本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

薄膜晶體管液晶顯示器(thinfilmtransistor-liquidcryst-aldisplay,簡稱：tft-lcd)的基本結(jié)構(gòu)通常包括陣列基板(arraysubstrate)和彩膜基板(colorfilmsubstrate，簡稱：cfsubstrate)，以及設(shè)置在陣列基板和彩膜基板之間的液晶(liquidcrystal，簡稱：lc)，在陣列基板和彩膜基板的表面還設(shè)置有對(duì)液晶具有取向作用的配向膜層(polyimidefilm，簡稱：pifilm)，配向膜層的材料為聚酰亞胺。

現(xiàn)有技術(shù)中，為了實(shí)現(xiàn)像素的高開口率以達(dá)到降低背光功耗的目的，陣列基板中的公共電極設(shè)置的寬度往往較小，但該設(shè)置同時(shí)也導(dǎo)致了設(shè)置方向與數(shù)據(jù)線的設(shè)置方向相同的像素電極的一側(cè)邊緣和與該像素電極的一側(cè)邊緣對(duì)應(yīng)設(shè)置的公共電極在陣列基板上的正投影的重疊部分的寬度較小，使得與數(shù)據(jù)線的設(shè)置方向相同的像素電極的一側(cè)邊緣和與該像素電極對(duì)應(yīng)設(shè)置的公共電極之間產(chǎn)生的水平邊緣電場強(qiáng)度增強(qiáng)。

但在較強(qiáng)的水平邊緣電場強(qiáng)度和在該像素電極的一側(cè)邊緣附近的段差區(qū)域的影響的情況下，由于位于像素電極之上的配向膜層在該段差區(qū)域摩擦取向后的錨定力較弱，因此容易使得像素電極的一側(cè)邊緣附近容易出現(xiàn)顯示殘影的顯示缺陷。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種陣列基板及顯示裝置，用于解決在像素電極的一側(cè)邊緣附近容易產(chǎn)生顯示殘影的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種陣列基板，該陣列基板包括第一襯底基板和位于所述第一襯底基板之上的公共電極、多個(gè)柵線和多個(gè)數(shù)據(jù)線；所述柵線和所述數(shù)據(jù)線限定出像素單元，所述像素單元包括像素電極和與所述像素電極連接的薄膜晶體管，所述像素電極的一側(cè)邊緣在所述第一襯底基板上的正投影與對(duì)應(yīng)設(shè)置的公共電極在所述第一襯底基板上的正投影部分重疊，且重疊部分的寬度為第一設(shè)定寬度以使所述像素電極與所述公共電極之間產(chǎn)生的水平邊緣電場的強(qiáng)度減弱。

可選地，所述第一設(shè)定寬度的范圍為3微米至6微米。

可選地，所述第一設(shè)定寬度為4.5微米。

可選地，所述像素電極的與一側(cè)邊緣相對(duì)設(shè)置的另一側(cè)邊緣在所述第一襯底基板上的正投影和與另一側(cè)邊緣對(duì)應(yīng)設(shè)置的公共電極在所述第一襯底基板上的正投影部分重疊，且重疊部分的寬度為第二設(shè)定寬度。

可選地，所述第二設(shè)定寬度的范圍為1微米至6微米。

可選地，所述第二設(shè)定寬度為2微米。

可選地，所述第一設(shè)定寬度大于所述第二設(shè)定寬度。

可選地，與所述像素電極的一側(cè)邊緣對(duì)應(yīng)設(shè)置的公共電極的寬度大于與所述像素電極的一側(cè)邊緣相對(duì)設(shè)置的另一側(cè)邊緣對(duì)應(yīng)設(shè)置的公共電極的寬度。

可選地，所述與所述像素電極一側(cè)邊緣對(duì)應(yīng)設(shè)置的公共電極沿所述數(shù)據(jù)線設(shè)置的方向設(shè)置，所述與所述像素電極另一側(cè)邊緣對(duì)應(yīng)設(shè)置的公共電極沿所述數(shù)據(jù)線設(shè)置的方向設(shè)置。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，該顯示基板包括相對(duì)設(shè)置的對(duì)置基板和上述的陣列基板。

本發(fā)明的有益效果：

本發(fā)明所提供的陣列基板及顯示裝置中，像素電極的一側(cè)邊緣在第一襯底基板上的正投影與對(duì)應(yīng)設(shè)置的公共電極在第一襯底基板上的正投影部分重疊，且重疊部分的寬度為第一設(shè)定寬度，從而有效減弱了在摩擦取向弱區(qū)附近的像素電極與公共電極之間產(chǎn)生的水平邊緣電場強(qiáng)度，避免了在像素電極的一側(cè)邊緣附近產(chǎn)生顯示殘影。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1中a-a’向剖面圖；

圖3為本實(shí)施例提供的陣列基板中配向膜層摩擦取向的摩擦方向示意圖；

圖4為本實(shí)施例提供的陣列基板的像素電極與公共電極在像素邊緣產(chǎn)生的水平邊緣電場的分布示意圖；

圖5為本實(shí)施例提供的陣列基板的像素電極與公共電極在像素邊緣產(chǎn)生的水平邊緣電場分布與現(xiàn)有技術(shù)中像素邊緣的水平邊緣電場的分布對(duì)比示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明提供的發(fā)光器件和顯示裝置進(jìn)行詳細(xì)描述。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為圖1中a-a’向剖面圖，如圖1和圖2所示，該陣列基板包括第一襯底基板1和位于第一襯底基板1之上的公共電極2、多個(gè)柵線3和多個(gè)數(shù)據(jù)線4。柵線3和數(shù)據(jù)線4限定出像素單元p，像素單元p包括像素電極5和與像素電極5連接的薄膜晶體管t，像素電極5的一側(cè)邊緣在第一襯底基板1上的正投影與對(duì)應(yīng)設(shè)置的公共電極2在第一襯底基板1上的正投影部分重疊，且重疊部分的寬度為第一設(shè)定寬度d1以使像素電極5與公共電極2之間產(chǎn)生的水平邊緣電場的強(qiáng)度減弱。

本實(shí)施例中，優(yōu)選地，柵線3和數(shù)據(jù)線4垂直交叉限定出像素單元p。

本實(shí)施例中，優(yōu)選地，公共電極2與柵線3同層設(shè)置。

本實(shí)施例中，薄膜晶體管t包括柵極6、源極7、漏極8和有源層9，柵極6與柵線3連接，源極7和漏極8分別與有源層9連接，源極7還與數(shù)據(jù)線4連接，漏極8還與像素電極5連接以使薄膜晶體管t與像素電極5之間電連接。

本實(shí)施例中，優(yōu)選地，源極7和漏極8以及數(shù)據(jù)線4同層設(shè)置。

本實(shí)施例中，進(jìn)一步地，該陣列基板還包括：第一絕緣層10、第二絕緣層11和配向膜層(圖中未示出)。公共電極2與柵極6同層設(shè)置于第一襯底基板1之上，第一絕緣層10位于柵極6之上且覆蓋第一襯底基板1，有源層9位于第一絕緣層10之上，源極7和漏極8同層設(shè)置于有源層9之上，源極7和漏極8之上設(shè)置有第二絕緣層11，第二絕緣層11中設(shè)置有過孔(圖中未示出)，像素電極5位于第二絕緣層11之上且部分位于過過孔中以實(shí)現(xiàn)與漏極8連接，像素電極5之上還設(shè)置有配向膜層。

本實(shí)施例中，優(yōu)選地，像素電極5的與一側(cè)邊緣相對(duì)設(shè)置的另一側(cè)邊緣在第一襯底基板1上的正投影和與另一側(cè)邊緣對(duì)應(yīng)設(shè)置的公共電極2在第一襯底基板1上的正投影部分重疊，且重疊部分的寬度為第二設(shè)定寬度d2。

本實(shí)施例中，優(yōu)選地，像素電極5的一側(cè)邊緣和與一側(cè)邊緣相對(duì)設(shè)置的另一側(cè)邊緣均沿著數(shù)據(jù)線4設(shè)置的方向設(shè)置，與像素電極5一側(cè)邊緣對(duì)應(yīng)設(shè)置的公共電極2沿?cái)?shù)據(jù)線4設(shè)置的方向設(shè)置，與像素電極5另一側(cè)邊緣對(duì)應(yīng)設(shè)置的公共電極2沿?cái)?shù)據(jù)線4設(shè)置的方向設(shè)置。

本實(shí)施例中，第一設(shè)定寬度d1的范圍為3微米至6微米，優(yōu)選地，第一設(shè)定寬度d1為4.5微米。該第一設(shè)定寬度d1的設(shè)定可以使像素電極5的一側(cè)邊緣在第一襯底基板1上的正投影與對(duì)應(yīng)設(shè)置的公共電極2在第一襯底基板1上的正投影重疊的部分的面積增大，從而有效減弱像素電極5與公共電極2之間產(chǎn)生的水平邊緣電場強(qiáng)度，降低了像素電極的一側(cè)邊緣附近出現(xiàn)顯示殘影的概率，且較大的第一設(shè)定寬度d1可以進(jìn)一步提高像素電極5的一側(cè)邊緣的像素電極5與公共電極2之間產(chǎn)生的存儲(chǔ)電容。本實(shí)施例中，優(yōu)選地，第一設(shè)定寬度d1大于第二設(shè)定寬度d2。

本實(shí)施例中，第二設(shè)定寬度d2的范圍為1微米至6微米，優(yōu)選地，第二設(shè)定寬度d2為2微米。由于第二設(shè)定寬度d2的值較小，即像素電極5的與一側(cè)邊緣相對(duì)設(shè)置的另一側(cè)邊緣在第一襯底基板1上的正投影和與另一側(cè)邊緣對(duì)應(yīng)設(shè)置的公共電極2在第一襯底基板1上的正投影重疊的部分的寬度較小，從而進(jìn)一步提高了像素的開口率。

需要說明的是，第一設(shè)定寬度d1的范圍與第二設(shè)定寬度d2的范圍可以允許范圍值部分重疊，但本實(shí)施例中，第一設(shè)定寬度d1大于第二設(shè)定寬度d2是指第一設(shè)定寬度d1具體的設(shè)定值大于第二設(shè)定寬度d2具體的設(shè)定值。

本實(shí)施例中，優(yōu)選地，與像素電極5的一側(cè)邊緣對(duì)應(yīng)設(shè)置的公共電極2的寬度大于與像素電極5的一側(cè)邊緣相對(duì)設(shè)置的另一側(cè)邊緣對(duì)應(yīng)設(shè)置的公共電極2的寬度。

本實(shí)施例中，優(yōu)選地，每個(gè)公共電極2在對(duì)應(yīng)的一個(gè)像素單元p中呈環(huán)形設(shè)置。需要說明的是，還可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需要將其設(shè)置為其他形狀，本實(shí)施例對(duì)此不作任何限定。

本實(shí)施例中，優(yōu)選地，像素電極5為板狀電極。需要說明的是，還可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需要將其設(shè)置為其他形狀，本實(shí)施例對(duì)此不作任何限定。

下面結(jié)合圖2至圖5對(duì)本實(shí)施例提供的陣列基板進(jìn)行詳細(xì)的補(bǔ)充說明。

本實(shí)施例中，在配向膜層摩擦取向的過程中，摩擦滾筒h通過順時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)對(duì)配向膜層進(jìn)行摩擦取向的過程中，由于靠近像素電極5的一側(cè)邊緣的段差區(qū)域的影響，使得該配向膜層在該段差區(qū)域摩擦取向后的錨定力較弱，形成了摩擦取向弱區(qū)m1，即圖2和圖4中示出的m1區(qū)域，在摩擦取向弱區(qū)m1附近，由于像素電極5的一側(cè)邊緣與對(duì)應(yīng)設(shè)置的公共電極2在第一襯底基板1上的正投影的重疊部分的寬度(即第一設(shè)定寬度d1)較大，因此在摩擦取向弱區(qū)m附近的像素電極5與公共電極2之間產(chǎn)生的水平邊緣電場強(qiáng)度較弱，從而可以避免在摩擦取向弱區(qū)m產(chǎn)生顯示殘影；另一方面，在靠近像素電極5的另一側(cè)邊緣的段差區(qū)域附近形成了非摩擦取向弱區(qū)m2，在該非摩擦取向弱區(qū)m2附近，配向膜層的錨定力較強(qiáng)，即使由于像素電極5的另一側(cè)邊緣與對(duì)應(yīng)設(shè)置的公共電極2在第一襯底基板1上的正投影的重疊部分的寬度(即第二設(shè)定寬度d2)較小，使得m2附近的像素電極5與公共電極2之間產(chǎn)生的水平邊緣電場強(qiáng)度增強(qiáng)，在該非摩擦取向弱區(qū)m2附近也不容易產(chǎn)生顯示殘影，且較小的第二設(shè)定寬度d2也保證了像素的高開口率。

圖4為本實(shí)施例提供的陣列基板的像素電極與公共電極在像素邊緣產(chǎn)生的水平邊緣電場的分布示意圖，圖5為本實(shí)施例提供的陣列基板的像素電極與公共電極在像素邊緣產(chǎn)生的水平邊緣電場分布與現(xiàn)有技術(shù)中像素邊緣的水平邊緣電場的分布對(duì)比示意圖，如圖4和圖5所示，在本實(shí)施例的陣列基板中，在摩擦取向弱區(qū)m1附近，像素邊緣的水平邊緣電場vh1’較弱，而現(xiàn)有技術(shù)在摩擦取向弱區(qū)附近的像素邊緣的水平邊緣電場vh1較強(qiáng)，因此本實(shí)施例中的陣列基板可以有效地解決在摩擦取向弱區(qū)m1附近容易產(chǎn)生顯示殘影的問題。在非摩擦取向弱區(qū)m2附近，配向膜層的錨定力較強(qiáng)，即使由于像素電極5的另一側(cè)邊緣與對(duì)應(yīng)設(shè)置的公共電極2在第一襯底基板1上的正投影的重疊部分的寬度(即第二設(shè)定寬度d2)較小，使得m2附近的像素電極5與公共電極2之間產(chǎn)生的水平邊緣電場強(qiáng)度增強(qiáng)，本實(shí)施例中的陣列基板在非摩擦取向弱區(qū)m2附近也不容易產(chǎn)生顯示殘影，且本實(shí)施例中在非摩擦取向弱區(qū)m2的公共電極的寬度較小，因此還可以進(jìn)一步地提高像素的開口率。因此，本實(shí)施例提供的陣列基板在解決現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的像素邊緣附近容易產(chǎn)生顯示殘影的問題的基礎(chǔ)上，還保證了像素的高開口率。

本實(shí)施例提供的陣列基板的技術(shù)方案中，像素電極的一側(cè)邊緣在第一襯底基板上的正投影與對(duì)應(yīng)設(shè)置的公共電極在第一襯底基板上的正投影部分重疊，且重疊部分的寬度為第一設(shè)定寬度，從而有效減弱了在摩擦取向弱區(qū)附近的像素電極與公共電極之間產(chǎn)生的水平邊緣電場強(qiáng)度，避免了在像素電極的一側(cè)邊緣產(chǎn)生顯示殘影。

圖6為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖6所示，該顯示裝置包括相對(duì)設(shè)置的對(duì)置基板和上述的陣列基板。

進(jìn)一步地，該顯示裝置還包括隔墊物21和液晶。隔墊物21位于陣列基板和對(duì)置基板之間液晶填充于隔墊物21之間。

進(jìn)一步地，對(duì)置基板包括第二襯底基板22和位于第二襯底基板22的靠近陣列基板的一側(cè)的黑矩陣23和彩色矩陣圖形24，黑矩陣23的靠近陣列基板的一側(cè)設(shè)置有公共電極層25。

本實(shí)施例中，優(yōu)選地，彩色矩陣圖形24包括紅色矩陣圖形、綠色矩陣圖形或者藍(lán)色矩陣圖形。

本實(shí)施例中，優(yōu)選地，彩色矩陣圖形24的材料為樹脂。

本實(shí)施例中，優(yōu)選地，隔墊物21的材料為樹脂。

本實(shí)施例中，對(duì)置基板為彩膜基板。

本實(shí)施例中，陣列基板的具體結(jié)構(gòu)可參見上述實(shí)施例一的描述，此處不再贅述。

本實(shí)施例提供的顯示裝置的技術(shù)方案中，像素電極的一側(cè)邊緣在第一襯底基板上的正投影與對(duì)應(yīng)設(shè)置的公共電極在第一襯底基板上的正投影部分重疊，且重疊部分的寬度為第一設(shè)定寬度，從而有效減弱了在摩擦取向弱區(qū)附近的像素電極與公共電極之間產(chǎn)生的水平邊緣電場強(qiáng)度，避免了在像素的一側(cè)邊緣產(chǎn)生顯示殘影。

可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。