本申請(qǐng)基于2015年12月4日提出申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)2015-237068號(hào)主張優(yōu)先權(quán)，并在此通過參考援用其全部?jī)?nèi)容。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型的實(shí)施方式涉及液晶顯示裝置。

背景技術(shù)：

近年來，液晶顯示裝置等顯示裝置利用于各種領(lǐng)域。液晶顯示裝置在一對(duì)基板之間夾著包含液晶分子的液晶層而構(gòu)成。另外，液晶顯示裝置在各個(gè)基板的液晶層側(cè)，具備對(duì)液晶分子進(jìn)行取向控制的取向膜。例如，已知有將覆蓋間隔件(spacer)的取向膜形成得薄的技術(shù)，該間隔件設(shè)置在一方的基板上。

另外，帶有傳感器的顯示裝置正被實(shí)用化，其在顯示裝置中具備傳感器(或者有時(shí)也被稱為觸摸面板)，在有導(dǎo)體接近或接觸時(shí)檢測(cè)位置。作為傳感器的一例，具有基于靜電電容的變化來檢測(cè)手指等導(dǎo)體的位置的靜電電容型傳感器。已知這樣的傳感器由檢測(cè)電極及驅(qū)動(dòng)電極構(gòu)成、且設(shè)置在顯示面板上的顯示用電極即公共電極兼用作驅(qū)動(dòng)電極的技術(shù)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型是鑒于上述技術(shù)背景中的現(xiàn)有技術(shù)而提出的，其目的為：提供一種可抑制生產(chǎn)率降低的液晶顯示裝置。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，提供一種液晶顯示裝置，包括第1基板、與上述第1基板相對(duì)的第2基板、將上述第1基板和上述第2基板粘接的密封部、封固在上述第1基板與上述第2基板之間的液晶層、和使上述液晶層中包含的液晶分子進(jìn)行取向的取向膜，該液晶顯示裝置具備：驅(qū)動(dòng)電路，其位于上述第1基板和上述第2基板中的一方；第1電極，其位于上述第1基板和上述第2基板中的另一方；第1導(dǎo)通材料，其位于上述密封部?jī)?nèi)；和具有導(dǎo)電性的第1連接部，其位于上述第1基板的與上述密封部重疊的密封區(qū)域，從上述第1基板向上述第2基板突出，上述第1電極經(jīng)由上述第1連接部及上述第1導(dǎo)通材料而與上述驅(qū)動(dòng)電路電連接。

本實(shí)施方式能夠提供一種可抑制生產(chǎn)率降低的液晶顯示裝置。

附圖說明

圖1是表示構(gòu)成本實(shí)施方式的液晶顯示裝置DSP的顯示面板PNL的結(jié)構(gòu)的圖。

圖2是表示圖1所示的液晶顯示裝置DSP的基本結(jié)構(gòu)及等效電路的圖。

圖3是表示圖2所示的像素PX的等效電路圖。

圖4是概略地表示圖2所示的顯示面板PNL的一個(gè)像素PX的截面的圖。

圖5是概略地表示本實(shí)施方式的傳感器SS的結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖6是概略地表示本實(shí)施方式的傳感器SS的其他結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖7是表示本實(shí)施方式的第1基板SUB1的結(jié)構(gòu)例的俯視圖。

圖8是表示本實(shí)施方式的第2基板SUB2的結(jié)構(gòu)例的俯視圖。

圖9是通過圖7及圖8所示的線I-I'剖切得到的顯示面板PNL的剖視圖。

圖10是表示上述實(shí)施方式的顯示面板PNL的具體例的剖視圖。

圖11是表示上述實(shí)施方式的第1變形例的顯示面板PNL的剖視圖。

圖12是表示上述實(shí)施方式的第2變形例的顯示面板PNL的剖視圖。

圖13是通過圖7及圖8所示的線II-II'剖切得到的顯示面板PNL的剖視圖。

圖14是表示上述實(shí)施方式的第3變形例的第1基板SUB1的俯視圖。

圖15是表示圖7所示的區(qū)域A的結(jié)構(gòu)例的俯視圖。

圖16是通過圖15所示的線III-III'剖切得到的顯示面板PNL的剖視圖。

圖17是表示圖7所示的區(qū)域A的其他結(jié)構(gòu)例的俯視圖。

圖18是表示通過圖17所示的線IV-IV'剖切得到的顯示面板PNL的剖視圖。

圖19是表示上述實(shí)施方式的第4變形例的顯示面板PNL的剖視圖。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖說明本實(shí)施方式。此外，公開內(nèi)容只不過為一例，本領(lǐng)域技術(shù)人員容易想到的保持實(shí)用新型的主旨不變而做的適當(dāng)變更當(dāng)然包含在本實(shí)用新型的范圍內(nèi)。另外，為了更明確地說明附圖，有時(shí)，相較于實(shí)施的形態(tài)而示意地示出各部分的寬度、厚度、形狀等，但只不過是一個(gè)例子，并不限定本實(shí)用新型的解釋。另外，在本說明書和各圖中，關(guān)于給出的圖，有時(shí)對(duì)發(fā)揮與前述結(jié)構(gòu)要素相同或類似功能的結(jié)構(gòu)要素標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，并適當(dāng)省略重復(fù)的詳細(xì)說明。

首先，詳細(xì)說明本實(shí)施方式的液晶顯示裝置。

圖1是表示構(gòu)成本實(shí)施方式的液晶顯示裝置DSP的顯示面板PNL的結(jié)構(gòu)的圖。圖1是由相互交叉的第1方向X和第2方向Y規(guī)定的X-Y平面中的顯示面板PNL的俯視圖。

顯示面板PNL例如是液晶顯示面板，具備第1基板SUB1、第2基板SUB2、密封部SE和液晶層(后述的液晶層LC)。第2基板SUB2與第1基板SUB1相對(duì)。密封部SE將第1基板SUB1與第2基板SUB2粘接。密封部SE形成為例如連續(xù)的環(huán)狀，在圖示的例子中形成為矩形框狀。更具體地說，密封部SE具有四個(gè)密封部SE1、SE2、SE3、SE4。密封部SE1及SE2沿著第2方向Y延伸。密封部SE2隔著顯示區(qū)域DA與密封部SE1相對(duì)。密封部SE3及SE4沿著第1方向X延伸，且分別與密封部SE1及SE2的端部相連。密封部SE4隔著顯示區(qū)域DA與密封部SE3相對(duì)。

另外，在第1基板SUB1及第2基板SUB2中，使形成有密封部SE的區(qū)域?yàn)槊芊鈪^(qū)域SA。密封區(qū)域SA具有分別配置有密封部SE1至SE4的密封區(qū)域SA1至SA4。

液晶層在第1基板SUB1與第2基板SUB2之間被封固于由密封部SE包圍的內(nèi)側(cè)。顯示面板PNL在由密封部SE包圍的內(nèi)側(cè)，具備顯示圖像的顯示區(qū)域DA。顯示區(qū)域DA例如形成為大致長(zhǎng)方形狀。

在本實(shí)施方式中，液晶層通過例如滴下注入法而形成。在適用滴下注入法的情況下，首先，在第1基板SUB1或第2基板SUB2上，使用分配器(dispenser)或網(wǎng)板印刷版將密封部SE涂布成環(huán)狀。然后，在真空中，向由密封部包圍的內(nèi)側(cè)的區(qū)域滴下液晶材料。然后，將第1基板SUB1與第2基板SUB2在真空中重疊而貼合，通過向真空中導(dǎo)入大氣，來借助第1基板SUB1及第2基板SUB2間的內(nèi)部與外部的壓力差將密封部SE壓潰，使液晶材料在第1基板SUB1與第2基板SUB2之間擴(kuò)散，從而以規(guī)定的盒厚(cell gap)形成液晶層。然后，向密封部SE照射紫外線或?qū)γ芊獠縎E進(jìn)行加熱，由此使密封部SE固化。這樣的滴下注入法與在將第1基板SUB1及第2基板SUB2貼合后在真空中注入液晶材料的真空注入法相比，具有能夠縮短制造時(shí)間等優(yōu)點(diǎn)。

驅(qū)動(dòng)IC芯片2及柔性印刷電路(FPC)基板3及4等顯示面板PNL的驅(qū)動(dòng)所需要的信號(hào)供給源位于比顯示區(qū)域DA靠外側(cè)的非顯示區(qū)域NDA。在圖示的例子中，驅(qū)動(dòng)IC芯片2及FPC基板3安裝在與第2基板SUB2的基板端部SUB2e向外側(cè)延伸的第1基板SUB1的安裝部MT上。另外，F(xiàn)PC基板4安裝在第2基板SUB2上，在圖示的例子中，在俯視觀察下，安裝在密封部SE4與基板端部SUB2e之間。非顯示區(qū)域NDA是包圍顯示區(qū)域DA的區(qū)域，包含密封區(qū)域SA，形成為矩形框狀。此外，顯示區(qū)域DA也能夠采用圓形、橢圓形、使矩形的一部分彎曲而成的形狀等結(jié)構(gòu)。

本實(shí)施方式的顯示面板PNL例如是具備透射顯示功能的透射型：通過使來自第1基板SUB1的背面?zhèn)鹊墓膺x擇性地透射來顯示圖像，但并不限定于此。例如，顯示面板PNL也可以是具備反射顯示功能的反射型：通過使來自第2基板SUB2的前表面?zhèn)鹊墓膺x擇性地反射來顯示圖像，還可以是具備透射顯示功能及反射顯示功能的半透射型。在適用透射型或半透射型的顯示面板PNL的情況下，在第1基板SUB1的背面?zhèn)扰渲糜姓彰餮b置。在適用反射型的顯示面板PNL的情況下，不需要照明裝置，但可以在第2基板SUB2的前表面?zhèn)扰渲贸蔀檩o助光源的照明裝置。

圖2是表示圖1所示的液晶顯示裝置DSP的基本結(jié)構(gòu)及等效電路的圖。如圖2所示，顯示面板PNL具備位于非顯示區(qū)域NDA的柵極布線驅(qū)動(dòng)電路GD、源極布線驅(qū)動(dòng)電路SD及公共電極驅(qū)動(dòng)電路CD。

顯示面板PNL在顯示區(qū)域DA具備多個(gè)像素PX。多個(gè)像素PX在第1方向X及第2方向Y上設(shè)置成矩陣狀，配置有m×n個(gè)(其中，m及n為正整數(shù))。另外，顯示面板PNL在顯示區(qū)域DA中具備n條柵極布線G(G1～Gn)、m條源極布線S(S1～Sm)、公共電極CE等。

柵極布線G沿著第1方向X延伸，被引出到顯示區(qū)域DA的外側(cè)，并與柵極布線驅(qū)動(dòng)電路GD連接。源極布線S沿著第2方向Y延伸，被引出到顯示區(qū)域DA的外側(cè)，并與源極布線驅(qū)動(dòng)電路SD連接。此外，柵極布線G及源極布線S也可以使各自的一部分彎曲。公共電極CE與公共電極驅(qū)動(dòng)電路CD電連接。公共電極CE被多個(gè)像素PX所共用。

圖3是表示圖2所示的像素PX的等效電路圖。

如圖3所示，各像素PX具備開關(guān)元件SW、像素電極PE、公共電極CE、液晶層LC等。開關(guān)元件SW由例如薄膜晶體管形成，與柵極布線G及源極布線S電連接。像素電極PE與開關(guān)元件SW電連接。像素電極PE與公共電極CE相對(duì)。公共電極CE及像素電極PE形成了保持電容CS。

圖4是概略地表示圖2所示的顯示面板PNL的一個(gè)像素PX的截面的圖。第3方向Z與第1方向X及第2方向Y正交。在本實(shí)施方式中，將第3方向Z的正向或從第1基板SUB1朝向第2基板SUB2的方向定義為上，將第3方向Z的負(fù)向或從第2基板SUB2朝向第1基板SUB1的方向定義為下。

第1基板SUB1具備第1絕緣基板10、開關(guān)元件SW、像素電極PE、第1絕緣膜11、第2絕緣膜12、第3絕緣膜13、第1取向膜AL1等。

第1絕緣基板10是玻璃基板或樹脂基板等具有光透射性的基板。

開關(guān)元件SW在圖示的例子中為頂柵型，但也可以為底柵型。開關(guān)元件SW具有半導(dǎo)體層SC。半導(dǎo)體層SC由例如多晶硅形成，但也可以由非晶硅或氧化物半導(dǎo)體等形成。半導(dǎo)體層SC位于第1絕緣基板10之上。第1絕緣膜11配置在半導(dǎo)體層SC及第1絕緣基板10之上。此外，也可以在第1絕緣基板10與半導(dǎo)體層SC之間夾設(shè)其他絕緣膜。開關(guān)元件SW的柵電極WG形成在第1絕緣膜11之上，位于半導(dǎo)體層SC的上方。柵電極WG與柵極布線G一體地形成。第2絕緣膜12配置在柵電極WG及第1絕緣膜11之上。

開關(guān)元件SW的源電極WS及漏電極WD位于第2絕緣膜12之上。源電極WS與源極布線S一體地形成。源電極WS經(jīng)由將第1絕緣膜11及第2絕緣膜12貫穿的接觸孔CH1而與半導(dǎo)體層SC接觸。漏電極WD經(jīng)由將第1絕緣膜11及第2絕緣膜12貫穿的接觸孔CH2而與半導(dǎo)體層SC接觸。第3絕緣膜13配置在源電極WS、漏電極WD、及第2絕緣膜12之上。

第1絕緣膜11及第2絕緣膜12由例如氧化硅或氮化硅等無機(jī)類材料形成。第3絕緣膜13由例如透明的樹脂材料形成。

像素電極PE位于第3絕緣膜13之上。像素電極PE由透明的導(dǎo)電材料、例如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)等形成。像素電極PE經(jīng)由將第3絕緣膜13貫穿的接觸孔CH3而與漏電極WD接觸。第1取向膜AL1配置在像素電極PE及第3絕緣膜13之上。

另一方面，第2基板SUB2具備第2絕緣基板30、遮光層31、彩色濾光片32、保護(hù)層33、公共電極CE、第2取向膜AL2等。

第2絕緣基板30是玻璃基板或樹脂基板等具有光透射性的基板。第2絕緣基板30具有與第1基板SUB1相對(duì)這一側(cè)的內(nèi)表面30A、和與內(nèi)表面30A為相反側(cè)的外表面30B。

遮光層31位于第2絕緣基板30的內(nèi)表面30A。遮光層31以劃分各像素PX的方式形成，規(guī)定了開口部AP。遮光層31以與設(shè)在第1基板SUB1上的柵極布線G和源極布線S、開關(guān)元件SW和接觸孔CH3等相對(duì)的方式形成。雖然沒有詳述，但以與柵極布線G及源極布線S分別相對(duì)的方式形成的遮光層31的形狀在俯視觀察下為格子狀。

彩色濾光片32位于第2絕緣基板30的內(nèi)表面30A，其端部與遮光層31重疊。彩色濾光片32由被著色成彼此不同的多個(gè)顏色、例如紅色、藍(lán)色、綠色的樹脂材料形成。

保護(hù)層33覆蓋彩色濾光片32。保護(hù)層33由透明的樹脂材料形成。

公共電極CE位于保護(hù)層33的與第1基板SUB1相對(duì)的這一側(cè)。公共電極CE由例如ITO或IZO等透明的導(dǎo)電材料形成。第2取向膜AL2覆蓋公共電極CE。

在上述那樣的第1基板SUB1和第2基板SUB2中，第1取向膜AL1及第2取向膜AL2彼此相對(duì)。液晶層LC由被封入在第1取向膜AL1與第2取向膜AL2之間的包含液晶分子LM的液晶組成物構(gòu)成。第1取向膜AL1及第2取向膜AL2具有使液晶分子LM進(jìn)行取向的取向限制力。在一例中，第1取向膜AL1及第2取向膜AL2是使液晶分子LM與第3方向Z大致平行地進(jìn)行取向的垂直取向膜。

檢測(cè)電極Rx位于第2絕緣基板30的外表面30B。檢測(cè)電極Rx構(gòu)成后述的靜電電容型的傳感器。

此外，上述的顯示面板PNL適用了VA(Vertical Aligned：垂直排列)模式，但不限于該例。例如，顯示面板PNL也可以適用TN(Twisted Nematic：扭曲向列)模式或OCB(Optically Compensated Bend：光學(xué)補(bǔ)償彎曲)模式等，在該情況下，作為第1取向膜AL1及第2取向膜AL2，適用使液晶分子LM與X-Y平面大致平行地進(jìn)行取向的水平取向膜。

接下來，說明搭載在本實(shí)施方式的液晶顯示裝置DSP中的靜電電容型的傳感器SS。

圖5是概略地表示本實(shí)施方式的傳感器SS的結(jié)構(gòu)的俯視圖。

在本實(shí)施方式中，傳感器SS具備傳感器驅(qū)動(dòng)電極Tx、檢測(cè)電極Rx、引線L及連接布線WR。傳感器驅(qū)動(dòng)電極Tx包含在與像素電極PE之間產(chǎn)生電場(chǎng)的顯示用的公共電極CE，并且具有用于通過在與檢測(cè)電極Rx之間產(chǎn)生電容來檢測(cè)物體位置的功能。

傳感器驅(qū)動(dòng)電極Tx及檢測(cè)電極Rx配置在顯示區(qū)域DA中。在圖示的例子中，傳感器驅(qū)動(dòng)電極Tx具備多個(gè)電極T1至Tα(其中，α為正整數(shù))。電極T1至Tα在顯示區(qū)域DA中，分別在第2方向Y上隔開間隔地排列。電極T1至Tα各自具有帶狀形狀，沿第1方向X大致直線地延伸。檢測(cè)電極Rx具備多個(gè)電極R1至Rβ(其中，β為正整數(shù))。電極R1至Rβ在顯示區(qū)域DA中，分別在第1方向X上隔開間隔地排列。電極R1至Rβ各自具有帶狀形狀，沿第2方向Y大致直線地延伸。也就是說，電極R1至Rβ沿與電極T1至Tα交叉的方向延伸。

此外，電極T1至Tα和電極R1至Rβ的個(gè)數(shù)和尺寸、形狀沒有特別限定，能夠進(jìn)行各種變更。另外，電極T1至Tα也可以在第1方向X上隔開間隔地排列，并沿第2方向Y大致直線地延伸而形成，此時(shí)，電極R1至Rβ在第2方向Y上隔開間隔地排列，并沿第1方向X大致直線地延伸而形成。

引線L及連接布線WR配置在非顯示區(qū)域NDA中。引線L在第2基板SUB2中，與檢測(cè)電極Rx位于同一面(例如，圖4所示的外表面30B)。引線L各自的一端側(cè)與電極R1至Rβ各自一對(duì)一地電連接。引線L各自的另一端側(cè)與FPC基板4電連接。檢測(cè)電路DC安裝在例如FPC基板4上。電極R1至Rβ各自經(jīng)由引線L及FPC基板4與檢測(cè)電路DC電連接。此外，檢測(cè)電路DC可以內(nèi)置于驅(qū)動(dòng)IC芯片2中，也可以安裝在FPC基板3上，還可以內(nèi)置于其他外部設(shè)備中。

連接布線WR如后所述，配置在第1基板SUB1上。連接布線WR各自的一端側(cè)與電極T1至Tα各自一對(duì)一地電連接。連接布線WR各自的另一端側(cè)與公共電極驅(qū)動(dòng)電路CD電連接。電極T1至Tα各自經(jīng)由連接布線WR與公共電極驅(qū)動(dòng)電路CD電連接。公共電極驅(qū)動(dòng)電路CD在顯示圖像的顯示驅(qū)動(dòng)時(shí)向公共電極CE供給公共驅(qū)動(dòng)信號(hào)，在進(jìn)行感測(cè)(sensing)的感測(cè)驅(qū)動(dòng)時(shí)向公共電極CE供給傳感器驅(qū)動(dòng)信號(hào)。

在使用上述那樣構(gòu)成的傳感器SS進(jìn)行感測(cè)時(shí)，首先，公共電極驅(qū)動(dòng)電路CD向電極T1寫入脈沖狀的傳感器驅(qū)動(dòng)信號(hào)，產(chǎn)生和電極T1與電極R1至Rβ之間的電極間電容相應(yīng)的傳感器信號(hào)。接著，檢測(cè)電路DC從電極R1至Rβ讀取表示基于電極間電容變化產(chǎn)生的傳感器信號(hào)變化的讀取信號(hào)。也對(duì)電極T2到電極Tα寫入相同的傳感器驅(qū)動(dòng)信號(hào)，依次從電極R1至Rβ讀取讀取信號(hào)。由此，檢測(cè)出物體的位置。此外，引線L及連接布線WR的布局不限于圖示的例子。以下示出連接布線WR的其他結(jié)構(gòu)。

圖6是概略地表示本實(shí)施方式的傳感器SS的其他結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖6所示的傳感器SS與圖5所示的傳感器SS相比，不同點(diǎn)在于與公共電極驅(qū)動(dòng)電路CD連接的連接布線WR為一條。

如圖6所示，連接布線WR可以經(jīng)由作為開關(guān)元件的晶體管Tr而將公共電極驅(qū)動(dòng)電路CD與電極T1至Tα電連接。該情況下，公共電極驅(qū)動(dòng)電路CD通過選擇各開關(guān)元件，來選擇性地向電極T1至Tα供給傳感器信號(hào)。

圖7是表示本實(shí)施方式的第1基板SUB1的結(jié)構(gòu)例的俯視圖。連接布線WR、公共電極驅(qū)動(dòng)電路CD及焊盤PD配置在第1基板SUB1上。另外，在第1基板SUB1中，與密封部SE重疊的密封區(qū)域SA在圖中以斜線示出。另外，將比密封區(qū)域SA靠?jī)?nèi)周側(cè)的區(qū)域設(shè)為密封內(nèi)區(qū)域SI。

各連接布線WR沿著密封區(qū)域SA1配置。在圖示的例子中，連接布線WR各自具有一端部Wa、另一端部Wb、和彎曲部Wc。連接布線WR在一端部Wa側(cè)與公共電極驅(qū)動(dòng)電路CD連接。連接布線WR在從一端部Wa到彎曲部Wc的范圍內(nèi)沿著第2方向Y延伸。另外，連接布線WR在從彎曲部Wc到另一端部Wb的范圍內(nèi)沿著第1方向X延伸，跨著密封區(qū)域SA1及密封內(nèi)區(qū)域SI而配置。從彎曲部Wc到另一端部Wb為止的連接布線WR的沿著第2方向Y的線寬LW2大于從一端部Wa到彎曲部Wc為止的連接布線WR的沿著第1方向X的線寬LW1。各連接布線WR的另一端部Wb在第2方向Y上隔開間隔地排列。

焊盤PD在第2方向Y上隔開間隔地排列。焊盤PD的個(gè)數(shù)例如與構(gòu)成傳感器驅(qū)動(dòng)電極Tx的電極T1至Tα的個(gè)數(shù)一致。各焊盤PD跨著密封區(qū)域SA1及密封內(nèi)區(qū)域SI而配置。焊盤PD在俯視觀察下，與連接布線WR的另一端部Wb重疊。焊盤PD經(jīng)由將焊盤PD及連接布線WR之間的絕緣膜貫穿的接觸孔CH而與連接布線WR電連接，這將在后敘述。在圖示的例子中，接觸孔CH位于密封內(nèi)區(qū)域SI，但也可以位于密封區(qū)域SA1。

圖8是表示本實(shí)施方式的第2基板SUB2的結(jié)構(gòu)例的俯視圖。

檢測(cè)電極Rx及傳感器驅(qū)動(dòng)電極Tx配置在第2基板SUB2上。此外，圖8是圖4所示的第2基板SUB2的從外表面30B側(cè)觀察到的俯視圖。另外，與圖7同樣地，在第2基板SUB2中與密封部SE重疊的密封區(qū)域SA在圖中以斜線示出。此外，位于外表面30B側(cè)的檢測(cè)電極Rx以實(shí)線示出，位于內(nèi)表面30A側(cè)的傳感器驅(qū)動(dòng)電極Tx以虛線示出。

構(gòu)成傳感器驅(qū)動(dòng)電極Tx的電極T1至Tα各自具有一端部Ta及另一端部Tb。一端部Ta在俯視觀察下與密封區(qū)域SA1重疊，也與圖7所示的焊盤PD重疊。另一端部Tb在俯視觀察下與密封區(qū)域SA2重疊。引線L沿著密封區(qū)域SA4配置。

圖9是通過圖7及圖8所示的線I-I'剖切得到的顯示面板PNL的剖視圖。

連接布線WR例如位于第1絕緣膜11與第2絕緣膜12之間。這樣的連接布線WR能夠由與參照?qǐng)D4說明的柵電極WG等相同的材料形成。此外，連接布線WR也可以位于第1絕緣基板10與第1絕緣膜11之間，還可以位于第2絕緣膜12與第3絕緣膜13之間。

第1基板SUB1具備位于密封區(qū)域SA1的連接部CN1。連接部CN1從第1基板SUB1朝向第2基板SUB2突出，具有導(dǎo)電性。連接部CN1在俯視觀察X-Y平面時(shí)，形成為例如圓狀、橢圓狀、多邊形狀等。

以下，說明連接部CN1的結(jié)構(gòu)例。連接部CN1具備凸部P1和與凸部P1重疊的焊盤PD1。凸部P1在圖示的例子中，是第3絕緣膜13的一部分。也就是說，位于密封區(qū)域SA1的第3絕緣膜13在形成有連接部CN1的第1區(qū)域A1中，與連接部CN1周邊的第2區(qū)域A2相比朝向第2基板SUB2突出。這種形狀的第3絕緣膜13例如能夠通過選擇正型抗蝕劑作為第3絕緣膜13的材料并在形成第3絕緣膜13的過程中適用半色調(diào)曝光來形成。即，在將正型抗蝕劑成膜后，將與凸部P1對(duì)應(yīng)的區(qū)域遮光，對(duì)凸部P1以外的區(qū)域經(jīng)由半色調(diào)掩膜進(jìn)行曝光。然后，通過顯影液使正型抗蝕劑顯影。此時(shí)，正型抗蝕劑中的僅被曝光的表層被顯影液除去。然后，通過對(duì)正型抗蝕劑進(jìn)行燒結(jié)而形成包含凸部P1的第3絕緣膜13。此外，為了形成更陡峭的凸部P1，要求維持剛顯影之后的形狀。在一例中，在對(duì)正型抗蝕劑進(jìn)行燒結(jié)的工序中，在以80～150℃左右進(jìn)行預(yù)燒結(jié)后進(jìn)行正式燒結(jié)，由此能夠抑制正型抗蝕劑因熱導(dǎo)致的變形。在本實(shí)施方式中，凸部P1的沿著第3方向Z的高度h為0.5μm以上，在一例中為0.6μm。

在此，說明凸部P1為第3絕緣膜13的一部分的情況，但不限于該例。例如，凸部P1也可以通過在第3絕緣膜13之上層疊其他絕緣體和/或?qū)щ婓w而形成。

焊盤PD1位于第3絕緣膜13之上。焊盤PD1在密封區(qū)域SA1中，在第1區(qū)域A1及第2區(qū)域A2中延伸，在第1區(qū)域A1中重疊于凸部P1之上。焊盤PD1經(jīng)由將第2絕緣膜12及第3絕緣膜13貫穿的接觸孔CH而與連接布線WR電連接。焊盤PD1中的與凸部P1重疊的部分構(gòu)成了連接部CN1。也可以通過將焊盤PD1中的位于第1區(qū)域A1的部分形成得比位于第2區(qū)域A2的部分厚，而將該部分兼作凸部P1。

第1取向膜AL1在密封區(qū)域SA1中延伸。在圖示的例子中，第1取向膜AL1形成于第2區(qū)域A2，沒有形成于第1區(qū)域A1。也就是說，第1取向膜AL1沒有形成在連接部CN1的上表面CN1a之上。

此外，也能夠存在第1取向膜AL1形成于第1區(qū)域A1的情況。該情況下，第1區(qū)域A1的第1取向膜AL1的膜厚比第2區(qū)域A2的第1取向膜AL1的膜厚薄。此時(shí)，第1取向膜AL1的膜厚為例如10nm以下。

連接部CN1形成為在形成第1取向膜AL1時(shí)，取向膜材料幾乎不會(huì)殘留在連接部CN1的上表面CN1a上程度的大小。在一例中，連接部CN1在第1方向X上具有5至20μm的寬度，更期望具有10至15μm的寬度。

在第2基板SUB2中，電極T1在密封區(qū)域SA1中延伸，并與連接部CN1相對(duì)。在密封區(qū)域SA1中幾乎沒有形成第2取向膜AL2，且在與連接部CN1相對(duì)的位置沒有形成第2取向膜AL2。

導(dǎo)通材料CM1具有導(dǎo)電性，設(shè)在密封部SE內(nèi)。導(dǎo)通材料CM1在第1區(qū)域A1中夾在連接部CN1與電極T1之間且與兩者接觸。關(guān)于導(dǎo)通材料CM1，沿著第3方向Z的長(zhǎng)度比沿著第1方向X的長(zhǎng)度短。圖示的例子的導(dǎo)通材料CM1在X-Z截面中，具備在第1方向X上具有長(zhǎng)軸且在第3方向Z上具有短軸的橢圓形的截面形狀，但導(dǎo)通材料CM1的截面形狀不限于圖示的例子。此外，在密封部SE中設(shè)有未圖示的其他導(dǎo)通材料。如后所述，位于第2區(qū)域A2的導(dǎo)通材料的形狀與位于第1區(qū)域A1的導(dǎo)通材料CM1的形狀不同。在一例中，導(dǎo)通材料形成為球狀，例如，可以是整體為金屬制，也可以是通過鎳或金等金屬材料對(duì)樹脂材料形成涂層而成的。導(dǎo)通材料CM1在俯視觀察X-Y平面時(shí)，形成為例如圓狀、橢圓狀等。另外，導(dǎo)通材料也可以具有一定硬度而兼有作為間隔件的功能。

根據(jù)以上結(jié)構(gòu)，電極T1經(jīng)由導(dǎo)通材料CM1及連接部CN1而與連接布線WR電連接。如圖7所示，連接布線WR與公共電極驅(qū)動(dòng)電路CD電連接。也就是說，第2基板SUB2上所配置的電極T1經(jīng)由連接部CN1及導(dǎo)通材料CM1而與第1基板SUB1上所配置的公共電極驅(qū)動(dòng)電路CD電連接。此外，在圖示的例子中，在一個(gè)連接部CN1上配置有一個(gè)導(dǎo)通材料CM1，但也可以在一個(gè)連接部CN1上配置多個(gè)導(dǎo)通材料CM1。另外，為了使導(dǎo)通材料CM1容易連接(咬入)連接部CN1及電極T1，也可以在導(dǎo)通材料CM1的外周具有多個(gè)突起。

在適用上述的滴下注入法的情況下，在將液晶材料滴到一方的基板上之后貼合另一方的基板時(shí)，液晶材料成為阻力而難以對(duì)第1基板SUB1及第2基板SUB2施加充分的壓力。在第1基板SUB1具備公共電極驅(qū)動(dòng)電路CD、第2基板SUB2具備電極T1的結(jié)構(gòu)中，在第1基板SUB1與第2基板SUB2之間設(shè)置導(dǎo)通材料而將兩者電連接，但在用于貼合第1基板SUB1和第2基板SUB2的壓力不足的情況下，擔(dān)心難以將公共電極驅(qū)動(dòng)電路CD和電極T1電連接。作為一個(gè)對(duì)策，可舉出增大導(dǎo)通材料的尺寸，但在用于使第1基板SUB1和第2基板SUB2貼合的壓力不足的條件下，導(dǎo)通材料所處的非顯示區(qū)域NDA的基板間的間隙容易變大。因此，還擔(dān)心在顯示區(qū)域DA的中央部和顯示區(qū)域DA的靠近非顯示區(qū)域NDA的周邊部產(chǎn)生盒厚不均的間隙不均。

根據(jù)本實(shí)施方式，第1基板SUB1在密封區(qū)域中具備朝向第2基板SUB2突出的連接部CN1。因此，設(shè)于密封部SE內(nèi)的導(dǎo)通材料CM1進(jìn)入連接部CN1與電極T1之間，在向第1基板SUB1及第2基板SUB2施加壓力時(shí)，在連接部CN1與電極T1之間導(dǎo)通材料CM1被適度壓潰而將兩者電連接。由于連接部CN1經(jīng)由連接布線WR與公共電極驅(qū)動(dòng)電路CD電連接，所以能夠可靠地電連接電極T1與公共電極驅(qū)動(dòng)電路CD。由此，能夠抑制因電極T1與公共電極驅(qū)動(dòng)電路CD的連接不良而導(dǎo)致的生產(chǎn)率降低。

另外，由于能夠不增大導(dǎo)通材料CM1的尺寸地將公共電極驅(qū)動(dòng)電路CD和電極T1電連接，所以能夠抑制顯示區(qū)域DA中的間隙不均的產(chǎn)生。

另外，在第1基板SUB1的密封區(qū)域SA中，第1取向膜AL1在形成有連接部CN1的第1區(qū)域A1中沒有形成或形成得極薄。因此，即使液晶顯示裝置DSP以窄邊框形成、第1取向膜AL1在密封區(qū)域SA中延伸，也能夠使導(dǎo)通材料CM1和連接部CN1相互導(dǎo)通。或者，也能夠存在第1取向膜AL1在密封區(qū)域SA的第1區(qū)域A1中形成的情況，但該情況下，第1區(qū)域A1的第1取向膜AL1與連接部CN1周邊的第2區(qū)域A2相比形成得薄，因此，在使第1基板SUB1及第2基板SUB2壓接時(shí)，導(dǎo)通材料CM1能夠沖破第1取向膜AL1，使導(dǎo)通材料CM1和連接部CN1相互導(dǎo)通。因此，能夠抑制生產(chǎn)率降低。

在此，說明連接部及導(dǎo)通材料的尺寸關(guān)系的一例。連接部CN1的第1方向X上的最大徑D1為導(dǎo)通材料CM1的第1方向X上的最大徑D2的0.5倍以上、10倍以下。若為這種條件，則設(shè)于密封部SE內(nèi)的導(dǎo)通材料中的、多個(gè)導(dǎo)通材料如圖示那樣可靠地進(jìn)入連接部CN1與電極T1之間，能夠在將顯示區(qū)域的GAP(間隙)保持均勻的狀態(tài)下將兩者電連接。

接下來，說本實(shí)施方式的具體例。

圖10是表示上述實(shí)施方式的顯示面板PNL的具體例的剖視圖。

在密封部SE中，除上述的導(dǎo)通材料CM1以外，還設(shè)有導(dǎo)通材料CM2。導(dǎo)通材料CM2具有導(dǎo)電性。導(dǎo)通材料CM2在第2區(qū)域A2中，位于第1取向膜AL1及電極T1之間。能夠存在導(dǎo)通材料CM2與第1取向膜AL1及電極T1雙方分開的情況，還能夠存在導(dǎo)通材料CM2與第1取向膜AL1及電極T1中的至少一方接觸的情況，也能夠存在導(dǎo)通材料CM2貫穿第1取向膜AL1而與焊盤PD接觸的情況。導(dǎo)通材料CM2形成為球狀，由與導(dǎo)通材料CM1相同的材料形成，導(dǎo)通材料CM2的沿著第1方向X的直徑與壓潰前的導(dǎo)通材料CM1的沿著第1方向X的直徑相等。

密封部SE在第1區(qū)域A1中，在連接部CN1與電極T1之間具有厚度W1。另外，密封部SE在第2區(qū)域A2中，在第1取向膜AL1及電極T1之間具有厚度W2。厚度W1小于厚度W2，在本實(shí)施方式中，厚度W1形成為厚度W2的0.9倍以下。

位于連接部CN1與電極T1之間的導(dǎo)通材料CM1的厚度d1與密封部SE的在第1區(qū)域A1中的厚度W1大致相等。位于第1取向膜AL1與電極T1之間的導(dǎo)通材料CM2的厚度d2與密封部SE的在第2區(qū)域A2中的厚度W2大致相等。也就是說，導(dǎo)通材料CM1的厚度d1小于導(dǎo)通材料CM2的厚度d2，在本實(shí)施方式中，導(dǎo)通材料CM1相對(duì)于幾乎沒有被壓潰狀態(tài)下的導(dǎo)通材料CM2的厚度d2而被壓潰了10％以上。導(dǎo)通材料CM2的厚度d2優(yōu)選為1～7μm的大小，在圖9中形成為例如約4μm。此外，此處的厚度相當(dāng)于沿著第3方向Z的長(zhǎng)度。

在這樣的具體例中，也會(huì)得到與上述相同的效果。

接下來，說明本實(shí)施方式的變形例。

圖11是表示上述實(shí)施方式的第1變形例的顯示面板PNL的剖視圖。圖11所示的顯示面板PNL與圖9所示的顯示面板PNL相比，不同點(diǎn)在于導(dǎo)通材料CM1與多個(gè)連接部CN1及CN2接觸。

在圖示的例子中，連接部CN1及CN2在第1方向X上隔開間隔地排列。連接部CN1的構(gòu)造如參照?qǐng)D9說明那樣，省略其詳細(xì)說明。連接部CN2為與連接部CN1相同的構(gòu)造，以下對(duì)其一例簡(jiǎn)單地進(jìn)行說明。第3絕緣膜13還具有朝向第2基板SUB2突出的凸部P2。凸部P1及P2沿第1方向X排列。焊盤PD1還重疊在凸部P2之上。連接部CN2由凸部P2和焊盤PD1中的與凸部P2重疊的部分構(gòu)成。在本實(shí)施方式中，連接部CN1的端部E1與連接部CN2的端部E2之間的距離DT1小于導(dǎo)通材料CM1的長(zhǎng)邊方向的直徑。作為距離DT1的例子，為0.5μm～5μm。

導(dǎo)通材料CM1與連接部CN1及CN2接觸。電極T1經(jīng)由導(dǎo)通材料CM1與連接部CN1及CN2兩者電連接。

此外，與一個(gè)導(dǎo)通材料接觸的連接部的數(shù)量沒有特別限定，一個(gè)導(dǎo)通材料可以與三個(gè)以上的連接部接觸。另外，在圖示的例子中，導(dǎo)通材料CM1與連接部CN1的上表面CN1a及連接部CN2的上表面CN2a接觸，但導(dǎo)通材料不僅可以與連接部的上表面接觸，也可以與上表面周邊的側(cè)面接觸。

在這樣的第1變形例中，也會(huì)得到與上述相同的效果。除此以外，通過使連接部與圖9所示的結(jié)構(gòu)例相比精細(xì)化，連接部各自的上表面的面積變小，因此難以在上表面上形成第1取向膜AL1。因此，更容易確保導(dǎo)通材料與連接部的導(dǎo)通。

圖12是表示上述實(shí)施方式的第2變形例的顯示面板PNL的剖視圖。圖12所示的顯示面板PNL與圖9所示的顯示面板PNL相比，不同點(diǎn)在于具有第2基板SUB2朝向第1基板SUB1突出而成的連接部CN3。連接部CN3具有導(dǎo)電性，并位于連接部CN1的上方。

連接部CN3具備凸部P3、和與凸部P3重疊的電極T1。凸部P3從第2基板SUB2朝向第1基板SUB1突出。凸部P3在圖示的例子中為保護(hù)層33的一部分。具有凸部P3的保護(hù)層33與在先說明第3絕緣膜13的形成方法的情況同樣地，例如，通過將正型抗蝕劑選為保護(hù)層33的材料并在形成保護(hù)層33的過程中適用半色調(diào)曝光而形成。此外，凸部P3也可以在第1區(qū)域A1中，通過對(duì)位于保護(hù)層33與第2絕緣基板30之間的遮光層31、彩色濾光片32等進(jìn)行加工而形成。

電極T1重疊于保護(hù)層33的與第1基板SUB1相對(duì)的這一側(cè)。電極T1中的與凸部P3重疊的部分構(gòu)成連接部CN3。此外，取向膜AL2在連接部CN3上沒有形成。也可以通過使電極T1中的位于第1區(qū)域A1的部分形成得比位于第2區(qū)域A2的部分厚，而省略凸部P3。導(dǎo)通材料CM1配置在連接部CN1與連接部CN3之間。導(dǎo)通材料CM1與連接部CN1及CN3接觸，且與兩者電連接。通過以上結(jié)構(gòu)，電極T1經(jīng)由連接部CN3、導(dǎo)通材料CM1及連接部CN1而與連接布線WR電連接。

密封部SE在第1區(qū)域A1中，在連接部CN1與連接部CN3之間具有厚度W3。厚度W3小于厚度W2，例如為厚度W2的0.9倍以下，優(yōu)選形成為0.1倍以上、0.9倍以下。也就是說，導(dǎo)通材料CM1與上述實(shí)施方式同樣地，與沒有被壓潰狀態(tài)下的導(dǎo)通材料相比被壓潰了10％以上(優(yōu)選為50％以下)。

在這樣的第2變形例中，也會(huì)得到與上述相同的效果。除此以外，通過在與連接部CN1相對(duì)的位置設(shè)置連接部CN3，而容易施加在使進(jìn)入到連接部CN1與連接部CN3之間的導(dǎo)通材料CM1壓潰的方向上作用的壓力，更容易確保導(dǎo)通材料CM1與連接部CN1及CN3的導(dǎo)通。

另外，也可以省略第1基板SUB1的連接部CN1而僅形成有第2基板SUB2的連接部CN3。該情況下，電極T1經(jīng)由連接部CN3、導(dǎo)通材料CM1及焊盤PD1而與連接布線WR電連接。

圖13是通過圖7及圖8所示的線II-II'剖切得到的顯示面板PNL的剖視圖。

在第1基板SUB1中，連接部CN1及CN4在第2方向Y上隔開間隔地排列。雖然省略詳情，但連接部CN1由凸部P1及焊盤PD1構(gòu)成，連接部CN4由凸部P4及焊盤PD2構(gòu)成。此外，為了防止電極間的短路，期望處于電極T1與電極T2之間的間隙的距離DT2大于導(dǎo)通材料的第1方向X上的最大徑D2。

在第2基板SUB2中，電極(第1電極)T1及電極(第2電極)T2在第2方向Y上隔開間隔地排列。電極T1位于包含連接部CN1的焊盤PD1的上方，電極T2位于包含連接部CN4的焊盤PD2的上方。

導(dǎo)通材料CM3夾設(shè)在連接部CN4與電極T2之間并與兩者接觸。

上述結(jié)構(gòu)相當(dāng)于以下這樣的情況：沿第2方向Y相鄰的電極T1及T2在位于顯示區(qū)域的一側(cè)的密封區(qū)域SA1中與各自對(duì)應(yīng)的連接部CN1及CN4電連接。

圖14是表示上述實(shí)施方式的第3變形例的第1基板SUB1的俯視圖。圖14所示的第1基板SUB1與圖7所示的第1基板SUB1相比，不同點(diǎn)在于焊盤PD、連接布線WR等形成于顯示區(qū)域DA的兩側(cè)。

顯示區(qū)域DA在第1方向X的一側(cè)DAa與密封區(qū)域SA1相鄰，在第1方向X的另一側(cè)DAb與密封區(qū)域SA2相鄰。

與圖8所示的沿第2方向Y排列的電極T1至Tα中的奇數(shù)號(hào)的電極連接的焊盤PD1、PD3…及與這些焊盤連接的連接布線WR配置在密封區(qū)域SA1，另外，與偶數(shù)號(hào)的電極連接的焊盤PD2、PD4…及與這些焊盤連接的連接布線WR配置在密封區(qū)域SA2。各個(gè)焊盤不僅可以在各密封區(qū)域中延伸，也可以在密封內(nèi)區(qū)域SI中延伸。

此外，焊盤PD等的布局不限于圖示的例子。例如，在將顯示區(qū)域DA分成遠(yuǎn)離公共電極驅(qū)動(dòng)電路CD側(cè)的第1區(qū)域(上半部分區(qū)域)和與公共電極驅(qū)動(dòng)電路CD接近側(cè)的第2區(qū)域(下半部分區(qū)域)時(shí)，也能夠采用以下這樣的布局：與電極T1至Tα中的位于第1區(qū)域的電極連接的焊盤PD及連接布線WR位于密封區(qū)域SA1側(cè)，與位于第2區(qū)域的電極連接的焊盤PD及連接布線WR位于密封區(qū)域SA2側(cè)。

另外，在電極T1至Tα形成為在第1方向X上隔開間隔地排列且沿第2方向Y大致直線地延伸、電極R1至Rβ形成為在第2方向Y上隔開間隔地排列且沿第1方向X大致直線地延伸的情況下，焊盤PD及連接布線WR也可以僅形成在與公共電極驅(qū)動(dòng)電路CD接近的密封區(qū)域SA4中，還可以形成在密封區(qū)域SA3及SA4雙方中。

在采用圖14所示的布局的情況下，圖13所示的連接部CN1形成于密封區(qū)域SA1，連接部CN4形成于密封區(qū)域SA2。也就是說，電極T1在密封區(qū)域SA1中與連接部CN1電連接，電極T2在密封區(qū)域SA2中與連接部CN4電連接。

在這樣的變形例中，也會(huì)得到與上述相同的效果。除此以外，通過采用這種焊盤PD及連接布線WR的布局，與圖7所示的例子相比，能夠削減位于密封區(qū)域SA1的連接布線WR的條數(shù)，另外，能夠?qū)γ芊鈪^(qū)域SA1及SA2分配相同數(shù)量的連接布線WR，能夠?qū)崿F(xiàn)非顯示區(qū)域NDA的寬度的均勻化及窄邊框化。

圖15是表示圖7所示的區(qū)域A的結(jié)構(gòu)例的俯視圖。

連接部組CNG配置在密封區(qū)域SA1內(nèi)。連接部組CNG集合多個(gè)連接部而構(gòu)成，并在密封區(qū)域SA中分散。在圖示的例子中，連接部組CNG在俯視觀察下形成為大致橢圓形狀，沿著第2方向Y具有長(zhǎng)軸，且沿著第1方向X具有短軸。連接部組CNG的長(zhǎng)軸長(zhǎng)(長(zhǎng)邊長(zhǎng))LS為例如0.5mm以上(優(yōu)選為0.5mm以上、3mm以下)。此外，連接部組CNG的形狀不限定于圖示的例子。

在俯視觀察下，將位于密封區(qū)域SA1的連接部組CNG的面積全部相加得到的總面積為密封區(qū)域SA1的面積的約30％以下。因此，能夠通過導(dǎo)通材料對(duì)連接部組CNG反斥的壓力來抑制導(dǎo)通材料沒有被充分壓潰而產(chǎn)生間隙不均的情況。

圖16是通過圖15所示的線III-III'剖切的顯示面板PNL的剖視圖。在此，僅概略地示出說明用的主要結(jié)構(gòu)，省略顯示面板PNL的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。

第1基板SUB1具有多個(gè)連接部組CNG1。連接部組CNG1由多個(gè)連接部CN構(gòu)成。第2基板SUB2具有多個(gè)連接部組CNG2。連接部組CNG2由多個(gè)連接部CN構(gòu)成。連接部組CNG2與連接部組CNG1相對(duì)。在連接部組CNG1與CNG2之間夾設(shè)有未圖示的多個(gè)導(dǎo)通材料。

此外，構(gòu)成連接部組CNG1及CNG2的連接部CN的條數(shù)沒有特別限定。另外，也可以僅形成連接部組CNG1及CNG2中的某一方。另外，連接部組CNG1的長(zhǎng)軸長(zhǎng)LS小于第1基板SUB1的第1絕緣基板10的厚度10D及第2基板SUB2的第2絕緣基板30的厚度30D。在一例中，厚度10D及30D為0.15mm～0.5mm。由此，即使在壓接第1基板SUB1及第2基板SUB2時(shí)對(duì)第1絕緣基板10及第2絕緣基板30作用按壓力，也能夠抑制第1絕緣基板10及第2絕緣基板20的撓曲。此外，在此，連接部組CNG2在與連接部組CNG1的長(zhǎng)軸長(zhǎng)LS相同的方向上具有大致相同長(zhǎng)度的長(zhǎng)軸長(zhǎng)。

圖17是表示圖7所示的區(qū)域A的其他結(jié)構(gòu)例的俯視圖。

連接部CN在密封區(qū)域SA1中分散。圖示的連接部CN與圖9等所示的連接部CN1對(duì)應(yīng)。在圖17所示的結(jié)構(gòu)例中，在俯視觀察下，將位于密封區(qū)域SA1的連接部CN的面積全部相加得到的總面積為密封區(qū)域SA1的面積的30％以下(優(yōu)選為10％以上、30％以下)。

圖18是通過圖17所示的線IV-IV'剖切得到的顯示面板PNL的剖視圖。第1基板SUB1具有多個(gè)連接部CN，各個(gè)連接部CN相互隔開間隔地配置。另外，第2基板SUB2具有多個(gè)連接部CN，各個(gè)連接部CN相互隔開間隔地配置。第1基板SUB1上的連接部CN與第2基板SUB2上的連接部CN彼此相對(duì)，在兩者間夾設(shè)有未圖示的導(dǎo)通材料。

在這樣的結(jié)構(gòu)例中，也會(huì)得到與上述相同的效果。

圖19是表示上述實(shí)施方式的第4變形例的顯示面板PNL的剖視圖。圖19所示的顯示面板PNL與圖9所示的顯示面板PNL相比，不同點(diǎn)在于在第1區(qū)域A1中，取代導(dǎo)通材料CM1而將間隔件SP夾設(shè)在連接部CN1與電極T1之間。

間隔件SP在內(nèi)部具有從連接部CN1貫穿至電極T1的接觸孔，在接觸孔的內(nèi)部填充有導(dǎo)通材料CM4。導(dǎo)通材料CM4與連接部CN1及電極T1接觸，將兩者電導(dǎo)通。

如以上說明那樣，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠提供一種可抑制生產(chǎn)率降低的液晶顯示裝置。

此外，雖然說明了本實(shí)用新型的若干實(shí)施方式，但這些實(shí)施方式作為例子而提出，并不意圖限定實(shí)用新型的范圍。能夠以其他各種方式來實(shí)施其新的實(shí)施方式，在不脫離實(shí)用新型的主旨的范圍內(nèi)，能夠進(jìn)行各種省略、置換、變更。這些實(shí)施方式和其變形包含在實(shí)用新型的范圍和主旨內(nèi)，并且包含在權(quán)利要求書記載的實(shí)用新型和與其等同的范圍內(nèi)。