1.一種光學(xué)膜材，其特征在于，包括：
基底，其上具有凹槽，所述凹槽平行于其底面所在平面的橫截面積，沿背離所述底面的方向逐漸增大；
平坦化層，位于所述基底具有凹槽的一側(cè)，且所述平坦化層的折射率大于所述基底的折射率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)膜材，其特征在于，所述凹槽為多個(gè)，且多個(gè)所述凹槽呈陣列排布。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光學(xué)膜材，其特征在于，所述凹槽為正多邊形棱臺(tái)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光學(xué)膜材，其特征在于，所述凹槽為正四邊形棱臺(tái)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光學(xué)膜材，其特征在于，所述凹槽在所述基底上正投影的邊長(zhǎng)為L(zhǎng)，所述基底上兩相鄰的所述凹槽之間的距離為L(zhǎng)＇，且L＝L＇。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光學(xué)膜材，其特征在于，所述L和所述L＇的取值范圍均在1μm至5μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光學(xué)膜材，其特征在于，所述凹槽的側(cè)面與底面的延伸方向之間的夾角的取值范圍在30°至70°。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)膜材，其特征在于，所述凹槽的深度的取值范圍在500nm至1μm；所述平坦化層的厚度的取值范圍在1μm至2μm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光學(xué)膜材，其特征在于，所述平坦化層的材料為透明導(dǎo)電材料。
10.一種顯示基板，其特征在于，包括權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的光學(xué)膜材。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板還包括位于所述基底背離所述凹槽的側(cè)面上的彩膜層。
12.一種光學(xué)膜材的制備方法，其特征在于，包括：
對(duì)基底進(jìn)行刻蝕，形成凹槽，且所述凹槽平行于其底面所在平面的橫截面積，沿背離所述底面的方向逐漸增大；在形成所述凹槽的基底上形成平坦化層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制備方法，其特征在于，所述對(duì)基底進(jìn)行刻蝕，形成凹槽的步驟具體包括：
在基底上涂覆光刻膠，進(jìn)行曝光顯影形成光刻膠保留區(qū)和光刻膠未保留區(qū)；
對(duì)光刻膠未保留區(qū)采用等離子刻蝕設(shè)備進(jìn)行刻蝕形成所述凹槽；
剝離去除光刻膠保留區(qū)的光刻膠；
所述在形成所述凹槽的基底上形成平坦化層的步驟具體包括：
利用磁控濺射的方法，在形成凹槽的基底上濺射生長(zhǎng)形成一層平坦化層。
14.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求10或11所述的顯示基板。