1.一種反射式光子晶體彩膜，包括；
基底；
形成在基底上且在基底表面上周期性分布的二維光子晶體結(jié)構(gòu)，其中所述二維光子晶體結(jié)構(gòu)由包含硅的材料構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射式光子晶體彩膜，其特征在于，所述二維光子晶體結(jié)構(gòu)為柱狀或孔狀結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反射式光子晶體彩膜，其特征在于，所述二維光子晶體結(jié)構(gòu)為圓柱或方塊結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反射式光子晶體彩膜，其特征在于，所述二維光子晶體結(jié)構(gòu)為圓孔或方孔結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的反射式光子晶體彩膜，其特征在于，所述二維光子晶體結(jié)構(gòu)為圓柱結(jié)構(gòu)，所述二維光子晶體結(jié)構(gòu)的周期為330-450nm，所述二維光子晶體結(jié)構(gòu)的占空比為20-30％，其中圓柱的高度為110-130nm，圓柱的直徑為190-210nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的反射式光子晶體彩膜，其特征在于，所述二維光子晶體結(jié)構(gòu)為圓孔結(jié)構(gòu)，所述二維光子晶體結(jié)構(gòu)的周期為240-280nm，所述二維光子晶體結(jié)構(gòu)的占空比為20-30％，其中圓孔的深度為110-130nm，圓孔的直徑為125-145nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的反射式光子晶體彩膜，其特征在于，所述二維光子晶體結(jié)構(gòu)為圓孔結(jié)構(gòu)，所述二維光子晶體結(jié)構(gòu)的周期為120-200nm，所述二維光子晶體結(jié)構(gòu)的占空比為20-30％，其中圓孔的深度為90-110nm，圓孔的直徑為90-110nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的反射式光子晶體彩膜，其特征在于，所述二維光子晶體結(jié)構(gòu)為圓柱結(jié)構(gòu)，所述二維光子晶體結(jié)構(gòu)的周期為210-230nm，所述二維光子晶體結(jié)構(gòu)的占空比為20-30％，其中圓柱的高度為90-110nm，圓柱的直徑為110-130nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的反射式光子晶體彩膜，其特征在于，所述二維光子晶體結(jié)構(gòu)的周期為220nm，所述圓柱的高度為100nm，所述圓柱的直徑為124nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的反射式光子晶體彩膜，其特征在于，所述二維光子晶體結(jié)構(gòu)為圓柱結(jié)構(gòu)，所述二維光子晶體結(jié)構(gòu)的周期為290-320nm，所述二維光子晶體結(jié)構(gòu)的占空比為20-30％，其中圓柱的高度為110-130nm，圓柱的直徑為160-180nm。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的反射式光子晶體彩膜，其特征在于，所述二維光子晶體結(jié)構(gòu)的周期為300nm，所述圓柱的高度為120nm，所述圓柱的直徑為170nm。
12.一種反射式光子晶體彩膜的制造方法，包括：
形成基底；
在基底上形成由包含硅的材料構(gòu)成的薄膜；以及
通過對所述薄膜進行曝光蝕刻得到在基底表面上周期性分布的二維光子晶體結(jié)構(gòu)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的反射式光子晶體彩膜的制造方法，其特征在于，所述二維光子晶體結(jié)構(gòu)為柱狀或孔狀結(jié)構(gòu)。
14.一種顯示器件，包括：根據(jù)權(quán)利要求1-11所述的反射式光子晶體彩膜；形成在所述反射式光子晶體彩膜上的液晶；形成在所述液晶上的前置光源。
15.一種顯示器件的制造方法，包括：
形成根據(jù)權(quán)利要求1-11所述的反射式光子晶體彩膜；
在所述反射式光子晶體彩膜上形成液晶；以及
在所述液晶上形成前置光源。