本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面處理方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體制造技術(shù)需要在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上進(jìn)行多種不同的物理和化學(xué)工藝，光刻(litho)制程則是半導(dǎo)體制造技術(shù)最重要的制程之一。在整個集成電路的制造過程當(dāng)中可能需要進(jìn)行多次光刻工藝，因此光刻膠涂布不理想也會經(jīng)常發(fā)生，例如涂膠失敗，造成光刻膠層殘留缺陷或均勻性差，或者線寬和上下層對準(zhǔn)層存在較大誤差等，這時就需要對半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的表面進(jìn)行返工(rework)。
發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面處理過程中所采用的方式雖然能去除掉光刻膠層殘留，但也會對半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面帶來損傷，使半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面被腐蝕，造成膜層表面形貌粗糙，懸鍵大量增加，致使一些細(xì)小顆粒物或氣體等吸附在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面，為后續(xù)制程引入雜質(zhì)或造成空穴缺陷等。同時，現(xiàn)有的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面處理也往往會使半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面產(chǎn)生大量親水基團(tuán)如-oh，使半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面由疏水性變化為親水性，導(dǎo)致之后涂布的光刻膠與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面的附著力不佳，影響最終圖形的形成和精度大小。
因此，如何更好的完成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面處理是本領(lǐng)域技術(shù)人員需要解決的問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面處理方法，解決現(xiàn)有技術(shù)中給半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面帶來損傷的問題。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面處理方法，包括如下步驟：
提供一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括薄膜層和位于所述薄膜層表面上待處理的光刻膠；
采用第一等離子體處理方式去除所述待處理的光刻膠；
將去除所述待處理的光刻膠后的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行清潔工藝；
采用第二等離子體處理方式處理經(jīng)過所述清潔工藝后的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
可選的，在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面處理方法中，所述第一等離子體處理方式的處理氣體為氧氣。
可選的，在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面處理方法中，所述第一等離子體處理方式的工藝條件包括：溫度為260℃～290℃。
可選的，在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面處理方法中，所述第二等離子體處理方式的處理氣體為一氧化二氮和氮?dú)狻?/p>
可選的，在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面處理方法中，所述第二等離子體處理方式的工藝條件包括：溫度為350℃～450℃，時間為－，s～3，s。
可選的，在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面處理方法中，所述清潔工藝包括清洗處理和干燥處理。
可選的，在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面處理方法中，所述清洗處理包括：采用含有硫酸和過氧化氫的溶液清洗所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的表面；采用含有氫氧化銨和過氧化氫的溶液清洗所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的表面；所述干燥處理包括：采用異丙醇溶劑干燥所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的表面。
可選的，在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面處理方法中，還包括：在采用第二等離子體處理方式處理后的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面進(jìn)行涂布光刻膠工藝。
可選的，在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面處理方法中，所述薄膜層的材料為氮氧化硅或氮化硅。
可選的，在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面處理方法中，材料為氮氧化硅的所述薄膜層的厚度為30nm～40nm；材料為氮化硅的所述薄膜層的厚度為20nm～50nm。
綜上所述，在本發(fā)明提供的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面處理方法中，在第一等離子體處理方式去除掉光刻膠以及完成清潔工藝后，通過第二等離子體處理方式可修復(fù)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面形貌，并增加了薄膜層在后續(xù)工藝中的附著力，減少了產(chǎn)品缺陷，提高產(chǎn)品良率，同時可降低薄膜層懸鍵數(shù)量，使薄膜層表面的化學(xué)活性降低，提高薄膜層的抗腐蝕能力。
附圖說明
圖1是本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面處理方法的流程圖。
具體實(shí)施方式
為了使本發(fā)明的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，請參閱附圖。須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供熟悉此技術(shù)的人士了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的限定條件，故不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容所能涵蓋的范圍內(nèi)。
如圖1所示，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面處理方法，包括如下步驟：
s10：提供一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括薄膜層和位于所述薄膜層表面上待處理的光刻膠；
s20：采用第一等離子體處理方式去除所述待處理的光刻膠；
s30：將去除所述待處理的光刻膠后的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行清潔工藝；
s40：采用第二等離子體處理方式處理經(jīng)過所述清潔工藝后的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
下面根據(jù)圖1所示的流程圖更詳細(xì)的介紹每個步驟中本發(fā)明的內(nèi)容。
首先，根據(jù)步驟s10，提供一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括薄膜層和位于所述薄膜層表面上待處理的光刻膠，例如各類晶圓，在生產(chǎn)過程中如果光刻膠涂布不理想，需要返工，就可以采用本方法，當(dāng)然本方法也可以作為一種去除光刻膠的方法。
在本實(shí)施例中，所述薄膜層的材料為氮氧化硅或氮化硅。
可選的，材料為氮氧化硅的所述薄膜層的厚度為30nm～40nm；材料為氮化硅的所述薄膜層的厚度為20nm～50nm。
接著，根據(jù)步驟s20，采用第一等離子體處理方式去除所述待處理的光刻膠，從而將不需要的光刻膠去除暴露出薄膜層。
在上述步驟s20中，所述第一等離子體處理方式的處理氣體為氧氣，通過氧氣與光刻膠反應(yīng)產(chǎn)生碳氧化合氣體等。
所述第一等離子體處理方式的工藝條件包括：溫度為260℃～290℃，還可根據(jù)待處理的光刻膠的厚度等設(shè)定所需要工藝時間，當(dāng)處理的光刻膠的厚度較薄時可適當(dāng)減少工藝時間，當(dāng)處理的光刻膠的厚度較薄時可適當(dāng)增加工藝時間。
然后，根據(jù)步驟s30，將去除所述待處理的光刻膠后的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行清潔工藝，將半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面可能的殘留物進(jìn)行清除。
在上述步驟s30中，所述清潔工藝包括清洗處理和干燥處理，通過清洗處理的液體將半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面可能的殘留物帶走，并通過干燥處理將清洗處理后的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面的水汽等清除掉。
所述清洗處理包括：采用含有硫酸(h2so4)和過氧化氫(h2o2)的溶液(spm)清洗所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的表面；采用含有氫氧化銨(nh4oh)和過氧化氫(h2o2)的溶液清洗所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的表面。所述干燥處理包括：采用異丙醇(isopropylealcohol，ipa)溶劑干燥所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的表面，防止水分子影響到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
最后，根據(jù)步驟s40，采用第二等離子體處理方式處理經(jīng)過所述清潔工藝后的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，降低薄膜層懸鍵數(shù)量，使薄膜層表面的化學(xué)活性降低，提高薄膜層的抗腐蝕能力。
在上述步驟s40中，所述第二等離子體處理方式的處理氣體為一氧化二氮(n2o)和氮?dú)?n2)，
在本實(shí)施例中，所述第二等離子體處理方式的工藝條件包括：溫度為350℃～450℃，時間為10s～30s。由于一氧化二氮在等離子體作用下可活化成n離子和o離子，這些n離子和o離子撞擊薄膜層表面，從而加速各種弱鍵的斷裂，并組合成si-n和si-o鍵。隨著弱鍵的斷裂，大量懸鍵的重新結(jié)合，薄膜層表面得以重構(gòu)從而形貌變好，同時薄膜層致密度增加，抗腐蝕性增強(qiáng)。由于親水的si—oh,n—oh斷裂，表面由親水性回歸到氮氧化硅和氮化硅原本的疏水性，從而可增強(qiáng)了膜層的附著力。
可選的，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面處理方式還包括：在采用第二等離子體處理方式處理后的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面進(jìn)行涂布光刻膠工藝，通過上述步驟后，可繼續(xù)進(jìn)行光刻工藝，進(jìn)而形成所需要的器件。
綜上所述，在本發(fā)明提供的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面處理方法中，在第一等離子體處理方式去除掉光刻膠以及完成清潔工藝后，通過第二等離子體處理方式可修復(fù)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面形貌，并增加了薄膜層在后續(xù)工藝中的附著力，減少了產(chǎn)品缺陷，提高產(chǎn)品良率，同時可降低薄膜層懸鍵數(shù)量，使薄膜層表面的化學(xué)活性降低，提高薄膜層的抗腐蝕能力。
上述描述僅是對本發(fā)明較佳實(shí)施例的描述，并非對本發(fā)明范圍的任何限定，本發(fā)明領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬于權(quán)利要求書的保護(hù)范圍。