1.一種石墨烯電極的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
在生長(zhǎng)基底上生長(zhǎng)石墨烯；
在石墨烯表面沉積犧牲層薄膜，構(gòu)成石墨烯-犧牲層薄膜；
將石墨烯-犧牲層薄膜從生長(zhǎng)基底轉(zhuǎn)移到目標(biāo)基板上；
對(duì)石墨烯-犧牲層薄膜進(jìn)行圖案化處理并去除所述犧牲層，形成圖案化的石墨烯電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨烯電極的制備方法，其特征在于：所述對(duì)石墨烯-犧牲層薄膜進(jìn)行圖案化處理并去除所述犧牲層，形成圖案化的石墨烯電極過(guò)程進(jìn)一步包括以下步驟：
在犧牲層上涂布光刻膠并依序進(jìn)行曝光、光刻膠顯影；
對(duì)犧牲層薄膜進(jìn)行蝕刻；
剝離所述光刻膠；
對(duì)石墨烯進(jìn)行干刻；
濕刻所述犧牲層薄膜以去除犧牲層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的石墨烯電極的制備方法，其特征在于，當(dāng)對(duì)犧牲層進(jìn)行蝕刻的方式為濕刻時(shí)，所采用的所述刻蝕液為鹽酸、磷酸及其他中強(qiáng)酸中的一種或多種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨烯電極的制備方法，其特征在于，所述犧牲層薄膜的材料為氧化鋁薄膜、氧化鎂薄膜或其他金屬氧化物薄膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨烯電極的制備方法，其特征在于，所述犧牲層薄膜為非晶態(tài)結(jié)構(gòu)，其厚度為5～100nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨烯電極的制備方法，其特征在于，所述在石墨烯表面沉積犧牲層薄膜，構(gòu)成石墨烯-犧牲層薄膜進(jìn)一步包括以下步驟：該沉積過(guò)程在溫度小于400℃的沉積反應(yīng)室內(nèi)進(jìn)行，
(1)在沉積反應(yīng)室內(nèi)完成單體三甲基鋁在石墨烯表面的化學(xué)吸附反應(yīng)，其中，反應(yīng)時(shí)間為2～6秒；
(2)通入氬氣吹掃多余單體5～20秒；
(3)通入氧化性氣體進(jìn)行氧化反應(yīng)形成氧化鋁薄膜，通氣時(shí)間5～10s；
(4)繼續(xù)通入氬氣吹掃氧化性氣體和反應(yīng)副產(chǎn)物，通氣時(shí)間5～20秒；
(5)若經(jīng)前四步獲得的氧化鋁薄膜的厚度小于預(yù)定厚度，則循環(huán)重復(fù)執(zhí)行上述步驟(1)～(4)，直到氧化鋁薄膜的厚度達(dá)到預(yù)定厚度范圍。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨烯電極的制備方法，其特征在于，所述將石墨烯-犧牲層薄膜從生長(zhǎng)基底轉(zhuǎn)移到目標(biāo)基板上步驟中采用的轉(zhuǎn)移工藝為PMMA法、膠帶釋放法、卷對(duì)平法中的一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨烯電極的制備方法，其特征在于，所述目標(biāo)基板采用玻璃基板、玻璃/PI、玻璃/PET及其他玻璃/柔性襯底復(fù)合基板中的一種。
9.一種石墨烯電極，其特征在于，該石墨烯電極由權(quán)利要求1至8任意一項(xiàng)所述的制備方法制得。
10.一種顯示面板，其特征在于，其包括權(quán)利要求9所述的石墨烯電極。