本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板、包括該陣列基板的顯示面板和包括該顯示面板的顯示裝置。

背景技術(shù)：

液晶顯示裝置具有無輻射、輕薄和省電等優(yōu)點(diǎn)，已廣泛應(yīng)用于各種信息、通訊、消費(fèi)性電子產(chǎn)品中。液晶顯示裝置通常包括一液晶顯示面板。液晶顯示面板包括彼此相對設(shè)置的陣列基板和彩膜基板，以及設(shè)置在該兩個(gè)基板之間的液晶層。

陣列基板包括掃描線和數(shù)據(jù)線，掃描線和數(shù)據(jù)線彼此交叉以限定多個(gè)子像素；每個(gè)子像素包括像素電極和薄膜晶體管，像素電極通過過孔與薄膜晶體管的漏極電連接。在一些薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中，源極需要通過源極過孔與有源層電連接，漏極需要通過漏極過孔與有源層電連接，源漏極在過孔處的面積需要擴(kuò)大，以實(shí)現(xiàn)有效電連接。

隨著高ppi(pixelsperinch，每英寸像素?cái)?shù)目)產(chǎn)品需求的不斷增加，由于像素的空間有限，導(dǎo)致源極過孔與漏極過孔較為接近，致使兩者之間容易發(fā)生耦合，產(chǎn)生電場，形成寄生電容，從而影響像素電極的顯示電位，形成crosstalk(串?dāng)_)干擾，從而對顯示效果造成不良影響。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供一種陣列基板、包括該陣列基板的顯示面板和包括該顯示面板的顯示裝置，能夠降低源極過孔與漏極過孔之間的耦合電容，從而減少由此造成的串?dāng)_，改善顯示效果。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，包括：一襯底基板；位于所述襯底基板一側(cè)的多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線，所述多條掃描線沿第一方向并排排列，所述多條數(shù)據(jù)線沿第二方向并排排列，且所述多條掃描線和所述多條數(shù)據(jù)線絕緣交叉限定多個(gè)子像素；與每個(gè)所述子像素對應(yīng)設(shè)置的薄膜晶體管和像素電極，每個(gè)所述薄膜晶體管包括位于所述襯底基板一側(cè)的有源層、柵極、源極和漏極，每個(gè)所述薄膜晶體管通過所述柵極與一條所述掃描線連接，通過所述源極與一條所述數(shù)據(jù)線連接，通過所述漏極與所述像素電極連接；一個(gè)所述薄膜晶體管中，所述有源層包括第一段、第二段和第三段，所述第一段包括相對設(shè)置的第一端和第二端，所述第二段包括相對設(shè)置的第三端和第四端，所述第三段連接于所述第二端和所述第四端，所述第一端在所述襯底基板上的正投影和所述第三端在所述襯底基板上的正投影分別位于所述薄膜晶體管對應(yīng)連接的所述掃描線在所述襯底基板上的正投影的兩側(cè)，所述源極和所述漏極與所述有源層之間設(shè)置有絕緣層，所述源極通過源極過孔與所述第一端電連接，所述漏極通過所述漏極過孔與所述第三端電連接。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示面板，包括上述第一方面提供的陣列基板。

第三方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括上述第二方面提供的顯示面板。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的陣列基板、顯示面板和顯示裝置中，通過改變有源層的形狀，在垂直于襯底基板的方向上，使源極過孔和漏極過孔分別位于相應(yīng)的掃描線的兩側(cè)，從而增加了源極過孔和漏極過孔之間的距離，降低了源極過孔與漏極過孔之間的耦合電容，亦即降低了數(shù)據(jù)線和像素電極之間的耦合電容，減少了由此造成的串?dāng)_，改善了顯示效果。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是圖1的陣列基板中局部區(qū)域的一種俯視示意圖；

圖3是圖2中部分結(jié)構(gòu)的放大示意圖；

圖4是圖3中沿aa’向的一種剖視示意圖；

圖5是圖1的陣列基板中局部區(qū)域的另一種俯視示意圖中部分結(jié)構(gòu)的放大示意圖；

圖6是圖5中沿bb’向的一種剖視示意圖；

圖7是圖1的陣列基板中局部區(qū)域的又一種俯視示意圖中部分結(jié)構(gòu)的放大示意圖；

圖8是圖1的陣列基板中局部區(qū)域的再一種俯視示意圖中部分結(jié)構(gòu)的放大示意圖；

圖9是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的觸控結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；

圖10是現(xiàn)有技術(shù)提供的一種陣列基板的局部俯視示意圖；

圖11是現(xiàn)有技術(shù)(即圖10)提供的陣列基板在不同顏色的測試圖像下的仿真結(jié)果曲線圖；

圖12是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板在不同顏色的測試圖像下的仿真結(jié)果曲線圖；

圖13是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖14是液晶層分別為負(fù)性液晶和正性液晶的顯示面板的r/g/bgamma曲線圖；

圖15是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，包括：一襯底基板；位于所述襯底基板一側(cè)的多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線，所述多條掃描線沿第一方向并排排列，所述多條數(shù)據(jù)線沿第二方向并排排列，且所述多條掃描線和所述多條數(shù)據(jù)線絕緣交叉限定多個(gè)子像素；與每個(gè)所述子像素對應(yīng)設(shè)置的薄膜晶體管和像素電極，每個(gè)所述薄膜晶體管包括位于所述襯底基板一側(cè)的有源層、柵極、源極和漏極，每個(gè)所述薄膜晶體管通過所述柵極與一條所述掃描線連接，通過所述源極與一條所述數(shù)據(jù)線連接，通過所述漏極與所述像素電極連接；一個(gè)所述薄膜晶體管中，所述有源層包括第一段、第二段和第三段，所述第一段包括相對設(shè)置的第一端和第二端，所述第二段包括相對設(shè)置的第三端和第四端，所述第三段連接于所述第二端和所述第四端，所述第一端在所述襯底基板上的正投影和所述第三端在所述襯底基板上的正投影分別位于所述薄膜晶體管對應(yīng)連接的所述掃描線在所述襯底基板上的正投影的兩側(cè)，所述源極和所述漏極與所述有源層之間設(shè)置有絕緣層，所述源極通過源極過孔與所述第一端電連接，所述漏極通過所述漏極過孔與所述第三端電連接。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的陣列基板、顯示面板和顯示裝置中，通過改變有源層的形狀，在垂直于襯底基板的方向上，使源極過孔和漏極過孔分別位于相應(yīng)的掃描線的兩側(cè)，從而增加了源極過孔和漏極過孔之間的距離，降低了源極過孔與漏極過孔之間的耦合電容，亦即降低了數(shù)據(jù)線和像素電極之間的耦合電容，減少了由此造成的串?dāng)_，改善了顯示效果。

請參考圖1-圖4，圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為圖1的陣列基板中局部區(qū)域的一種俯視示意圖，圖3是圖2中部分結(jié)構(gòu)的放大示意圖，圖4是圖3中沿aa’向的一種剖視示意圖。該陣列基板包括一襯底基板100；位于襯底基板100一側(cè)的多條掃描線101和多條數(shù)據(jù)線102，多條掃描線101沿第一方向x并排排列，多條數(shù)據(jù)線102沿第二方向y并排排列，且多條掃描線101和多條數(shù)據(jù)線102絕緣交叉限定多個(gè)子像素；與每個(gè)子像素對應(yīng)設(shè)置的薄膜晶體管103和像素電極104(圖3未示出像素電極)，每個(gè)薄膜晶體管103包括位于襯底基板100一側(cè)的有源層1031、柵極1032、源極1033和漏極1034(圖2和圖3中，柵極是掃描線101的一部分，源極是數(shù)據(jù)線102的一部分)，每個(gè)薄膜晶體管103通過柵極1032與一條掃描線101連接，通過源極1033與一條數(shù)據(jù)線102連接，通過漏極1034與像素電極104連接；一個(gè)薄膜晶體管103中，有源層1031包括第一段s1、第二段s2和第三段s3，第一段s1包括相對設(shè)置的第一端s11和第二端s12，第二段s2包括相對設(shè)置的第三端s21和第四端s22，第三段s3連接于第二端s12和第四端s22，第一端s11在襯底基板100上的正投影和第三端s21在襯底基板100上的正投影分別位于薄膜晶體管103對應(yīng)連接的掃描線101在襯底基板100上的正投影的兩側(cè)，即第二端s12在襯底基板100上的正投影位于第一端s11在襯底基板上的正投影靠近第三端s21在襯底基板100上的正投影的一側(cè)，第四端s22在襯底基板100上的正投影位于第三端s21在襯底基板100上的正投影靠近第一端s11在襯底基板100上的正投影的一側(cè)，源極1033和漏極1034與有源層1031之間設(shè)置有絕緣層(圖4中為絕緣層110和120)，源極1033通過源極過孔h1與第一端s11電連接，漏極1034通過漏極過孔h2與第三端s21電連接。

本實(shí)施例中，通過改變有源層1031的形狀，在垂直于襯底基板100的方向上，即圖2和圖3所示，有源層1031的第一段s1的的第一端s11和第二段s2的第三端s21分別位于對應(yīng)的掃描線101的兩側(cè)，使源極過孔h1和漏極過孔h2分別位于相應(yīng)的掃描線101的兩側(cè)，從而增加了源極過孔h1和漏極過孔h2之間的距離。通常在工藝上，通過過孔實(shí)現(xiàn)不同層的連接時(shí)，過孔處的層結(jié)構(gòu)面積需要擴(kuò)大，本實(shí)施例中，雖然過孔處的源極和漏極金屬面積需要擴(kuò)大，但由于增加了源極過孔h1和漏極過孔h2之間的距離，降低了源極過孔與漏極過孔之間的耦合電容，亦即降低了數(shù)據(jù)線和像素電極之間的耦合電容，不影響像素電極的顯示電位，減少了由此造成的串?dāng)_，改善了顯示效果。

可以理解的是，掃描線101用于傳輸掃描信號，即薄膜晶體管103的控制信號，數(shù)據(jù)線3用于傳輸數(shù)據(jù)信號，即像素電極104所需的像素電壓信號。每個(gè)子像素還包括對應(yīng)設(shè)置的公共電極，如圖4中的公共電極105。在對應(yīng)的柵線101的控制下，薄膜晶體管103的源極對應(yīng)的數(shù)據(jù)線102通過薄膜晶體管103向漏極1034對應(yīng)的像素電極104實(shí)施充放電，像素電極104與公共電極105之間形成電場，以達(dá)到顯示功能。

需要說明的是，如圖1所示，陣列基板通常包括顯示區(qū)aa和非顯示區(qū)n-aa，上述多個(gè)子像素通常設(shè)置在顯示區(qū)aa，而非顯示區(qū)n-aa則可以設(shè)置顯示驅(qū)動芯片等元件，用來為上述掃描線101提供掃描信號、數(shù)據(jù)線102提供數(shù)據(jù)信號、公共電極提供公共電壓信號等。此外，陣列基板除包括絕緣層110和120，還可以包括絕緣層130、140等，此處不再贅述。

可選地，本實(shí)施例的薄膜晶體管103中，第三段s3的延伸方向與掃描線101的延伸方向平行，以提高制備該陣列基板過程中工藝對位的準(zhǔn)確性。進(jìn)一步地，在垂直于襯底基板100的方向上，第三段s3與薄膜晶體管103對應(yīng)連接的掃描線101至少部分交疊，以進(jìn)一步提高工藝對位的準(zhǔn)確性，并且由于第三段s3與薄膜晶體管103對應(yīng)連接的掃描線101至少部分交疊，節(jié)約了膜層制作空間，使得開口率得到一定程度的提高，增加子像素在顯示時(shí)的穿透率。隨著子像素的尺寸越來越小，開口率的提高也是非常重要的改進(jìn)和突破。

請參考圖5和圖6，圖5是圖1的陣列基板中局部區(qū)域的另一種俯視示意圖中部分結(jié)構(gòu)的放大示意圖，圖6是圖5中沿bb’向的一種剖視示意圖。本實(shí)施例中，與圖3和圖4示出的陣列基板的不同之處在于，第三段s3包括相對設(shè)置的第五端s31和第六端s32，第五端s31與第二端s12連接，第六端s32與第四端s22連接；第五端s31和第六端s32均包括在垂直于襯底基板100的方向上與薄膜晶體管103對應(yīng)連接的掃描線101至少部分交疊的摻雜區(qū)，即分別包括摻雜區(qū)p1和p2，以形成有源層1031的兩個(gè)溝道區(qū)(圖中未示出)。本實(shí)施例中，有源層1031形成兩個(gè)溝道區(qū)域，相當(dāng)于形成雙柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，能夠減小薄膜晶體管的漏電流，提升顯示效果，特別是對于低溫多晶硅(lowtemperaturepoly-silicon，簡稱ltps)技術(shù)的薄膜晶體管，漏電流的大小是一個(gè)重要指標(biāo)，需要降低漏電流的產(chǎn)生。有源層1031的摻雜通常分為兩種類型，n型半導(dǎo)體摻雜p⁵⁺，p型半導(dǎo)體摻雜b³⁺，本發(fā)明實(shí)施例對此不作限定。

請參考圖7，圖7是圖1的陣列基板中局部區(qū)域的又一種俯視示意圖中部分結(jié)構(gòu)的放大示意圖。本實(shí)施例中，與圖3示出的陣列基板的不同之處在于，在第一方向x上，第三段s3的寬度w1大于掃描線101的寬度w2。本實(shí)施例中，薄膜晶體管103為頂柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，即柵極位于有源層1031遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)，在制作該陣列基板時(shí)，先形成有源層1031，再形成掃描線101，在第一方向x上，第三段s3的寬度w1大于掃描線101的寬度w2，有利于制作掃描線101時(shí)工藝對位的準(zhǔn)確性。進(jìn)一步地，在第一方向x上，第三段s3在襯底基板上的正投影完全覆蓋薄膜晶體管103對應(yīng)連接的掃描線101在襯底基板上的正投影，如圖7所示，即第三段s3的寬度w1完全跨過掃描線101的寬度w2，進(jìn)一步提高了制作掃描線101時(shí)工藝對位的準(zhǔn)確性，并且增加了有源層1031和掃描線101的交疊程度，進(jìn)一步節(jié)約了膜層制作空間，使得開口率得到更大程度的提高，增加子像素在顯示時(shí)的穿透率。

請參考圖8，圖8是圖1的陣列基板中局部區(qū)域的再一種俯視示意圖中部分結(jié)構(gòu)的放大示意圖。本實(shí)施例中，與圖7示出的陣列基板的不同之處在于，第三段s3包括相對設(shè)置的第五端s31和第六端s32，第五端s31與第二端s12連接，第六端s32與第四端s22連接；第五端s31和第六端s32均包括在垂直于襯底基板100的方向上與薄膜晶體管103對應(yīng)連接的掃描線101至少部分交疊的摻雜區(qū)，即分別包括摻雜區(qū)p1和p2，以形成有源層1031的兩個(gè)溝道區(qū)(圖中未示出)。本實(shí)施例中，有源層1031形成兩個(gè)溝道區(qū)域，相當(dāng)于形成雙柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，能夠減小薄膜晶體管的漏電流，提升顯示效果。

上述任一實(shí)施例中，可選地，源極為數(shù)據(jù)線102的一部分，薄膜晶體管103中，第一段s1與薄膜晶體管103對應(yīng)連接的數(shù)據(jù)線102至少部分交疊，以節(jié)約膜層制作空間，提高子像素開口率，增加子像素在顯示時(shí)的穿透率。

需要說明的是，上述各實(shí)施例中，薄膜晶體管103為頂柵的結(jié)構(gòu)，即柵極1032位于有源層1031遠(yuǎn)離襯底基板100的一側(cè)，在頂柵結(jié)構(gòu)下，需要在有源層1031和襯底基板100之間設(shè)置遮光層106來遮擋薄膜晶體管的溝道區(qū)域；如果薄膜晶體管為底柵結(jié)構(gòu)，即柵極位于有源層和襯底基板之間，由于柵極可以起到遮擋薄膜晶體管溝道區(qū)域的作用，因此在底柵結(jié)構(gòu)下可以不設(shè)置遮光層。

還需要說明的是，上述各實(shí)施例中，像素電極104位于公共電極105遠(yuǎn)離襯底基板100的一側(cè)，以形成邊緣場開關(guān)(fringefiledswitching，簡稱ffs)模式的陣列基板。在本發(fā)明其他可選地實(shí)施方式中，還可以是公共電極位于像素電極遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)，以形成邊緣場開關(guān)(fringefiledswitching，簡稱ffs)模式的陣列基板；或者，像素電極和公共電極同層設(shè)置，以形成面內(nèi)轉(zhuǎn)換(in-planeswitching，簡稱ips)模式的陣列基板。

請參考圖9，圖9是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的觸控結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。在上述任一實(shí)施例的基礎(chǔ)上，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板還可以包括呈m×n陣列排布的多個(gè)觸控電極1050，其中m和n均為大于1的整數(shù)(圖中以m＝4，n＝3為例)；多個(gè)觸控電極1050在顯示階段復(fù)用為公共電極105，在觸控階段通過自電容進(jìn)行觸控檢測。具體地，每個(gè)觸控電極1050連接至少一條觸控電極走線107(圖中示例性地示出一條)，觸控電極1050和觸控電極走線107可通過過孔1071實(shí)現(xiàn)電連接。觸控電極走線107引出至非顯示區(qū)與觸控驅(qū)動芯片(圖中未示出)電連接，觸控驅(qū)動芯片用于為觸控電極提供觸控掃描信號，并根據(jù)觸控電極輸出的觸控檢測信號進(jìn)行觸控檢測。該觸控驅(qū)動芯片可以與顯示驅(qū)動芯片分開設(shè)置，也可以集成為同一個(gè)芯片。需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例對觸控電極1050的具體形狀不做限定，可以是矩形、風(fēng)車形或者任意不規(guī)則圖形。

對于集成觸控結(jié)構(gòu)的陣列基板而言，由于觸控電極與顯示相關(guān)元件之間的耦合作用，通常會導(dǎo)致串?dāng)_現(xiàn)象進(jìn)一步惡化，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板能夠有效減少由此造成的串?dāng)_，改善顯示效果。

以下通過不同結(jié)構(gòu)陣列基板模擬仿真結(jié)果的對比進(jìn)一步說明本發(fā)明實(shí)施的效果：

表1

表1為現(xiàn)有技術(shù)(如圖10所示)提供的陣列基板在不同顏色的測試圖像下的仿真結(jié)果，其中，圖10是現(xiàn)有技術(shù)提供的一種陣列基板的局部俯視示意圖，該陣列基板中，多條掃描線101’和多條數(shù)據(jù)線102’絕緣交叉限定多個(gè)子像素，與每個(gè)子像素對應(yīng)設(shè)置的薄膜晶體管103’和像素電極104’，每個(gè)薄膜晶體管103’包括位于襯底基板100’一側(cè)的有源層1031’、柵極、源極和漏極1034’(圖中，柵極是掃描線101’的一部分，源極是數(shù)據(jù)線102’的一部分)，薄膜晶體管103’為頂柵結(jié)構(gòu)，有源層1031’和襯底基板100’之間設(shè)置遮光層106’，其有源層1031’采用u型有源層，源極過孔h1’和漏極過孔h2’位于掃描線101’的同一側(cè)，源極過孔h1’和漏極過孔h2’之間的距離較近。該表格中，第一行表示測試圖像的顏色，第一列表示測試位置，其中內(nèi)容為串?dāng)_程度值，該值的絕對值越小則表示串?dāng)_越小，該值的絕對值越大則表示串?dāng)_越大。

表2

表2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板在不同顏色的測試圖像下的仿真結(jié)果，該表格中，第一行表示測試圖像的顏色，第一列表示測試位置，其中內(nèi)容為串?dāng)_程度值，該值的絕對值越小則表示串?dāng)_越小，該值的絕對值越大則表示串?dāng)_越大。需要說明的是，表2的測試位置1與表1的測試位置1所表示的位置為同一位置，表2的測試位置2與表1的測試位置2所表示的位置為同一位置。

對比表1和表2以及圖11和圖12，圖11是現(xiàn)有技術(shù)(即圖10)提供的陣列基板在不同顏色的測試圖像下的仿真結(jié)果曲線圖，圖12是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板在不同顏色的測試圖像下的仿真結(jié)果曲線圖，圖11與表1相對應(yīng)，圖12與表2相對應(yīng)，與現(xiàn)有技術(shù)提供的陣列基板相比，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的串?dāng)_程度發(fā)生了顯著降低。另外，通過仿真，現(xiàn)有技術(shù)提供的陣列基板中漏極過孔和數(shù)據(jù)線之間的寄生電容值為9.74e^-16，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板中漏極過孔和數(shù)據(jù)線之間的寄生電容值為4.674e^-16。可見，與現(xiàn)有技術(shù)提供的陣列基板相比，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板中漏極過孔和數(shù)據(jù)線之間的寄生電容較小。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示面板，參考圖13，圖13是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖，該顯示面板包括本發(fā)明任意實(shí)施例提供的陣列基板300。該顯示面板還包括與陣列基板300相對設(shè)置的對置基板400，以及位于陣列基板300和對置基板400之間的液晶層500。

可選地，本實(shí)施例中，液晶層500包括負(fù)性液晶。請參考圖14，圖14是液晶層分別為負(fù)性液晶和正性液晶的顯示面板的r/g/bgamma曲線圖，從圖中可知，負(fù)性液晶對應(yīng)的r/g/bgamma曲線基本重合，而正性液晶對應(yīng)的r/g/bgamma曲線不重合，r/ggamma曲線變化比較快，bgamma曲線變化比較慢。因此，液晶層500采用負(fù)性液晶有利于改善顯示面板亮度的不足。然而，由于采用負(fù)性液晶，在中灰階位置(即圖14中橫坐標(biāo)約2-3v之間)的變化率較大，在同樣的電壓變化量的情況下，亮度差值大，這樣串?dāng)_程度會增加。因此，該顯示面板采用本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板，能夠有效減少由此造成的串?dāng)_，改善顯示效果。

可選地，本實(shí)施例中，顯示面板的每英寸像素?cái)?shù)目(ppi)大于等于500，此處每個(gè)像素包括多個(gè)子像素，如3個(gè)(紅、綠、藍(lán)3色子像素)或4個(gè)(紅、綠、藍(lán)、白4色子像素)。ppi越高，子像素的尺寸越小，源極過孔與漏極過孔靠得越近，越容易發(fā)生耦合，形成串?dāng)_干擾。因此，該顯示面板采用本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板，能夠有效減少由此造成的串?dāng)_，改善顯示效果。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，參考圖15，圖15是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，該顯示裝置包括本發(fā)明任意實(shí)施例提供的顯示面板600。本實(shí)施例中，該顯示裝置是手機(jī)，在本發(fā)明其他可選的實(shí)施例中，該顯示裝置還可以是平板電腦、筆記本、顯示器等任意具備顯示功能的設(shè)備。

以上對本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板、顯示面板和顯示裝置進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。