液晶顯示裝置的制作方法
這里的一個或更多實施方式涉及一種液晶顯示裝置以及用于制造液晶顯示裝置的方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(lcd)具有在包含電極的兩個基板之間的液晶層。當(dāng)電壓被施加到所述電極時，液晶層中的液晶分子重新排列以透射光來顯示圖像。
為了提高可見性，每個像素可以包括兩個單獨的子像素電極。在這種情況下，不同水平的數(shù)據(jù)信號可以被分別施加到所述兩個子像素電極。數(shù)據(jù)信號被施加到所述兩個子像素電極中的一個而沒有調(diào)制，并且數(shù)據(jù)信號被劃分并施加到所述兩個子像素電極中的另一個。該劃分由像素中的分壓晶體管進(jìn)行。
分壓晶體管可能導(dǎo)致問題。例如，分壓晶體管會使開口率降低，因為其占據(jù)像素的一部分。此外，當(dāng)分壓晶體管導(dǎo)通時，數(shù)據(jù)線和存儲電極彼此電連接。結(jié)果，存儲電極的存儲電壓會基于數(shù)據(jù)信號而變化。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
根據(jù)一個或更多實施方式，一種液晶顯示裝置包括：與第二基板間隔開的第一基板；在第一基板和第二基板之間的液晶層；在第一基板上的柵線、數(shù)據(jù)線、第一子像素電極和第二子像素電極；連接到柵線、數(shù)據(jù)線和第一子像素電極的第一開關(guān)元件；以及連接到柵線、數(shù)據(jù)線和第二子像素電極的第二開關(guān)元件，其中第一開關(guān)元件包括連接到柵線的第一柵電極和與第一柵電極間隔開的第一半導(dǎo)體層，第二開關(guān)元件包括連接到柵線的第二柵電極和與第二柵電極間隔開的第二半導(dǎo)體層，第一柵電極和第一半導(dǎo)體層之間的第一距離不同于第二柵電極和第二半導(dǎo)體層之間的第二距離。
第二距離大于第一距離。
第二開關(guān)元件還包括與第二半導(dǎo)體層間隔開的第三柵電極。
第三柵電極連接到柵線。
第三柵電極不接觸包括柵線的任何導(dǎo)體。
該液晶顯示裝置還包括：偏置線，將偏置電壓傳輸?shù)降谌龞烹姌O。
第一開關(guān)元件還包括連接到柵線的第四柵電極。
在第二開關(guān)元件的溝道區(qū)域中，第二開關(guān)元件的第二半導(dǎo)體層和第二柵電極之間的距離比第二半導(dǎo)體層和第三柵電極之間的距離長。
該液晶顯示裝置還包括：第一絕緣層，在溝道區(qū)域中在第二半導(dǎo)體層和第二柵電極之間；以及第二絕緣層，在溝道區(qū)域中在第二半導(dǎo)體層和第三柵電極之間，其中第二絕緣層具有比第一絕緣層小的厚度。
第一絕緣層和第二絕緣層具有一體的構(gòu)造。
第二開關(guān)元件還包括：漏電極，在第一基板上并連接到數(shù)據(jù)線；源電極，在漏電極上并連接到第二子像素電極；并且第二半導(dǎo)體層在漏電極和源電極之間。
該液晶顯示裝置還包括：第一歐姆接觸層，在漏電極和第二半導(dǎo)體層之間；以及第二歐姆接觸層，在源電極和第二半導(dǎo)體層之間。
第二開關(guān)元件還包括與第二半導(dǎo)體層間隔開的第三柵電極，并且第二柵電極和第三柵電極在相對于第一基板的表面的垂直方向上延伸。
第二開關(guān)元件還包括與第二半導(dǎo)體層間隔開的第三柵電極，第二柵電極的第一部分和第三柵電極的第一部分在與第一歐姆接觸層相同的層上，并且第二柵電極的第二部分和第三柵電極的第二部分在與第二歐姆接觸層相同的層上。
第二開關(guān)元件還包括與第二半導(dǎo)體層間隔開的第三柵電極，并且第二柵電極的至少一部分和第三柵電極的至少一部分在與第二半導(dǎo)體層相同的層上。
第二開關(guān)元件還包括與第二半導(dǎo)體層間隔開的第三柵電極，第二柵電極的第一部分和第三柵電極的第一部分在與漏電極相同的層上，并且第二柵電極的第二部分和第三柵電極的第二部分在與源電極相同的層上。
第二柵電極和柵線在不同的層上。
第二柵電極在與第一子像素電極和第二子像素電極中的一個相同的層上。
第二柵電極包括與第一子像素電極、第二子像素電極和柵線中的一個相同的材料。
該液晶顯示裝置還包括具有連接第二柵電極和柵線的接觸孔的絕緣層。
根據(jù)一個或更多另外的實施方式，一種用于制造液晶顯示裝置的方法包括：在基板上順序地堆疊第一金屬層、第一雜質(zhì)半導(dǎo)體材料層、半導(dǎo)體材料層、第二雜質(zhì)半導(dǎo)體材料層和第二金屬層；在第二金屬層上形成第一光致抗蝕劑圖案和第二光致抗蝕劑圖案，第二光致抗蝕劑圖案具有小于第一光致抗蝕劑圖案的厚度；通過使用第一光致抗蝕劑圖案和第二光致抗蝕劑圖案作為掩模去除第一金屬層、第一雜質(zhì)半導(dǎo)體材料層、半導(dǎo)體材料層、第二雜質(zhì)半導(dǎo)體材料層和第二金屬層，形成在基板上的漏電極、在漏電極上的第一歐姆接觸層、在第一歐姆接觸層上的半導(dǎo)體層、在半導(dǎo)體層上的雜質(zhì)半導(dǎo)體圖案、以及在雜質(zhì)半導(dǎo)體圖案上的源極金屬層；去除第一光致抗蝕劑圖案的一部分和第二光致抗蝕劑圖案；通過使用第一光致抗蝕劑圖案作為掩模去除雜質(zhì)半導(dǎo)體圖案和源極金屬層而在半導(dǎo)體層上形成第二歐姆接觸層并在第二歐姆接觸層上形成源電極；去除第一光致抗蝕劑圖案；在基板、半導(dǎo)體層和源電極上形成柵極絕緣層；在柵極絕緣層中限定第一孔；在柵極絕緣層的第一孔中形成第一柵電極；在柵線上形成鈍化層；在鈍化層中限定接觸孔，接觸孔暴露源電極；以及在鈍化層上形成像素電極，像素電極通過接觸孔連接到源電極。
該方法可以包括在基板上形成連接到漏電極的數(shù)據(jù)線。該方法可以包括在鈍化層上形成連接到柵電極的柵線。該方法可以包括在鈍化層上形成具有與源極接觸孔對應(yīng)的接觸孔的濾色器。該方法可以包括：在柵極絕緣層中限定第二孔；以及在第二孔中形成第二柵電極，第二柵電極不連接到任何導(dǎo)體。在半導(dǎo)體層的溝道區(qū)域和第二柵電極之間的柵極絕緣層的厚度可以小于在溝道區(qū)域和第一柵電極之間的柵極絕緣層的厚度。
附圖說明
通過參照附圖詳細(xì)描述示范性實施方式，特征對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說將變得明顯，附圖中：
圖1示出在液晶顯示(lcd)裝置的實施方案中提供的像素的等效電路圖；
圖2示出包括與圖1的像素電路對應(yīng)的像素配置的lcd裝置的實施方案的俯視圖；
圖3示出沿圖2的線i-i'截取的剖視圖；
圖4示出沿圖2的線ii-ii'截取的剖視圖；
圖5單獨地示出圖2的第一子像素電極；
圖6示出兩個相鄰的像素，每個像素具有圖2的配置；
圖7示出包括與圖1的像素電路對應(yīng)的像素配置的lcd裝置的另一實施方案的俯視圖；
圖8示出包括與圖1的像素電路對應(yīng)的像素配置的lcd裝置的另一實施方案的俯視圖；
圖9示出沿圖8的線i-i'截取的剖視圖；
圖10示出沿圖8的線ii-ii'截取的剖視圖；
圖11a、11b、12a、12b、13a、13b、14a、14b、15a、15b、16a、16b、17a、17b、18a、18b、19a、19b、20a、20b、21a、21b、22a、22b、23a、23b、24a和24b示出制造圖3和圖4的lcd裝置的工藝的剖視圖；
圖25示出在lcd裝置的可選實施方案中提供的像素的等效電路圖；
圖26a和圖26b示出lcd裝置的實施方案的效果；以及
圖27a和圖27b示出lcd裝置的實施方案的另一效果。
具體實施方式
現(xiàn)在將參照附圖描述示例實施方式；然而，它們可以以不同的形式實施，而不應(yīng)被解釋為限于這里闡述的實施方式。更確切地，這些實施方式被提供使得本公開將是透徹和完整的，并將示范性實施方案充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。實施方式(或其部分)可以組合以形成另外的實施方式。
在附圖中，為了圖示的清晰，層和區(qū)域的尺寸可以被夸大。還將理解，當(dāng)一層或元件被稱為在另一層或基板“上”時，它可以直接在所述另一層或基板上，或者還可以存在居間的層。此外，將理解，當(dāng)一層被稱為在另一層“下面”時，它可以直接在該另一層下面，還可以存在一個或更多個居間的層。此外，還將理解，當(dāng)一層被稱為在兩層“之間”時，它可以是兩層之間的唯一層，或者還可以存在一個或更多個居間的層。相同的附圖標(biāo)記始終指代相同的元件。
在整個說明書中，當(dāng)一元件被稱為“連接”到另一元件時，該元件“直接連接”到該另一元件，或“電連接”到該另一元件而使一個或更多個居間的元件插置在它們之間。還將理解，當(dāng)在本說明書中使用時，術(shù)語“包含”和/或“包括”指定所陳述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一個或更多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組的存在或添加。
圖1示出lcd裝置的像素px的實施方式的等效電路圖。如圖1所示，像素px包括第一開關(guān)元件tft1、第二開關(guān)元件tft2、第一子像素電極pe1、第二子像素電極pe2、第一液晶電容器clc1、第二液晶電容器clc2、第一存儲電容器cst1和第二存儲電容器cst2。
第一開關(guān)元件tft1連接到柵線gl、數(shù)據(jù)線dl和第一子像素電極pe1。第一開關(guān)元件tft1基于來自柵線gl的柵信號來控制，并且連接在數(shù)據(jù)線dl和第一子像素電極pe1之間。第一開關(guān)元件tft1由柵信號的柵極高電壓導(dǎo)通，并且在導(dǎo)通時將從數(shù)據(jù)線dl施加的數(shù)據(jù)電壓施加到第一子像素電極pe1。在實施方案中，第一開關(guān)元件tft1由柵信號的柵極低電壓關(guān)斷。數(shù)據(jù)電壓是圖像數(shù)據(jù)電壓。
第一開關(guān)元件tft1包括連接到柵線gl的第一柵電極ge1、連接到數(shù)據(jù)線dl的第一漏電極de1以及連接到第一子像素電極pe1的第一源電極se1。
第一液晶電容器clc1在第一子像素電極pe1和公共電極330之間。第一液晶電容器clc1包括連接到第一子像素電極pe1的第一電極、連接到公共電極330的第二電極以及在第一電極和第二電極之間的液晶層。第一液晶電容器clc1的第一電極可以是第一子像素電極pe1的一部分。第一液晶電容器clc1的第二電極可以是公共電極330的一部分。
公共電壓vcom被施加到公共電極330。
第一存儲電容器cst1在第一子像素電極pe1和第一存儲電極751之間。第一存儲電容器cst1包括連接到第一子像素電極pe1的第一電極、連接到第一存儲電極751的第二電極以及在第一存儲電容器cst1的第一電極和第一存儲電容器cst1的第二電極之間的電介質(zhì)材料。電介質(zhì)材料包括至少一個絕緣層。第一存儲電容器cst1的第一電極可以是第一子像素電極pe1的一部分。第一存儲電容器cst1的第二電極可以是第一存儲電極751的一部分。
第一存儲電壓vcst1被施加到第一存儲電極751。第一存儲電壓vcst1可以具有等于公共電壓vcom的電壓電平的電壓電平。
第二開關(guān)元件tft2連接到柵線gl、數(shù)據(jù)線dl和第二子像素電極pe2。第二開關(guān)元件tft2由來自柵線gl的柵信號控制，并且連接在數(shù)據(jù)線dl和第二子像素電極pe2之間。第二開關(guān)元件tft2由柵信號的柵極高電壓導(dǎo)通，并且在導(dǎo)通時將從數(shù)據(jù)線dl施加的數(shù)據(jù)電壓施加到第二子像素電極pe2。第二開關(guān)元件tft2由柵信號的柵極低電壓關(guān)斷。數(shù)據(jù)電壓是圖像數(shù)據(jù)電壓。
第二開關(guān)元件tft2包括連接到柵線gl的第一柵電極ge11(輔助柵電極)、連接到數(shù)據(jù)線dl的第二漏電極de2、連接到第二子像素電極pe2的第二源電極se2以及具有浮置結(jié)構(gòu)的第二柵電極ge22(主柵電極)。
主柵電極ge22可以不物理地接觸包括柵線gl的任何導(dǎo)體。
在第二開關(guān)元件tft2的溝道區(qū)域ca2中，第二開關(guān)元件tft2的半導(dǎo)體層322與輔助柵電極ge11之間的距離可以是第一距離，并且第二開關(guān)元件tft2的半導(dǎo)體層322與主柵電極ge22之間的距離可以是第二距離。第一距離大于第二距離。因此，當(dāng)通過輔助柵電極ge11而不是通過主柵電極ge22接收柵極高電壓時，第二開關(guān)元件tft2呈現(xiàn)較低的電流驅(qū)動能力。如圖1所示，由于通過輔助柵電極ge11連接到柵線gl，所以第二開關(guān)元件tft2具有相對較低的電流驅(qū)動能力。
在一實施方案中，通過主柵電極ge22而不是通過輔助柵電極ge11連接到柵線gl的第二開關(guān)元件tft2可以具有比第一開關(guān)元件tft1的電流驅(qū)動能力低或高的電流驅(qū)動能力。此外，通過輔助柵電極ge11和主柵電極ge22兩者連接到柵線gl的第二開關(guān)元件tft2可以具有比第一開關(guān)元件tft1的電流驅(qū)動能力低或高的電流驅(qū)動能力。
第二液晶電容器clc2在第二子像素電極pe2和公共電極330之間。第二液晶電容器clc2包括連接到第二子像素電極pe2的第一電極、連接到公共電極330的第二電極以及在第二液晶電容器clc2的第一電極和第二液晶電容器clc2的第二電極之間的液晶層。第二液晶電容器clc2的第一電極可以是第二子像素電極pe2的一部分。第二液晶電容器clc2的第二電極可以是公共電極330的一部分。
第二存儲電容器cst2在第二子像素電極pe2和第二存儲電極752之間。第二存儲電容器cst2包括連接到第二子像素電極pe2的第一電極、連接到第二存儲電極752的第二電極以及在第二存儲電容器cst2的第一電極和第二存儲電容器cst2的第二電極之間的電介質(zhì)材料。電介質(zhì)材料包括至少一個絕緣層。第二存儲電容器cst2的第一電極可以是第二子像素電極pe2的一部分。第二存儲電容器cst2的第二電極可以是第二存儲電極752的一部分。
第二存儲電壓vcst2被施加到第二存儲電極752。第二存儲電壓vcst2可以具有與公共電壓vcom的電壓電平相等的電壓電平。
上述柵極高電壓是柵信號的高邏輯電壓，并被設(shè)定為大于或等于第一開關(guān)元件tft1的閾值電壓和第二開關(guān)元件tft2的閾值電壓中的較高的一個的電壓。上述柵極低電壓是柵信號的低邏輯電壓，并被設(shè)定為第一開關(guān)元件tft1和第二開關(guān)元件tft2的關(guān)斷電壓。
在操作中，當(dāng)柵極高電壓施加到柵線gl時，第一開關(guān)元件tft1和第二開關(guān)元件tft2導(dǎo)通。來自數(shù)據(jù)線dl的數(shù)據(jù)電壓通過導(dǎo)通的第一開關(guān)元件tft1施加到第一子像素電極pe1。在這樣的實施方案中，由于電壓降由第一開關(guān)元件tft1的內(nèi)部電阻引起，第一子像素電極pe1的數(shù)據(jù)電壓(第一子像素電壓)具有比數(shù)據(jù)線dl的數(shù)據(jù)電壓的電壓電平低的電壓電平。
來自數(shù)據(jù)線dl的數(shù)據(jù)電壓通過導(dǎo)通的第二開關(guān)元件tft2施加到第二子像素電極pe2。在這樣的實施方案中，由于電壓降由第二開關(guān)元件tft2的內(nèi)部電阻引起，第二子像素電極pe2的數(shù)據(jù)電壓(第二子像素電壓)具有比數(shù)據(jù)線dl的數(shù)據(jù)電壓的電壓電平低的電壓電平。
導(dǎo)通的第一開關(guān)元件tft1和導(dǎo)通的第二開關(guān)元件tft2都在線性區(qū)域中工作?；诘谝婚_關(guān)元件tft1和第二開關(guān)元件tft2的內(nèi)部電阻，可以計算第一子像素電壓和第二子像素電壓之間的比率。
如以上所述，第二開關(guān)元件tft2具有比第一開關(guān)元件tft1的電流驅(qū)動能力低的電流驅(qū)動能力。因此，第二開關(guān)元件tft2具有比第一開關(guān)元件tft1的內(nèi)部電阻大的內(nèi)部電阻。因此，第一子像素電壓和第二子像素電壓可以具有不同的值。例如，第二子像素電壓低于第一子像素電壓。因此，可以提高像素px的可見性。
此外，可以僅使用兩個開關(guān)元件(例如第一開關(guān)元件tft1和第二開關(guān)元件tft2)來產(chǎn)生具有不同的電壓電平的兩個子像素電壓。因此，像素px的開口率可以增大。
數(shù)據(jù)線dl與第一存儲電極751和第二存儲電極752不直接彼此連接。因此，可以顯著減小第一存儲電壓vcst1和第二存儲電壓vcst2的變化。例如，第一存儲電容器cst1和第二存儲電容器cst2分別連接在第一存儲電極751和第二存儲電極752中的相應(yīng)的存儲電極與數(shù)據(jù)線dl之間。因此，可以顯著減小第一存儲電壓vcst1和第二存儲電壓vcst2的變化。
這樣的像素電路可以通過下面將描述的像素配置來實現(xiàn)。下面，將描述與圖1所示的像素電路對應(yīng)的像素配置。
圖2示出包括與圖1的像素電路對應(yīng)的像素配置的lcd裝置的實施方式的俯視圖或布局圖。圖3示出沿圖2的線i-i'截取的剖視圖。圖4示出沿圖2的線ii-ii'截取的剖視圖。
如圖2、圖3和圖4所示，lcd裝置包括第一基板301、柵線gl、第一柵電極ge1、主柵電極ge22、輔助柵電極ge11、第一存儲電極751、存儲線750、第二存儲電極752、柵極絕緣層311、第一半導(dǎo)體層321、第二半導(dǎo)體層322、第一歐姆接觸層321a、第二歐姆接觸層321b、第三歐姆接觸層322a、第四歐姆接觸層322b、數(shù)據(jù)線dl、第一漏電極de1、第一源電極se1、第二漏電極de2、第二源電極se2、鈍化層320、蓋層391、濾色器354、第一子像素電極pe1、第二子像素電極pe2、第二基板302、光阻擋層376、外涂層722、公共電極330和液晶層333。在實施方案中，第一歐姆接觸層321a、第二歐姆接觸層321b、第三歐姆接觸層322a和第四歐姆接觸層322b中的至少一個可以被省略。
如圖2和圖3所示，第一開關(guān)元件tft1包括第一柵電極ge1、第一半導(dǎo)體層321、第一漏電極de1和第一源電極se1。
如圖2和圖4所示，第二開關(guān)元件tft2包括主柵電極ge22、輔助柵電極ge11、第二半導(dǎo)體層322、第二漏電極de2和第二源電極se2。
如圖2和圖3所示，柵線gl在第一基板301上。例如，柵線gl可以在第一基板301的第一子像素區(qū)域p1和第二子像素區(qū)域p2之間。
如圖2和圖3所示，柵線gl連接到第一柵電極ge1。柵線gl和第一柵電極ge1可以具有一體的構(gòu)造，例如單件整體的結(jié)構(gòu)。在實施方案中，柵線gl的端部可以連接到另一層或外部驅(qū)動電路。柵線gl的端部可以具有比其另一部分的面積大的面積。
柵線gl可以包括例如鋁(al)或其合金、銀(ag)或其合金、銅(cu)或其合金、和/或鉬(mo)或其合金，或者可以由例如鋁(al)或其合金、銀(ag)或其合金、銅(cu)或其合金、和/或鉬(mo)或其合金形成。在實施方案中，柵線gl可以包括例如鉻(cr)、鉭(ta)和鈦(ti)中的一種或可以由例如鉻(cr)、鉭(ta)和鈦(ti)中的一種形成。在實施方案中，柵線gl可以具有多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)包括具有彼此不同的物理性質(zhì)的至少兩個導(dǎo)電層。
如圖2所示，第一柵電極ge1可以具有從柵線gl突出的形狀。第一柵電極ge1可以是柵線gl的一部分。第一柵電極ge1可以包括與柵線gl的材料基本上相同的材料，并可以具有與柵線gl的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)(多層結(jié)構(gòu))。在實施方案中，第一柵電極ge1和柵線gl可以在相同的工藝中同時形成。
如圖2所示，主柵電極ge22具有不連接到任何導(dǎo)體的浮置結(jié)構(gòu)。主柵電極ge22可以包括與柵線gl的材料基本上相同的材料，并可以具有與柵線gl的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)(多層結(jié)構(gòu))。主柵電極ge22和柵線gl可以在相同的工藝中同時形成。在實施方案中，主柵電極ge22可以連接到偏置線777。偏置線777將恒定的直流(dc)電壓(偏置電壓)傳輸?shù)街鳀烹姌Oge22。
如圖2所示，第一存儲電極751可以具有圍繞第一子像素電極pe1的形狀。第一存儲電極751可以交疊第一子像素電極pe1的邊緣部分。第一存儲電壓vcst1被施加到第一存儲電極751。第一存儲電壓vcst1可以具有與公共電壓vcom的電壓電平相等的電壓電平。第一存儲電極751可以包括與柵線gl的材料基本上相同的材料并具有與柵線gl的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)(多層結(jié)構(gòu))。在實施方案中，第一存儲電極751和柵線gl可以在相同的工藝中同時形成。
第一存儲電極751連接到存儲線750。如圖2所示，存儲線750在第一子像素區(qū)域p1和第二子像素區(qū)域p2之間。存儲線750平行于柵線gl。第一存儲電壓vcst1被施加到存儲線750。在這樣的實施方案中，第一存儲電極751和存儲線750可以具有一體的構(gòu)造，例如可以具有單件整體的結(jié)構(gòu)。存儲線750可以包括與柵線gl的材料基本上相同的材料并具有與柵線gl的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)(多層結(jié)構(gòu))。存儲線750和柵線gl可以在相同的工藝中同時形成。
如圖2所示，第二存儲電極752可以具有圍繞第二子像素電極pe2的形狀。第二存儲電極752可以交疊第二子像素電極pe2的邊緣部分。第二存儲電極752可以包括與柵線gl的材料基本上相同的材料并具有與柵線gl的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)(多層結(jié)構(gòu))。第二存儲電極752和柵線gl可以在相同的工藝中同時形成。
第二存儲電壓vcst2被施加到第二存儲電極752。第二存儲電壓vcst2可以具有與公共電壓vcom的電壓電平相等的電壓電平。在實施方案中，第二存儲電極752和第一存儲電極751可以具有一體的構(gòu)造，例如單件整體的結(jié)構(gòu)。第二存儲電極752可以包括與柵線gl的材料基本上相同的材料并具有與柵線gl的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)(多層結(jié)構(gòu))。在實施方案中，第二存儲電極752和柵線gl可以在相同的工藝中同時形成。
如圖3和圖4所示，柵極絕緣層311在柵線gl、第一柵電極ge1、主柵電極ge22、第一存儲電極751、第二存儲電極752和存儲線750上。在這樣的實施方案中，柵極絕緣層311在包括柵線gl、第一柵電極ge1、主柵電極ge22、第一存儲電極751、第二存儲電極752和存儲線750的第一基板301的整個表面之上。柵極絕緣層311具有與柵線gl對應(yīng)的孔。柵極絕緣層311可以包括例如硅氮化物(sinx)或硅氧化物(siox)或者可以由例如硅氮化物(sinx)或硅氧化物(siox)形成。柵極絕緣層311可以具有多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)包括具有不同物理性質(zhì)的至少兩個絕緣層。
如圖3所示，數(shù)據(jù)線dl在柵極絕緣層311上。數(shù)據(jù)線dl的端部可以連接到另一層或外部驅(qū)動電路。數(shù)據(jù)線dl的端部可以具有比數(shù)據(jù)線dl的另一部分的面積大的面積。
數(shù)據(jù)線dl交叉柵線gl和存儲線750。數(shù)據(jù)線dl的交叉柵線gl的部分可以具有比數(shù)據(jù)線dl的另一部分的線寬度小的線寬度。類似地，數(shù)據(jù)線dl的交叉存儲線750的部分可以具有比數(shù)據(jù)線dl的另一部分的線寬度小的線寬度。因此，數(shù)據(jù)線dl和柵線gl之間的寄生電容以及數(shù)據(jù)線dl和存儲線750之間的電容可以被減小。
數(shù)據(jù)線dl可以包括例如難熔金屬諸如鉬、鉻、鉭和鈦或其合金，或者可以由例如難熔金屬諸如鉬、鉻、鉭和鈦或其合金形成。數(shù)據(jù)線dl可以具有包括難熔金屬層和低電阻導(dǎo)電層的多層結(jié)構(gòu)。多層結(jié)構(gòu)的示例可以包括：包括鉻或鉬(合金)下層和鋁(合金)上層的雙層結(jié)構(gòu)；以及包括鉬(合金)下層、鋁(合金)中間層和鉬(合金)上層的三層結(jié)構(gòu)。在實施方案中，數(shù)據(jù)線dl可以包括適合的金屬或?qū)w或者可以由適合的金屬或?qū)w形成，而不是上述材料。
如圖3所示，第一半導(dǎo)體層321在柵極絕緣層311上。如圖2和圖3所示，第一半導(dǎo)體層321可以交疊第一柵電極ge1的至少一部分。第一半導(dǎo)體層321可以包括例如非晶硅、多晶硅等或者可以由非晶硅、多晶硅等形成。
如圖3所示，第一歐姆接觸層321a和第二歐姆接觸層321b在第一半導(dǎo)體層321上。第一歐姆接觸層321a和第二歐姆接觸層321b可以彼此面對或彼此橫向地對準(zhǔn)，使第一開關(guān)元件tft1的溝道區(qū)域ca1在第一歐姆接觸層321a和第二歐姆接觸層321b之間。第一歐姆接觸層321a和第二歐姆接觸層321b中的至少一個可以包括硅化物或以高濃度摻雜有n型雜質(zhì)(例如，磷或磷化氫(ph3))的n+氫化非晶硅，或者可以由硅化物或以高濃度摻雜有n型雜質(zhì)(例如，磷或磷化氫(ph3))的n+氫化非晶硅形成。
如圖4所示，第二半導(dǎo)體層322在柵極絕緣層311上。如圖2和圖4所示，第二半導(dǎo)體層322交疊主柵電極ge22和輔助柵電極ge11的至少一部分。第二半導(dǎo)體層322可以包括例如非晶硅、多晶硅等或者可以由非晶硅、多晶硅等形成。
如圖4所示，第三歐姆接觸層322a和第四歐姆接觸層322b在第二半導(dǎo)體層322上。第三歐姆接觸層322a和第四歐姆接觸層322b可以彼此面對或彼此橫向地對準(zhǔn)，使第二開關(guān)元件tft2的溝道區(qū)域ca2在第三歐姆接觸層322a和第四歐姆接觸層322b之間。第三歐姆接觸層322a和第四歐姆接觸層322b中的至少一個可以包括硅化物或以高濃度摻雜有n型雜質(zhì)(諸如磷或磷化氫(ph3))的n+氫化非晶硅，或者可以由硅化物或以高濃度摻雜有n型雜質(zhì)(諸如磷或磷化氫(ph3))的n+氫化非晶硅形成。
第三歐姆接觸層322a和上述第一歐姆接觸層321a彼此連接。例如，第三歐姆接觸層322a和上述第一歐姆接觸層321a可以具有一體的構(gòu)造，例如單件整體的結(jié)構(gòu)。
如圖3所示，第一漏電極de1在第一歐姆接觸層321a上。在實施方案中，第一漏電極de1也可以在柵極絕緣層311上。如圖2所示，第一漏電極de1可以具有從數(shù)據(jù)線dl突出的形狀。在實施方案中，第一漏電極de1可以是數(shù)據(jù)線dl的一部分。第一漏電極de1的至少一部分交疊第一半導(dǎo)體層321和第一柵電極ge1。在實施方案中，第一漏電極de1可以具有預(yù)定形狀，例如i形狀、c形狀或u形狀。圖2中的第一漏電極de1具有u形狀。第一漏電極de1的凸起部分面對第二子像素電極pe2。第一漏電極de1可以包括與數(shù)據(jù)線dl的材料基本上相同的材料并可以具有與數(shù)據(jù)線dl的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)(多層結(jié)構(gòu))。在實施方案中，第一漏電極de1和數(shù)據(jù)線dl可以在相同的工藝中同時形成。
如圖3所示，第一源電極se1在第二歐姆接觸層321b和柵極絕緣層311上。第一源電極se1的至少一部分交疊第一半導(dǎo)體層321和第一柵電極ge1。第一源電極se1連接到第一子像素電極pe1。第一源電極se1可以包括與數(shù)據(jù)線dl的材料基本上相同的材料并可以具有與數(shù)據(jù)線dl的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)(多層結(jié)構(gòu))。在實施方案中，第一源電極se1和數(shù)據(jù)線dl可以在相同的工藝中同時形成。
第一開關(guān)元件tft1的溝道區(qū)域ca1在第一半導(dǎo)體層321的在第一漏電極de1和第一源電極se1之間的部分中。
如圖4所示，第二漏電極de2在第三歐姆接觸層322a上。第二漏電極de2也可以在柵極絕緣層311上。第二漏電極de2和第一漏電極de1可以具有一體的構(gòu)造，例如單件整體的結(jié)構(gòu)。第二漏電極de2的至少一部分交疊第二半導(dǎo)體層322、主柵電極ge22和輔助柵電極ge11。在實施方案中，第二漏電極de2具有預(yù)定形狀，例如i形狀、c形狀或u形狀。圖2中的第二漏電極de2具有u形狀。第二漏電極de2的凸起部分面對第一子像素電極pe1。第二漏電極de2可以包括與數(shù)據(jù)線dl的材料基本上相同的材料并可以具有與數(shù)據(jù)線dl的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)(多層結(jié)構(gòu))。在實施方案中，第二漏電極de2和數(shù)據(jù)線dl可以在相同的工藝中同時形成。
如圖4所示，第二源電極se2在第四歐姆接觸層322b和柵極絕緣層311上。第二源電極se2的至少一部分交疊第二半導(dǎo)體層322和主柵電極ge22。第二源電極se2連接到第二子像素電極pe2。第二源電極se2可以包括與數(shù)據(jù)線dl的材料基本上相同的材料并可以具有與數(shù)據(jù)線dl的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)(多層結(jié)構(gòu))。在實施方案中，第二源電極se2和數(shù)據(jù)線dl可以在相同的工藝中同時形成。
第二開關(guān)元件tft2的溝道區(qū)域ca2可以在第二半導(dǎo)體層322的在第二漏電極de2和第二源電極se2之間的部分中。
如圖3和圖4所示，鈍化層320在數(shù)據(jù)線dl、第一漏電極de1、第二漏電極de2、第一源電極se1和第二源電極se2上。在這樣的實施方案中，鈍化層320在包括數(shù)據(jù)線dl、第一漏電極de1、第二漏電極de2、第一源電極se1和第二源電極se2的第一基板301的整個表面上。鈍化層320具有在第一源電極se1之上的第一孔、在第二源電極se2之上的第二孔、以及在柵極絕緣層311的孔之上的第三孔。
鈍化層320可以包括例如無機(jī)絕緣材料諸如硅氮化物(sinx)或硅氧化物(siox)，或者可以由例如無機(jī)絕緣材料諸如硅氮化物(sinx)或硅氧化物(siox)形成。在這樣的實施方案中，可以使用具有光敏性和例如約4.0的介電常數(shù)的無機(jī)絕緣材料。在實施方案中，鈍化層320可以具有雙層結(jié)構(gòu)，包括下無機(jī)層和上有機(jī)層。這樣的結(jié)構(gòu)可以賦予改善的絕緣性能，并且還可以幫助減少和/或防止對第一半導(dǎo)體層321和第二半導(dǎo)體層322的暴露部分的損傷。在實施方案中，鈍化層320可以具有大于或等于約
如圖3和圖4所示，濾色器354在鈍化層320上。濾色器354在第一子像素區(qū)域p1和第二子像素區(qū)域p2中，在這樣的實施方案中，濾色器354的邊緣部分在數(shù)據(jù)線dl上。濾色器354中的一個濾色器的邊緣部分可以交疊濾色器354中的與其相鄰的另一個濾色器的邊緣部分。具有相同顏色的濾色器354分別設(shè)置在單個像素中的第一子像素區(qū)域p1和第二子像素區(qū)域p2中。濾色器354具有第一孔、第二孔和第三孔。在這樣的實施方案中，濾色器354的第一孔在鈍化層320的第一孔之上。濾色器354的第二孔在鈍化層320的第二孔之上。濾色器354的第三孔在鈍化層320的第三孔之上。濾色器354可以包括光敏有機(jī)材料。
如圖3和圖4所示，蓋層391在濾色器354上。蓋層391可以幫助減少和/或防止在濾色器354中產(chǎn)生的不期望的材料滲透到液晶層333中。蓋層391具有第一孔、第二孔和第三孔。在這樣的實施方案中，蓋層391的第一孔在濾色器354的第一孔之上，蓋層391的第二孔在濾色器354的第二孔之上，蓋層391的第三孔在濾色器354的第三孔之上。蓋層391可以包括例如硅氮化物或硅氧化物。
第一接觸孔h1包括鈍化層320的第一孔、濾色器354的第一孔和蓋層391的第一孔。第一源電極se1的一部分通過第一接觸孔h1暴露。第一接觸孔h1的孔隨著位置更向上而具有更大的尺寸。因此，在第一接觸孔h1的內(nèi)壁上的第一子像素電極pe1可以具有多個彎曲部分。因此，在具有大的深度的第一接觸孔h1中，第一子像素電極pe1可以不被損壞。例如，可以防止第一子像素電極pe1被切斷。
第二接觸孔h2包括鈍化層320的第二孔、濾色器354的第二孔和蓋層391的第二孔。第二源電極se2的一部分通過第二接觸孔h2暴露。在這方面，第二接觸孔h2的孔可以隨著位置更向上而具有更大的尺寸。因此，在第二接觸孔h2的內(nèi)壁上的第二子像素電極pe2可以具有多個彎曲部分。因此，在具有大的深度的第二接觸孔h2中，第二子像素電極pe2可以不被損壞。例如，可以防止第二子像素電極pe2被切斷。
第三接觸孔h3包括柵極絕緣層311的孔、鈍化層320的第三孔、濾色器354的第三孔和蓋層391的第三孔。柵線gl的一部分通過第三接觸孔h3暴露。在這方面，第三接觸孔h3的孔可以在向上的方向上在尺寸上增大。因此，在第三接觸孔h3的內(nèi)壁上的輔助柵電極ge11可以具有多個彎曲部分。因此，在具有大的深度的第三接觸孔h3中，輔助柵電極ge11可以不被損壞。例如，可以防止輔助柵電極ge11被切斷。
在第二開關(guān)元件tft2的溝道區(qū)域ca2中，第二開關(guān)元件tft2的第二半導(dǎo)體層322和輔助柵電極ge11之間的距離比第二開關(guān)元件tft2的第二半導(dǎo)體層322和主柵電極ge22之間的距離長。為此，溝道區(qū)域ca2中的第二半導(dǎo)體層322和輔助柵電極ge11之間的絕緣層的厚度可以大于溝道區(qū)域ca2中的第二半導(dǎo)體層322和主柵電極ge22之間的絕緣層的厚度。例如，如圖4所示，第二半導(dǎo)體層322和輔助柵電極ge11之間的絕緣層(第一絕緣層)的厚度t1可以對應(yīng)于鈍化層320的厚度、濾色器354的厚度和蓋層391的厚度的總厚度。
第二半導(dǎo)體層322和主柵電極ge22之間的絕緣層(第二絕緣層)的厚度t2可以對應(yīng)于柵極絕緣層311的厚度。在這方面，第一絕緣層具有比第二絕緣層的厚度大的厚度(t1>t2)。
在實施方案中，當(dāng)濾色器354在第二基板302上而不是在第一基板301上時，第一絕緣層僅包括鈍化層320。在這樣的實施方案中，鈍化層320可以具有比柵極絕緣層311的厚度大的厚度。
在第一開關(guān)元件tft1的溝道區(qū)域ca1處在第一開關(guān)元件tft1的第一柵電極ge1和第一開關(guān)元件tft1的第一半導(dǎo)體層321之間的距離(在下文，第一距離)被定義為t0。在第二開關(guān)元件tft2的溝道區(qū)域ca2處在第二開關(guān)元件tft2的輔助柵電極ge11和第二開關(guān)元件tft2的第二半導(dǎo)體層322之間的距離(在下文，第二距離)被定義為t1。第一距離t0不同于第二距離t1。例如，第二距離t1可以大于第一距離t0。
如圖2所示，第一子像素電極pe1在第一子像素區(qū)域p1中。在這樣的實施方案中，第一子像素電極pe1在蓋層391上。第一子像素電極pe1通過第一接觸孔h1連接到第一源電極se1。
第一子像素電極pe1可以包括例如透明導(dǎo)電材料諸如銦錫氧化物(ito)或銦鋅氧化物(izo)，或者可以由例如透明導(dǎo)電材料諸如銦錫氧化物(ito)或銦鋅氧化物(izo)形成。例如，ito可以是多晶或單晶材料，izo也可以是多晶或單晶材料。在實施方案中，izo可以是非晶材料。
圖5示出圖2的第一子像素電極pe1的實施方式。第一子像素電極pe1可以包括主干電極613和多個分支電極(601a、601b、601c和601d)。主干電極613和多個分支電極(601a、601b、601c和601d)可以形成為具有一體的構(gòu)造。
主干電極613將第一子像素區(qū)域p1劃分為多個域。在實施方案中，主干電極613包括彼此交叉的水平部分611和垂直部分612。水平部分611將第一子像素區(qū)域p1劃分為兩個域。垂直部分612將所劃分的兩個域的每個劃分為另外兩個更小的域。像素區(qū)域p由包括水平部分611和垂直部分612的主干電極613劃分為四個域a、b、c和d。
該多個分支電極(601a、601b、601c和601d)包括第一分支電極601a、第二分支電極601b、第三分支電極601c和第四分支電極601d，每個從主干電極613延伸到彼此不同的方向。例如，第一分支電極601a、第二分支電極601b、第三分支電極601c和第四分支電極601d分別從主干電極613延伸到域(a、b、c和d)中的相應(yīng)的域中。例如，第一分支電極601a在第一域a中，第二分支電極601b在第二域b中，第三分支電極601c在第三域c中，第四分支電極601d在第四域d中。
第一分支電極601a和第二分支電極601b可以相對于垂直部分612形成對稱的形狀。第三分支電極601c和第四分支電極601d可以相對于垂直部分612形成對稱的形狀。此外，第一分支電極601a和第四分支電極601d可以相對于水平部分611形成對稱的形狀。第二分支電極601b和第三分支電極601c可以相對于水平部分611形成對稱的形狀。
第一分支電極601a可以包括在第一域a中的多個第一分支電極601a。在這樣的實施方案中，多個第一分支電極601a彼此平行地排列。在這方面，部分第一分支電極601a從水平部分611的接觸第一域a的一側(cè)在相對于水平部分611的該側(cè)的傾斜方向(diagonaldirection)上延伸。此外，該多個第一分支電極601a中的其它或剩余的第一分支電極601a從垂直部分612的接觸第一域a的一側(cè)在相對于垂直部分612的該側(cè)的傾斜方向上延伸。
第二分支電極601b可以包括在第二域b中的多個第二分支電極601b。在這樣的實施方案中，多個第二分支電極601b彼此平行地排列。在這方面，部分第二分支電極601b從水平部分611的接觸第二域b的一側(cè)在相對于水平部分611的該側(cè)的傾斜方向上延伸。此外，其余的第二分支電極601b從垂直部分612的接觸第二域b的一側(cè)在相對于垂直部分612的該側(cè)的傾斜方向上延伸。
第三分支電極601c可以包括在第三域c中的多個第三分支電極601c。在這樣的實施方案中，多個第三分支電極601c彼此平行地排列。在這方面，部分第三分支電極601c從水平部分611的接觸第三域c的一側(cè)在相對于水平部分611的該側(cè)的傾斜方向上延伸。此外，該多個第三分支電極601c中的其它或剩余的第三分支電極601c從垂直部分612的接觸第三域c的一側(cè)在相對于垂直部分612的該側(cè)的傾斜方向上延伸。
第四分支電極601d可以包括在第四域d中的多個第四分支電極601d。在這樣的實施方案中，多個第四分支電極601d彼此平行地排列。在這方面，部分第四分支電極601d從水平部分611的接觸第四域d的一側(cè)在相對于水平部分611的該側(cè)的傾斜方向上延伸。此外，其余的第四分支電極601d從垂直部分612的接觸第四域d的一側(cè)在相對于垂直部分612的該側(cè)的傾斜方向上延伸。
在實施方案中，前述主干電極613還可以包括第一連接部分614a和第二連接部分614b。第一連接部分614a連接到水平部分611的一個端部。第二連接部分614b連接到水平部分611的另一端部。第一連接部分614a和第二連接部分614b可以平行于垂直部分612排列。第一連接部分614a和第二連接部分614b可以具有與主干電極613的一體構(gòu)造。
第一域a中的第一分支電極601a中的至少兩個的端部和第四域d中的第四分支電極601d中的至少兩個的端部可以通過第二連接部分614b彼此連接。類似地，第二域b中的第二分支電極601b中的至少兩個的端部和第三域c中的第三分支電極601c中的至少兩個的端部可以通過第一連接部分614a彼此連接。
在實施方案中，第一域a中的第一分支電極601a中的至少兩個的端部和第二域b中的第二分支電極601b中的至少兩個的端部可以通過另一連接部分彼此連接。此外，第三域c中的第三分支電極601c中的至少兩個的端部和第四域d中的第四分支電極601d中的至少兩個的端部可以通過另一連接部分彼此連接。
第一子像素電極pe1和第一存儲電極751可以彼此交疊。在實施方案中，第一子像素電極pe1的邊緣部分可以在第一存儲電極751上。
如圖4所示，第二子像素電極pe2在第二子像素區(qū)域p2中。在這樣的實施方案中，第二子像素電極pe2在蓋層391上。第二子像素電極pe2通過第二接觸孔h2連接到第二源電極se2。第二子像素電極pe2可以包括與第一子像素電極pe1中的材料相同的材料，或者可以由與第一子像素電極pe1中的材料相同的材料形成。例如，第二子像素電極pe2和第一子像素電極pe1可以在相同的工藝中同時形成。
第二子像素電極pe2具有與第一子像素電極pe1的結(jié)構(gòu)基本上相同的結(jié)構(gòu)。在實施方案中，第二子像素電極pe2包括將第二子像素區(qū)域p2劃分為多個域的主干電極和從主干電極延伸到所述多個域的每一個對應(yīng)的域中的分支電極。此外，第二子像素電極pe2還可以包括第一連接部分和第二連接部分。第二子像素電極pe2中的主干電極、分支電極、第一連接部分和第二連接部分可以與第一子像素電極pe1中的主干電極613、分支電極(601a、601b、601c和601d)、第一連接部分614a和第二連接部分614b相同。
第二子像素電極pe2可以具有相對于第一子像素電極pe1的面積更大的面積或相等的面積。在實施方案中，第二子像素電極pe2的面積可以是第一子像素電極pe1的面積的一倍至兩倍。
第二子像素電極pe2和第二存儲電極752可以彼此交疊。在實施方案中，第二子像素電極pe2的邊緣部分可以在第二存儲電極752上。
如圖1和圖4所示，輔助柵電極ge11在蓋層391上以交疊第二半導(dǎo)體層322、第二漏電極de2和第二源電極se2。輔助柵電極ge11和柵線gl可以在不同的層上。輔助柵電極ge11通過絕緣層(柵極絕緣層311)、鈍化層320、濾色器354和蓋層391的第三接觸孔h3連接到柵線gl。輔助柵電極ge11可以包括與上述第一子像素電極pe1中包括的材料基本上相同的材料。輔助柵電極ge11和第一子像素電極pe1可以在相同的工藝中同時形成。
第二開關(guān)元件tft2通過具有相對大的電阻的輔助柵電極ge11連接到柵線gl。例如，柵線gl和第一柵電極ge1中的材料(例如，金屬材料諸如鋁)具有比輔助柵電極ge11中的材料(例如，透明導(dǎo)電材料諸如izo)的電阻小的電阻。因此，第二開關(guān)元件tft2具有比第一開關(guān)元件tft1的內(nèi)電阻大的內(nèi)電阻(例如，更大的閾值電壓)，第一開關(guān)元件tft1包括具有與柵線gl一體的構(gòu)造的第一柵電極ge1。因此，盡管相同的柵信號被施加到第二開關(guān)元件tft2的輔助柵電極ge11和第一開關(guān)元件tft1的第一柵電極ge1，但是由于第二開關(guān)元件tft2的電壓降可以大于由于第一開關(guān)元件tft1的電壓降。因此，第一子像素電壓和第二子像素電壓可以具有彼此不同的值。例如，第二子像素電壓小于第一子像素電壓。因此，可以提高像素的可見性。
在實施方案中，輔助柵電極ge11可以包括與柵線gl中的材料基本上相同的材料。
如圖3和圖4所示，光阻擋層376在第二基板302上。光阻擋層376可以在除了第一子像素區(qū)域p1和第二子像素區(qū)域p2之外的部分中。在實施方案中，光阻擋層376可以在第一基板301上。
外涂層722在光阻擋層376上。在這樣的實施方案中，外涂層722可以在包括光阻擋層376的第二基板302的整個表面上。外涂層722可以有助于顯著減小(或最小化)外涂層722和第二基板302之間的元件當(dāng)中的高度差，例如在第二基板302的元件諸如上述光阻擋層376當(dāng)中的高度差。在實施方案中，外涂層722可以被省略。
公共電極330在外涂層722上。在這樣的實施方案中，公共電極330可以在包括外涂層722的第二基板302的整個表面上。在可選的實施方案中，公共電極330可以在外涂層722的與第一子像素區(qū)域p1和第二子像素區(qū)域p2對應(yīng)的部分上。公共電壓vcom可以施加到公共電極330。公共電極330可以包括上述透明導(dǎo)電材料(例如ito或izo)。
lcd裝置的實施方案還可以包括第一偏振器和第二偏振器。當(dāng)彼此面對的第一基板301的表面和第二基板302的表面被分別定義為相應(yīng)基板的上表面并且與所述上表面相反的表面被分別定義為相應(yīng)基板的下表面時，上述第一偏振器在第一基板301的下表面上，并且第二偏振器在第二基板302的下表面上。
第一偏振器的透射軸垂直于第二偏振器的透射軸。第一偏振器和第二偏振器的透射軸中的一個平行于柵線gl取向。在可選的實施方案中，lcd裝置可以僅包括第一偏振器和第二偏振器中的一個。
lcd裝置的實施方案還可以包括屏蔽電極。屏蔽電極可以在蓋層391上以交疊數(shù)據(jù)線dl。例如，屏蔽電極可以具有與數(shù)據(jù)線dl的形狀基本上相同的形狀，并可以沿著數(shù)據(jù)線dl設(shè)置。屏蔽電極可以包括與第一子像素電極pe1中的材料相同的材料，或者可以由與第一子像素電極pe1中的材料相同的材料形成。公共電壓vcom可以施加到屏蔽電極。屏蔽電極可以有助于防止電場形成在數(shù)據(jù)線dl和子像素電極(例如第一子像素電極pe1和第二子像素電極pe2)之間。在這樣的實施方案中，屏蔽電極和公共電極330具有相等的電位，使得透射穿過屏蔽電極和公共電極330之間的液晶層的光被第二偏振器屏蔽。因此，在與數(shù)據(jù)線dl對應(yīng)的部分處，可以顯著地減少或防止光泄漏。
第一基板301和第二基板302可以是包括玻璃或塑料的絕緣基板或者由玻璃或塑料形成的絕緣基板。第一基板301和第二基板302之間的液晶層包括液晶分子。液晶分子可以具有例如負(fù)介電常數(shù)，并可以是垂直配向(homeotropic)的液晶分子。
圖6示出具有圖2的配置的兩個相鄰的像素。圖6示出第一像素px1的一部分和第二像素px2的一部分。在實施方案中，第一像素px1和第二像素px2具有與圖2所示的像素px的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)。
如圖6所示，第一像素px1中的第一存儲電極751可以連接到第二像素px2中的第二存儲電極752。例如，第一像素px1的第一存儲電極751和第二像素px2的第二存儲電極752可以彼此連接。第一像素px1和第二像素px2可以在柵線中的兩個相鄰的柵線gl和gl'之間彼此相鄰。在這樣的實施方案中，第一像素px1的第一存儲電極751和第二像素px2的第二存儲電極752可以具有一體的構(gòu)造。
圖7示出包括與圖1的像素電路對應(yīng)的像素配置的lcd裝置的另一實施方案的俯視圖或布局圖。如圖7所示，第二漏電極de2可以具有預(yù)定形狀，例如像u一樣的形狀。在這樣的實施方案中，第二漏電極de2的凸起部分面對第二子像素電極pe2。第二漏電極de2在存儲線750和柵線gl之間。
關(guān)于圖7中示出的其它配置的描述將參照關(guān)于圖3和圖4中示出的配置的描述。
圖8示出包括與圖1的像素電路對應(yīng)的像素配置的lcd裝置的另一實施方案的俯視圖或布局圖。圖9示出沿圖8的線i-i'截取的剖視圖。圖10示出沿圖8的線ii-ii'截取的剖視圖。
參照圖8、圖9和圖10，lcd裝置包括第一基板3301、柵線gl0、第一柵電極ge101、主柵電極ge222、輔助柵電極ge111、第一存儲電極7751、存儲線7750、第二存儲電極7752、柵極絕緣層3311、第一半導(dǎo)體層3321、第二半導(dǎo)體層3322、第一歐姆接觸層3321a、第二歐姆接觸層3321b、數(shù)據(jù)線dl0、第一漏電極de11、第一源電極se11、第二漏電極de22、第二源電極se22、鈍化層3320、蓋層3391、濾色器3354、第一子像素電極pe11、第二子像素電極pe22、第二基板3302、光阻擋層3376、外涂層7722、公共電極3330和液晶層3333。在實施方案中，第一歐姆接觸層3321a、第二歐姆接觸層3321b和外涂層7722中的至少一個可以被省略。
如圖8和圖9所示，第一開關(guān)元件tft11包括第一柵電極ge101、第一半導(dǎo)體層3321、第一漏電極de11和第一源電極se11。如圖9所示，第一漏電極de11、第一半導(dǎo)體層3321和第一源電極se11具有垂直堆疊的結(jié)構(gòu)。例如，第一半導(dǎo)體層3321在第一漏電極de11上，第一源電極se11在第一半導(dǎo)體層3321上。
第一歐姆接觸層3321a還可以在第一漏電極de11和第一半導(dǎo)體層3321之間。第二歐姆接觸層3321b還可以在第一半導(dǎo)體層3321和第一源電極se11之間。在這樣的實施方案中，第一漏電極de11、第一歐姆接觸層3321a、第一半導(dǎo)體層3321、第二歐姆接觸層3321b和第一源電極se11具有垂直堆疊的結(jié)構(gòu)。
第一開關(guān)元件tft11的第一柵電極ge101與第一半導(dǎo)體層3321相鄰。例如，如圖8和圖9所示，第一柵電極ge101和第一半導(dǎo)體層3321彼此水平相鄰。例如，第一柵電極ge101水平地交疊第一半導(dǎo)體層3321。第一柵電極ge101還可以交疊第一漏電極de11、第一歐姆接觸層3321a、第二歐姆接觸層3321b和第一源電極se11中的至少一個。
圖9示出其中第一柵電極ge101水平地交疊第一漏電極de11、第一歐姆接觸層3321a、第一半導(dǎo)體層3321、第二歐姆接觸層3321b和第一源電極se11的示例。在圖9所示的示例中，第一柵電極ge101的一部分在與其上設(shè)置第一漏電極de11的層相同的層上。第一柵電極ge101的另一部分在與其上設(shè)置第一歐姆接觸層3321a的層相同的層上。第一柵電極ge101的另一部分在與其上設(shè)置第一半導(dǎo)體層3321的層相同的層上。第一柵電極ge101的另一部分在與其上設(shè)置第二歐姆接觸層3321b的層相同的層上。并且，第一柵電極ge101的另一部分在與其上設(shè)置第一源電極se11的層相同的層上。
如圖8、圖9和圖10所示，第二開關(guān)元件tft22包括主柵電極ge222、輔助柵電極ge111、第二半導(dǎo)體層3322、第二漏電極de22和第二源電極se22。如圖10所示，第二漏電極de22、第二半導(dǎo)體層3322和第二源電極se22具有垂直堆疊的結(jié)構(gòu)。例如，第二半導(dǎo)體層3322在第二漏電極de22上，第二源電極se22在第二半導(dǎo)體層3322上。
第三歐姆接觸層3322a還可以在第二漏電極de22和第二半導(dǎo)體層3322之間。第四歐姆接觸層3322b還可以在第二半導(dǎo)體層3322和第二源電極se22之間。在這樣的實施方案中，第二漏電極de22、第三歐姆接觸層3322a、第二半導(dǎo)體層3322、第四歐姆接觸層3322b和第二源電極se22具有垂直堆疊的結(jié)構(gòu)。
第二開關(guān)元件tft22的主柵電極ge222與第二半導(dǎo)體層3322相鄰。例如，如圖8和圖10所示，主柵電極ge222和第二半導(dǎo)體層3322彼此水平地相鄰。例如，主柵電極ge222水平地交疊第二半導(dǎo)體層3322。主柵電極ge222還可以交疊第二漏電極de22、第三歐姆接觸層3322a、第四歐姆接觸層3322b和第二源電極se22中的至少一個。
圖10示出其中主柵電極ge222水平地交疊第二漏電極de22、第三歐姆接觸層3322a、第二半導(dǎo)體層3322、第四歐姆接觸層3322b和第二源電極se22的示例。在圖10所示的示例中，主柵電極ge222的一部分在與其上設(shè)置第二漏電極de22的層相同的層上。主柵電極ge222的另一部分在與其上設(shè)置第三歐姆接觸層3322a的層相同的層上。主柵電極ge222的另一部分在與其上設(shè)置第二半導(dǎo)體層3322的層相同的層上。主柵電極ge222的另一部分在與其上設(shè)置第四歐姆接觸層3322b的層相同的層上。主柵電極ge222的另一部分在與其上設(shè)置第二源電極se22的層相同的層上。
第二開關(guān)元件tft22的輔助柵電極ge111與第二半導(dǎo)體層3322相鄰。例如，如圖8和圖10所示，輔助柵電極ge111和第二半導(dǎo)體層3322彼此水平地相鄰。例如，輔助柵電極ge111水平地交疊第二半導(dǎo)體層3322。輔助柵電極ge111還可以水平地交疊第二漏電極de22、第三歐姆接觸層3322a、第四歐姆接觸層3322b和第二源電極se22中的至少一個。
圖10示出其中輔助柵電極ge111水平地交疊第二漏電極de22、第三歐姆接觸層3322a、第二半導(dǎo)體層3322、第四歐姆接觸層3322b和第二源電極se22的示例。在圖10所示的示例中，輔助柵電極ge111的一部分在與其上設(shè)置第二漏電極de22的層相同的層上。輔助柵電極ge111的另一部分在與其上設(shè)置第三歐姆接觸層3322a的層相同的層上。輔助柵電極ge111的另一部分在與其上設(shè)置第二半導(dǎo)體層3322的層相同的層上。輔助柵電極ge111的另一部分在與其上設(shè)置第四歐姆接觸層3322b的層相同的層上。輔助柵電極ge111的另一部分在與其上設(shè)置第二源電極se22的層相同的層上。
主柵電極ge222不物理地接觸任何導(dǎo)體(包括柵線gl0)。在可選的實施方案中，主柵電極ge222可以連接到上述偏置線777。
在第二開關(guān)元件tft22的溝道區(qū)域ca22中，第二開關(guān)元件tft22的第二半導(dǎo)體層3322與輔助柵電極ge111之間的距離可以對應(yīng)于第一距離w1，并且第二開關(guān)元件tft22的第二半導(dǎo)體層3322與主柵電極ge222之間的距離可以對應(yīng)于第二距離w2。第一距離w1比第二距離w2長。因此，當(dāng)通過輔助柵電極ge111而不是通過主柵電極ge222接收柵極高電壓時，第二開關(guān)元件tft22表現(xiàn)出相對較低的電流驅(qū)動能力。如圖8和圖10所示，由于通過輔助柵電極ge111連接到柵線gl0，所以第二開關(guān)元件tft2具有相對較低的電流驅(qū)動能力。
在第一開關(guān)元件tft11的溝道區(qū)域ca11處的第一開關(guān)元件tft11的第一柵電極ge101和第一開關(guān)元件tft11的第一半導(dǎo)體層3321之間的距離(在下文，第一距離)被定義為w0。在第二開關(guān)元件tft22的溝道區(qū)域ca22處的第二開關(guān)元件tft22的輔助柵電極ge111和第二開關(guān)元件tft22的第二半導(dǎo)體層3322之間的距離(在下文，第二距離)被定義為w1。第一距離w0不同于第二距離w1。例如，第二距離w1可以大于第一距離w0。
如圖9和圖10所示，數(shù)據(jù)線dl0、第一漏電極de11和第二漏電極de22在第一基板3301上。數(shù)據(jù)線dl0、第一漏電極de11和第二漏電極de22分別包括與分別在數(shù)據(jù)線dl、第一漏電極de1和第二漏電極de2的上述示范性實施方式中的材料相同的材料。
如圖9和圖10所示，第一歐姆接觸層3321a和第三歐姆接觸層3322a在數(shù)據(jù)線dl0、第一漏電極de11和第二漏電極de22上。在數(shù)據(jù)線dl0上的第一歐姆接觸層3321a、在第一漏電極de11上的第一歐姆接觸層3321a和在第二漏電極de22上的第三歐姆接觸層3322a彼此連接。第一歐姆接觸層3321a和第三歐姆接觸層3322a可以包括與第一歐姆接觸層321a和第三歐姆接觸層322a的上述實施方案中的材料基本上相同的材料。
如圖9和圖10所示，半導(dǎo)體層3420在第一歐姆接觸層3321a和第三歐姆接觸層3322a上。數(shù)據(jù)線dl0、第一歐姆接觸層3321a和第一半導(dǎo)體層3321可以具有基本上相同的形狀。
半導(dǎo)體層3420包括第一半導(dǎo)體層3321和第二半導(dǎo)體層3322。例如，第一半導(dǎo)體層3321和第二半導(dǎo)體層3322是半導(dǎo)體層3420的部分。例如，半導(dǎo)體層3420的在第一漏電極de11和第一源電極se11之間的部分可以對應(yīng)于第一半導(dǎo)體層3321。此外，半導(dǎo)體層3420的在第二漏電極de22和第二源電極se22之間的部分可以對應(yīng)于上述第二半導(dǎo)體層3322。包括第一半導(dǎo)體層3321和第二半導(dǎo)體層3322的半導(dǎo)體層3420可以包括與第一半導(dǎo)體層321的上述實施方案中的材料基本上相同的材料。
如圖9和圖10所示，第二歐姆接觸層3321b和第四歐姆接觸層3322b分別在第一半導(dǎo)體層3321和第二半導(dǎo)體層3322上。例如，第二歐姆接觸層3321b和第四歐姆接觸層3322b不交疊數(shù)據(jù)線dl0。因此，在第一半導(dǎo)體層3321上的第二歐姆接觸層3321b和在第二半導(dǎo)體層3322上的第四歐姆接觸層3322b彼此物理地分離。第二歐姆接觸層3321b和第四歐姆接觸層3322b可以包括與第二歐姆接觸層321b和第四歐姆接觸層322b的上述實施方案中的材料基本上相同的材料。
第一源電極se11和第二源電極se22分別在第二歐姆接觸層3321b和第四歐姆接觸層3322b上。例如，第一源電極se11在第二歐姆接觸層3321b上以交疊第一半導(dǎo)體層3321。第二源電極se22在第四歐姆接觸層3322b上以交疊第二半導(dǎo)體層3322。第一源電極se11和第二源電極se22彼此物理地分離。第一源電極se11和第二源電極se22可以分別包括與分別在第一源電極se1和第二源電極se2的上述實施方案中的材料相同的材料。
如圖9和圖10所示，柵極絕緣層3311在第一基板3301、半導(dǎo)體層3420、第一源電極se11和第二源電極se22上。柵極絕緣層3311在包括半導(dǎo)體層3420、第一源電極se11和第二源電極se22的第一基板3301的整個表面之上。柵極絕緣層3311具有第一孔、第二孔、第三孔、第四孔和第五孔。在這樣的實施方案中，柵極絕緣層3311的第一孔在第一源電極se11上，柵極絕緣層3311的第二孔在第二源電極se22上，第三孔、第四孔和第五孔在第一基板3301上。柵極絕緣層3311可以包括與上述柵極絕緣層311中的材料基本上相同的材料。
柵線gl1、第一存儲電極7751、第二存儲電極7752和存儲線7750在柵極絕緣層3311上。柵線gl1、第一存儲電極7751、第二存儲電極7752和存儲線7750的各自的形狀可以與柵線gl、第一存儲電極751、第二存儲電極752和存儲線750的上述實施方案中的形狀相同。柵線gl1、第一存儲電極7751、第二存儲電極7752和存儲線7750可以分別包括與柵線gl、第一存儲電極751、第二存儲電極752和存儲線750的上述實施方案中的材料相同的材料。
如圖9和圖10所示，第一柵電極ge101、主柵電極ge222和輔助柵電極ge111從柵線gl0朝向第一基板3301垂直地延伸。第一柵電極ge101在柵極絕緣層3311的第三孔中，主柵電極ge222在柵極絕緣層3311的第四孔中，輔助柵電極ge111在柵極絕緣層3311的第五孔中。第一柵電極ge101可以填充整個第三孔。主柵電極ge222可以填充整個第四孔。輔助柵電極ge111可以填充整個第五孔。第一柵電極ge101、主柵電極ge222和輔助柵電極ge111可以分別包括與第一柵電極ge1、主柵電極ge22和輔助柵電極ge11的上述實施方案中的材料相同的材料。
在第二開關(guān)元件的溝道區(qū)域ca22中，在第二半導(dǎo)體層3322和輔助柵電極ge111之間的柵極絕緣層3311的寬度w1大于在第二半導(dǎo)體層3322和主柵電極ge222之間的柵極絕緣層3311的寬度w2。
鈍化層3320在柵極絕緣層3311、柵線gl0、第一存儲電極7751、第二存儲電極7752、存儲線7750、第一柵電極ge101、主柵電極ge222和輔助柵電極ge111上。鈍化層3320在包括柵極絕緣層3311、柵線gl0、第一存儲電極7751、第二存儲電極7752、存儲線7750、第一柵電極ge101、主柵電極ge222和輔助柵電極ge111的第一基板3301的整個表面之上。鈍化層3320具有第一孔和第二孔。在這樣的實施方案中，鈍化層3320的第一孔在柵極絕緣層3311的第一孔之上。鈍化層3320的第二孔在柵極絕緣層3311的第二孔之上。鈍化層3320可以包括與鈍化層320的上述實施方案中的材料基本上相同的材料。
如圖9和圖10所示，濾色器3354在鈍化層3320上。濾色器3354在第一子像素區(qū)域p11和第二子像素區(qū)域p22中。在這樣的實施方案中，濾色器3354的邊緣部分在數(shù)據(jù)線dl0上。濾色器3354中的一個濾色器的邊緣部分可以交疊濾色器3354中的與其相鄰的另一濾色器的邊緣部分。具有相同顏色的濾色器3354分別設(shè)置在單個像素中的第一子像素區(qū)域p11和第二子像素區(qū)域p22中。濾色器3354具有第一孔和第二孔。在這樣的實施方案中，濾色器3354的第一孔在鈍化層3320的第一孔之上。濾色器3354的第二孔在鈍化層3320的第二孔之上。濾色器3354可以包括與濾色器354中的材料基本上相同的材料。
如圖9和圖10所示，蓋層3391在濾色器3354上并有助于減少或防止從濾色器3354產(chǎn)生的雜質(zhì)滲透到液晶層3333中。蓋層3391具有第一孔和第二孔。在這樣的實施方案中，蓋層3391的第一孔在濾色器3354的第一孔之上。蓋層3391的第二孔在濾色器3354的第二孔之上。蓋層3391可以包與蓋層391的上述實施方案中的材料基本上相同的材料。
第一接觸孔h11包括柵極絕緣層3311的第一孔、鈍化層3320的第一孔、濾色器3354的第一孔和蓋層3391的第一孔。第一源電極se11的一部分通過第一接觸孔h11暴露。如之前所述，第一接觸孔h11的孔的尺寸在向上的方向上增大。
第二接觸孔h22包括柵極絕緣層3311的第二孔、鈍化層3320的第二孔、濾色器3354的第二孔和蓋層3391的第二孔。第二源電極se22的一部分通過第二接觸孔h22暴露。如之前所述，第二接觸孔h22的孔的尺寸在向上的方向上增大。
第二開關(guān)元件tft22的溝道區(qū)域ca22和輔助柵電極ge111之間的距離w1可以比第二開關(guān)元件tft22的溝道區(qū)域ca22和主柵電極ge222之間的距離w2更長。為此，溝道區(qū)域ca22和輔助柵電極ge111之間的柵極絕緣層3311可以具有比溝道區(qū)域ca22和主柵電極ge222之間的柵極絕緣層3311的寬度大的寬度。
如圖9所示，第一子像素電極pe11在第一子像素區(qū)域p11中。在這樣的實施方案中，第一子像素電極pe11在蓋層3391上。第一子像素電極pe11通過第一接觸孔h11連接到第一源電極se11。第一子像素電極pe11可以與第一子像素電極pe1的上述實施方案基本上相同。
如圖10所示，第二子像素電極pe22在第二子像素區(qū)域p22中。在這樣的實施方案中，第二子像素電極pe22在蓋層3391上。第二子像素電極pe22通過第二接觸孔h22連接到第二源電極se22。第二子像素電極pe22可以與第二子像素電極pe2的上述實施方案基本上相同。
在可選實施方案中，光阻擋層3376、外涂層7722、公共電極3330和液晶層3333可以分別與光阻擋層376、外涂層722、公共電極330和液晶層333的上述實施方案基本上相同。
在可選實施方案中，lcd裝置還可以包括上述屏蔽電極。
圖11a、11b、12a、12b、13a、13b、14a、14b、15a、15b、16a、16b、17a、17b、18a、18b、19a、19b、20a、20b、21a、21b、22a、22b、23a、23b、24a和24b示出用于制造圖3和圖4的lcd裝置的方法的實施方式的剖視圖。圖11a、12a、13a、14a、15a、16a、17a、18a、19a、20a、21a、22a、23a和24a示出用于制造圖3的lcd裝置的方法的實施方式的剖視圖，圖11b、12b、13b、14b、15b、16b、17b、18b、19b、20b、21b、22b、23b和24b示出用于制造圖4的lcd裝置的方法的實施方式的剖視圖。
如圖11a和圖11b所示，第一金屬層481、第一雜質(zhì)半導(dǎo)體材料層490a、半導(dǎo)體材料層440、第二雜質(zhì)半導(dǎo)體材料層490b和第二金屬層482被順序地沉積在第一基板3301的整個表面之上。
第一金屬層481和第二金屬層482可以以物理氣相沉積(pvd)方法(例如濺射)沉積。第一雜質(zhì)半導(dǎo)體材料層490a、半導(dǎo)體材料層440和第二雜質(zhì)半導(dǎo)體材料層490b可以以化學(xué)氣相沉積(cvd)方法沉積。
第一金屬層481和第二金屬層482可以包括與上述數(shù)據(jù)線dl0中的材料基本上相同的材料，第一雜質(zhì)半導(dǎo)體材料層490a和第二雜質(zhì)半導(dǎo)體材料層490b可以包括與第一歐姆接觸層3321a中的材料基本上相同的材料，半導(dǎo)體材料層440可以包括與第一半導(dǎo)體層3321中的材料基本上相同的材料。
隨后，光致抗蝕劑pr被涂覆在包括第一金屬層481、第一雜質(zhì)半導(dǎo)體材料層490a、半導(dǎo)體材料層440、第二雜質(zhì)半導(dǎo)體材料層490b和第二金屬層482的第一基板3301的整個表面之上。
隨后，掩模m設(shè)置在光致抗蝕劑pr上。掩模m包括透射光的透射區(qū)域ta、阻擋光的阻擋區(qū)域ba和部分地透射光的半透射區(qū)域hta。半透射區(qū)域hta可以包括多個狹縫或半透明層。在這樣的實施方案中，半透射區(qū)域hta的透射率高于光阻擋區(qū)域ba的透射率并低于透射區(qū)域ta的透射率。
隨后，光(例如紫外光)通過掩模m被選擇性地照射到光致抗蝕劑pr，使得光致抗蝕劑pr被曝光。當(dāng)被曝光的光致抗蝕劑pr被顯影時，具有彼此不同的厚度的第一光致抗蝕劑圖案pp1和第二光致抗蝕劑圖案pp2形成在第二金屬層482上，如在圖12a和圖12b中。
第一光致抗蝕劑圖案pp1在與掩模m的光阻擋區(qū)域ba對應(yīng)的第二金屬層482上，第二光致抗蝕劑圖案pp2在與掩模m的半透射區(qū)域hta對應(yīng)的第二金屬層482上。在實施方案中，光致抗蝕劑pr的與掩模m的透射區(qū)域ta對應(yīng)的部分被完全去除。第二光致抗蝕劑圖案pp2的厚度可以小于第一光致抗蝕劑圖案pp1的厚度。
隨后，當(dāng)?shù)谝还庵驴刮g劑圖案pp1和第二光致抗蝕劑圖案pp2被用作掩模時，第二金屬層482、第二雜質(zhì)半導(dǎo)體材料層490b、半導(dǎo)體材料層440、第一雜質(zhì)半導(dǎo)體材料層490a和第一金屬層481被順序地蝕刻。在這樣的實施方案中，如圖13a和圖13b所示，數(shù)據(jù)線dl0、第一漏電極de11和第二漏電極de22形成在第一基板3301上。此外，第一歐姆接觸層3321a形成在數(shù)據(jù)線dl0、第一漏電極de11和第二漏電極de22上。此外，包括第一半導(dǎo)體層3321和第二半導(dǎo)體層3322的半導(dǎo)體層3420形成在第一歐姆接觸層3321a上。此外，雜質(zhì)半導(dǎo)體圖案590形成在半導(dǎo)體層3420上，源極金屬層582形成在雜質(zhì)半導(dǎo)體圖案590上。
第一金屬層481和第二金屬層482可以以使用蝕刻溶液的濕蝕刻方法去除。第一雜質(zhì)半導(dǎo)體材料層490a、半導(dǎo)體材料層440和第二雜質(zhì)半導(dǎo)體材料層490b可以以使用蝕刻氣體的干蝕刻方法去除。
隨后，進(jìn)行灰化工藝，例如，如圖14a和圖14b所示。在灰化工藝中，第一光致抗蝕劑圖案pp1和第二光致抗蝕劑圖案pp2被灰化基本上相同的程度。在這樣的實施方案中，灰化工藝被進(jìn)行直到具有相對小的厚度的第二光致抗蝕劑圖案pp2被去除。例如，當(dāng)?shù)诙庵驴刮g劑圖案pp2被去除時，灰化工藝結(jié)束。
由于第二光致抗蝕劑圖案pp2被去除，在其下面的源極金屬層582被暴露。在實施方案中，第一光致抗蝕劑圖案pp1的一部分通過灰化工藝去除。因此，第一光致抗蝕劑圖案pp1的厚度減小。被灰化的第一光致抗蝕劑圖案pp1可以定義為剩余圖案pp1'。
隨后，當(dāng)剩余圖案pp1'用作掩模時，源極金屬層582和在其下面的雜質(zhì)半導(dǎo)體圖案590通過蝕刻工藝被順序地圖案化，使得第二歐姆接觸層3321b、第一源電極se11以及第二源電極se22被形成，如圖15a和圖15b中。
在實施方案中，在對上述雜質(zhì)半導(dǎo)體圖案590進(jìn)行的蝕刻工藝中，半導(dǎo)體層3420的在雜質(zhì)半導(dǎo)體圖案590下面的部分被去除。
隨后，如圖16a和圖16b所示，剩余圖案pp1'被去除。剩余圖案pp1'可以使用剝離溶液(stripsolution)去除，該剝離溶液例如可以包括碳酸亞乙酯。
隨后，如圖17a和圖17b所示，柵極絕緣層3311沉積在第一基板3301、半導(dǎo)體層3420、第一源電極se11和第二源電極se22上。柵極絕緣層3311沉積在包括半導(dǎo)體層3420、第一源電極se11和第二源電極se22的第一基板3301的整個表面之上。
柵極絕緣層3311可以以化學(xué)氣相沉積(cvd)方法沉積。柵極絕緣層3311可以包括上述柵極絕緣層311中的材料。
隨后，如圖18a和圖18b所示，第三孔913、第四孔914和第五孔915被限定在柵極絕緣層3311中。第一基板3301的表面通過第三孔913、第四孔914和第五孔915暴露。
隨后，柵極金屬層可以沉積在包括柵極絕緣層3311的第一基板3301的整個表面之上。柵極金屬層可以以物理氣相沉積(pvd)方法諸如濺射來沉積。
隨后，柵極金屬層通過光刻工藝和蝕刻工藝被圖案化，使得第一柵電極ge101、主柵電極ge222和輔助柵電極ge111分別形成在第三孔913、第四孔914和第五孔915中，如圖19a和圖19b所示。此外，柵線gl0、第一存儲電極7751、第二存儲電極7752和存儲線7750形成在柵極絕緣層3311上。
隨后，如圖20a和圖20b所示，鈍化層3320沉積在包括柵線gl0、第一存儲電極7751、第二存儲電極7752、存儲線7750、主柵電極ge222和柵極絕緣層3311的第一基板3301的整個表面之上。
鈍化層3320可以包括與上述鈍化層3320中的材料基本上相同的材料。
隨后，光敏有機(jī)材料形成在包括鈍化層3320的第一基板3301的整個表面之上。
隨后，光敏有機(jī)材料通過光刻工藝被圖案化，使得濾色器3354形成在第一子像素區(qū)域p11和第二子像素區(qū)域p22中，如圖21a和圖21b所示。濾色器3354具有第一孔931和第二孔932。鈍化層3320的一部分通過濾色器3354的第一孔931和第二孔932暴露。
隨后，如圖22a和圖22b所示，蓋層3391沉積在包括濾色器3354的第一基板3301的整個表面之上。蓋層3391可以包括與上述蓋層3391中的材料基本上相同的材料。
隨后，蓋層3391和鈍化層3320通過光刻工藝和蝕刻工藝被選擇性地去除，使得第一孔941和第二孔942被限定在蓋層3391中，第一孔921和第二孔922被限定在鈍化層3320中，并且第一孔911和第二孔912被限定在柵極絕緣層3311中，如圖23a和圖23b所示。
第一接觸孔h11包括柵極絕緣層3311的第一孔911、鈍化層3320的第一孔921、濾色器3354的第一孔931和蓋層3391的第一孔941。第一源電極se11的一部分通過第一接觸孔h11暴露。
第二接觸孔h22包括柵極絕緣層3311的第二孔912、鈍化層3320的第二孔922、濾色器3354的第二孔932和蓋層3391的第二孔942。第二源電極se22的一部分通過第二接觸孔h22暴露。
隨后，透明金屬層沉積在包括蓋層3391、第一源電極se11和第二源電極se22的第一基板3301的整個表面之上。透明金屬層可以包括與第一子像素電極pe1中的材料基本上相同的材料。
隨后，透明金屬層通過光刻工藝和蝕刻工藝被圖案化，使得通過第一接觸孔h11連接到第一源電極se11的第一子像素電極pe11形成在第一子像素區(qū)域p11中，并且通過第二接觸孔h22連接到第二源電極se22的第二子像素電極pe22形成在第二子像素區(qū)域p22中。
圖25示出在lcd裝置的可選的實施方案中提供的像素px的等效電路圖。如圖25所示，第一開關(guān)元件tft1還可以包括輔助柵電極ge2，輔助柵電極ge2可以連接到柵線gl。圖25中的其它特征可以與圖1中示出的配置基本上相同。
圖26a和圖26b示出lcd裝置的實施方案的效果。
如圖26a所示，當(dāng)柵信號保持柵極高電壓時，第一開關(guān)元件tft1和第二開關(guān)元件tft2導(dǎo)通。在這樣的實施方案中，通過從數(shù)據(jù)線dl到像素px的數(shù)據(jù)電壓vdata產(chǎn)生第一子像素電壓vpx1和第二子像素電壓vpx2。
第一參考電壓vref1是指基于數(shù)據(jù)電壓vdata可施加到第一子像素電極pe1的電壓，第二參考電壓vref2是指基于數(shù)據(jù)電壓vdata需要被施加到第二子像素電極pe2的電壓。
如圖26a所示，第一子像素電壓vpx1高于第一參考電壓vref1。第二子像素電壓vpx2高于第二參考電壓vref2。因而，lcd裝置的實施方案的第一開關(guān)元件tft1和第二開關(guān)元件tft2可以穩(wěn)定地劃分?jǐn)?shù)據(jù)電壓以將劃分的電壓施加到第一子像素電極pe1和第二子像素電壓pe2。此外，由于第一子像素電壓vpx1和第二子像素電壓vpx2分別高于第一參考電壓vref1和第二參考電壓vref2，所以可以提高像素px的充電比率。
如圖26b所示，對于第二子像素電壓vpx2的反沖電壓(2.4[v])低于對于第二參考電壓vref2的反沖電壓(2.7[v])。因此，這里描述的一個或更多實施方式可以顯著地減少圖像殘留和閃爍。
圖27a和圖27b示出lcd裝置的另一實施方式。如圖27a所示，具有中間灰度等級的圖像981和具有最高灰度等級的圖像982兩者可以在lcd裝置的顯示屏925上顯示。具有中間灰度等級的圖像981指的是具有中間亮度的圖像。具有最高灰度等級的圖像982指的是具有最高亮度的圖像，例如具有白色灰度等級的圖像。
圖27b中的參考標(biāo)記“v1”表示lcd裝置的實施方案的存儲電壓(第一存儲電壓或第二存儲電壓)。參考標(biāo)記“v2”表示常規(guī)lcd裝置的存儲電壓。
在已經(jīng)提出的一種類型的lcd裝置中，存儲電極直接連接到數(shù)據(jù)線。因此，存儲電壓基于施加到像素的數(shù)據(jù)電壓的極性在大的范圍變化。例如，如圖27b所示，在存儲電壓中發(fā)生約200[mv]的電壓降(ir降低)。因此，在具有中間灰度等級的圖像981和具有最高灰度等級的圖像982如圖27a所示被一起顯示的情況下，在與其中具有最高灰度等級的圖像982被顯示的區(qū)域剛好鄰近的區(qū)域
然而，根據(jù)這里描述的一個或更多實施方式，即使當(dāng)?shù)谝婚_關(guān)元件tft1和第二開關(guān)元件tft2導(dǎo)通時，數(shù)據(jù)線dl和存儲電極(第一存儲電極751和第二存儲電極752)不直接彼此連接。例如，第一存儲電容器cst1在數(shù)據(jù)線dl和第一存儲電極751之間，第二存儲電容器cst2在數(shù)據(jù)線dl和第二存儲電極752之間。因此，盡管施加到像素px的數(shù)據(jù)電壓的極性改變，但是存儲電壓(第一存儲電壓和第二存儲電壓)的變化也可以被顯著減小。因此，可以抑制水平串?dāng)_。
根據(jù)前述實施方式中的一個或更多個，lcd裝置和制造該lcd裝置的方法可以提供以下效果。第一，數(shù)據(jù)電壓可以通過具有不同電流驅(qū)動能力的第一開關(guān)元件和第二開關(guān)元件來劃分。因此，第一子像素電極和第二子像素電極可以具有不同的像素電壓，使得像素的可見性可以被提高。
第二，第一開關(guān)元件的柵電極和第二開關(guān)元件的柵電極可以分別包括不同電阻的材料。在這樣的實施方案中，第一子像素電極和第二子像素電極可以具有不同的像素電壓。因此，可以提高像素的可見性。
第三，一個像素可以使用兩個開關(guān)元件產(chǎn)生兩個不同的子像素電壓。因此，像素的開口率可以增大。
第四，數(shù)據(jù)線和存儲電極沒有被直接連接。在這樣的實施方案中，第一存儲電壓和第二存儲電壓的變化可以被顯著減小。因此，可以顯著抑制水平串?dāng)_的發(fā)生。
第五，漏電極、第一歐姆接觸層、半導(dǎo)體層、第二歐姆接觸層和源電極被垂直地堆疊。因此，可以減小包括漏電極、第一歐姆接觸層、半導(dǎo)體層、第二歐姆接觸層和源電極的開關(guān)元件的水平占據(jù)面積。因此，可以進(jìn)一步提高像素的開口率。
這里已經(jīng)公開了示例實施方式，并且盡管特定的術(shù)語被使用，但是它們僅以一般的和描述性的含義來使用和被解釋，而不是為了限制的目的。在一些情況下，如到本申請?zhí)峤粫r為止對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說將是明顯的，結(jié)合特定實施方式描述的特征、特性和/或元件可以被單獨地使用，或者可以與結(jié)合其它實施方式描述的特征、特性和/或元件組合地使用，除非明確地另外指示。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，可以進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種變化而沒有背離如權(quán)利要求書中闡述的本發(fā)明的精神和范圍。
于2016年4月12日提交的名稱為“液晶顯示裝置及其制造方法”的韓國專利申請第10-2016-0044784號通過引用整體地結(jié)合于此。
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