本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置。

背景技術：

在顯示技術領域，薄膜晶體管(thinfilmtransistor，簡稱tft)作為制作顯示裝置的重要器件，對顯示裝置的顯示品質起著重要作用。

其中，u形結構的tft因可實現(xiàn)較大的工作電流而被廣泛應用。u形結構的tft的漏極包括u形部分，所述u形部分包括直部和底部，所述u形部分的底部呈彎折狀，由于所述u形部分的底部在工藝制作過程中工藝參數(shù)較難管控，難以達到工藝要求，容易與源極電連接，從而對tft特性產(chǎn)生不良影響。

因此，需對u形結構的tft進行改進，以避免源極與漏極電連接。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實施例提供一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置，可以避免使u形結構的tft的源極與漏極電連接。

為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術方案：

第一方面，提供一種陣列基板，包括襯底，設置于所述襯底上的柵線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的漏極與所述數(shù)據(jù)線電連接；所述漏極包括u形部分；所述u形部分的底部與所述柵線和所述薄膜晶體管的柵極無交疊；所述薄膜晶體管的源極與所述u形部分的底部之間的距離范圍為2.2～2.5μm。

優(yōu)選的，所述源極與所述u形部分的底部之間的區(qū)域，與所述柵線和所述柵極無交疊。

優(yōu)選的，第n行所述柵線靠近第n-1行所述柵線設置；針對任一列所述薄膜晶體管，第n行所述薄膜晶體管的所述u形部分與第n-1行所述薄膜晶體管的所述u形部分底部共用，且共用部分設置于第n行所述柵線和第n-1行所述柵線之間；n為正偶數(shù)。

優(yōu)選的，所述柵極由所述柵線的一部分充當。

優(yōu)選的，所述源極包括依次連接設置的第一支部、第二支部、以及第三支部；所述第一支部靠近所述u形部分的內表面設置，所述第二支部的寬度大于所述第一支部的寬度、且小于所述第三支部的寬度。

優(yōu)選的，當所述柵線設置在所述數(shù)據(jù)線靠近所述襯底一側時，所述柵線的寬度為x；所述數(shù)據(jù)線與所述柵線在所述襯底上的正投影未重合的區(qū)域，所述數(shù)據(jù)線的寬度為y；所述數(shù)據(jù)線與所述柵線在所述襯底上的正投影重合的區(qū)域，所述數(shù)據(jù)線的寬度范圍為y+0.5～y+1μm。

優(yōu)選的，當所述數(shù)據(jù)線設置在所述柵線靠近所述襯底一側時，所述數(shù)據(jù)線的寬度為y；所述柵線與所述數(shù)據(jù)線在所述襯底上的正投影未重合的區(qū)域，所述柵線的寬度為x；所述柵線與所述數(shù)據(jù)線在所述襯底上的正投影重合的區(qū)域，所述柵線的寬度范圍為x+0.5～x+1μm。

第二方面，提供一種顯示面板，包括第一方面所述的陣列基板。

優(yōu)選的，所述顯示面板為液晶顯示面板；或者，所述顯示面板為oled顯示面板。

第三方面，提供一種顯示裝置，包括第一方面所述的陣列基板。

本發(fā)明實施例提供一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置，所述陣列基板包括tft、柵線、以及數(shù)據(jù)線，一方面，通過使源極與u形部分的底部之間的距離h增加0.2～0.5μm，達到2.2～2.5μm，相對于ssm技術，可以避免源極與u形部分的底部電連接；另一方面，通過使u形部分的底部與柵線及tft的柵極無交疊，相對于msm技術中，u形部分100的底部與柵線11及柵極10完全重疊，本發(fā)明可以使u形部分的底部與柵極及柵線之間的交疊面積減小到0，即使由于距離h增大、寬度i不變，導致漏的面積增大，從而使u形部分的直部與柵極及柵線的交疊面積增大，但u形部分的直部處增大的交疊面積，遠遠小于u形部分的底部處減小的交疊面積，因此，相較于msm技術，漏極與柵極及柵線之間的交疊面積減小，漏極與柵極及柵線之間的寄生電容也隨之減小，進而使得電路中的負載降低，像素的充放電性能提高，功耗減小。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術提供的一種陣列基板的結構示意圖一；

圖2為現(xiàn)有技術提供的一種陣列基板的結構示意圖二；

圖3為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖一；

圖4為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的俯視示意圖一；

圖5為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖二；

圖6為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的俯視示意圖二；

圖7為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的俯視示意圖三；

圖8為圖7中d區(qū)域的放大圖；

圖9為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的俯視示意圖四；

圖10為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的俯視示意圖五；

圖11為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的俯視示意圖六；

圖12為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的俯視示意圖七。

附圖標記：

01-襯底；10-柵極；11-柵線；20-源極；21-第一支部；22-第二支部；23-第三支部；30-漏極；31-數(shù)據(jù)線；40-像素電極；50-有源層；60-柵絕緣層；100-u形部分。

具體實施方式

下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

背景技術中提到的問題：u形結構的tft中，源極易與漏極的u形部分的底部電連接。相關技術可參考單縫隙掩模板(singleslitmask，簡稱ssm)技術，如圖1所示，該技術中，源極20到所述u形部分各個位置的距離均相等，約為2μm。所述u形部分包括直部(圖1中的a區(qū)域和b區(qū)域)和底部(圖1中的c區(qū)域)，其中，所述u形部分的底部呈彎折狀，在工藝制作過程中工藝參數(shù)較難管控，難以達到工藝要求，容易與源極20電連接，從而對tft特性產(chǎn)生不良影響。

如圖2所示，可采用多縫隙掩模板(multitleslitmask，簡稱msm)技術對上述問題進行改進，該技術在不改變所述u形部分的底部寬度i、以及源極20到所述u形部分的直部的距離j的基礎上，增大所述u形部分的底部到源極20的距離h，雖然該技術可以避免源極20與所述u形部分的底部電連接，但是申請人發(fā)現(xiàn)：相對于ssm技術，該方案存在增大功耗的技術問題，即：所述u形部分的底部到源極20之間的距離h增大、所述u形部分的底部寬度i不變，導致漏極30的面積增大，漏極30與柵極10、漏極30與柵線11之間的交疊面積也隨之增大，從而使得漏極30與柵極10及柵線11之間的寄生電容增大，即增大了電路中的負載，像素的充放電性能因負載的增大而降低，進而增大功耗。

針對上述的ssm技術和msm技術，本發(fā)明實施例提供了一種新的技術方案，可有效解決ssm技術和msm技術中存在的技術問題，具體方案如下：

本發(fā)明提供一種陣列基板，如圖3和圖4所示，包括襯底01，設置于襯底01上的柵線11、數(shù)據(jù)線31、tft，tft的漏極30與數(shù)據(jù)線31電連接；漏極30包括u形部分100；u形部分100的底部與柵線11和tft的柵極10無交疊；tft的源極20與u形部分100的底部之間的距離h的范圍為2.2～2.5μm。

此處，相對于ssm技術，本發(fā)明僅使源極20與u形部分100的底部之間的距離h增大0.2～0.5μm，u形部分100的底部寬度i、以及源極20到u形部分100的直部的距離j保持不變。

在此基礎上，如圖3所示，tft還包括設置于柵極10遠離襯底01一側的柵絕緣層60、以及柵絕緣層60遠離襯底01一側的有源層50。如圖4所示，漏極30還包括用于與數(shù)據(jù)線31電連接的部分，該部分的一端與數(shù)據(jù)線31連接，另一端與u形部分100連接；所述陣列基板還包括與源極20電連接的像素電極40。

需要說明的是，第一，不對tft的類型進行限定，可以是非晶硅、金屬氧化物、多晶硅、有機等類型的tft。

第二，在陣列基板上，可以先設置柵極10、柵線11，再設置源極20、漏極30、以及數(shù)據(jù)線31；也可以先設置源極20、漏極30、以及數(shù)據(jù)線31，再設置柵極10、柵線11。

第三，不對源極20和漏極30的材料進行限定，只要源極20和漏極30可以導電即可，例如可以是金屬材料。

本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，所述陣列基板包括tft、柵線11、以及數(shù)據(jù)線31，一方面，通過使源極20與u形部分100的底部之間的距離h增加0.2～0.5μm，達到2.2～2.5μm，相對于ssm技術，可以避免源極20與u形部分100的底部電連接；另一方面，通過使u形部分100的底部與柵線11及tft的柵極10無交疊，相對于msm技術中，u形部分100的底部與柵線11及柵極10完全重疊，本發(fā)明可以使u形部分100的底部與柵極10及柵線11之間的交疊面積減小到0，即使由于距離h增大、寬度i不變，導致漏極30的面積增大，從而使u形部分100的直部與柵極10及柵線11的交疊面積增大，但u形部分100的直部處增大的交疊面積，遠遠小于u形部分100的底部處減小的交疊面積，因此，相較于msm技術，漏極30與柵極10及柵線11之間的總交疊面積減小，漏極30與柵極10及柵線11之間的寄生電容也隨之減小，進而使得電路中的負載降低，像素的充放電性能提高，功耗減小。

優(yōu)選的，如圖5和圖6所示，源極20與u形部分100的底部之間的區(qū)域，與柵線11和柵極10無交疊。

本發(fā)明實施例通過使源極20與u形部分100的底部之間的區(qū)域，與柵線11和柵極10無交疊，可進一步減小漏極30與柵極10、漏極30與柵線11之間的交疊面積，從而降低漏極30與柵極10及柵線11之間的寄生電容，使得電路中的負載降低，進而提高像素的充放電性能，進一步減小功耗。

優(yōu)選的，如圖7和圖8所示，第n行柵線11靠近第n-1行柵線11設置；針對任一列tft，第n行tft的u形部分100與第n-1行tft的u形部分100底部共用，且共用部分設置于第n行柵線11和第n-1行柵線11之間；n為正偶數(shù)。

本發(fā)明實施例中，由于第n行tft和第n-1行tft的u形部分100底部共用，可以減小tft的尺寸，使像素的開口率提高。

優(yōu)選的，如圖9所示，柵極10由柵線11的一部分充當。

本發(fā)明實施例中，將柵線11的一部分用作柵極10，具有簡化工藝的優(yōu)點。

優(yōu)選的，如圖10所示，源極20包括依次連接設置的第一支部21、第二支部22、以及第三支部23；第一支部21靠近u形部分100的內表面設置，第二支部22的寬度大于第一支部21的寬度、且小于第三支部23的寬度。

此處，像素電極40通過過孔與第三支部23電連接。

需要說明的是，第一支部21、第二支部22、以及第三支部23的寬度由具體工藝決定，不同工藝對應的寬度可能不同。

本發(fā)明實施例中，在不影響源極20正常功能的情況下，使第一支部21的寬度盡可能小，可增加tft的溝道長度，避免溝道長度太短，影響tft特性；第二支部22相較于第一支部21的寬度稍大，可以避免由于先設置柵極10和柵線11，再設置源極20，造成源極20爬坡時斷線的風險；由于第三支部23需通過過孔與像素電極40電連接，為了保證源極20與像素電極40的接觸面積，過孔的尺寸一般比較大，因此，在不影響tft尺寸、以及陣列基板開口率的情況下，第三支部23的寬度應盡可能大。

優(yōu)選的，如圖11所示，當柵線11設置在數(shù)據(jù)線31靠近襯底01一側時，柵線11的寬度為x；數(shù)據(jù)線31與柵線11在襯底01上的正投影未重合的區(qū)域，數(shù)據(jù)線31的寬度為y；數(shù)據(jù)線31與柵線11在襯底01上的正投影重合的區(qū)域，數(shù)據(jù)線31的寬度范圍為y+0.5～y+1μm。

需要說明的是，柵線11的寬度x、數(shù)據(jù)線31和柵線11在襯底01上的正投影未重合區(qū)域的數(shù)據(jù)線31的寬度y，由具體的工藝決定，不同工藝對應的x值和y值可能不同。

本發(fā)明實施例中，當柵線11設置在數(shù)據(jù)線31靠近襯底01一側時，在數(shù)據(jù)線31與柵線11在襯底01上的正投影重合的區(qū)域，使數(shù)據(jù)線31的寬度增加0.5～1μm，可以避免由于先設置柵線11，再設置數(shù)據(jù)線31，造成數(shù)據(jù)線31爬坡時斷線的風險。

優(yōu)選的，如圖12所示，當數(shù)據(jù)線31設置在柵線11靠近襯底01一側時，數(shù)據(jù)線31的寬度為y；柵線11與數(shù)據(jù)線31在襯底01上的正投影未重合的區(qū)域，柵線11的寬度為x；柵線11與數(shù)據(jù)線31在襯底01上的正投影重合的區(qū)域，柵線11的寬度范圍為x+0.5～x+1μm。

需要說明的是，數(shù)據(jù)線31的寬度y、柵線11和數(shù)據(jù)線31在襯底01上的正投影未重合區(qū)域的柵線11的寬度x，由具體的工藝決定，不同工藝對應的x值和y值可能不同。

本發(fā)明實施例中，當數(shù)據(jù)線31設置在柵線11靠近襯底01一側時，在柵線11與數(shù)據(jù)線31在襯底01上的正投影重合的區(qū)域，使柵線11的寬度增加0.5～1μm，可以避免由于先設置數(shù)據(jù)線31，再設置柵線11，造成柵線11爬坡時斷線的風險。

本發(fā)明還提供一種顯示面板，包括本發(fā)明前述任一實施例提供的陣列基板。

本發(fā)明實施例提供一種顯示面板，所述顯示面板包括陣列基板，所述陣列基板包括tft、柵線11、以及數(shù)據(jù)線31，一方面，通過使源極20與u形部分100的底部之間的距離h增加0.2～0.5μm，達到2.2～2.5μm，相對于ssm技術，可以避免源極20與u形部分100的底部電連接；另一方面，通過使u形部分100的底部與柵線11及tft的柵極10無交疊，相對于msm技術中，u形部分100的底部與柵線11及柵極10完全重疊，本發(fā)明可以使u形部分100的底部與柵極10及柵線11之間的交疊面積減小到0，即使由于距離h增大、寬度i不變，導致漏極30的面積增大，從而使u形部分100的直部與柵極10及柵線11的交疊面積增大，但u形部分100的直部處增大的交疊面積，遠遠小于u形部分100的底部處減小的交疊面積，因此，相較于msm技術，漏極30與柵極10及柵線11之間的總交疊面積減小，漏極30與柵極10及柵線11之間的寄生電容也隨之減小，進而使得電路中的負載降低，像素的充放電性能提高，功耗減小。

優(yōu)選的，顯示面板為液晶顯示面板；或者，顯示面板為oled(organiclight-emittingdiode，簡稱有機發(fā)光二極管)顯示面板。

此處，當顯示面板為液晶顯示面板時，其包括陣列基板、對盒基板以及設置在二者之間的液晶層。其中，對盒基板可以包括黑矩陣、彩膜、以及公共電極。此處，彩膜可以設置在對盒基板上，也可設置在陣列基板上；公共電極可以設置在陣列基板上，也可設置在對盒基板上。

當顯示面板為oled顯示面板時，其包括陣列基板和封裝基板。其中，陣列基板可以包括tft，與tft的漏極30電連接的陽極、陰極、以及位于陽極和陰極之間的有機材料功能層。

本發(fā)明實施例中，若將所述顯示面板應用于顯示裝置，則顯示裝置既可以是液晶顯示裝置，也可以是oled顯示裝置。

本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括本發(fā)明前述任一實施例提供的陣列基板。

需要說明的是，所述顯示裝置至少可以包括液晶顯示裝置和oled顯示裝置，例如該顯示裝置可以為液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相機、手機或平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或者部件。

此處，若所述顯示裝置為液晶顯示裝置，則所述顯示裝置除液晶顯示面板外，還包括背光源，所述背光源用于給所述液晶顯示面板提供光線。所述背光源可以是直下式背光源，也可以是側入式背光源。

其中，直下式背光源包括背板、膠框、設置在背板上的光源、設置在光源上的擴散板、以及設置在擴散板出光側的光學膜片。此外，還可以包括設置在背板與光源之間的反射片；側入式背光源包括背板、膠框、設置在背板上的導光板、設置在導光板出光側的光學膜片、以及設置在導光板一側的光源。此外，還可以包括設置在背板與導光板之間的反射片。

本發(fā)明實施例提供一種顯示裝置，具有與前述顯示面板相同的技術效果，在此不再贅述。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本發(fā)明揭露的技術范圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內。因此，本發(fā)明的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。