技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面處理方法，包括如下步驟：提供一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括薄膜層和位于所述薄膜層表面上待處理的光刻膠；采用第一等離子體處理方式去除所述待處理的光刻膠；將去除所述待處理的光刻膠后的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行清潔工藝；采用第二等離子體處理方式處理經(jīng)過(guò)所述清潔工藝后的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明提供的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面處理方法中，在第一等離子體處理方式去除掉光刻膠以及完成清潔工藝后，通過(guò)第二等離子體處理方式可修復(fù)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面形貌，并增加了薄膜層在后續(xù)工藝中的附著力，減少了產(chǎn)品缺陷，提高產(chǎn)品良率，同時(shí)可降低薄膜層懸鍵數(shù)量，使薄膜層表面的化學(xué)活性降低，提高薄膜層的抗腐蝕能力。

技術(shù)研發(fā)人員：吳珂
受保護(hù)的技術(shù)使用者：武漢新芯集成電路制造有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.27
技術(shù)公布日：2017.08.04