電極線107b。其中，柵線106用于向各像素電極1031提供掃描信號(hào)，各條橫向公共電極線107a和各條縱向公共電極線107b用于向公共電極提供公共電壓信號(hào)。

需要說明的是，為簡(jiǎn)化制作工藝，節(jié)省制作成本，提高生產(chǎn)效率，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，可以使用一次構(gòu)圖工藝同時(shí)制備出柵線106、多條橫向公共電極線107a和多條縱向公共電極線107b。當(dāng)然，也可以采用二次構(gòu)圖工藝，分別制備出柵線106，以及多條橫向公共電極線107a和多條縱向公共電極線107b，在此不做限定。此外，柵線106、多條橫向公共電極線107a和多條縱向公共電極線107b的材料可以是鉬、鋁，鎢、鈦、銅其中之一或合金組合，在此不做限定。

此外，為簡(jiǎn)化制作工藝，節(jié)省制作成本，提高生產(chǎn)效率，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，還可以使用一次構(gòu)圖工藝同時(shí)制備出源/漏極404和數(shù)據(jù)線102。當(dāng)然，也可以采用二次構(gòu)圖工藝，分別制備出源/漏極404和數(shù)據(jù)線102，在此不做限定。此外，源/漏極404和數(shù)據(jù)線102的材料可以是鉬、鋁，鎢、鈦、銅其中之一或合金組合，在此不做限定。

具體地，為了使得像素電極1031的顯示畫面均勻，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，各縱向公共電極線107b與各列像素電極一一對(duì)應(yīng)；；

各縱向公共電極線107b在襯底基板101上的正投影位于各列像素電極在襯底基板101上的正投影的中心位置；如圖2所示，為任一條縱向公共電極線107b在襯底基板101上的正投影與其對(duì)應(yīng)的一列像素電極中的任一像素電極1031(圖中未示出)襯底基板101上的正投影的相對(duì)位置關(guān)系示意圖。

這樣設(shè)置，可以使像素電極1031的有效顯示區(qū)域左右對(duì)稱，從而可以提高顯示畫面的均勻性。并且，由于各縱向公共電極線107b所在層之上的色阻層104較厚，因此，即使設(shè)置各縱向公共電極線107b在襯底基板101上的正投影位于各列像素電極在襯底基板101上的正投影的中心位置，在液晶顯示面板的顯示側(cè)也不會(huì)看到各縱向公共電極線107b，即不會(huì)影響液晶顯示面板的開口率。

相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種上述陣列基板的制作方法，由于該制作方法解決問題的原理與上述陣列基板解決問題的原理相似，因此，本發(fā)明實(shí)施例提供的該制作方法的實(shí)施可以參見本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板的實(shí)施，重復(fù)之處不再贅述。

具體地，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種上述陣列基板的制作方法，如圖3所示，具體可以包括以下步驟：

s301、提供一襯底基板；

s302、在襯底基板上形成數(shù)據(jù)線；

s303、在數(shù)據(jù)線所在層上形成由多個(gè)相互獨(dú)立的像素電極組成的像素電極層；其中，

數(shù)據(jù)線在襯底基板上的正投影覆蓋相鄰的兩列像素電極之間間隙在襯底基板上的正投影，且數(shù)據(jù)線的寬度大于相鄰的兩列像素電極之間間隙的寬度。

在具體實(shí)施時(shí)，為了減小數(shù)據(jù)線與像素電極之間的電容，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述制作方法中，在數(shù)據(jù)線所在層上形成由多個(gè)相互獨(dú)立的像素電極組成的像素電極層之前，還可以包括：

在數(shù)據(jù)線所在層上形成色阻層。

具體地，為了進(jìn)一步減小數(shù)據(jù)線與像素電極之間的電容，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述制作方法中，在數(shù)據(jù)線所在層上形成由多個(gè)相互獨(dú)立的像素電極組成的像素電極層之前，且在數(shù)據(jù)線所在層上形成色阻層之后，還包括：在色阻層上形成平坦層。

具體地，為了提高像素電極的顯示畫面均勻性，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述制作方法中，在襯底基板上形成數(shù)據(jù)線之前，還包括：

在襯底基板上同時(shí)形成柵線，以及多條橫向公共電極線和多條縱向公共電極線；

各縱向公共電極線與各列像素電極一一對(duì)應(yīng)；

各縱向公共電極線在襯底基板上的正投影位于各列像素電極在襯底基板上的正投影的中心位置。

為了更好地理解本發(fā)明實(shí)施例提供的上述制作方法，本發(fā)明實(shí)施例還提供了實(shí)施上述制作方法的各步驟后所得的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖4a至圖4g所示。

需要說明的是，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中的薄膜晶體管具體可以為底柵型結(jié)構(gòu)；或者，也可以為頂柵型結(jié)構(gòu)，在此不做限定。下面以薄膜晶體管為底柵型結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行說明。

提供一襯底基板101，采用一次構(gòu)圖工藝，在襯底基板101上形成柵極401和柵線(圖中未示出)的圖形，如圖4a所示，這樣，可以簡(jiǎn)化陣列基板的制作工藝，減少掩模次數(shù)；

在形成有柵極401和柵線的襯底基板101上依次形成柵極絕緣層402、有源層403、源/漏極404和數(shù)據(jù)線的圖形(圖中未示出)，如圖4b所示；

在源/漏極404和數(shù)據(jù)線所在層之上形成鈍化層405的圖形，如圖4c所示；

在鈍化層405上形成具有過孔的色阻層104的圖形，如圖4d所示；

在色阻層104上形成具有與色阻層104的過孔導(dǎo)通的過孔的平坦層105的圖形，如圖4e所示；

在源/漏極404和數(shù)據(jù)線所在層之上的鈍化層405中形成與色阻層104和平坦層105的過孔導(dǎo)通的過孔，如圖4f所示；

在平坦層105上形成像素電極層103的圖形，像素電極1031通過貫穿鈍化層405、色阻層104和平坦層105中的過孔與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管中的源/漏極404電性連接，如圖4g所示。

需要說明的是，在本發(fā)明實(shí)施例四提供的上述制作方法中，形成各層結(jié)構(gòu)涉及到的構(gòu)圖工藝，不僅可以包括沉積、光刻膠涂覆、掩模板掩模、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等部分或全部的工藝過程，還可以包括其他工藝過程，具體以實(shí)際制作過程中形成所需構(gòu)圖的圖形為準(zhǔn)，在此不做限定。例如，在顯影之后和刻蝕之前還可以包括后烘工藝。

其中，沉積工藝可以為化學(xué)氣相沉積法、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法或物理氣相沉積法，在此不做限定；掩膜工藝中所用的掩膜板可以為半色調(diào)掩膜板(halftonemask)、半透掩膜板(modifidesinglemask)、單縫衍射掩模板(singleslitmask)或灰色調(diào)掩模板(graytonemask)，在此不做限定；刻蝕可以為干法刻蝕或者濕法刻蝕，在此不做限定。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種液晶顯示面板，由于該液晶顯示面板解決問題的原理與上述陣列基板解決問題的原理相似，因此，本發(fā)明實(shí)施例提供的該液晶顯示面板的實(shí)施可以參見本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板的實(shí)施，重復(fù)之處不再贅述。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種液晶顯示面板，如圖5所示，包括上述陣列基板，以及與陣列基板相對(duì)而置的對(duì)向基板。

在具體實(shí)施時(shí)，為了色阻層104中各色阻間的漏光現(xiàn)象，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述液晶顯示面板中，如圖5所示，還包括：設(shè)置于對(duì)向基板面向陣列基板一側(cè)的黑矩陣501；當(dāng)然，在具體實(shí)施時(shí)，黑矩陣501還可以設(shè)置于陣列基板面向?qū)ο蚧逡粋?cè)，且黑矩陣501位于色阻層104中各色阻之間的間隙處。

黑矩陣501不僅可以防止各色阻間的漏光，而且可以增加色彩的對(duì)比性。一般地，黑矩陣501的材料可分為兩種，其中一種為金屬薄膜，例如氧化膜；另一種為樹脂型黑色光阻薄膜，且以碳黑為主要材料。較佳地，由于金屬薄膜的線路蝕刻容易，而且遮光效果較好，在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，可以選擇金屬薄膜作為黑矩陣501。

值得注意的是，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述顯示面板中，除了采用金屬薄膜或黑色樹脂作為黑矩陣501之外，還可以將紅光色阻與藍(lán)光色阻疊加設(shè)置后作為黑矩陣501，以實(shí)現(xiàn)遮光效果，在此不做限定。

具體地，為了提高液晶顯示面板的抗擠壓能力，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述液晶顯示面板中，如圖5所示，還包括：設(shè)置于陣列基板與對(duì)向基板之間多個(gè)光阻間隔物502(photospacer，ps)。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述液晶顯示面板中的對(duì)向基板上一般還會(huì)具有諸如公共電極層、保護(hù)層等其他膜層結(jié)構(gòu)，這些具體結(jié)構(gòu)可以有多種實(shí)現(xiàn)方式，在此不做限定。

下面以制備如圖5所示的液晶顯示面板為例，對(duì)上述液晶顯示面板的制備過程進(jìn)行詳細(xì)地說明，具體制備過程包括以下幾個(gè)步驟：

(1)、采用上述陣列基板的制作方法，依次得到如圖4a至圖4g所示的陣列基板；

(2)、在對(duì)向基板的襯底基板503上依次形成保護(hù)層(圖中未示出)、黑矩陣501、公共電極層(圖中未示出)和光阻間隔物502；

(3)、將陣列基板的襯底基板101與對(duì)向基板的襯底基板503進(jìn)行對(duì)盒處理。

需要說明的是，在具體實(shí)施時(shí)，步驟(1)和步驟(2)并不限于上述液晶顯示面板的制備過程中描述的先后順序，還可以先執(zhí)行步驟(2)，再執(zhí)行步驟(1)，在此不做限定。

具體地，可以在執(zhí)行本發(fā)明實(shí)施例提供的上述液晶顯示面板的制作過程中的步驟(3)將陣列基板的襯底基板101與對(duì)向基板的襯底基板503進(jìn)行對(duì)盒處理之后，通過浸泡的方式將液晶分子加入對(duì)盒后的液晶顯示面板中；或者，也可以在執(zhí)行本發(fā)明實(shí)施例提供的上述液晶顯示面板的制作過程中的步驟(1)采用上述陣列基板的制作方法，依次得到如圖4a至圖4g所示的陣列基板之后，在陣列基板的襯底基板101上滴注液晶分子；或者，還可以在執(zhí)行本發(fā)明實(shí)施例提供的上述液晶顯示面板的制作過程中的步驟(2)在對(duì)向基板的襯底基板503上依次形成保護(hù)層(圖中未示出)、黑矩陣501、公共電極層(圖中未示出)和光阻間隔物502之后，在對(duì)向基板的襯底基板503上滴注液晶分子，在此不做限定。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述液晶顯示面板，該顯示裝置可以為：手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀、智能手表、健身腕帶、個(gè)人數(shù)字助理等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。該顯示裝置的實(shí)施可以參見上述液晶顯示面板的實(shí)施例，重復(fù)之處不再贅述。

本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板、其制作方法及液晶顯示面板、顯示裝置，包括：襯底基板，設(shè)置于襯底基板上的數(shù)據(jù)線，以及設(shè)置于數(shù)據(jù)線所在層之上的像素電極層；其中，像素電極層由多個(gè)相互獨(dú)立的像素電極組成；數(shù)據(jù)線在襯底基板上的正投影覆蓋相鄰的兩列像素電極之間間隙在襯底基板上的正投影，且數(shù)據(jù)線的寬度大于相鄰的兩列像素電極之間間隙的寬度。由于數(shù)據(jù)線在襯底基板上的正投影覆蓋相鄰的兩列像素電極之間間隙在襯底基板上的正投影，且數(shù)據(jù)線的寬度大于相鄰的兩列像素電極之間間隙的寬度，這樣設(shè)置，可以使數(shù)據(jù)線與像素電極之間形成方向由陣列基板指向?qū)ο蚧宓目v向電場(chǎng)線，從而可以通過控制液晶的扭轉(zhuǎn)，防止數(shù)據(jù)線方向漏光，與此同時(shí)，不需要再使用黑矩陣來(lái)防止漏光，有效提高了開口率。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。