相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求2015年12月29日在韓國(guó)提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)no.10-2015-0188172的優(yōu)先權(quán)，為了所有目的在此援引該專(zhuān)利申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容作為參考，如同在此完全闡述一樣。

本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置，尤其涉及一種能夠防止電場(chǎng)從柵極連線(xiàn)與柵極線(xiàn)之間的連接區(qū)域流到顯示區(qū)域中的液晶顯示裝置。

背景技術(shù)：

面對(duì)信息社會(huì)，顯示電信息信號(hào)的顯示領(lǐng)域得到快速發(fā)展，因此已開(kāi)發(fā)和使用了各種平面顯示裝置。作為平面顯示裝置，使用液晶顯示裝置(lcd)、等離子體顯示面板裝置(pdp)、有機(jī)發(fā)光二極管(oled)顯示裝置等。

在這些平面顯示裝置之中，因?yàn)閘cd具有小尺寸、輕重量、薄外形、低功耗等的優(yōu)點(diǎn)，所以廣泛使用lcd。

圖1是圖解根據(jù)相關(guān)技術(shù)的lcd的陣列基板的顯示區(qū)域與非顯示區(qū)域之間的邊界部分的示意圖。

參照?qǐng)D1，由彼此交叉的柵極線(xiàn)gl和數(shù)據(jù)線(xiàn)dl限定的像素區(qū)域p布置在顯示區(qū)域aa中，并且公共傳輸線(xiàn)ctl在顯示區(qū)域aa外部的非顯示區(qū)域na中在數(shù)據(jù)線(xiàn)dl的延伸方向上延伸。

給各條柵極線(xiàn)gl輸出柵極電壓的柵極驅(qū)動(dòng)電路(未示出)位于公共傳輸線(xiàn)ctl外部。來(lái)自柵極驅(qū)動(dòng)電路的柵極電壓通過(guò)柵極連線(xiàn)gll傳輸至柵極線(xiàn)gl。

柵極連線(xiàn)gll跨接公共傳輸線(xiàn)ctl并在顯示區(qū)域aa附近的連接區(qū)域ca處連接至柵極線(xiàn)gl。

然而，因?yàn)檫B接區(qū)域ca位于顯示區(qū)域aa附近，所以由柵極電壓在連接區(qū)域ca處產(chǎn)生的電場(chǎng)流到顯示區(qū)域aa內(nèi)部。該電場(chǎng)直接影響顯示區(qū)域aa的最外側(cè)像素p，因而液晶分子的排列發(fā)生異常變化。

在這點(diǎn)上，柵極電壓以dc型持續(xù)施加，因而從連接區(qū)域ca流出的dc電場(chǎng)累積并持續(xù)影響最外側(cè)像素p的液晶分子的排列，因而最外側(cè)像素p的液晶分子發(fā)生異常排列。因而，出現(xiàn)了顯示質(zhì)量缺陷，比如最外側(cè)列線(xiàn)看起來(lái)相對(duì)更亮。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，本本發(fā)明旨在提供一種基本上克服了由于相關(guān)技術(shù)的限制和缺點(diǎn)而導(dǎo)致的一個(gè)或多個(gè)問(wèn)題的液晶顯示裝置。

本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種能夠防止電場(chǎng)從柵極連線(xiàn)與柵極線(xiàn)之間的連接區(qū)域流到顯示區(qū)域中的液晶顯示裝置。

在下面的描述中將列出本發(fā)明的附加特征和優(yōu)點(diǎn)，這些特征和優(yōu)點(diǎn)的一部分通過(guò)該描述將是顯而易見(jiàn)的，或者可通過(guò)本發(fā)明的實(shí)施領(lǐng)會(huì)到。通過(guò)說(shuō)明書(shū)、權(quán)利要求書(shū)以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的這些和其他優(yōu)點(diǎn)。

為了實(shí)現(xiàn)這些和其他優(yōu)點(diǎn)并且根據(jù)本發(fā)明的意圖，如在此具體化和廣義描述的，一種液晶顯示裝置(lcd)包括：在基板上分別在第一方向和與所述第一方向交叉的第二方向上延伸的柵極線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)，所述基板包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，在所述顯示區(qū)域中在行線(xiàn)和列線(xiàn)上布置有多個(gè)像素區(qū)域；在所述非顯示區(qū)域中在所述第二方向上延伸的公共傳輸線(xiàn)；柵極連線(xiàn)，所述柵極連線(xiàn)跨接所述公共傳輸線(xiàn)并且在位于所述公共傳輸線(xiàn)的內(nèi)側(cè)處的連接區(qū)域處連接至所述柵極線(xiàn)；和第一阻擋部，所述第一阻擋部從所述公共傳輸線(xiàn)延伸至位于所述連接區(qū)域與所述顯示區(qū)域之間的空間。

應(yīng)當(dāng)理解，前面的大體性描述和下面的詳細(xì)描述都是例示性的和解釋性的，旨在對(duì)要求保護(hù)的本發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。

附圖說(shuō)明

被包括用來(lái)給本發(fā)明提供進(jìn)一步理解并且并入本申請(qǐng)中組成本申請(qǐng)一部分的附圖圖解了本發(fā)明的實(shí)施方式，并與說(shuō)明書(shū)一起用于解釋本發(fā)明的原理。在圖中：

圖1是圖解根據(jù)相關(guān)技術(shù)的lcd的陣列基板的顯示區(qū)域與非顯示區(qū)域之間的邊界部分的示意圖；

圖2是圖解根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的lcd的陣列基板的示意圖；

圖3是圖解根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的陣列基板的顯示區(qū)域的一部分的平面圖；

圖4是沿圖3的線(xiàn)iv-iv截取的剖面圖；

圖5是圖解根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的陣列基板的顯示區(qū)域與非顯示區(qū)域之間的邊界部分的平面圖；

圖6是沿圖5的線(xiàn)vi-vi截取的剖面圖；以及

圖7是圖解根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的lcd的陣列基板的平面圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將詳細(xì)參考示例性實(shí)施方式進(jìn)行描述，附圖中圖解了這些實(shí)施方式的一些例子。在整個(gè)附圖中可使用相同的參考標(biāo)記表示相同或相似的部分。

圖2是圖解根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的lcd的陣列基板的示意圖。

參照?qǐng)D2，本實(shí)施方式的陣列基板110包括顯示區(qū)域aa和圍繞顯示區(qū)域aa的非顯示區(qū)域na。

陣列基板110包括在第一方向上延伸并跨接或橫跨(traverse)顯示區(qū)域aa的多條柵極線(xiàn)gl、以及在與第一方向交叉的第二方向上延伸并跨接顯示區(qū)域aa的多條數(shù)據(jù)線(xiàn)dl。

柵極線(xiàn)gl和數(shù)據(jù)線(xiàn)dl彼此交叉，以沿行線(xiàn)(rowline)和列線(xiàn)(columnline)限定以矩陣形式布置的多個(gè)像素區(qū)域p。

在本實(shí)施方式中，通過(guò)示例的方式顯示出像素區(qū)域p以drd(雙倍數(shù)據(jù)速率)結(jié)構(gòu)布置。在該結(jié)構(gòu)中，每條行線(xiàn)上的像素區(qū)域p選擇性地連接至位于每條行線(xiàn)上的像素區(qū)域p上方和下方的兩條柵極線(xiàn)gl，每條行線(xiàn)上的兩個(gè)像素區(qū)域p布置在兩條相鄰的數(shù)據(jù)線(xiàn)dl之間，并且每條行線(xiàn)上的每個(gè)像素區(qū)域p選擇性地連接至兩條相鄰數(shù)據(jù)線(xiàn)dl之中的與此像素區(qū)域p靠近或遠(yuǎn)離的數(shù)據(jù)線(xiàn)dl。drd結(jié)構(gòu)中的像素區(qū)域p與柵極線(xiàn)gl和數(shù)據(jù)線(xiàn)dl的連接可根據(jù)反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方法等而變化。

應(yīng)當(dāng)理解，本實(shí)施方式可應(yīng)用于與drd結(jié)構(gòu)不同的結(jié)構(gòu)的lcd。

在陣列基板110中，被提供公共電壓的多條公共線(xiàn)cl在第一方向上延伸并跨接顯示區(qū)域aa。每條公共線(xiàn)cl布置在每條行線(xiàn)上并與像素區(qū)域p的像素電極一起形成存儲(chǔ)電容器。

在陣列基板110的非顯示區(qū)域na中，柵極驅(qū)動(dòng)電路gc形成在柵極線(xiàn)gl的一個(gè)端側(cè)處，即形成在顯示區(qū)域aa的一側(cè)處。柵極驅(qū)動(dòng)電路gc例如可以以gip(面板內(nèi)柵極)型或具有ic的cog(玻璃上芯片)型形成。在gip型的情形中，柵極驅(qū)動(dòng)電路gc直接形成在陣列基板110中。在本實(shí)施方式中，通過(guò)示例的方式圖解了gip型柵極驅(qū)動(dòng)電路gc。

柵極驅(qū)動(dòng)電路gc給各條柵極線(xiàn)gl輸出柵極電壓。

在柵極驅(qū)動(dòng)電路gc的內(nèi)側(cè)處，即在柵極驅(qū)動(dòng)電路gc與顯示區(qū)域aa之間，公共傳輸線(xiàn)ctl在第二方向上延伸。

盡管圖中未示出，但公共傳輸線(xiàn)ctl可形成在與柵極驅(qū)動(dòng)電路gc所處的非顯示區(qū)域na的一部分相對(duì)的非顯示區(qū)域na的一部分處，顯示區(qū)域aa位于非顯示區(qū)域na的這兩個(gè)相對(duì)部分之間。

公共傳輸線(xiàn)ctl連接至公共線(xiàn)cl，使得從電源電路提供的公共電壓能夠傳輸?shù)斤@示區(qū)域aa內(nèi)部。公共傳輸線(xiàn)ctl和公共線(xiàn)cl可由與柵極線(xiàn)gl相同的材料形成在與柵極線(xiàn)gl相同的層處。

柵極驅(qū)動(dòng)電路gc和柵極線(xiàn)gl通過(guò)柵極連線(xiàn)(gatelinkline)gll連接。柵極連線(xiàn)gll跨接公共傳輸線(xiàn)ctl并且在顯示區(qū)域aa附近連接至柵極線(xiàn)gl。

在柵極連線(xiàn)gll與公共傳輸線(xiàn)ctl之間設(shè)置有至少一個(gè)絕緣層，并且柵極連線(xiàn)gll可由與數(shù)據(jù)線(xiàn)dl相同的材料形成在與數(shù)據(jù)線(xiàn)dl相同的層處。

柵極連線(xiàn)gll和柵極線(xiàn)gl在顯示區(qū)域aa的邊界附近彼此連接。當(dāng)由于柵極電壓而在柵極連線(xiàn)gll與柵極線(xiàn)gl之間的連接區(qū)域ca處產(chǎn)生的電場(chǎng)流到顯示區(qū)域aa內(nèi)部時(shí)，電場(chǎng)影響顯示區(qū)域aa的最外側(cè)像素區(qū)域p的液晶分子的排列。為改善這個(gè)問(wèn)題，在本實(shí)施方式中，配置有阻擋部sh，阻擋部sh用來(lái)阻擋連接區(qū)域ca處的電場(chǎng)流入顯示區(qū)域aa中。

阻擋部sh連接至公共傳輸線(xiàn)ctl并且被提供公共電壓，因而阻擋部sh能夠有效阻擋在連接區(qū)域ca處生成的dc電場(chǎng)。

進(jìn)一步參照?qǐng)D3至6解釋包括阻擋部sh的陣列基板110的結(jié)構(gòu)。

圖3是圖解根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的陣列基板的顯示區(qū)域的一部分的平面圖，圖4是沿圖3的線(xiàn)iv-iv截取的剖面圖。圖5是圖解根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的陣列基板的顯示區(qū)域與非顯示區(qū)域之間的邊界部分的平面圖，圖6是沿圖5的線(xiàn)vi-vi截取的剖面圖。在圖5中，省略了像素區(qū)域p的詳細(xì)結(jié)構(gòu)以及像素區(qū)域p與柵極線(xiàn)gl和數(shù)據(jù)線(xiàn)dl的詳細(xì)連接。

進(jìn)一步參照?qǐng)D3和4詳細(xì)解釋顯示區(qū)域aa的結(jié)構(gòu)。

在陣列基板110的顯示區(qū)域aa中布置有多個(gè)像素區(qū)域p。在每個(gè)像素區(qū)域p中，連接至相應(yīng)柵極線(xiàn)gl和數(shù)據(jù)線(xiàn)dl的薄膜晶體管t和連接至薄膜晶體管t的像素電極150形成在基板111上。

在顯示區(qū)域aa中，形成有與像素電極150一起產(chǎn)生電場(chǎng)的公共電極160。公共電極160可形成為基本按每一行線(xiàn)被圖案化。此外，在顯示區(qū)域aa中相鄰行線(xiàn)上的公共電極160可通過(guò)它們之間的連接部165彼此部分連接。

薄膜晶體管t包括連接至柵極線(xiàn)gl的柵極電極120、位于柵極電極120上的半導(dǎo)體層130、以及位于半導(dǎo)體層130上且彼此分隔開(kāi)的源極電極141和漏極電極143。源極電極141連接至數(shù)據(jù)線(xiàn)dl。

柵極絕緣層125形成在柵極線(xiàn)gl和柵極電極120上。作為絕緣層的第一鈍化層145形成在數(shù)據(jù)線(xiàn)dl以及源極電極141和漏極電極143上。第一鈍化層145具有暴露漏極電極143的漏極接觸孔147。

像素電極150形成在第一鈍化層145上并且通過(guò)漏極接觸孔147連接至漏極電極143。像素電極150可形成為在像素區(qū)域p中基本具有板形狀。

第二鈍化層155形成在像素電極150上。公共電極160形成在第二鈍化層155上。

公共電極160可具有對(duì)應(yīng)于像素電極150(即，對(duì)應(yīng)于每個(gè)像素區(qū)域p)的多個(gè)電極圖案161，每個(gè)電極圖案161具有條形狀，并且在相鄰的電極圖案161之間形成有開(kāi)口162。

在此構(gòu)造中，在每個(gè)像素區(qū)域p中的像素電極150與公共電極160之間產(chǎn)生被稱(chēng)為邊緣場(chǎng)的面內(nèi)電場(chǎng)，以操作液晶分子。

像素電極150和公共電極160的上述構(gòu)造是一個(gè)示例，可使用其他構(gòu)造。例如，像素電極150可具有多個(gè)條形的電極圖案，公共電極160可具有板形狀?？蛇x擇地，像素電極150和公共電極160的每一個(gè)可具有條形的電極圖案，在這種情形中，像素電極150和公共電極160可位于同一層處。可選擇地，公共電極160可形成在與陣列基板110相對(duì)的另一基板中，以與像素電極150一起產(chǎn)生垂直電場(chǎng)。

在顯示區(qū)域aa中，公共線(xiàn)cl可形成在與柵極線(xiàn)gl相同的層處。公共線(xiàn)cl可在柵極線(xiàn)gl的延伸方向上延伸并且在每條行線(xiàn)上跨接像素區(qū)域p。公共線(xiàn)cl與像素電極150一起形成存儲(chǔ)電容器。

在本實(shí)施方式中，通過(guò)示例的方式圖解了具有drd結(jié)構(gòu)的lcd，可使用具有除drd結(jié)構(gòu)以外的其他結(jié)構(gòu)的lcd。在drd結(jié)構(gòu)中，每條行線(xiàn)上的像素區(qū)域p可利用兩條相鄰柵極線(xiàn)gl作為一組進(jìn)行操作，并且兩個(gè)像素區(qū)域p可位于兩條相鄰數(shù)據(jù)線(xiàn)dl之間。行線(xiàn)上的每個(gè)像素區(qū)域p可選擇性地連接至與每個(gè)像素區(qū)域p靠近或遠(yuǎn)離的數(shù)據(jù)線(xiàn)dl。在此drd結(jié)構(gòu)中，像素區(qū)域p與柵極線(xiàn)gl和數(shù)據(jù)線(xiàn)dl之間的連接可根據(jù)反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方法等而變化。

進(jìn)一步參照?qǐng)D5和6詳細(xì)解釋顯示區(qū)域aa與非顯示區(qū)域na之間的邊界部分的結(jié)構(gòu)。

公共傳輸線(xiàn)ctl在柵極驅(qū)動(dòng)電路gc與顯示區(qū)域aa之間在第二方向上延伸。公共傳輸線(xiàn)ctl可形成在與柵極線(xiàn)gl相同的層處。

公共傳輸線(xiàn)ctl連接至公共線(xiàn)cl并將從電源電路施加的公共電壓傳輸?shù)斤@示區(qū)域aa中。

柵極連線(xiàn)gll可位于柵極絕緣層125上并且形成在與數(shù)據(jù)線(xiàn)dl相同的層處。柵極連線(xiàn)gll跨接其下方的公共傳輸線(xiàn)ctl并且在顯示區(qū)域aa的邊界附近的連接區(qū)域ca處連接至柵極線(xiàn)gl的一端。

關(guān)于此連接結(jié)構(gòu)，第一連接焊盤(pán)gp1形成在柵極連線(xiàn)gll的一端處，并且第二連接焊盤(pán)gp2形成在與柵極連線(xiàn)gll的這一端對(duì)應(yīng)的柵極線(xiàn)gl的一端處。

為了連接的穩(wěn)定性，連接區(qū)域ca處的第一連接焊盤(pán)gp1和第二連接焊盤(pán)gp2可分別具有比柵極連線(xiàn)gll和柵極線(xiàn)gl大的寬度。換句話(huà)說(shuō)，第一連接焊盤(pán)gp1和第二連接焊盤(pán)gp2可具有在相應(yīng)的線(xiàn)gll和gl的寬度方向上(即，第二方向上)從相應(yīng)的線(xiàn)gll和gl延伸的形狀。

第一連接焊盤(pán)gp1和第二連接焊盤(pán)gp2通過(guò)跳線(xiàn)圖案(jumpingpattern)，即連接圖案cn彼此連接。在這點(diǎn)上，連接圖案cn通過(guò)暴露第一連接焊盤(pán)gp1的第一焊盤(pán)接觸孔chg1接觸第一連接焊盤(pán)gp1，并且通過(guò)暴露第二連接焊盤(pán)gp2的第二焊盤(pán)接觸孔chg2接觸第二連接焊盤(pán)gp2，因而第一連接焊盤(pán)gp1和第二連接焊盤(pán)gp2彼此連接。

連接圖案cn可以與公共電極160在相同的工藝中形成，連接圖案cn可由與公共電極160相同的材料形成在與公共電極160相同的層處，并且連接圖案cn位于第二鈍化層155上。

第一焊盤(pán)接觸孔chg1可形成在第一鈍化層145和第二鈍化層155中，并且第二焊盤(pán)接觸孔chg2可形成在第一鈍化層145、第二鈍化層155和柵極絕緣層125中。

特別是，在本實(shí)施方式中，為了阻擋連接區(qū)域ca處的電場(chǎng)的流入，充當(dāng)阻擋電極的阻擋部sh在連接區(qū)域ca與顯示區(qū)域aa的邊界之間從公共傳輸線(xiàn)ctl延伸。

在這點(diǎn)上，公共傳輸線(xiàn)ctl具有向著顯示區(qū)域aa延伸并連接至每條公共線(xiàn)cl的引線(xiàn)部(lead-inportion)ctla，阻擋部ch在寬度方向上從引線(xiàn)部ctla突出并延伸至連接區(qū)域ca與顯示區(qū)域aa之間的空間。

因?yàn)樽钃醪縮h位于連接區(qū)域ca與顯示區(qū)域aa之間，所以能夠阻擋由于柵極電壓而在連接區(qū)域ca處產(chǎn)生的dc電場(chǎng)流入顯示區(qū)域aa中。因此，能夠改善由于dc電場(chǎng)的流入而導(dǎo)致的最外側(cè)像素區(qū)域p的液晶分子的異常排列。

阻擋部sh可配置成連接至與阻擋部sh對(duì)應(yīng)的行線(xiàn)上的公共電極160。為此，可形成暴露阻擋部sh的公共接觸孔chc，公共電極160可通過(guò)公共接觸孔chc連接至阻擋部sh。公共接觸孔chc可形成在第一鈍化層145、第二鈍化層155和柵極絕緣層125中。

連接至阻擋部sh并且位于非顯示區(qū)域na中的公共電極160的一部分，即外圍部167可具有與阻擋部sh相似的形狀。例如，外圍部167可覆蓋阻擋部sh，可位于連接區(qū)域ca與顯示區(qū)域aa之間并且在柵極線(xiàn)gl上方延伸。外圍部167能夠與阻擋部sh一起用于阻擋dc電場(chǎng)的流入。

在這點(diǎn)上，產(chǎn)生從連接區(qū)域ca到顯示區(qū)域aa中的電場(chǎng)的主要因素是位于不同層處的柵極線(xiàn)gl的第二連接焊盤(pán)gp2和連接圖案cn。

因?yàn)樽钃醪縮h位于與柵極線(xiàn)gl相同的層處，所以阻擋部sh能夠有效阻擋來(lái)自柵極金屬層的電場(chǎng)。盡管阻擋部sh能夠阻擋來(lái)自不同層處的連接圖案cn的電場(chǎng)，但外圍部167能夠更有效地阻擋來(lái)自同一層處的連接圖案cn的這種電場(chǎng)。

此外，通過(guò)在阻擋部sh處形成公共接觸孔chc，能夠進(jìn)一步改善電場(chǎng)阻擋效果。換句話(huà)說(shuō)，因?yàn)楣步佑|孔chc中存在外圍部167，所以公共接觸孔chc的區(qū)域充當(dāng)電場(chǎng)的阻擋壁，該阻擋壁基本具有從基板111的表面到陣列基板110的頂表面的高度。

因此，公共接觸孔chc的區(qū)域在剖面圖中充當(dāng)基本完美的阻擋壁，因而能夠更有效地阻擋來(lái)自連接區(qū)域ca的電場(chǎng)。

當(dāng)公共接觸孔chc配置成在阻擋部sh的延伸方向上延伸時(shí)，該延伸方向上的公共接觸孔chc的長(zhǎng)度增加，因而能夠進(jìn)一步改善公共接觸孔chc的電場(chǎng)阻擋效果。

圖7是圖解根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的lcd的陣列基板的平面圖?？墒÷詫?duì)與第一實(shí)施方式的部分相似的部分的解釋。

參照?qǐng)D7，在第二實(shí)施方式的陣列基板110中，連同從公共傳輸線(xiàn)ctl延伸的阻擋部sh1一起，形成另一阻擋部sh2，另一阻擋部sh2將非顯示區(qū)域na中的位于相鄰行線(xiàn)處的公共電極160連接。

為了解釋的目的，阻擋部sh1被稱(chēng)為第一阻擋部sh1，另一阻擋部sh2被稱(chēng)為第二阻擋部sh2。此外，位于第n行線(xiàn)處的公共電極160被稱(chēng)為第一公共電極160a，位于第n+1行線(xiàn)處的公共電極160被稱(chēng)為第二公共電極160b。

第二阻擋部sh2在非顯示區(qū)域na中將第一公共電極160a連接至第二公共電極160b。換句話(huà)說(shuō)，第二阻擋部sh2將第一公共電極160a的外圍部167a連接至第二公共電極160b的外圍部167b。如此，第二阻擋部sh2在第二方向上從第一公共電極160a和第二公共電極160b延伸并將第一公共電極160a和第二公共電極160b連接。

特別是，第二阻擋部sh2位于連接區(qū)域ca的內(nèi)側(cè)處，即位于連接區(qū)域ca與顯示區(qū)域aa之間。換句話(huà)說(shuō)，第二阻擋部sh2在連接區(qū)域ca與顯示區(qū)域aa之間在第二方向上延伸。

第二阻擋部sh2可配置成跨接位于兩條相鄰行線(xiàn)，例如第n行線(xiàn)和第n+1行線(xiàn)之間的柵極線(xiàn)。換句話(huà)說(shuō)，第二阻擋部sh2在覆蓋其下方的柵極線(xiàn)gl的條件下在第二方向上延伸。

當(dāng)與第一阻擋部sh1一起使用第二阻擋部sh2時(shí)，顯示區(qū)域aa基本上與連接區(qū)域ca分離，因而能夠?qū)㈦妶?chǎng)阻擋效果最大化。

換句話(huà)說(shuō)，在未形成第二阻擋部sh2的情形中，第一公共電極160a與第二公共電極160b之間的空間與非顯示區(qū)域na連通，連接區(qū)域ca處的電場(chǎng)通過(guò)該空間流到顯示區(qū)域aa中。

相反，當(dāng)形成第二阻擋部sh2時(shí)，第一公共電極160a與第二公共電極160b之間的空間被連接區(qū)域ca內(nèi)側(cè)處的第二阻擋部sh2封閉，因而該空間通過(guò)第二阻擋部sh2在空間上與非顯示區(qū)域na分離。

因此，能夠阻擋電場(chǎng)從連接區(qū)域ca流入第一公共電極160a與第二公共電極160b之間的空間中。

特別是，因?yàn)榈谝蛔钃醪縮h1、連接至第一阻擋部sh1的公共電極160的外圍部167、以及從外圍部167延伸的第二阻擋部sh2配置成沿顯示區(qū)域aa的邊界在第二方向上沒(méi)有中斷地分布，所以顯示區(qū)域aa基本上完全與連接區(qū)域ca分離并被屏蔽免受電場(chǎng)影響。

因此，當(dāng)使用本實(shí)施方式的電場(chǎng)阻擋構(gòu)造時(shí)，能夠徹底阻擋電場(chǎng)從連接區(qū)域ca流入顯示區(qū)域aa中。

在這點(diǎn)上，發(fā)明人針對(duì)電場(chǎng)阻擋進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)，發(fā)現(xiàn)當(dāng)使用本實(shí)施方式的電場(chǎng)阻擋構(gòu)造時(shí)，電場(chǎng)阻擋效果幾乎是100％。

此外，發(fā)現(xiàn)當(dāng)使用第一實(shí)施方式的電場(chǎng)阻擋構(gòu)造時(shí)，電場(chǎng)阻擋效果大約是80％。這種大約80％的電場(chǎng)阻擋效果不會(huì)顯著影響最外側(cè)像素區(qū)域的液晶分子的排列，不會(huì)由于電場(chǎng)的流入導(dǎo)致明顯的顯示質(zhì)量缺陷。

如上所述，根據(jù)實(shí)施方式，在顯示區(qū)域與柵極線(xiàn)和柵極連線(xiàn)的連接區(qū)域之間形成被施加公共電壓的阻擋部。

因此，通過(guò)阻擋部阻擋電場(chǎng)從連接區(qū)域流入顯示區(qū)域中。因而，能夠改善由于電場(chǎng)的流入而導(dǎo)致的顯示區(qū)域的最外側(cè)像素區(qū)域的液晶分子的異常排列，并且因而能夠改善由于液晶分子的異常排列導(dǎo)致的顯示質(zhì)量缺陷。

此外，通過(guò)阻擋部防止電場(chǎng)流入顯示區(qū)域中，能夠?qū)崿F(xiàn)lcd的窄邊框。在這點(diǎn)上，作為防止電場(chǎng)流入顯示區(qū)域中的一個(gè)方案，可考慮在最外側(cè)像素區(qū)域外側(cè)布置虛擬像素區(qū)域。然而，在這種情形中，虛擬像素區(qū)域的寬度增加了非顯示區(qū)域的寬度，因而不能實(shí)現(xiàn)lcd的窄邊框。相反，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，通過(guò)使用阻擋部而沒(méi)有任何虛擬像素區(qū)域，能夠有效實(shí)現(xiàn)窄邊框。

在不背離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，能夠在本發(fā)明中進(jìn)行各種修改和變化，這對(duì)于所屬領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的。因而，本發(fā)明旨在涵蓋落入所附利要求書(shū)范圍及其等同范圍內(nèi)的對(duì)本發(fā)明的修改和變化。