本公開涉及顯示技術領域，具體而言，涉及一種反射式光子晶體彩膜、使用其的顯示器件及其制造方法。

背景技術：

目前國際上主流的三基色的色域指標已經(jīng)不能滿足一些高端顯示領域的色彩飽和度的要求，比如某些專業(yè)廣告，高清屏幕等。因此，尋找新的方法來提高屏幕顯色的真實性是顯示領域最為迫切需要解決的問題之一。雖然基于三基色LED顯示設備的色域再現(xiàn)能力已經(jīng)達到NTSC標準色域的120％，但是，在CIE標準色域圖中，還有接近40％的面積在三基色LED顯示區(qū)域之外。怎樣進一步擴大顯示色域的范圍是我們滿足高端需求的重要探索方向。通過對各種擴展色域方案的對比的五基色(RGBCY)顯示采用增加黃色(Yellow)、青色(Cyan)的方法將顏色由RGB構成的三角形擴展為五邊形，能有效擴大系統(tǒng)所能再現(xiàn)的色域，理想RGBCY可以實現(xiàn)完全覆蓋Pointer Gamut。RGBCY顯示顏色更加鮮艷逼真，色彩過渡更加自然，具有更好的視覺效果，可以實現(xiàn)對高色域和飽和度照片的真實再現(xiàn)。實現(xiàn)RGBCY五基色LED理論分析沒有問題，實際工業(yè)化也有很多難題需要攻克，其中青色和黃色如何實現(xiàn)是目前研究的重點。

此外，在彩色顯示領域，包括傳統(tǒng)的液晶顯示(LCD)、有機發(fā)光二極管(OLED)等顯示技術都使用傳統(tǒng)的彩膜基底來實現(xiàn)RGB彩色顯示。但是傳統(tǒng)彩膜基底是通過對白色入射光的各基色進行過濾來實現(xiàn)RGB，因此大約有2/3的入射光會被彩膜基底吸收而損失，導致透過率低，且傳統(tǒng)RGB彩色顯示拓寬至RGBCY五色時，其各色光譜的半峰寬較寬，導致色飽和度不高等。

光子晶體(Photonic Crystal)是指不同折射率的介質周期性排列的人工微結構，也稱為具有光子帶隙(Photonic Band-Gap,簡稱為PBG)特性的人造周期性電介質結構。光子帶隙材料能夠調制具有相應波長的電磁波，使能量處在光子帶隙內的光子不能進入光子晶體。光子晶體雖然是個新名詞，但自然界中早已存在擁有這種性質的物質，比如蛋白石，蝴蝶翅膀，昆蟲眼睛等(如圖1)，即特定頻率范圍內的光被禁止在光子晶體中傳播，被反射到人的眼睛里，所以人眼能感知到這這些頻率的光，即就是蛋白石、孔雀翎、蝴蝶翅膀能顯示出的顏色。

在光子晶體彩膜的研究方面，國內外根據(jù)實際應用也做了一些理論方面和實際應用方面的研究，如國內一些研究單位利用一維金屬光柵和多層分散微球結構，分別實現(xiàn)色彩分離。但是，眾所周知，由于一維結構的對自然光的偏振特性，一維光柵結構會損失至少50％的入射光能量，且對入射光的角度要求比較嚴格，而多層分散微球在實際制備和應用中仍存在諸多問題和挑戰(zhàn)。

因此，設計一種新的彩膜，特別是新的能實現(xiàn)五基色顯示的光子晶體彩膜微結構是目前亟待解決的技術問題。

技術實現(xiàn)要素：

本公開的目的在于提供一種反射式光子晶體彩膜及使用其的顯示器件，進而至少在一定程度上克服由于相關技術的限制和缺陷而導致的一個或者多個問題。

本公開的其他特性和優(yōu)點將通過下面的詳細描述變得清晰，或者部分地通過本公開的實踐而習得。

根據(jù)本公開的第一方面，提供一種反射式光子晶體彩膜，包括；

基底；

形成在基底上且在基底表面上周期性分布的二維光子晶體結構，其中所述二維光子晶體結構由包含硅的材料構成。

在本公開的一種示例性實施例中，所述二維光子晶體結構為柱狀或孔狀結構。

在本公開的一種示例性實施例中，所述二維光子晶體結構為圓柱或方塊結構。

在本公開的一種示例性實施例中，所述二維光子晶體結構為圓孔或方孔結構。

在本公開的一種示例性實施例中，所述二維光子晶體結構為圓柱結構，所述二維光子晶體結構的周期為330-450nm，所述二維光子晶體結構的占空比為20-30％，其中圓柱的高度為110-130nm，圓柱的直徑為190-210nm。

在本公開的一種示例性實施例中，所述二維光子晶體結構為圓孔結構，所述二維光子晶體結構的周期為240-280nm，所述二維光子晶體結構的占空比為20-30％，其中圓孔的深度為110-130nm，圓孔的直徑為125-145nm。

在本公開的一種示例性實施例中，所述二維光子晶體結構為圓孔結構，所述二維光子晶體結構的周期為120-200nm，所述二維光子晶體結構的占空比為20-30％，其中圓孔的深度為90-110nm，圓孔的直徑為90-110nm。

在本公開的一種示例性實施例中，所述二維光子晶體結構為圓柱結構，所述二維光子晶體結構的周期為210-230nm，所述二維光子晶體結構的占空比為20-30％，其中圓柱的高度為90-110nm，圓柱的直徑為110-130nm。

在本公開的一種示例性實施例中，所述二維光子晶體結構的周期為220nm，所述圓柱的高度為100nm，所述圓柱的直徑為124nm。

在本公開的一種示例性實施例中，所述二維光子晶體結構為圓柱結構，所述二維光子晶體結構的周期為290-320nm，所述二維光子晶體結構的占空比為20-30％，其中圓柱的高度為110-130nm，圓柱的直徑為160-180nm。

在本公開的一種示例性實施例中，所述二維光子晶體結構的周期為300nm，所述圓柱的高度為120nm，所述圓柱的直徑為170nm。

根據(jù)本公開的第二方面，提供一種反射式光子晶體彩膜的制造方法，包括：

形成基底；

在基底上形成由包含硅的材料構成的薄膜；以及

通過對所述薄膜進行曝光蝕刻得到在基底表面上周期性分布的二維光子晶體結構。

在本公開的一種示例性實施例中，所述二維光子晶體結構為柱狀或孔狀結構。

根據(jù)本公開的第三方面，提供一種顯示器件，包括：根據(jù)本公開的第一方面所述的反射式光子晶體彩膜；形成在所述反射式光子晶體彩膜上的液晶；形成在所述液晶上的前置光源。

根據(jù)本公開的第四方面，提供一種顯示器件的制造方法，包括：

形成根據(jù)本公開的第一方面所述的反射式光子晶體彩膜；

在所述反射式光子晶體彩膜上形成液晶；以及

在所述液晶上形成前置光源。

根據(jù)本公開的一些實施方式，通過設計調整由包含硅的材料構成的二維光子晶體結構的幾何參數(shù)和薄膜厚度，實現(xiàn)僅紅、綠、藍、青、黃五色被反射。本公開的光子晶體彩膜將不僅能替代傳統(tǒng)彩膜基底，而且能拓寬色域，實現(xiàn)傳統(tǒng)彩膜難以實現(xiàn)的青色和黃色補色出光，結合RGB三基色彩膜，實現(xiàn)RGBCY五色，還原自然顏色，從而實現(xiàn)更加逼真的顯示畫面。

根據(jù)本公開的一些實施方式，通過優(yōu)化由包含硅的材料構成的二維光子晶體結構的各個幾何參數(shù)，使RGB對應的頻譜寬度較傳統(tǒng)彩膜窄，實現(xiàn)相對較高的色飽和度，從而實現(xiàn)顯示的畫面更加鮮艷。

附圖說明

通過參照附圖詳細描述其示例實施例，本公開的上述和其它目標、特征及優(yōu)點將變得更加顯而易見。

此處的附圖被并入說明書中并構成本說明書的一部分，示出了符合本公開的實施例，并與說明書一起用于解釋本公開的原理。顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本公開的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1示出自然界中存在的光子晶體示例圖。

圖2示出根據(jù)本公開示例實施方式的一反射式光子晶體彩膜的側視圖。

圖3示出根據(jù)本公開示例實施方式的一反射式光子晶體彩膜的俯視圖。

圖4示出根據(jù)本公開示例實施方式的一反射式光子晶體彩膜使用的硅基材料的折射系數(shù)和消光系數(shù)圖。

圖5示出根據(jù)本公開示例實施方式的一反射式光子晶體彩膜實現(xiàn)紅色的光譜圖。

圖6示出根據(jù)本公開示例實施方式的一反射式光子晶體彩膜實現(xiàn)綠色的光譜圖。

圖7示根據(jù)本公開示例實施方式的一反射式光子晶體彩膜實現(xiàn)藍色的光譜圖。

圖8示出根據(jù)本公開示例實施方式的一反射式光子晶體彩膜實現(xiàn)青色的光譜圖。

圖9示出根據(jù)本公開示例實施方式的一反射式光子晶體彩膜實現(xiàn)黃色的光譜圖。

圖10示出根據(jù)本公開示例實施方式的另一反射式光子晶體彩膜的側視圖及俯視圖。

圖11示出根據(jù)本公開示例實施方式的一使用反射式光子晶體彩膜的顯示器件的示意圖。

具體實施方式

現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述示例實施方式。然而，示例實施方式能夠以多種形式實施，且不應被理解為限于在此闡述的范例；所描述的特征、結構或特性可以以任何合適的方式結合在一個或更多實施方式中。在下面的描述中，提供許多具體細節(jié)從而給出對本公開的實施方式的充分理解。然而，本領域技術人員將意識到，可以實踐本公開的技術方案而省略所述特定細節(jié)中的一個或更多，或者可以采用其它的方法、組元、裝置、步驟等。

需要指出的是，在附圖中，為了圖示的清晰可能會夸大層和區(qū)域的尺寸。而且可以理解，當元件或層被稱為在另一元件或層“上”時，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中間的層。另外，可以理解，當元件或層被稱為在另一元件或層“下”時，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一個以上的中間的層或元件。另外，還可以理解，當層或元件被稱為在兩層或兩個元件“之間”時，它可以為兩層或兩個元件之間唯一的層，或還可以存在一個以上的中間層或元件。通篇相似的參考標記指示相似的元件。

本公開提供一種反射式光子晶體彩膜及使用其的顯示器件。反射式光子晶體彩膜包括：基底；形成在基底上且在基底表面上周期性分布的二維光子晶體結構，其中所述二維光子晶體結構由包含硅的材料構成。通過設計調整二維光子晶體結構的幾何參數(shù)和薄膜厚度，實現(xiàn)僅紅(Red)、綠(Green)、藍(Blue)、青(Cyan)、黃(Yellow)即RGBCY五色被反射。本公開的光子晶體彩膜將不僅能替代傳統(tǒng)彩膜基底，而且能拓寬色域，實現(xiàn)傳統(tǒng)彩膜難以實現(xiàn)的青色和黃色補色出光，結合RGB三基色彩膜，實現(xiàn)RGBCY五色，還原自然顏色，從而實現(xiàn)更加逼真的顯示畫面。同時通過優(yōu)化二維光子晶體結構的各個幾何參數(shù)，使RGB對應的頻譜寬度較傳統(tǒng)彩膜窄，實現(xiàn)相對較高的色飽和度，從而實現(xiàn)顯示的畫面更加鮮艷。

下面結合附圖對本公開的反射式光子晶體彩膜進行具體說明，其中，圖2示出根據(jù)本公開示例實施方式的一反射式光子晶體彩膜的側視圖，圖3示出根據(jù)本公開示例實施方式的一反射式光子晶體彩膜的俯視圖。

如圖2所示，反射式光子晶體彩膜包括：基底1；形成在基底1上且在基底1表面上周期性分布的二維光子晶體結構2，其中二維光子晶體結構2由包含硅的材料構成。

其中，基底1可為玻璃基底，但不限于此，也可以由透明的其他無機材料或透明的有機材料材料構成。

二維光子晶體結構2通過對形成在基底1上的硅基薄膜曝光蝕刻得到。硅的折射系數(shù)n和消光系數(shù)k如圖4所描述。硅基薄膜厚度在本公開中在90-130nm之間，優(yōu)選在100-120nm之間，以達到硅基薄膜材料在可見光波段具有低吸收，但高反射的目的。硅薄膜的厚度根據(jù)所需出光顏色的不同而略有不同。二維光子晶體結構是在該硅基薄膜上曝光蝕刻得到。此處硅薄膜材料也可以由其他材料代替，來實現(xiàn)反射式或者透射式光子晶體彩膜，但各參數(shù)需重新優(yōu)化設計，此處不做贅述。另外，要求硅薄膜表面具有很好的平整度，即較小的表面粗糙度，以減小對反射光出光波長和強度的影響。

二維光子晶體結構2為柱狀結構或孔狀結構，本公開所述的柱狀結構也就是通過曝光蝕刻將硅基薄膜中除柱體以外的其他部分去除僅保留相互分離的在基底表面上呈周期性分布的柱狀結構(如圖2或3所示)，所述柱狀結構為圓柱或方塊，即所述柱狀結構的橫截面為圓形或方形；而本公開所述的孔狀結構正好相反，是通過曝光蝕刻在硅基薄膜中形成沿硅基薄膜的平面(即平行于基底1的平面)周期性分布的孔狀結構(未圖示)，所述孔狀結構為圓孔或方孔，即所述孔狀結構的橫截面為圓形或方形。

二維光子晶體結構的周期p、柱體高度/孔深度h、圓柱/孔的直徑d和方塊/孔的寬度l以及占空比由設計出光的顏色決定，特定幾何參數(shù)的光子晶體禁帶可以讓某些特定波長通不過光子晶體而被直接反射，從而實現(xiàn)特定顏色出光。本公開只對反射式二維柱狀光子晶體彩膜進行詳細說明，該目的也可以通過選擇材料，用其他形狀如二維納米孔、納米方塊等的光子晶體等，甚至一維納米線或槽來實現(xiàn)反射式或者透射式光子晶體彩膜的設計。

下面結合圖5-9分別對本公開的反射式光子晶體彩膜實現(xiàn)紅(Red)、綠(Green)、藍(Blue)、青(Cyan)、黃(Yellow)即RGBCY五色的方式進行詳細說明，其中，圖5示出根據(jù)本公開示例實施方式的一反射式光子晶體彩膜實現(xiàn)紅色的光譜圖，圖6示出根據(jù)本公開示例實施方式的一反射式光子晶體彩膜實現(xiàn)綠色的光譜圖，圖7示根據(jù)本公開示例實施方式的一反射式光子晶體彩膜實現(xiàn)藍色的光譜圖，圖8示出根據(jù)本公開示例實施方式的一反射式光子晶體彩膜實現(xiàn)青色的光譜圖，圖9示出根據(jù)本公開示例實施方式的一反射式光子晶體彩膜實現(xiàn)黃色的光譜圖。

紅色的實現(xiàn)方式：在120nm厚的硅基薄膜上設計一個二維圓柱狀光子晶體結構(如圖2-3所示)，當二維結構納米結構的幾何參數(shù)在：330-450nm，二維圓柱的占空比約為20-30％，優(yōu)選25％，圓柱高度為110-130nm，優(yōu)選120nm，即硅層被完全刻蝕，二維圓柱的直徑為190-210nm，即可得到600-780nm的入射光反射。優(yōu)化二維周期納米結構的幾何參數(shù)，當周期為350nm，二維圓柱的直徑為198nm時，從而得到600-700nm范圍內的紅色出光。圖5示出根據(jù)本公開示例實施方式的一反射式光子晶體彩膜實現(xiàn)紅色的光譜圖，由圖5可以看到，得到的紅色光子晶體彩膜的半峰寬(FWHM)遠遠小于傳統(tǒng)彩膜的半峰寬，紅色飽和度較高。

綠色的實現(xiàn)方式：實現(xiàn)綠色的二維光子晶體結構為圓孔，本公開的硅基二維孔狀光子晶體同樣通過調整光子晶體的相關參數(shù)，也可以將綠色光譜范圍內入射光反射出光。實現(xiàn)綠色光譜范圍內出光的光子晶體參數(shù)為：周期是240-280nm，二維孔的占空比約為20-30％，優(yōu)選25％，圓孔的深度為110-130nm，優(yōu)選120nm，二維圓孔的直徑為125-145nm，即可得到在500-600nm范圍內出光的綠色。通過優(yōu)化藍色濾光器的幾何參數(shù)，周期和二維孔的直徑分別是240nm和135nm時，綠色光子晶體彩膜可以實現(xiàn)與傳統(tǒng)彩膜相同F(xiàn)WHM的色度(如圖6所示)。

藍色的實現(xiàn)方式：實現(xiàn)藍色的二維光子晶體結構也為圓孔，同上，實現(xiàn)藍色光譜范圍內出光的光子晶體參數(shù)為：周期是120-200nm，二維孔面積的占空比約為20-30％，優(yōu)選25％，圓孔的深度為90-110nm，優(yōu)選100nm，二維圓孔的直徑為90-110nm，即可將380-500nm范圍內的藍光反射，實現(xiàn)藍色出光。通過優(yōu)化藍色濾光器的幾何參數(shù)，周期和二維孔的直徑分別是180nm和102nm時，藍色光子晶體彩膜的FWHM比傳統(tǒng)彩膜窄(如圖7所示)，色飽和度較高，藍色相對較鮮明。

青色的實現(xiàn)方式：實現(xiàn)青色的二維光子晶體結構為圓柱，當二維光子晶體結構的周期在210-230nm之間，硅薄膜厚度是90-110nm，優(yōu)選100nm，其占空比大約是20-30％，優(yōu)選25％，圓柱的直徑為110-130nm時，可以得到450-550nm左右的青色出光。優(yōu)化參數(shù)至周期是220nm，圓柱狀硅的直徑是124nm，將100nm厚的硅薄膜完全蝕刻，即可將505+/-50nm的入射光可被二維光子晶體的光子禁帶局域反射回系統(tǒng)，從而得到半峰寬(FWHM)是100nm左右的青色出光(如圖8所示)。

黃色的實現(xiàn)方式：實現(xiàn)黃色的二維光子晶體結構也為圓柱，同樣的，通過調整光子晶體的相關參數(shù)，也可以將黃色光譜范圍內入射光反射出光。實現(xiàn)黃色光譜范圍內出光的光子晶體參數(shù)為：周期是290-320nm，占空比為20-30％，優(yōu)選25％左右，硅薄膜厚度是110-130nm，優(yōu)選120nm，圓柱的直徑為160-180nm時，即可實現(xiàn)黃色出光。優(yōu)化黃色出光的參數(shù)得到約100nm半峰寬的二維結構的幾何參數(shù)為：周期為300nm，硅圓柱的直徑為170nm，將120nm厚的硅薄膜完全蝕刻，即可得到在580+/-50nm范圍內的黃色光(如圖9所示)。

由上可見，本公開用由包含硅的材料構成的二維光子晶體結構來實現(xiàn)青色和黃色的補充色，結合現(xiàn)有的RGB三基色，實現(xiàn)RGBCY五基色顯示，擴展色域，實現(xiàn)高飽和度和高色域顯示。

此外，為了進一步提高反射效率可以通過在基底底部添加結構，使透射的部分光被重新反射回光子晶體結構中，實現(xiàn)二次甚至多次共振出射，從而達到增大反射效率的目的。也可以通過在基底上設計反射式的微納米結構，重新將光子晶體的透射光衍射回光子晶體，增大出光效率，但不限于這兩種設計。

除了上述實施方式中通過圓柱狀二維光子晶體結構來實現(xiàn)青色和黃色外，也可以通過方塊狀即橫截面為方形的柱狀的二維光子晶體結構來實現(xiàn)青色和黃色，下面結合圖10進行具體說明。

圖10示出根據(jù)本公開示例實施方式的另一反射式光子晶體彩膜的側視圖及俯視圖。如圖10所示，反射式光子晶體彩膜包括：基底1’；形成在基底1’上且在基底1’表面上周期性分布的方塊狀即橫截面為方形的柱狀的二維光子晶體結構2’。下面分別具體說明通過二維方塊狀光子晶體結構實現(xiàn)青色和黃色的方式。

青色的實現(xiàn)方式：根據(jù)本公開示例實施方式，在100nm厚的硅基薄膜上設計一個二維方塊狀光子晶體結構(如圖10所示)，其參數(shù)為：周期是220nm，二維方塊狀光子晶體邊長即寬度l為110nm，將100nm厚的硅薄膜完全蝕刻，即可將505+/-50nm的入射光可被二維光子晶體的光子禁帶局域反射回系統(tǒng)，從而得到在青色出光。

黃色的實現(xiàn)方式：根據(jù)本公開示例實施方式，硅基二維方塊狀光子晶體同樣通過調整光子晶體的相關參數(shù)，也可以將黃色光譜范圍內入射光反射出光。實現(xiàn)黃色光譜范圍內出光的光子晶體參數(shù)為：周期是3000nm，二維方塊狀結構的邊長為150nm，將120nm厚的硅薄膜完全蝕刻，即可得到在580+/-50nm范圍內的黃色光。

此外，本公開還提供一種反射式光子晶體彩膜的制造方法,包括：形成基底；在基底上形成由包含硅的材料構成的薄膜；以及通過對所述薄膜進行曝光蝕刻得到在基底表面上周期性分布的二維光子晶體結構。

在本公開的一種示例性實施例中，所述二維光子晶體結構為柱狀或孔狀結構。

圖11示出根據(jù)本公開示例實施方式的一使用反射式光子晶體彩膜的顯示器件的示意圖。

如圖11所示，使用反射式光子晶體彩膜的顯示器件包括：根據(jù)本公開前述的反射式光子晶體彩膜；形成在所述反射式光子晶體彩膜上的液晶；形成在所述液晶上的前置光源。顯示器件還可以包括形成在反射式光子晶體彩膜下方的TFT基板，以及形成在所述液晶和前置光源之間的上偏振片，但本公開并不局限于此。

其中，前置光源將準直平面光從上往下入射。準直光源可以由R、G、B、C、Y五色的半導體激光器芯片經(jīng)過混光后制成，也可由準直性比較好的R、G、B、C、Y五色的LED芯片經(jīng)過混光后制成，也可由準直性比較好的白光LED芯片制成，也可由條狀的CCFL燈管加一些光線準直結構制成，但不限于這些類型。

上偏振片可選用高透過濾和偏光度的碘素系偏振片，但不限于此。偏光片可根據(jù)實際應用如筆記本顯示器或者電視顯示器等的具體要求，對他們做進一步處理。偏光片研究不是本公開研究的重點，在此不做詳細描述。

液晶材料可以選擇ADS(IPS或FFS)顯示模式產(chǎn)品、VA顯示模式產(chǎn)品適用的液晶材料，也可以使用藍相液晶材料，但不限于此。對液晶厚度無特殊要求，可根據(jù)實際應用調整。

TFT基板，TFT屬于有源矩陣液晶顯示器，在玻璃基板或者一些特殊的樹脂材料等基板上沉積一層薄膜，如氫化非晶硅a-Si:H或者多晶硅p-Si等硅基材料，也不限于此。在以上薄膜基板上微加工陣列，當做每一個液晶像素點的驅動通道區(qū)。

在此需要特別指出的是，本示例實施方式僅為本公開的反射式光子晶體彩膜應用于高清液晶顯示的實例，但本公開不限于此，本公開的反射式光子晶體彩膜還可應用于色彩分離、有機發(fā)光二極管顯示、彩色LED以及其他相關的高端彩色顯示領域。

此外，本公開還提供一種顯示器件的制造方法，包括：形成根據(jù)本公開前述的反射式光子晶體彩膜；在所述反射式光子晶體彩膜上形成液晶；以及在所述液晶上形成前置光源。

綜上所述，根據(jù)本公開的一些實施方式，通過設計調整由包含硅的材料構成的二維光子晶體結構的幾何參數(shù)和薄膜厚度，實現(xiàn)僅紅、綠、藍、青、黃五色被反射。本公開的光子晶體彩膜將不僅能替代傳統(tǒng)彩膜基底，而且能拓寬色域，實現(xiàn)傳統(tǒng)彩膜難以實現(xiàn)的青色和黃色補色出光，結合RGB三基色彩膜，實現(xiàn)RGBCY五色，還原自然顏色，從而實現(xiàn)更加逼真的顯示畫面。

根據(jù)本公開的一些實施方式，通過優(yōu)化由包含硅的材料構成的二維光子晶體結構的各個幾何參數(shù)，使RGB對應的頻譜寬度較傳統(tǒng)彩膜窄，實現(xiàn)相對較高的色飽和度，從而實現(xiàn)顯示的畫面更加鮮艷。

本領域技術人員在考慮說明書及實踐這里公開的發(fā)明后，將容易想到本公開的其它實施方案。本申請旨在涵蓋本公開的任何變型、用途或者適應性變化，這些變型、用途或者適應性變化遵循本公開的一般性原理并包括本公開未公開的本技術領域中的公知常識或慣用技術手段。說明書和實施例僅被視為示例性的，本公開的真正范圍和精神由下面的權利要求指出。

應當理解的是，本公開并不局限于上面已經(jīng)描述并在附圖中示出的精確結構，并且可以在不脫離其范圍進行各種修改和改變。本公開的范圍僅由所附的權利要求來限制。