本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種數(shù)據(jù)線維修方法和陣列基板。

背景技術(shù)：

顯示面板通常包括彩膜基板、陣列基板以及設(shè)置在這兩個基板之間的液晶層。陣列基板上設(shè)置有薄膜晶體管(英文：Thin-film transistor；簡稱；TFT)陣列，該薄膜晶體管陣列包括陣列排布的TFT，其中每個TFT包括源極、漏極和柵極，每一列TFT的柵極可以與一根數(shù)據(jù)線連接，每一行TFT的柵極可以與一根柵線連接。在陣列基板中某條數(shù)據(jù)線存在斷開處時，該陣列基板難以正常工作。

相關(guān)技術(shù)中在維修數(shù)據(jù)線時，首先會確定數(shù)據(jù)線的斷開處的位置，然后通過化學(xué)氣相沉積(英文：Chemical Vapor Deposition；簡稱：CVD)的方式在陣列基板上形成一條金屬走線，并通過該金屬走線將數(shù)據(jù)線的斷開處的兩端連接在一起。如圖1所示，數(shù)據(jù)線d在11處存在斷開處11，可以形成金屬走線m將斷開處11的兩端連接。

在實現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題：用于連接數(shù)據(jù)線的斷開處的金屬走線可能會經(jīng)過陣列基板的顯示區(qū)域，降低陣列基板的開口率。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中用于連接數(shù)據(jù)線的斷開處的金屬走線可能會經(jīng)過陣列基板的顯示區(qū)域，降低陣列基板的開口率的問題，本發(fā)明實施例提供了一種數(shù)據(jù)線維修方法和陣列基板。所述技術(shù)方案如下：

根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種數(shù)據(jù)線維修方法，所述方法包括：

確定陣列基板中數(shù)據(jù)線的斷開處的位置，所述數(shù)據(jù)線包括被所述斷開處分割成的第一子數(shù)據(jù)線和第二子數(shù)據(jù)線；

通過所述陣列基板的公共電極線將所述第一子數(shù)據(jù)線和所述第二子數(shù)據(jù)線連接，所述第一子數(shù)據(jù)線和所述公共電極線的第一連接點連接，所述第二子數(shù)據(jù)線和所述公共電極線的第二連接點連接；

斷開子公共電極線與除所述子公共電極線外的其它公共電極線間的連接，所述子公共電極線為所述第一連接點和所述第二連接點之間的公共電極線。

可選的，所述公共電極線在所述陣列基板的襯底基板上的正投影與所述第一子數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的正投影存在至少一個第一重疊區(qū)域，所述公共電極線在所述襯底基板上的正投影與所述第二子數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的正投影存在至少一個第二重疊區(qū)域，

所述通過所述陣列基板的公共電極線將所述第一子數(shù)據(jù)線和所述第二子數(shù)據(jù)線連接，包括：

將位于第一目標(biāo)重疊區(qū)域中的公共電極線和所述第一子數(shù)據(jù)線連接，所述第一目標(biāo)重疊區(qū)域是所述至少一個第一重疊區(qū)域中的重疊區(qū)域；

將位于第二目標(biāo)重疊區(qū)域中的公共電極線和所述第二子數(shù)據(jù)線連接，所述第二目標(biāo)重疊區(qū)域是所述至少一個第二重疊區(qū)域中的重疊區(qū)域。

可選的，所述將位于第一目標(biāo)重疊區(qū)域中的公共電極線和所述第一子數(shù)據(jù)線連接，包括：

通過激光熔接技術(shù)將位于所述第一目標(biāo)重疊區(qū)域中的公共電極線和所述第一子數(shù)據(jù)線連接；

所述將位于第二重疊區(qū)域中的公共電極線和所述第二子數(shù)據(jù)線連接，包括：

通過激光熔接技術(shù)將位于所述第二重疊區(qū)域中的公共電極線和所述第二子數(shù)據(jù)線連接。

可選的，所述第一目標(biāo)重疊區(qū)域和所述第二目標(biāo)重疊區(qū)域位于所述陣列基板中的第一子像素區(qū)域，所述第一子像素區(qū)域為所述斷開處所在的子像素區(qū)域。

可選的，所述陣列基板上的子像素區(qū)域成行列排布，所述第一目標(biāo)重疊區(qū)域位于所述陣列基板中的第一子像素區(qū)域，所述第二目標(biāo)重疊區(qū)域位于與所述第一子像素區(qū)域在同一列的子像素區(qū)域，

所述陣列基板中每一列子像素區(qū)域中，每兩個相鄰的子像素區(qū)域的交界處設(shè)置有上層連接線，每個所述上層連接線與所述陣列基板上的像素電極同層設(shè)置，

所述方法還包括：

所述在所述第一子像素區(qū)域至所述第二子像素區(qū)域中每兩個相鄰的子像素區(qū)域的交界處，通過所述上層連接線將所述每兩個相鄰的子像素區(qū)域中的公共電極線連接。

可選的，所述陣列基板上的子像素區(qū)域成行列排布，

所述公共電極線包括平行于所述數(shù)據(jù)線的兩條電極線和所述兩條電極線間的連接線，所述兩條電極線在所述襯底基板的正投影位于所述數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的正投影的兩側(cè)，在所述陣列基板上的任一子像素區(qū)域中，所述兩條電極線間的連接線有兩條，兩條所述連接線分別位于所述任一子像素區(qū)域相對的兩個邊界處。

可選的，所述第一目標(biāo)重疊區(qū)域為所述至少一個第一重疊區(qū)域中距離所述斷開處的第一端最近的重疊區(qū)域，所述第一端為所述斷開處的兩端中位于所述第一子數(shù)據(jù)線上的一端；

和/或，

所述第二目標(biāo)重疊區(qū)域為所述至少一個第二重疊區(qū)域中距離所述斷開處的第二端最近的重疊區(qū)域，所述第二端為所述斷開處的兩端中除所述第一端外的另一端。

根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供一種陣列基板，所述陣列基板包括：

襯底基板；

所述襯底基板上設(shè)置有數(shù)據(jù)線和公共電極線，所述數(shù)據(jù)線包括被斷開處分割成的第一子數(shù)據(jù)線和第二子數(shù)據(jù)線；

所述陣列基板的公共電極線與所述第一子數(shù)據(jù)線和所述第二子數(shù)據(jù)線均建立有連接，所述第一子數(shù)據(jù)線和所述公共電極線的第一連接點連接，所述第二子數(shù)據(jù)線和所述公共電極線的第二連接點連接；

子公共電極線與除所述子公共電極線外的其它公共電極線間設(shè)置有斷開處，所述子公共電極線為所述第一連接點和所述第二連接點之間的公共電極線。

可選的，所述陣列基板上的子像素區(qū)域成行列排布，

所述第一目標(biāo)重疊區(qū)域位于所述陣列基板中的第一子像素區(qū)域，所述第二目標(biāo)重疊區(qū)域位于與所述第一子像素區(qū)域在同一列的子像素區(qū)域，

所述陣列基板中每一列子像素區(qū)域中，每兩個相鄰的子像素區(qū)域的交界處設(shè)置有上層連接線，每個所述上層連接線與所述陣列基板上的像素電極同層設(shè)置。

可選的，所述陣列基板上的子像素區(qū)域成行列排布，

所述公共電極線包括平行于所述數(shù)據(jù)線的兩條電極線和所述兩條電極線間的連接線，所述兩條電極線在所述陣列基板的襯底基板的正投影位于所述數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的正投影的兩側(cè)，在所述陣列基板上的任一子像素區(qū)域中，所述兩條電極線間的連接線有兩條，兩條所述連接線分別位于所述任一子像素區(qū)域相對的兩個邊界處。

本發(fā)明實施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是：

通過遍布陣列基板的公共電極來將斷開的數(shù)據(jù)線連接，并將用于連接數(shù)據(jù)線的公共電極線與其他公共電極線斷開，解決了相關(guān)技術(shù)中通過CVD形成連接線可能會降低陣列基板的開口率的問題。達到了能夠在不影響陣列基板的開口率的情況下修復(fù)數(shù)據(jù)線的效果。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是相關(guān)技術(shù)中一種維修后的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實施例示出的一種數(shù)據(jù)線維修方法的流程圖；

圖3-1是本發(fā)明實施例提供的另一種數(shù)據(jù)線修復(fù)方法的流程圖；

圖3-2是圖3-1所示實施例中一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3-3是圖3-1所示實施例中一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3-4是圖3-1所示實施例中一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

通過上述附圖，已示出本發(fā)明明確的實施例，后文中將有更詳細的描述。這些附圖和文字描述并不是為了通過任何方式限制本發(fā)明構(gòu)思的范圍，而是通過參考特定實施例為本領(lǐng)域技術(shù)人員說明本發(fā)明的概念。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實施方式作進一步地詳細描述。

圖2是本發(fā)明實施例示出的一種數(shù)據(jù)線維修方法的流程圖，本實施例以該數(shù)據(jù)線維修方法應(yīng)用于維修數(shù)據(jù)線中來舉例說明。該數(shù)據(jù)線維修方法可以包括如下幾個步驟：

步驟201、確定陣列基板中數(shù)據(jù)線的斷開處的位置，數(shù)據(jù)線包括被斷開處分割成的第一子數(shù)據(jù)線和第二子數(shù)據(jù)線。

步驟202、通過陣列基板的公共電極線將第一子數(shù)據(jù)線和第二子數(shù)據(jù)線連接，第一子數(shù)據(jù)線和公共電極線的第一連接點連接，第二子數(shù)據(jù)線和公共電極線的第二連接點連接。

步驟203、斷開子公共電極線與除子公共電極線外的其它公共電極線間的連接，子公共電極線為第一連接點和第二連接點之間的公共電極線。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的數(shù)據(jù)線維修方法，通過遍布陣列基板的公共電極來將斷開的數(shù)據(jù)線連接，并將用于連接數(shù)據(jù)線的公共電極線與其他公共電極線斷開，解決了相關(guān)技術(shù)中通過CVD形成連接線可能會降低陣列基板的開口率的問題。達到了能夠在不影響陣列基板的開口率的情況下修復(fù)數(shù)據(jù)線的效果。

圖3-1是本發(fā)明實施例提供的另一種數(shù)據(jù)線修復(fù)方法的流程圖，本實施例以該數(shù)據(jù)線維修方法應(yīng)用于維修數(shù)據(jù)線中來舉例說明。該數(shù)據(jù)線維修方法可以包括如下幾個步驟：

步驟301、確定陣列基板中數(shù)據(jù)線的斷開處的位置，數(shù)據(jù)線包括被斷開處分割成的第一子數(shù)據(jù)線和第二子數(shù)據(jù)線。

在使用本發(fā)明實施例提供的數(shù)據(jù)線修復(fù)方法時，首先可以通過陣列測試(英文：Array Test)設(shè)備確定陣列基板中數(shù)據(jù)線的斷開處的位置。

需要說明的是，數(shù)據(jù)線中的可以存在多個斷開處，本發(fā)明實施例以修復(fù)其中一個斷開處為例進行說明，在數(shù)據(jù)線中還存在其他斷開處時，可以參考本發(fā)明實施例提供的方法進行修復(fù)，在此不再贅述。

在確定了斷開處之后，就可以根據(jù)斷開處的情況進行修復(fù)，而本發(fā)明實施例可以應(yīng)用于如圖3-2所示的陣列基板中，其中，公共電極線c在陣列基板的襯底基板上的正投影與第一子數(shù)據(jù)線d1在襯底基板11上的正投影存在至少一個第一重疊區(qū)域，公共電極線c在襯底基板11上的正投影與第二子數(shù)據(jù)線d2在襯底基板11上的正投影存在至少一個第二重疊區(qū)域，在圖3-2中，公共電極線c與兩個子數(shù)據(jù)線的交匯處即為重疊區(qū)域。第一子數(shù)據(jù)線d1和第二子數(shù)據(jù)線d2為被斷開處01分割成的兩部分，TFT為薄膜晶體管，g為柵線。每一列子像素區(qū)域中，每兩個相鄰的子像素區(qū)域的交界處設(shè)置有上層連接線s，上層連接線s可以與像素電極(圖3-3未示出)設(shè)置在同一層，且由氧化銦錫(Indium tin oxide；簡稱ITO)構(gòu)成，在每一行子像素區(qū)域中，每隔預(yù)定個數(shù)的子像素區(qū)域中的上層連接線s可以分別于相鄰的兩個子像素區(qū)域中的公共電極線連接，在圖3-3中，上層連接線s1分別與子像素區(qū)域p1中的公共電極線和子像素區(qū)域p2中的公共電極線連接，上層連接線s1可以用于使各處公共電極線的電壓保持一致。除了上層連接線s1之外，上層連接線s中還可以包括上層連接線s2，上層連接線s2可以與子像素區(qū)域p3中的公共電極線連接，而不與子像素區(qū)域p4中的公共電極線連接，上層連接線s2可以用于在之后對數(shù)據(jù)線修復(fù)時，連接公共電極線。

陣列基板11上的子像素區(qū)域(可以將數(shù)據(jù)線和柵線劃分成的每個矩形區(qū)域作為子像素區(qū)域，每條數(shù)據(jù)線兩側(cè)的公共電極線可以認(rèn)為是該數(shù)據(jù)線左側(cè)的子像素區(qū)域中的公共電極線)成行列排布，公共電極線c包括平行于數(shù)據(jù)線的兩條電極線和兩條電極線間的連接線，兩條電極線在陣列基板的襯底基板11的正投影位于數(shù)據(jù)線在襯底基板上的正投影的兩側(cè)，在陣列基板上的任一子像素區(qū)域中，兩條電極線間的連接線有兩條，兩條連接線分別位于任一子像素區(qū)域相對的兩個邊界處(在圖3-2中子像素區(qū)域中的兩條連接線分別位于子像素區(qū)域的上下兩個邊界處)，需要說明的是，子像素區(qū)域的邊界可能存在某些結(jié)構(gòu)(如TFT)，連接線在設(shè)置在子像素區(qū)域的邊界處時可以避開這些結(jié)構(gòu)，以避免對陣列基板造成影響。

圖3-2中的斷開處01僅僅是示例性的，數(shù)據(jù)線的斷開處可以位于數(shù)據(jù)線的各個位置，示例性的，如斷開處02所示。

步驟302、將位于第一目標(biāo)重疊區(qū)域中的公共電極線和第一子數(shù)據(jù)線連接，第一目標(biāo)重疊區(qū)域是至少一個第一重疊區(qū)域中的重疊區(qū)域。

斷開處有兩端，可以將位于第一目標(biāo)重疊區(qū)域中的公共電極線和第一子數(shù)據(jù)線連接，第一目標(biāo)重疊區(qū)域是至少一個第一重疊區(qū)域中的重疊區(qū)域。在每個第一重疊區(qū)域中，第一子數(shù)據(jù)線和公共電極線的距離較近，可以較為容易的將第一子數(shù)據(jù)線和公共電極線連接。

可選的，通過激光熔接(英文Laser Welding)技術(shù)將位于第一重疊區(qū)域中的公共電極線和第一子數(shù)據(jù)線連接。

步驟303、將位于第二目標(biāo)重疊區(qū)域中的公共電極線和第二子數(shù)據(jù)線連接，第二目標(biāo)重疊區(qū)域是至少一個第二重疊區(qū)域中的重疊區(qū)域。在兩個目標(biāo)重疊區(qū)域位于同一個子像素區(qū)域時，執(zhí)行步驟305，在兩個目標(biāo)重疊區(qū)域不位于同一個子像素區(qū)域時，執(zhí)行步驟304。

在每個第二重疊區(qū)域中，第二子數(shù)據(jù)線和公共電極線的距離較近，可以較為容易的將第二子數(shù)據(jù)線和公共電極線連接。

可選的，通過激光熔接技術(shù)將位于第二重疊區(qū)域中的公共電極線和第二子數(shù)據(jù)線連接。

而根據(jù)斷開處的情況，第一目標(biāo)重疊區(qū)域和第二目標(biāo)重疊區(qū)域的位置也會不同，在一種情況下，第一目標(biāo)重疊區(qū)域和第二目標(biāo)重疊區(qū)域位于陣列基板中的第一子像素區(qū)域，第一子像素區(qū)域為斷開處所在的子像素區(qū)域。此種情況下，斷開處可以如圖3-3所示，斷開處03位于第一子像素區(qū)域p1中的兩條連接線(x1和x2)之間，此時可以在第一目標(biāo)重疊區(qū)域u1處將第一子數(shù)據(jù)線d1和公共電極線c連接，在第二目標(biāo)重疊區(qū)域u2處將第二子數(shù)據(jù)線d2和公共電極線c連接，此時第一子數(shù)據(jù)線d1和第二子數(shù)據(jù)線d2就通過公共電極線c連接在了一起。此時可以執(zhí)行步驟305。

此外，還有一種情況為：第一目標(biāo)重疊區(qū)域位于陣列基板中的第一子像素區(qū)域，第二目標(biāo)重疊區(qū)域位于與第一子像素區(qū)域在同一列的子像素區(qū)域，這種情況可以如圖3-4所示，對于斷開處01，第一目標(biāo)重疊區(qū)域u1位于子像素區(qū)域p1，第二目標(biāo)重疊區(qū)域u2位于子像素區(qū)域p2。在這種情況下，本步驟結(jié)束時，第一子數(shù)據(jù)線和第二子數(shù)據(jù)線可能還未通過公共電極線連接，在第一子數(shù)據(jù)線和第二子數(shù)據(jù)線未通過公共電極線連接時，可以執(zhí)行步驟304。

需要說明的是，第一重疊區(qū)域有至少一個，第二重疊區(qū)域也有至少一個，可以從至少一個第一重疊區(qū)域中選出第一目標(biāo)重疊區(qū)域和第二目標(biāo)重疊區(qū)域，二選擇的方式可以為：

第一目標(biāo)重疊區(qū)域為至少一個第一重疊區(qū)域中距離斷開處的第一端最近的重疊區(qū)域，第一端為斷開處的兩端中位于第一子數(shù)據(jù)線上的一端。

和/或，第二目標(biāo)重疊區(qū)域為至少一個第二重疊區(qū)域中距離斷開處的第二端最近的重疊區(qū)域，第二端為斷開處的兩端中除第一端外的另一端。

以上述選擇的方式可以將斷開處對于陣列基板的影響降低在一個較小的范圍內(nèi)。

步驟304、在第一子像素區(qū)域至第二子像素區(qū)域中每兩個相鄰的子像素區(qū)域的交界處，通過上層連接線將每兩個相鄰的子像素區(qū)域中的公共電極線連接。

在第一子數(shù)據(jù)線和第二子數(shù)據(jù)線未通過公共電極線連接時，可以在第一子像素區(qū)域至第二子像素區(qū)域中每兩個相鄰的子像素區(qū)域的交界處，通過上層連接線將每兩個相鄰的子像素區(qū)域中的公共電極線連接，這樣第一子數(shù)據(jù)線和第二子數(shù)據(jù)線就能夠通過公共電極線連接。示例性的，如圖3-4所示，第一目標(biāo)重疊區(qū)域u1位于子像素區(qū)域p1，而第二目標(biāo)重疊區(qū)域u2位于子像素區(qū)域p2，此時可以通過上層連接線s1將子像素區(qū)域p2中的公共電極線和子像素區(qū)域p1中的公共電極線連接?；蛘叩谝荒繕?biāo)重疊區(qū)域為u3、第二目標(biāo)重疊區(qū)域為u4，則可以通過上層連接線s2將子像素區(qū)域p2中的公共電極線和子像素區(qū)域p1中的公共電極線連接。

在通過上層連接線將每兩個相鄰的子像素區(qū)域中的公共電極線連接時，可以使用激光熔接技術(shù)，在上層連接線處打孔，使下層的公共電極線露出，而融化的上層連接線會與公共電極線的露出部分接觸，使上層連接線與公共電極線連接。

步驟305、斷開子公共電極線與除子公共電極線外的其它公共電極線間的連接，子公共電極線為第一連接點和第二連接點之間的公共電極線。

在通過公共電極線將第一子數(shù)據(jù)線和第二子數(shù)據(jù)線連接之后，為了避免公共電極線中的電流影響數(shù)據(jù)線，可以斷開子公共電極線與除子公共電極線外的其它公共電極線間的連接，子公共電極線為第一連接點和第二連接點之間的公共電極線?？梢哉J(rèn)為第一連接點位于第一目標(biāo)重疊區(qū)域中，第二連接點位于第二目標(biāo)重疊區(qū)域中。

根據(jù)第一目標(biāo)重疊區(qū)域和第二目標(biāo)重疊區(qū)域的位置，可以選擇不同的位置斷開子公共電極線與除子公共電極線外的其它公共電極線間的連接。

示例性的，在圖3-3示出的陣列基板中，可以斷開g1和g2處的公共電極，并斷開g3處的上層連接線(在該處上層連接線不與下方子像素區(qū)域的公共電極連接時，可以不斷開g3處的上層連接線)，在上層連接線由ITO制成時，可以通過氧化銦錫移除(英文：ITO remove)技術(shù)斷開上層連接線。

而在圖3-4所示的陣列基板中，對于斷開處01，可以斷開g4、g5、g6和g7處的公共電極線，而對于斷開處03，可以斷開g8和g9處的公共電極線，并斷開g10處的上層連接線(在該處上層連接線不與下方子像素區(qū)域的公共電極連接時，可以不斷開g10處的上層連接線)。

本步驟在斷開公共電極線時，可以采用激光切割(英文：laser cutting)技術(shù)。

本發(fā)明實施例提供的維修方法所應(yīng)用的陣列基板中，可以包括圖3-3和圖3-4中所示的斷開處01、02和03中至少一種斷開處。

圖3-3和圖3-4中標(biāo)記的含義可以參考圖3-2，在此不再贅述。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的數(shù)據(jù)線維修方法，通過遍布陣列基板的公共電極來將斷開的數(shù)據(jù)線連接，并將用于連接數(shù)據(jù)線的公共電極線與其他公共電極線斷開，解決了相關(guān)技術(shù)中通過CVD形成連接線可能會降低陣列基板的開口率的問題。達到了能夠在不影響陣列基板的開口率的情況下修復(fù)數(shù)據(jù)線的效果。

本發(fā)明實施例還提供一種陣列基板，該陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖可以如圖3-3所示，該陣列基板包括：

襯底基板11。

襯底基板11上設(shè)置有數(shù)據(jù)線d和公共電極線c，數(shù)據(jù)線d包括被斷開處分割成的第一子數(shù)據(jù)線d1和第二子數(shù)據(jù)線d2。

陣列基板的公共電極線c與第一子數(shù)據(jù)線d1和第二子數(shù)據(jù)d2線均建立有連接，第一子數(shù)據(jù)線d1和公共電極線c的第一連接點(可以認(rèn)為第一連接點位于第一目標(biāo)重疊區(qū)域中，第二連接點位于第二目標(biāo)重疊區(qū)域中)連接，第二子數(shù)據(jù)線d2和公共電極線c的第二連接點連接。

子公共電極線與除子公共電極線外的其它公共電極線間設(shè)置有斷開處(g1、g2和g3)，子公共電極線為第一連接點和第二連接點之間的公共電極線。

可選的，如圖3-4所示，其為本發(fā)明實施例示出的另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，陣列基板上的子像素區(qū)域成行列排布，第一目標(biāo)重疊區(qū)域u1位于陣列基板中的第一子像素區(qū)域p1，第二目標(biāo)重疊區(qū)域u2位于與第一子像素區(qū)域在同一列的子像素區(qū)域p2中，

陣列基板中每一列子像素區(qū)域中，每兩個相鄰的子像素區(qū)域的交界處設(shè)置有上層連接線s，每個上層連接線s與陣列基板上的像素電極同層設(shè)置。

可選的，陣列基板上的子像素區(qū)域成行列排布，公共電極線c包括平行于數(shù)據(jù)線的兩條電極線(c1和c2)和兩條電極線間的連接線(x2和x2)，兩條電極線在陣列基板的襯底基板的正投影位于數(shù)據(jù)線d在襯底基板11上的正投影的兩側(cè)，在陣列基板上的任一子像素區(qū)域中，兩條電極線間的連接線有兩條，兩條連接線分別位于任一子像素區(qū)域相對的兩個邊界處。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的陣列基板，通過遍布陣列基板的公共電極來將斷開的數(shù)據(jù)線連接，并將用于連接數(shù)據(jù)線的公共電極線與其他公共電極線斷開，解決了相關(guān)技術(shù)中通過CVD形成連接線可能會降低陣列基板的開口率的問題。達到了能夠在不影響陣列基板的開口率的情況下修復(fù)數(shù)據(jù)線的效果。

本發(fā)明中術(shù)語“和/或”，僅僅是一種描述關(guān)聯(lián)對象的關(guān)聯(lián)關(guān)系，表示可以存在三種關(guān)系，例如，A和/或B，可以表示：單獨存在A，同時存在A和B，單獨存在B這三種情況。另外，本文中字符“/”，一般表示前后關(guān)聯(lián)對象是一種“或”的關(guān)系。

本發(fā)明中術(shù)語“A和B的至少一種”，僅僅是一種描述關(guān)聯(lián)對象的關(guān)聯(lián)關(guān)系，表示可以存在三種關(guān)系，例如，A和B的至少一種，可以表示：單獨存在A，同時存在A和B，單獨存在B這三種情況。同理，“A、B和C的至少一種”表示可以存在七種關(guān)系，可以表示：單獨存在A，單獨存在B，單獨存在C，同時存在A和B，同時存在A和C，同時存在C和B，同時存在A、B和C這七種情況。同理，“A、B、C和D的至少一種”表示可以存在十五種關(guān)系，可以表示：單獨存在A，單獨存在B，單獨存在C，單獨存在D，同時存在A和B，同時存在A和C，同時存在A和D，同時存在C和B，同時存在D和B，同時存在C和D，同時存在A、B和C，同時存在A、B和D，同時存在A、C和D，同時存在B、C和D，同時存在A、B、C和D，這十五種情況。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實現(xiàn)上述實施例的全部或部分步驟可以通過硬件來完成，也可以通過程序來指令相關(guān)的硬件完成，所述的程序可以存儲于一種計算機可讀存儲介質(zhì)中，上述提到的存儲介質(zhì)可以是只讀存儲器，磁盤或光盤等。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。