本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種光學(xué)膜材及其制備方法、顯示基板、顯示裝置。

背景技術(shù)：

傳統(tǒng)制程制作出來的TFT-LCD所存在的問題是，當(dāng)背光源通過偏光片、薄膜晶體管(TFT)等輸出之后，輸出的光線便具有了方向性，也就是說，大多數(shù)光都是從屏幕中垂直射出來的，所以，當(dāng)從某一個較大的角度來觀看LCD時，便不能看到原本的顏色，甚至只能看到全黑或全白。特別是TN模式的TFT-LCD顯示器由于液晶的旋轉(zhuǎn)方式導(dǎo)致其視角更小，當(dāng)視角增大時，畫面顯示質(zhì)量嚴(yán)重下降。隨著人們對顯示器畫面的品質(zhì)的追求，使得對TFT-LCD的要求越來越高，因此，如何能增大TFT-LCD的視角已經(jīng)引起人們越來越多的研究。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提供一種視角廣、顯示效果佳的光學(xué)膜材及其制備方法、顯示基板、顯示裝置。

解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種光學(xué)膜材，包括：

基底，其上具有凹槽，所述凹槽平行于其底面所在平面的橫截面積，沿背離所述底面的方向逐漸增大；平坦化層，位于所述基底具有凹槽的一側(cè)，且所述平坦化層的折射率大于所述基底的折射率。

優(yōu)選的是，所述凹槽為多個，且多個所述凹槽呈陣列排布。

優(yōu)選的是，所述凹槽為正多邊形棱臺。

進一步優(yōu)選的是，所述凹槽為正四邊形棱臺。

進一步優(yōu)選的是，所述凹槽在所述基底上正投影的邊長為L，所述基底上兩相鄰的所述凹槽之間的距離為L＇，且L＝L＇。

進一步優(yōu)選的是，所述L和所述L＇的取值范圍均在1μm至5μm。

優(yōu)選的是，所述凹槽的深度的取值范圍在500nm至1μm；所述平坦化層的厚度的取值范圍在1μm至2μm。

優(yōu)選的是，所述凹槽的側(cè)面與底面延伸方向之間的夾角的取值范圍在30°至70°。

優(yōu)選的是，所述平坦化層的材料為透明導(dǎo)電材料。

解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種顯示基板，其包括上述的光學(xué)膜材。

優(yōu)選的是，所述顯示基板還包括位于所述基底背離所述凹槽的側(cè)面上的彩膜層。解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種顯示基板的制備方法，包括：

對基底進行刻蝕，形成凹槽，且所述凹槽平行于其底面所在平面的橫截面積，沿背離所述底面的方向逐漸增大；在形成所述凹槽的基底上形成平坦化層。

優(yōu)選的是，所述對基底進行刻蝕，形成凹槽的步驟具體包括：

在基底上涂覆光刻膠，進行曝光顯影形成光刻膠保留區(qū)和光刻膠未保留區(qū)；

對光刻膠未保留區(qū)采用等離子刻蝕設(shè)備進行刻蝕形成所述凹槽；

剝離去除光刻膠保留區(qū)的光刻膠。

所述在形成所述凹槽的基底上形成平坦化層的步驟具體包括：

利用磁控濺射的方法，在形成凹槽的基底上濺射生長形成一層平坦化層。

解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種顯示裝置，其包括上述的顯示基板。

本發(fā)明具有如下有益效果：

由于本發(fā)明的顯示基板的基底上具有凹槽，且該凹槽平行于其底面所在平面的橫截面積，沿背離所述底面的方向逐漸增大，因此，凹槽的側(cè)面可以對入射光進行折射，從而擴大光線出射的角度范圍。另外需要注意的是垂直于凹槽的底部或者垂直于凹槽之間的水平面入射的光束，經(jīng)過界面處時不會發(fā)生折射，因此保持了正視角下的光的亮度。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的實施例1的光學(xué)膜材的俯視圖；

圖2為圖1的A-B剖視圖；

圖3為光線照射本發(fā)明的實施例1的光學(xué)膜材的示意圖；

圖4為本發(fā)明的實施例1的光學(xué)膜材上的凹槽的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明的實施例2的光學(xué)膜材的制備方法的流程圖；

圖6為本發(fā)明的實施例3的顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

其中附圖標(biāo)記為：1、基底；2、光刻膠；21、光刻膠保留區(qū)；3、凹槽；4、平坦層；5、陣列基板的基底；6和8、取向?qū)樱?、液晶層；9、彩膜層。

具體實施方式

為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和具體實施方式對本發(fā)明作進一步詳細(xì)描述。

實施例1：

如圖1和2所示，本實施例提供一種光學(xué)膜材，其包括：基底1和平坦化層4；在基底1上具有凹槽3，且凹槽3的平行于其底面所在平面的橫截面積，沿背離所述底面的方向逐漸增大；平坦化層4位于基底1具有凹槽3的一側(cè)，且平坦化層4的折射率大于基底1的折射率。平坦化層4至少填平所述凹槽3，且平坦化層4的表面平坦。

具體的，本實施例中的光學(xué)膜材可以應(yīng)用至顯示基板中，且該顯示基板可以與陣列基板對盒形成顯示面板，而其中的光學(xué)膜材位于顯示面板的出光面?zhèn)?；該顯示基板可以是彩膜基板，也可以對盒基板，當(dāng)然該光學(xué)膜材還可以用于陣列基板中。其中，光學(xué)膜材的基底1的具有凹槽3的為顯示面板的出光面?zhèn)取４藭r如圖3所示，以光束R1為例，當(dāng)R1入射到凹槽3的側(cè)面時，與側(cè)面法線的夾角也即是入射角為a，進入到平坦化層4后光束R11與法線的夾角為b，由于基底1的折射率小于平坦化層4的折射率，由折射定律易知，光束R11將偏向法線，也即是出射角b小于入射角a；當(dāng)光束R11由平坦化層4出射到空氣中時，R11與界面法線的夾角為c，出射光束R12與界面法線的夾角為d，由于空氣的折射率小于平坦化層4的折射率，因此由折射定律易知，夾角d大于夾角c。光束R3垂直于基底1的表面凹槽3的底部，光束R12與光束R3的夾角為B，光束R1與光束R3的夾角為A，由圖易知角度B>角度A。這樣凹槽3不同方向的側(cè)面可以入射光進行折射，從而擴大光線出射的角度范圍。另外需要注意的是垂直于凹槽3的底部或者垂直于凹槽3之間的水平面入射的光束，經(jīng)過界面處時不會發(fā)生折射，因此保持了正視角下的光的亮度。

其中，基底1上的凹槽3為多個，且多個凹槽3呈陣列排布。也就是說，無論是在行方向還是在列方向上任意兩相鄰的凹槽3在基底1上的正投影之間的間距均相等，也即圖1中所示的兩相鄰列凹槽之間的距離L1等于兩相鄰行凹槽之間的距離L2(L1＝L2)，優(yōu)選該間距在1μm至5μm之間，當(dāng)然，該間距也可以根據(jù)面板的尺寸進行調(diào)整。由于本實施例的顯示基板的基底1上的凹槽3呈矩陣排布，也即各個凹槽3均勻排布，此時可以將經(jīng)過基底1的光均勻打散，使得增大顯示面板觀看角度的同時顯示均一。

其中，上述的各個凹槽3均為正多邊形棱臺，此時可以使得光線經(jīng)過凹槽3的每個側(cè)面后發(fā)生相同角度的折射，以保證光線均勻的射出。進一步的，該凹槽3為正四邊形棱臺，當(dāng)然，也可以是正六邊形棱臺、正八邊形棱臺等。

以該凹槽3為正四邊形棱臺為例，其中，如圖4所示，凹槽3在基底1上正投影的邊長為L，所述基底1上兩相鄰的所述凹槽3之間的距離為L＇，且L＝L＇。L和L＇的取值均優(yōu)選為1μm至5μm。當(dāng)然L和L＇的取值也不局限于1μm至5μm，具體的取值可以根據(jù)最后的視角擴大效果而定。其中，凹槽3的深度為500nm至1μm。此處的深度是指：凹槽3在垂直于其底面方向上的高度。當(dāng)然，該凹槽3的深度與基底1的總厚度相關(guān)，也可以根據(jù)具體情況具體設(shè)定。其中，凹槽3的側(cè)面與底面延伸方向之間的夾角α的取值范圍在30°至70°。當(dāng)然，也可以根據(jù)最后的視角擴大效果而定。

其中，本實施例中的平坦化層4的材料為透明導(dǎo)電材料，優(yōu)選為氧化銦錫(ITO)，之所以采用透明導(dǎo)電材料的原因是，在將本實施例中的光學(xué)膜材用于觸控面板中時，通常需要在光學(xué)膜材的出光面?zhèn)戎苽溆|控元件，而由于工藝的原因?qū)诨?表面差生靜電，此時可以通過透明導(dǎo)電材料將靜電引出，以避免靜電的產(chǎn)生(ESD)。

其中，上述的平坦化層4的厚度為1μm至2μm。當(dāng)然，該平坦化層4的厚度至少需要保證填平所述凹槽3，可以結(jié)合具體情況而定。

相應(yīng)的，本實施例中還提供一種包括上述光學(xué)膜材的顯示基板。

其中，上述的顯示基板可以為彩膜基板，也即在基底背離所述凹槽的側(cè)面上設(shè)置彩膜層9；當(dāng)然，該顯示基板也可以為對盒基板，也即不包含彩膜層9。

實施例2：

如圖5所示，本實施例提供一種光學(xué)膜材的制備方法，該顯示基板可以為實施例1中的光學(xué)膜材。該制備方法包括：對基底1進行刻蝕，形成凹槽3，且所述凹槽3的側(cè)面與底面之間的夾角為銳角；在形成所述凹槽3的基底1上形成平坦化層4。

以下對制備光學(xué)膜材的步驟進行具體說明。

步驟一、在基底1上涂覆光刻膠2，進行曝光顯影形成光刻膠保留區(qū)21和光刻膠未保留區(qū)。

步驟二、對光刻膠未保留區(qū)采用等離子刻蝕設(shè)備進行刻蝕形成所述凹槽3。

該步驟具體包括：利用ICP等離子刻蝕設(shè)備，以Ar和CHF₃混合氣體為刻蝕氣體，刻蝕基底1，具體的，Ar惰性氣體在刻蝕腔室中被電離成Ar⁺后，Ar⁺經(jīng)過ICP設(shè)備的自偏壓加速能夠獲得很大的動能，增強等離子體的轟擊效果，輔助CHF₃電離出來的等離子體刻蝕基底1；ICP上部電極功率設(shè)置在200W左右，下部電極也就是提供自偏壓的電極功率設(shè)置在50W左右，以達到高速刻蝕基底1的作用。其中，可以通過調(diào)整Ar和CHF₃混合氣體流量比，腔室氣壓，以及上部電極和下部電極功率來調(diào)基底1的刻蝕凹槽3側(cè)面與底面的夾角。

步驟三、剝離去除光刻膠保留區(qū)21的光刻膠，以形成具有凹槽3的基底1。

步驟四、利用磁控濺射的方法，在基底1上具有凹槽3的側(cè)面，濺射生長一層厚度為1～2um左右的透明導(dǎo)電薄膜(ITO薄膜)，通過化學(xué)機械平坦化工藝，或者退火(anneal)工藝平坦化ITO薄膜的上表面，得到平坦的ITO薄膜，也即形成平坦化層4。其中，平坦化層4至少填平所述凹槽3，且所形成的平坦化層4的表面平坦。

至此完成光學(xué)膜材的制備。

實施例3：

本實施例提供了一種顯示裝置，其包括實施例1中的顯示基板。因此，本實施例的顯示裝置具有更廣的視角，顯示效果更好。

其中，顯示裝置可以為液晶顯示裝置或者電致發(fā)光顯示裝置，例如液晶面板、電子紙、OLED面板、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。圖6中示意出的是一種液晶顯示裝置，其包括陣列基板和彩膜基板，以及設(shè)置在陣列基板和彩膜基板之間的液晶層7，其中實施例1中的顯示基板也即圖6中的彩膜基板，具體包括具有凹槽3的基底1、平坦化層4、彩膜層9、取向?qū)?；陣列基板上包括基底5、取向?qū)?。

可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。