1.一種液晶顯示器結(jié)構(gòu)，包括：
基板；
緩沖層，設(shè)置在所述基板上；
遮光層，包括摻雜了雜質(zhì)的a-Si，所述遮光層設(shè)置在所述緩沖層之上；以及
有源層，設(shè)置在所述遮光層之上。
2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器結(jié)構(gòu)，還包括：摻雜緩沖層，設(shè)置在所述遮光層之上，所述有源層之下。
3.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器結(jié)構(gòu)，其中，所述遮光層的厚度為90nm。
4.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示器結(jié)構(gòu)，其中，所述摻雜緩沖層的厚度在50nm至150nm之間。
5.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示器結(jié)構(gòu)，其中，所述摻雜緩沖層包括氧化硅、氮化硅或其組合。
6.如權(quán)利要求1-5中任一所述的液晶顯示器結(jié)構(gòu)，其中，所述雜質(zhì)為硼或磷。
7.一種液晶顯示器結(jié)構(gòu)的制作方法，包括：
提供基板；
所述基板上形成緩沖層；
所述緩沖層上形成遮光層，所述遮光層包括摻雜了雜質(zhì)的a-Si；
對所述遮光層進(jìn)行摻雜處理；
在所述遮光層上形成有源層。
8.如權(quán)利要求7所述的液晶顯示器結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，所述對所述遮光層進(jìn)行摻雜處理包括：在所述遮光層上形成摻雜緩沖層，之后對所述摻雜緩沖層和所述遮光層進(jìn)行摻雜處理。
9.如權(quán)利要求7或8所述的液晶顯示器結(jié)構(gòu)的制作方法，還包括：
在形成所述有源層之后，采用一道掩模工藝一步刻蝕所述遮光層和所述有源層。
10.如權(quán)利要求7所述的液晶顯示器結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，所述摻雜緩沖層的厚度在50nm至150nm之間。