本申請(qǐng)一般涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及陣列基板、液晶顯示面板及陣列基板的制作方法。

背景技術(shù)：

隨著液晶顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，液晶顯示面板廣泛應(yīng)用于各種移動(dòng)終端、家用電視、數(shù)字相機(jī)、計(jì)算機(jī)等具有高分辨率的顯示設(shè)備中。

顯示面板中通常包括陣列基板，其中，陣列基板的制作過(guò)程最為復(fù)雜，制作成本也較高。一般來(lái)說(shuō)，在陣列基板中包括柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、源/漏電極、像素電極、公共電極和鈍化層等。

目前較為節(jié)省制作成本的一種陣列基板制作方法包括4個(gè)掩膜版，4個(gè)掩膜版分別用于：形成圖案化的柵極和像素電極、形成圖案化的柵絕緣層/半導(dǎo)體層/源漏電極、形成圖案化的鈍化層以及形成圖案化的公共電極。在上述使用4個(gè)掩膜版制作陣列基板的工藝中，由于像素電極與源漏電極位于不同層且在垂直于襯底基板的方向上相互錯(cuò)位，需要使用兩個(gè)過(guò)孔將像素電極與源/漏電極進(jìn)行電氣連接。

這樣形成的陣列基板雖然成本較低，但是由于需要通過(guò)兩個(gè)過(guò)孔才能使源/漏極與像素電極連接。由于目前在陣列基板中形成的過(guò)孔的形狀及形成過(guò)孔的工藝使得過(guò)孔所占用的面積較大。這種方法形成的陣列基板應(yīng)用于高分辨率顯示面板時(shí)，過(guò)孔在像素內(nèi)的占位面積尤為突出，大大降低了像素的開口率，使得高分辨率顯示面板的顯示亮度較暗。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種陣列基板、液晶顯示面板及陣列基板的制作方法，以解決背景技術(shù)中所述的至少部分技術(shù)問(wèn)題。

第一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種陣列基板，陣列基板包括襯底基板、多個(gè)公共電極，以及設(shè)置在襯底基板與公共電極之間的薄膜晶體管、像素電極、第一輔助電極和第二輔助電極；薄膜晶體管包括柵極、有源層、源/漏電極；第一輔助電極與像素電極同層、相互分離且相互絕緣；第一輔助電極與像素電極設(shè)置在襯底基板面向公共電極的一側(cè)；第二輔助電極與柵極同層、相互分離且相互絕緣；有源層設(shè)置在柵極遠(yuǎn)離第一輔助電極的一側(cè)；柵極與有源層之間設(shè)置第一絕緣層，且第一絕緣層覆蓋柵極、第一輔助電極、像素電極及第二輔助電極；源/漏電極設(shè)置在有源層遠(yuǎn)離第一絕緣層的一側(cè)，且源/漏電極與有源層接觸；源/漏電極與公共電極之間設(shè)置第二絕緣層，且第二絕緣層覆蓋有源層、源/漏電極與第一絕緣層；過(guò)孔貫穿第一絕緣層與第二絕緣層；連接導(dǎo)體通過(guò)一個(gè)過(guò)孔連接源/漏電極靠近像素電極的側(cè)面、第二輔助電極靠近柵極的側(cè)面和部分像素電極；連接導(dǎo)體與公共電極同層且相互絕緣；其中源/漏電極的與有源層所在平面具有夾角的表面為源/漏電極的側(cè)面；第二輔助電極的與襯底基板所在平面具有夾角的表面為第二輔助電極的側(cè)面。

第二方面，本申請(qǐng)實(shí)施例還提供了一種液晶顯示面板，包括上述陣列基板。

第三方面，本申請(qǐng)實(shí)施例還提供了一種陣列基板的制作方法，用于制作上述陣列基板，方法包括在襯底基板的一側(cè)依次形成第一導(dǎo)體層和第二導(dǎo)體層；使用第一掩膜版使第一導(dǎo)體層形成像素電極與第一輔助電極，使第二導(dǎo)體層形成柵極與第二輔助電極；其中，像素電極與第一輔助電極相互分離且相互絕緣；柵極及第二輔助電極相互分離且相互絕緣；在第二導(dǎo)體層遠(yuǎn)離第一導(dǎo)體層的一側(cè)依次形成第一絕緣層、半導(dǎo)體層、第三導(dǎo)體層，其中，第一絕緣層覆蓋第一輔助電極、像素電極、柵極及第二輔助電極；使用第二掩膜版使半導(dǎo)體層形成薄膜晶體管的有源層，使第三導(dǎo)體層形成薄膜晶體管的源/漏電極；在第三導(dǎo)體層遠(yuǎn)離半導(dǎo)體層的一側(cè)形成第二絕緣層，第二絕緣層覆蓋有源層、源/漏電極與第一絕緣層；使用第三掩膜版形成貫穿第二絕緣層和第一絕緣層的過(guò)孔，過(guò)孔露出至少部分像素電極、第二輔助電極靠近柵極的側(cè)面、源/漏電極靠近像素電極的側(cè)面；在第二絕緣層遠(yuǎn)離第三導(dǎo)體層的一側(cè)形成第四導(dǎo)體層；使用第四掩膜版使第四導(dǎo)體層形成多個(gè)公共電極及連接導(dǎo)體；其中連接導(dǎo)體通過(guò)一個(gè)過(guò)孔連接源/漏電極靠近柵極的側(cè)面、第二輔助電極靠近柵極的側(cè)面和部分像素電極；其中，公共電極和連接導(dǎo)體之間相互電絕緣；其中源/漏電極的與有源層所在平面具有夾角的表面為源/漏電極的側(cè)面；第二輔助電極的與襯底基板所在平面具有夾角的表面為第二輔助電極的側(cè)面。

本申請(qǐng)?zhí)峁┑年嚵谢寮瓣嚵谢宓闹谱鞣椒?，通過(guò)設(shè)置像素電極、源/漏電極以及第二輔助電極，使得連接導(dǎo)體可以通過(guò)一個(gè)過(guò)孔連接源/漏電極靠近像素電極的側(cè)面、第二輔助電極靠近柵極的側(cè)面和像素電極，可以減少過(guò)孔的數(shù)量以及過(guò)孔在襯底基板上的占位面積，提高像素的開口率。

附圖說(shuō)明

通過(guò)閱讀參照以下附圖所作的對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本申請(qǐng)的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯：

圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1所示陣列基板沿虛線aa’的截取的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2a示出了圖1所示像素電極與第二絕緣層的開口及第二輔助電極的相對(duì)位置關(guān)系；

圖2b示出了第二輔助電極的放大示意圖；

圖2c示出了第二絕緣層的開口的放大示意圖；

圖3為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的在一種液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法的流程圖；

圖5a～圖5c示出了本申請(qǐng)實(shí)施例提供的制作方法中制作像素電極、第一輔助電極、柵極及第二輔助電極的各子步驟的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5d示出了形成像素電極、第一輔助電極、柵極及第二輔助電極后的陣列基板的俯視示意圖；

圖5e～圖5g示出了本申請(qǐng)實(shí)施例提供的制作方法中制作有源層及源/漏電極的各子步驟的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5h示出了形成有源層及源/漏電極后的陣列基板的俯視示意圖；

圖5i～圖5k示出了本申請(qǐng)陣列基板制作方法中形成過(guò)孔的各子步驟的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5l示出了形成過(guò)孔后的陣列基板的俯視示意圖圖；

圖5m～圖5o示出了本申請(qǐng)實(shí)施例提供的陣列基板制作方法中形成多個(gè)公共電極及連接導(dǎo)體的各子步驟的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5p示出了形成公共電極和連接導(dǎo)體后的陣列基板的俯視示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本申請(qǐng)作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實(shí)施例僅用于解釋相關(guān)發(fā)明，而非對(duì)該發(fā)明的限定。另外還需要說(shuō)明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與有關(guān)發(fā)明相關(guān)的部分。

需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本申請(qǐng)。

請(qǐng)結(jié)合圖1和圖2，圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為圖1所示陣列基板沿虛線aa’截取的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

在本實(shí)施例中，陣列基板100包括襯底基板10，多個(gè)公共電極17b以及設(shè)置在襯底基板10與公共電極17b之間的薄膜晶體管141(圖1和圖2中點(diǎn)線所框區(qū)域內(nèi)為薄膜晶體管的結(jié)構(gòu))、像素電極11a、第一輔助電極11b及第二輔助電極12b。

在本實(shí)施例中，薄膜晶體管141例如可以包括柵極12a、有源層14及源/漏電極15。其中，源/漏電極15可以包括源電極15a和漏電極15b。在一些應(yīng)用場(chǎng)景中，源電極和漏電極可以互換。

在本實(shí)施例中，第一輔助電極11b可以與像素電極11a同層、相互分離且相互絕緣。也就是說(shuō)，第一輔助電極11b和像素電極11a可以使用同一膜層形成。

第一輔助電極11b與像素電極11a設(shè)置在襯底基板10面向公共電極17b的一側(cè)。

第二輔助電極12b與柵極12a同層、相互分離且相互絕緣。在本實(shí)施例中，第二輔助電極12b可以與像素電極11a電連接。第一輔助電極11b可以與柵極12a電連接。

有源層14設(shè)置在柵極12a遠(yuǎn)離第一輔助電極11b的一側(cè)。且柵極12a與有源層14之間設(shè)置第一絕緣層13。第一絕緣層13可以覆蓋柵極12a、第一輔助電極11b、像素電極11a及第二輔助電極12b。

源/漏電極15設(shè)置在有源層14遠(yuǎn)離第一絕緣層13的一側(cè)，且源/漏電極15與有源層14接觸。源/漏電極15與公共電極17b之間設(shè)置第二絕緣層16。第二絕緣層16可以覆蓋有源層14、源/漏電極15及第一絕緣層13。

陣列基板100還包括過(guò)孔h(如圖1中虛線內(nèi)區(qū)域)，過(guò)孔h貫穿第一絕緣層13與第二絕緣層16。

連接導(dǎo)體17a通過(guò)一個(gè)上述過(guò)孔h連接源/漏電極15靠近像素電極11a的側(cè)面、第二輔助電極12b靠近柵極12a的側(cè)面和像素電極11a。其中，連接導(dǎo)體17a可以與公共電極17b同層且相互絕緣。

在本實(shí)施例中，源/漏電極15的與有源層14所在平面具有夾角的表面為源/漏電極15的側(cè)面。上述源/漏電極15的側(cè)面與有源層14所在平面之間夾角可以大于0°，小于等于90°。

第二輔助電極12b的與襯底基板10所在平面具有夾角的表面為第二輔助電極12b的側(cè)面。上述的第二輔助電極12b的側(cè)面與襯底基板10所在平面之間的可以?shī)A角大于0°，小于等于90°。

值得指出的是，為了便于說(shuō)明，附圖中僅僅以各個(gè)部件的邊緣(側(cè)面)與襯底基板的夾角為90°為例，但是在實(shí)際生產(chǎn)中，各個(gè)部件的側(cè)面與襯底基板的夾角可以介于0°與90°之間。

在本實(shí)施例中，連接導(dǎo)體可以通過(guò)一個(gè)過(guò)孔連接源/漏電極靠近像素電極的側(cè)面以及第二輔助電極靠近柵極的側(cè)面和部分像素電極，可以減少過(guò)孔的數(shù)量以及過(guò)孔在襯底基板上的占位面積，從而提高了像素的開口率。

在本實(shí)施例的一些可選實(shí)現(xiàn)方式中，柵極12a與第二輔助電極12b可以分別設(shè)置在第一輔助電極11b與像素電極11a的遠(yuǎn)離襯底基板10的一側(cè)。

第一輔助電極11b的形狀與柵極12a的形狀可以相同，大小可以相等。在柵極12a之下設(shè)置第一輔助電極11b，可以簡(jiǎn)化陣列基板100的制作方法。

進(jìn)一步可選地，形成第二輔助電極12b的材料的電導(dǎo)率大于形成像素電極11a的材料的電導(dǎo)率。使得第二輔助電極12b在將顯示信號(hào)傳輸?shù)较袼仉姌O11a時(shí)，信號(hào)在第二輔助電極12b上的衰減較小，從而使得信號(hào)從漏電極15b傳輸至像素電極11a的過(guò)程中信號(hào)衰減較小。此外，在像素電極11a上形成與柵極12a同層的第二輔助電極12b，同樣可以簡(jiǎn)化陣列基板100的制作方法。

在本實(shí)施例的一些可選實(shí)現(xiàn)方式中，有源層14向襯底基板10的正投影與像素電極11a向襯底基板10的正投影部分重疊。在設(shè)置過(guò)孔h時(shí)，可以參考上述有源層14向襯底基板10的正投影與像素電極12a向襯底基板10的正投影互相重疊的部分的位置來(lái)設(shè)置過(guò)孔h的位置。這樣設(shè)置有源層14和像素電極11a的相對(duì)位置，有利于減小過(guò)孔h的尺寸，以便進(jìn)一步增加像素的開口率。柵極12a向襯底基板10的正投影與像素電極11a向襯底基板10的正投影之間無(wú)重疊。這樣，可以使得在陣列基板100加電工作時(shí)，薄膜晶體管141與像素電極11a之間的信號(hào)無(wú)串?dāng)_。

在本實(shí)施例的一些可選實(shí)現(xiàn)方式中，設(shè)置有過(guò)孔h的第二絕緣層16的開口向襯底基板10的正投影與第二輔助電極12b向襯底基板10的正投影部分重疊。這樣設(shè)置第二絕緣層16的開口與第二輔助電極12b有助于形成于過(guò)孔h中的連接導(dǎo)體17a與第二輔助電極12b的側(cè)面連接。

在本實(shí)施例中，形成過(guò)孔h的第二絕緣層16的開口尺寸可以大于過(guò)孔h所露出的像素電極11a的尺寸。這樣過(guò)孔h為上寬下窄的梯形形狀，在這樣形狀的過(guò)孔h中形成的連接導(dǎo)體17a，不容易發(fā)生斷層。

在本實(shí)施例的一些可選實(shí)現(xiàn)方式中，上述陣列基板100還包括柵極線12c。柵極線12c可以與柵極12a同層設(shè)置。柵極線12c在其延伸方向上可以連接多個(gè)柵極12a。

源/漏電極15的形狀例如可以為矩形。設(shè)置有過(guò)孔h的第二絕緣層16的開口可以為條狀開口。進(jìn)一步可選地，上述條狀開口與柵極線12c互相平行。第二輔助電極12b例如可以為條狀第二輔助電極。條狀第二輔助電極可以平行于柵極線。也就是說(shuō)，第二絕緣層16的條狀開口和條狀第二輔助電極12b均與柵極線12c平行。

具體地，上述條狀開口向襯底基板10所在平面的正投影、上述條狀第二輔助電極12b向襯底基板10所在平面的正投影均與柵極線12c向襯底基板10所在平面的正投影平行。

將第二絕緣層16的開口設(shè)置為條狀開口，將第二輔助電極12b設(shè)置成條狀第二輔助電極，且條狀開口與條狀第二輔助電極12b均與柵極線12c平行。這樣，可以減少過(guò)孔h所占用的面積以進(jìn)一步提高像素的開口率。同時(shí)還可以在過(guò)孔h占用較小的面積的前提下增加連接導(dǎo)體17a與第二輔助電極12b的側(cè)面接觸的面積。

在一些應(yīng)用場(chǎng)景中，如圖2a所示，圖2a示出了圖1所示像素電極與第二絕緣層的開口及第二輔助電極的相對(duì)位置關(guān)系，上述柵極線12c可以沿第一方向延伸。設(shè)置有過(guò)孔h的第二絕緣層16的條狀開口沿第一方向的寬度l1小于像素電極11a沿第一方向的寬度l0。條狀第二輔助電極12b沿第一方向的寬度l2小于像素電極11a沿第一方向的寬度l0。這樣，可以根據(jù)具體應(yīng)用場(chǎng)景的需要來(lái)設(shè)置條狀開口沿第一方向的寬度及設(shè)置條狀第二輔助電極12b沿第一方向的寬度。

在本實(shí)施例的一些可選實(shí)現(xiàn)方式中，如圖2b所示，圖2b示出了第二輔助電極的放大示意圖，設(shè)置有過(guò)孔的第二絕緣層16的條狀開口向襯底基板10的正投影為第一矩形。第一矩形的沿第一方向的寬度為第一矩形的長(zhǎng)度l1；第一矩形的沿與第一方向垂直的方向的寬度為第一矩形的寬度w1。第一矩形的長(zhǎng)度l1與寬度w1的比值大于等于3。

在本實(shí)施例的一些可選實(shí)現(xiàn)方式中，如圖2c所示，圖2c示出了第二絕緣層的開口的放大示意圖，條狀第二輔助電極12b向襯底基板10的正投影為第二矩形，第二矩形的沿第一方向的寬度為第二矩形的長(zhǎng)度l2；第二矩形的沿與第一方向垂直方向的寬度為第二矩形的寬度w2。第二矩形的長(zhǎng)度l2與寬度w2的比值大于等于5?？蛇x的，第一矩形的長(zhǎng)度l1可以與第二矩形的長(zhǎng)度相等。

這樣設(shè)置第二絕緣層16的條狀開口的長(zhǎng)寬比及條狀第二輔助電極的長(zhǎng)寬比，可以使用現(xiàn)有的曝光工藝來(lái)制作第二絕緣層16的條狀開口及條狀第二輔助電極，以節(jié)省制作成本。可以理解的是，在工藝制作精度可以滿足的情況下，在第一矩形和第二矩形的長(zhǎng)度一定的條件下，可以增加第一矩形的長(zhǎng)寬比的比值以及增加第二矩形的長(zhǎng)寬比的比值，有利于進(jìn)一步增加陣列基板的開口率，同時(shí)可以使連接導(dǎo)體與條狀第二輔助電極之間有較大的接觸面積以確保電連接穩(wěn)定性。

在一些應(yīng)用場(chǎng)景中，源/漏電極15的形狀可以為弧形。設(shè)置過(guò)孔h的第二絕緣層16的開口為弧形開口；第二輔助電極12b為弧形第二輔助電極12b?；⌒蔚诙o助電極12b的形狀相同和弧形開口的形狀均與弧形源/漏電極15的形狀相同。具體地，弧形開口向襯底基板所在平面的正投影中的弧線的中點(diǎn)、第二輔助電極向襯底基板所在平面的正投影中的弧線的中點(diǎn)以及源漏電極15向襯底基板所在平面的正投影中的弧線的中點(diǎn)可以在一條直線上。

這樣一來(lái)，通過(guò)設(shè)置形成過(guò)孔h的第二絕緣層16的開口的形狀、第二輔助電極12b的形狀與源/漏電極15的形狀均為弧形，且弧形開口向襯底基板所在平面的正投影中的弧線的中點(diǎn)、第二輔助電極向襯底基板所在平面的正投影中的弧線的中點(diǎn)以及源漏電極15向襯底基板所在平面的正投影中的弧線的中點(diǎn)設(shè)置在一條直線上，第二絕緣層16、第二輔助電極12b與源/漏電極15的之間可以互相匹配，可以使得連接導(dǎo)體17a同時(shí)與第二輔助電極12b和源/漏電極15的側(cè)面均有比較大的接觸面積，有利于提高陣列基板100的開口率，以及增加連接導(dǎo)體17a與第二輔助電極12b之間的電連接穩(wěn)定性。

在本實(shí)施例的一些可選實(shí)現(xiàn)方式中，上述公共電極17b與連接導(dǎo)體17a的材料可以為透明導(dǎo)電材料(例如氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅)。像素電極11a與第一輔助電極11b的材料例如可以為透明導(dǎo)電材料(例如氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅)。進(jìn)一步可選地，上述形成公共電極17b與連接導(dǎo)體17a的透明導(dǎo)電材料可以與形成像素電極11a與第一輔助電極11b的透明導(dǎo)電材料相同。

在本實(shí)施例的一些可選實(shí)現(xiàn)方式中，形成上述有源層14的材料可以包括以下任意一種：非晶硅、多晶硅和氧化物半導(dǎo)體。其中多晶硅可以為低溫多晶硅。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的陣列基板100除了包括襯底基板10、薄膜晶體管141、像素電極11a、第一輔助電極11b、第二輔助電極12b、公共電極17b及連接導(dǎo)體17a之外，還包括其他一些公知的結(jié)構(gòu)，例如設(shè)置在陣列基板100的公共電極17b之上的配向膜層等等，為了不模糊本申請(qǐng)的重點(diǎn)，將不再對(duì)這些公知的結(jié)構(gòu)進(jìn)行進(jìn)一步的描述。

請(qǐng)參考圖3，其示出了本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種液晶顯示面板。如圖3所示，液晶顯示面板200包括陣列基板21、與陣列基板21對(duì)置的彩膜基板22以及設(shè)置在陣列基板21與彩膜基板22之間的液晶層23。其中陣列基板21可以為圖1和圖2所示的陣列基板100。圖3所示的液晶顯示面板200采用了圖1和圖2所示的陣列基板，當(dāng)液晶顯示面板200為高分辨率的顯示面板時(shí)，其上的像素具有較大的開口率，液晶顯示面板200在顯示圖像時(shí)具有較高的亮度。

本領(lǐng)域技術(shù)人員可以明白，本申請(qǐng)的實(shí)施例提供的液晶顯示面板除了陣列基板、彩膜基板及液晶之外，還可以包括其它的一些公知的結(jié)構(gòu)，例如集成電路等等。為了不模糊本申請(qǐng)的重點(diǎn)，將不再對(duì)這些公知的結(jié)構(gòu)進(jìn)行進(jìn)一步的描述。

請(qǐng)參考圖4，其示出了本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作方法300。如圖4所示，陣列基板的制作方法300包括以下步驟：

301，在襯底基板的一側(cè)依次形成第一導(dǎo)體層和第二導(dǎo)體層。

302，使用第一掩膜版使第一導(dǎo)體層形成像素電極與第一輔助電極，使第二導(dǎo)體層形成柵極與第二輔助電極。

請(qǐng)參考圖5a～圖5c，其示出了本申請(qǐng)實(shí)施例提供的制作方法中制作像素電極、第一輔助電極、柵極及第二輔助電極的各子步驟的結(jié)構(gòu)示意圖。

如圖5a所示，在襯底基板10上形成第一導(dǎo)體層110和第二導(dǎo)體層120之后，在第二導(dǎo)體層120遠(yuǎn)離第一導(dǎo)體層110的一側(cè)形成第一光刻膠層102。然后使用第一掩膜版m1對(duì)第一光刻膠層102進(jìn)行曝光。

在本實(shí)施例中，第一掩膜版m1例如可以為半色調(diào)掩膜版。第一掩膜版m1包括透光區(qū)m11，部分透光區(qū)m12以及不透光區(qū)m13。這里，部分透光區(qū)指的是光的透過(guò)率介于不透光區(qū)的光透過(guò)率和透光區(qū)的光透過(guò)率之間的區(qū)域。

可以使用紫外線通過(guò)第一掩膜版m1來(lái)照射第一光刻膠層102。其中，位于透光區(qū)m11處的紫外線可以穿過(guò)透光區(qū)m11照射到被透光區(qū)m11覆蓋的部分第一光刻膠層102。位于部分透光區(qū)m12處的紫外線可以部分穿過(guò)部分透光區(qū)m12照射到被部分透光區(qū)m12覆蓋的部分第一光刻膠層102。紫外線無(wú)法穿透不透光區(qū)m13，被不透光區(qū)m13覆蓋的部分第一光刻膠層102無(wú)紫外線照射。此處，第一光刻膠層102例如可以為正性光刻膠。在本申請(qǐng)實(shí)施例中基于光刻膠為正性光刻膠來(lái)進(jìn)行闡述?？梢岳斫獾氖牵饪棠z也可以為負(fù)性光刻膠，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可以在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下采用負(fù)性光刻膠來(lái)實(shí)現(xiàn)本申請(qǐng)中的實(shí)施例。

對(duì)曝光后的第一光刻膠層102進(jìn)行顯影，如圖5b所示，被透光區(qū)m11覆蓋的部分第一光刻膠層102被去除；被部分不透光區(qū)m12覆蓋的部分厚度的第一光刻膠層102被移除而形成具有第一厚度的第一光刻膠圖案1021；被不透光區(qū)m13覆蓋的部分第一光刻膠102被保留，從而形成第二光刻膠圖案1022。第二光刻膠圖案1022覆蓋待形成柵極的區(qū)域、待形成第二輔助電極的區(qū)域。第一光刻膠圖案1021覆蓋除待形成第二輔助電極之外的待形成像素電極的區(qū)域。其中，第一厚度小于第二厚度。

接下來(lái)首先通過(guò)刻蝕工藝去除第一導(dǎo)體層110和第二導(dǎo)體層120中未被第一光刻膠圖案1021和第二光刻膠圖案1022覆蓋的區(qū)域1201，從而將形成柵極12a的區(qū)域和形成像素電極11a的區(qū)域暴露出來(lái)。

接著通過(guò)灰化工藝去除第一光刻膠圖案1021，直到第一光刻膠圖案1021被去除完時(shí)停止。在去除第一光刻膠圖案1021的同時(shí)，第二光刻膠圖案1022的第二厚度也被減薄。

然后通過(guò)刻蝕工藝去除第二導(dǎo)體層120中未被第二光刻膠圖案1022覆蓋的區(qū)域，從而暴露出像素電極11a。

再通過(guò)灰化工藝去除第二光刻膠圖案1022，從而暴露出柵極12a、第一輔助電極11b及第二輔助電極12b，如圖5c所示。

請(qǐng)參考圖5d，其示出了形成像素電極、第一輔助電極、柵極及第二輔助電極后的陣列基板的俯視示意圖。如圖5d所示，通過(guò)使用第一個(gè)掩膜版，在襯底基板10上形成了多個(gè)柵極12a(圖5d中虛線所框的區(qū)域)、多個(gè)第一輔助電極(被柵極覆蓋)、多個(gè)像素電極11a。像素電極11a與第一輔助電極11b相互分離且相互絕緣；柵極12a與第二輔助電極12b相互分離且相互絕緣。圖5c可以為圖5d沿虛線a1-a1’截取的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

在本實(shí)施例的一些可選實(shí)現(xiàn)方式中，在使用第一掩膜版m1使第二導(dǎo)體層120形成柵極12a的同時(shí)，還形成了柵極線12c。形成的柵極線12c在其延伸方向上可以連接多個(gè)柵極12a。

在本實(shí)施例中，使用第一掩膜版m1在第二導(dǎo)體層120中形成的柵極12a向襯底基板10的正投影與在第一導(dǎo)體層110中形成的像素電極11a向陣列基板10的正投影之間無(wú)重疊。

在本實(shí)施例的一些可選實(shí)現(xiàn)方式中，如圖5c所示，在第二導(dǎo)體層120中形成的柵極12a與第二輔助電極12b分別位于第一輔助電極11b與像素電極11a的遠(yuǎn)離襯底基板10的一側(cè)。

在本實(shí)施例的一些可選實(shí)現(xiàn)方式中，第二導(dǎo)體層的材料的電導(dǎo)率大于第一導(dǎo)體層的材料的電導(dǎo)率。第二導(dǎo)體層的材料例如可以為電導(dǎo)率較高的金屬；第一導(dǎo)體層的材料例如可以為電導(dǎo)率比金屬材料低的透明金屬氧化物材料。

這樣，通過(guò)第一個(gè)掩膜版同時(shí)制作了像素電極、第一輔助電極、柵極及第二輔助電極。

步驟303，在第二導(dǎo)體層遠(yuǎn)離第一導(dǎo)體層的一側(cè)形成第一絕緣層、半導(dǎo)體層和第三導(dǎo)體層。

可以使用沉積的方法在第二導(dǎo)體層120遠(yuǎn)離第一導(dǎo)體層110的一側(cè)形成第一絕緣層13、半導(dǎo)體層140和第三導(dǎo)體層150。

步驟304，使用第二掩膜版使半導(dǎo)體層形成薄膜晶體管的有源層、使第三導(dǎo)體層形成薄膜晶體管的源/漏電極。

請(qǐng)參考圖5e～圖5g，其示出了本申請(qǐng)實(shí)施例提供的制作方法中制作有源層及源/漏電極的各子步驟的結(jié)構(gòu)示意圖。

如圖5e所示，在第三導(dǎo)體層150遠(yuǎn)離半導(dǎo)體層140的一側(cè)形成第二光刻膠層103。然后使用第二掩膜版m2對(duì)第二光刻膠層103進(jìn)行曝光。

在本實(shí)施例中，第二掩膜版m2例如可以為半色調(diào)掩膜版。第二掩膜版m2包括透光區(qū)m21，部分透光區(qū)m22以及不透光區(qū)m23。

可以使用紫外線通過(guò)第二掩膜版m2來(lái)照射第二光刻膠層103。

與使用第一掩膜版制作柵極、第一輔助電極、像素電極和第二輔助電極的各子步驟相同，在使用第二掩膜版m2對(duì)第二光刻膠103進(jìn)行曝光顯影后，第二光刻膠層103中被透光區(qū)m21覆蓋的區(qū)域被去除，被部分透光區(qū)m22覆蓋的區(qū)域形成第三光刻膠圖案1031，被不透光區(qū)m23覆蓋的區(qū)域形成第四光刻膠圖案1032。其中第三光刻膠圖案1031的厚度小于第四光刻膠圖案1032的厚度。如圖5f所示。

接著使用刻蝕工藝去除第三導(dǎo)體層150和半導(dǎo)體層140中的未被第三光刻膠圖案1031和第四光刻膠圖案1032覆蓋的區(qū)域。以露出有源層14。

然后使用灰化工藝去除第三光刻膠圖案1031以形成制作源/漏電極的區(qū)域。在去除第三光刻膠圖案1031的同時(shí)，第四光刻膠圖案1032的部分厚度被去除。

再使用刻蝕工藝去除第三導(dǎo)體層150中未被第四光刻膠圖案1032覆蓋的部分，接著使用灰化工藝去除第四光刻膠圖案1032從而露出源/漏電極15。如圖5g所示。

請(qǐng)參考圖5h，其示出了形成有源層及源/漏電極后的陣列基板的俯視示意圖。如圖5h所示，源電極15a和漏電極15b覆蓋部分有源層14?？蛇x的，漏電極15b向襯底基板10的正投影與像素電極11a向襯底基板10的正投影可以部分重疊。經(jīng)過(guò)圖圖5e～圖5g所示的各子步驟，形成了薄膜晶體管141(如圖5h中虛線內(nèi)區(qū)域)的有源層14及源/漏電極15。

圖5g可以為圖5h沿虛線a2-a2’截取的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

可選地，在使用第二掩膜版制作有源層及源/漏電極的同時(shí)，可以使用第二掩膜版在第三導(dǎo)體層中形成數(shù)據(jù)線15c。數(shù)據(jù)線15c在其延伸方向上可以連接多個(gè)源電極15a。

這樣，使用第二個(gè)掩膜版同時(shí)形成了薄膜晶體管的有源層及薄膜晶體管的源/漏電極。

在本實(shí)施例的一些可選實(shí)現(xiàn)方式中，在半導(dǎo)體層140中形成的有源層14向襯底基板10的正投影與在第一導(dǎo)體層110中形成的像素電極11a向襯底基板10的正投影部分重疊。

在一些應(yīng)用場(chǎng)景中，在第三導(dǎo)體層150中形成的源/漏電極15的形狀例如可以為矩形。當(dāng)源/漏電極15的形狀為矩形時(shí)，第二輔助電極12b的形狀例如可以為條狀。在另外一些應(yīng)用場(chǎng)景中，形成的源/漏電極15的形狀還可以為弧形。當(dāng)源/漏電極的形狀為弧形時(shí)，第二輔助電極的形狀相應(yīng)地也可以為弧形。

步驟305，在第三導(dǎo)體層遠(yuǎn)離半導(dǎo)體層的一側(cè)形成第二絕緣層，第二絕緣層覆蓋有源層、源/漏電極與第一絕緣層。

步驟306，使用第三掩膜版形成貫穿第二絕緣層和第一絕緣層的過(guò)孔。

請(qǐng)參考圖5i～圖5k，其示出了本申請(qǐng)陣列基板制作方法中形成過(guò)孔的各子步驟的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖5i所示，在第二絕緣層16遠(yuǎn)離第三導(dǎo)體層150的一側(cè)形成第三光刻膠層104。然后使用第三掩膜版m3對(duì)第三光刻膠層104進(jìn)行曝光。

在本實(shí)施例中，第三掩膜版m3包括透光區(qū)m31和不透光區(qū)m32。其中，透光區(qū)m31覆蓋待形成過(guò)孔的區(qū)域。

對(duì)曝光后的第三光刻膠層104顯影，去除經(jīng)過(guò)曝光的第三光刻膠層104中被透光區(qū)m31覆蓋的部分，從而形成第五光刻膠圖案104a。第五光刻膠圖案104a覆蓋除第二絕緣層m16中待形成過(guò)孔的區(qū)域之外的區(qū)域，如圖5j所示。

接著刻蝕去除第一絕緣層13、第二絕緣層16中未被第五光刻膠圖案104a覆蓋的區(qū)域以形成過(guò)孔h，直到過(guò)孔h露出像素電極11a。如圖5k所示。在本實(shí)施例中，形成的過(guò)孔h露出至少部分像素電極11a、第二輔助電極12b靠近柵極12a的側(cè)面以及源/漏電極15靠近像素電極11a的側(cè)面。

請(qǐng)參考圖5l，其示出了形成過(guò)孔后的陣列基板的俯視示意圖。如圖5l所示，每一個(gè)像素電極11a對(duì)應(yīng)位置處均形成一個(gè)過(guò)孔h。

圖5k可以為圖5l沿虛線a3-a3’截取的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

在本實(shí)施例的一些可選實(shí)現(xiàn)方式中，形成過(guò)孔h的第二絕緣層16的開口向襯底基板10的正投影與第二輔助電極12b向襯底基板10的正投影部分重疊。

步驟307，在第二絕緣層遠(yuǎn)離第三導(dǎo)體層的一側(cè)形成第四導(dǎo)體層。

步驟308，使用第四掩膜版使第四導(dǎo)體層形成多個(gè)公共電極及連接導(dǎo)體。

請(qǐng)參考圖5m～圖5o，其示出了本申請(qǐng)實(shí)施例提供的陣列基板制作方法中形成多個(gè)公共電極及連接導(dǎo)體的各子步驟的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖5m所示，首先在第四導(dǎo)體層170遠(yuǎn)離第二絕緣層16的一側(cè)形成第四光刻膠層105。然后使用第四掩膜版m4對(duì)第四光刻膠層105進(jìn)行曝光。其中第四光掩膜版m4包括透光區(qū)m41和不透光區(qū)m42。其中，不透光區(qū)不透光區(qū)m42覆蓋第四導(dǎo)體層170中待形成連接導(dǎo)體的區(qū)域以及待形成公共電極的區(qū)域。

對(duì)曝光后的第四光刻膠層105顯影，去除第四光刻膠105中被透光區(qū)覆蓋的部分從而形成第六光刻膠圖案105a。第六光刻膠圖案105a覆蓋第四導(dǎo)體層170中用于形成連接導(dǎo)體17a、公共電極17b的區(qū)域。如圖5n所示。

接著使用刻蝕工藝去除第四導(dǎo)體層中未被第六光刻膠圖案105a覆蓋的區(qū)域；再使用灰化工藝去除第六光刻膠圖案105a從而露出連接導(dǎo)體17a、以及公共電極17b。如圖5o所示。

請(qǐng)參考圖5p，其示出了形成公共電極和連接導(dǎo)體后的陣列基板的俯視示意圖。如圖5p所示，公共電極17b中與像素電極11a對(duì)應(yīng)部分形成開口，以使陣列基板100在加電工作時(shí)，公共電極17b和像素電極11a之間形成平行電場(chǎng)。

此外，公共電極17b與連接導(dǎo)體17a之間相互分離且互相電絕緣。

圖5o可以為圖5p沿虛線a4-a4’截取的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

在本實(shí)施例中，連接導(dǎo)體通過(guò)一個(gè)過(guò)孔連接源/漏電極靠近柵極的側(cè)面，第二輔助電極靠近柵極的側(cè)面以及像素電極。在本實(shí)施例中，上述源/漏電極的側(cè)面為其與有源層所在平面具有夾角的表面。上述夾角例如可以為90°。

上述第二輔助電極的側(cè)面為其與襯底基板所在平面具有夾角的表面。上述夾角例如可以為90°。

本實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法，通過(guò)4個(gè)掩膜版形成的陣列基板具有較高的開口率可以提高高分辨率顯示面板的顯示亮度。

在本實(shí)施例的一些可選實(shí)現(xiàn)方式中，當(dāng)?shù)谌龑?dǎo)體層中形成的源/漏電極的形狀為矩形時(shí)，設(shè)置有過(guò)孔的第二絕緣層的開口可以為條狀開口。第二輔助電極可以為條狀第二輔助電極。條狀開口與條狀第二輔助電極平行于柵極線。

在一些應(yīng)用場(chǎng)景中，在第二導(dǎo)體層中形成的柵極線例如可以沿第一方向延伸。在第二絕緣層中形成的條狀開口沿第一方向的寬度小于像素電極沿第一方向的寬度。第二輔助電極沿第一方向的寬度小于像素電極沿第一方向的寬度。

進(jìn)一步可選地，在第二絕緣層中形成的條狀開口向襯底基板的正投影為矩形，矩形的長(zhǎng)寬比大于等于3。

進(jìn)一步可選地，條狀第二輔助電極向襯底基板的正投影為矩形，矩形的長(zhǎng)寬比大于等于5。

在本實(shí)施例的一些可選實(shí)現(xiàn)方式中，當(dāng)?shù)谌龑?dǎo)體層中形成的源/漏電極的形狀為弧形時(shí)，形成過(guò)孔的第二絕緣層的開口為弧形開口；第二輔助電極為弧形第二輔助電極。進(jìn)一步地，弧形開口的形狀及弧形第二輔助電極的形狀均與弧形源/漏電極的形狀相同。

在本實(shí)施例的一些可選實(shí)現(xiàn)方式中，形成過(guò)孔的第二絕緣層的開口向襯底基板的正投影與第二輔助電極向襯底基板的正投影部分重疊。

以上描述僅為本申請(qǐng)的較佳實(shí)施例以及對(duì)所運(yùn)用技術(shù)原理的說(shuō)明。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，本申請(qǐng)中所涉及的發(fā)明范圍，并不限于上述技術(shù)特征的特定組合而成的技術(shù)方案，同時(shí)也應(yīng)涵蓋在不脫離所述發(fā)明構(gòu)思的情況下，由上述技術(shù)特征或其等同特征進(jìn)行任意組合而形成的其它技術(shù)方案。例如上述特征與本申請(qǐng)中公開的(但不限于)具有類似功能的技術(shù)特征進(jìn)行互相替換而形成的技術(shù)方案。