本申請基于2015年11月25日在日本提出的專利申請No.2015-229876并主張其優(yōu)先權(quán)，在此通過參照引用其全部內(nèi)容。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實施方式涉及液晶顯示裝置。

背景技術(shù)：

近年來，已知有如下技術(shù)：在橫向電場模式的液晶顯示裝置中，通過對各色的像素改變鄰接的源極布線間的間隔而使每個顏色具有不同的像素面積。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

根據(jù)本實施方式，提供一種顯示裝置，具備陣列基板、對置基板、以及上述陣列基板與上述對置基板之間的間隔件，上述陣列基板具備：多個源極布線，沿第1方向?qū)嵸|(zhì)上等間隔地配置；多個柵極布線，沿第2方向?qū)嵸|(zhì)上等間隔地配置；多個像素，由上述多個柵極布線與上述多個源極布線劃分而成；第1開關(guān)元件和第2開關(guān)元件，與第1柵極布線連接；第1像素，具備從上述第1柵極布線經(jīng)由形成于第2方向一側(cè)的第1接觸孔而與上述第1開關(guān)元件連接的第1像素電極；以及第2像素，具備從上述第1柵極布線經(jīng)由形成于第2方向另一側(cè)的第2接觸孔而與上述第2開關(guān)元件連接的第2像素電極，且該第2像素與上述第1像素的上述第1方向鄰接；上述對置基板具備：第1遮光部，對置于上述第1柵極布線和上述第1接觸孔，并以第1寬度延伸；以及與第1遮光部一體地形成的第2遮光部，對置于上述第1柵極布線和上述第2接觸孔，并以與第1寬度實質(zhì)上相等的寬度延伸。

附圖說明

圖1是概略地表示本實施方式的液晶顯示裝置的構(gòu)成以及等效電路的圖。

圖2是從對置基板側(cè)觀察第1構(gòu)成例的陣列基板AR中的像素的概略圖。

圖3是第1構(gòu)成例，并且是在圖2所示的陣列基板AR上重合有對置基板CT側(cè)的遮光層的構(gòu)成的概略圖。

圖4是關(guān)于第1構(gòu)成例的像素PX4以及PX5的放大圖。

圖5是圖4的A－B剖面圖。

圖6是圖4的C－D剖面圖。

圖7是從對置基板側(cè)觀察第2構(gòu)成例的陣列基板AR的概略圖。

圖8是第2構(gòu)成例，并且是在圖7所示的陣列基板AR上重合有對置基板CF的遮光層與間隔件的構(gòu)成的概略圖。

圖9是圖8的E－F剖面圖。

圖10是第2構(gòu)成例的第1變形例，并且是使陣列基板AR中的像素、形成于對置基板CT側(cè)的遮光層、以及間隔件重合的概略圖。

圖11是從對置基板CT側(cè)觀察第3構(gòu)成例的陣列基板AR中的像素的概略圖。

圖12是第3構(gòu)成例，并且是在圖11所示的陣列基板AR上重合有對置基板CT側(cè)的遮光層與間隔件的構(gòu)成的概略圖。

圖13是圖12的G－H剖面圖。

圖14是第3構(gòu)成例的變形例，并且是使陣列基板AR、對置基板CT側(cè)的遮光層、以及間隔件重合的概略圖。

圖15是圖14的K－L剖面圖。

圖16是表示第2構(gòu)成例的間隔件配置的分布的概略圖。

圖17是表示本實施例中的第1像素圖案的圖。

圖18是表示本實施例中的第2像素圖案的圖。

圖19是表示本實施例中的第3像素圖案的圖。

圖20(a)和圖20(b)是表示像素圖案的其他的半導(dǎo)體層形狀的圖。

具體實施方式

以下，參照添附的附圖說明各個實施方式。

本實施方式的目的在于，提供一種特別是在用于實現(xiàn)高精細化產(chǎn)品的像素構(gòu)造中，能夠抑制開口區(qū)域降低、進而能夠提高顯示品質(zhì)的顯示裝置。

根據(jù)本實施方式，提供一種顯示裝置，具備陣列基板、對置基板、以及上述陣列基板與上述對置基板之間的間隔件，上述陣列基板具備：多個源極布線，沿第1方向?qū)嵸|(zhì)上等間隔地配置；多個柵極布線，沿第2方向?qū)嵸|(zhì)上等間隔地配置；多個像素，由上述多個柵極布線與上述多個源極布線劃分而成；第1開關(guān)元件和第2開關(guān)元件，與第1柵極布線連接；第1像素，具備從上述第1柵極布線經(jīng)由形成于第2方向一側(cè)的第1接觸孔而與上述第1開關(guān)元件連接的第1像素電極；以及第2像素，具備從上述第1柵極布線經(jīng)由形成于第2方向另一側(cè)的第2接觸孔而與上述第2開關(guān)元件連接的第2像素電極，且該第2像素與上述第1像素的上述第1方向鄰接；上述對置基板具備：第1遮光部，對置于上述第1柵極布線和上述第1接觸孔，并以第1寬度延伸；以及與第1遮光部一體地形成的第2遮光部，對置于上述第1柵極布線和上述第2接觸孔，并以與第1寬度實質(zhì)上相等的寬度延伸。

參照附圖，進一步說明一個實施方式。此外，在各圖中，對發(fā)揮相同或者類似的功能的構(gòu)成標注相同的參照附圖標記，并省略重復(fù)的說明。

圖1是概略地表示構(gòu)成本實施方式的液晶顯示裝置的液晶顯示面板LPN的構(gòu)成以及等效電路的圖。

即，液晶顯示裝置具備有源矩陣類型的液晶顯示面板LPN。液晶顯示面板LPN具備作為第1基板的陣列基板AR、作為與陣列基板AR對置配置的第2基板的對置基板CT、以及保持于陣列基板AR與對置基板CT之間的液晶層LQ。液晶顯示面板LPN具備顯示圖像的有源區(qū)域ACT。有源區(qū)域ACT相當于在陣列基板AR與對置基板ACT之間保持有液晶層LQ的區(qū)域中的、有助于圖像顯示的區(qū)域，例如是四邊形狀，并且是由配置為矩陣狀的多個像素PX構(gòu)成的區(qū)域。

陣列基板AR在有源矩陣類型的液晶顯示面板LPN中具備柵極布線G (G1～Gn)、源極布線S(S1～Sm)、開關(guān)元件SW、像素電極PE、共用電極CE等。柵極布線G(G1～Gn)分別沿大致第1方向X延伸，并沿與第1方向X交叉的第2方向Y排列。源極布線S(S1～Sm)分別沿大致第2方向Y延伸，并沿第1方向X排列。此外，柵極布線G以及源極布線S也可以如后述那樣，配合于像素布局或像素電極形狀而彎曲。開關(guān)元件SW在各像素PX中與柵極布線G以及源極布線S電連接。像素電極PE在各像素PX中與開關(guān)元件SW電連接。共用電極CE在有源區(qū)域ACT被共用地遍及多個像素PX形成，并與各像素電極PE面對。儲存電容CS例如形成于共用電極CE與像素電極PE之間。

各柵極布線G被向有源區(qū)域ACT的外側(cè)引出，并與第1驅(qū)動電路GD連接。各源極布線S被向有源區(qū)域ACT的外側(cè)引出，并與第2驅(qū)動電路SD連接。第1驅(qū)動電路GD以及第2驅(qū)動電路SD的例如至少一部分形成于陣列基板AR，并與驅(qū)動IC芯片2連接。驅(qū)動IC芯片2內(nèi)置有控制第1驅(qū)動電路GD以及第2驅(qū)動電路SD的控制器，并作為供給驅(qū)動液晶顯示面板LPN所需的信號的信號供給源發(fā)揮功能。在圖示的例子中，驅(qū)動IC芯片2在有源區(qū)域ACT的外側(cè)安裝于陣列基板AR。共用電極CE被向有源區(qū)域ACT的外側(cè)引出，并連接于供電部VS。供電部VS對共用電極CE供給公共電位。

根據(jù)圖1至圖6說明本發(fā)明的第1構(gòu)成例。這里，以使用了橫電場模式的像素構(gòu)造為例進行說明，在圖中僅圖示了說明所需的主要部分。

圖2是從對置基板側(cè)觀察第1構(gòu)成例的陣列基板AR的像素的概略圖。在圖2中，陣列基板AR具備第1遮光層BM1(BM11至BM19)、半導(dǎo)體層SC(SC1至SC9)、柵極布線G(G1至G5)、源極布線S(S1至S4)、開關(guān)元件SW(SW1至SW9)、像素PX(PX1至PX9)。

在圖2中，特別地為了方便理解而以開關(guān)元件構(gòu)造為中心進行了記載，并對像素電極進行了省略。在本構(gòu)成中，像素電極如后述那樣，在各個像素PX1至PX9中向第2方向同一側(cè)延伸。

柵極布線G1至G5沿第1方向X延伸，且實質(zhì)上沿與第1方向X交叉的第2方向Y等間隔地配置。源極布線S1至S4沿第2方向Y延伸，且實質(zhì)上沿第1方向X等間隔地配置。實質(zhì)上的等間隔指的是，考慮到制造 上的誤差，例如間隔為0.8倍至1.2倍，優(yōu)選的是0.9倍至1.1倍左右的范圍。在圖示的例子中，源極布線S由與柵極布線G交叉的交叉部處的直線部、以及柵極布線G間的斜線部形成，總體上沿第2方向延伸，但也可以沿第2方向Y僅由直線部形成。柵極布線G以及源極布線S為金屬布線，例如由鉬或鋁等的金屬材料形成。此外，柵極布線G以及源極布線S的金屬材料也可以具有與其他金屬材料層疊的層疊構(gòu)造。

像素PX1是由柵極布線G1以及G2、和源極布線S1以及S2劃分的區(qū)域。同樣，將分別由柵極布線G1以及G2、和源極布線S2至S4劃分的區(qū)域設(shè)為像素PX2、PX3，并沿像素PX1的第1方向依次形成。像素PX4至PX6是分別由柵極布線G2以及G3、和源極布線S1至S4劃分的區(qū)域，并沿像素PX1至PX3的第2方向鄰接地形成。像素PX7至PX9是分別由柵極布線G3以及G4、和源極布線S1至S4劃分的區(qū)域，并沿像素PX4至PX6的第2方向Y鄰接地形成。開關(guān)元件SW1是像素PX1的開關(guān)元件，同樣，開關(guān)元件SW2至SW9是像素PX2至PX9的各自的開關(guān)元件。另外，源極布線S1至S4實質(zhì)上等間隔地沿第1方向X配置，像素PX1至PX9的第一方向的寬度實質(zhì)上均等，另外，柵極布線G1至G5實質(zhì)上等間隔地沿第2方向配置，像素PX1至PX9的第2方向的寬度實質(zhì)上均等。在本構(gòu)成中，柵極布線G間的寬度比源極布線S間的寬度大，像素是沿第2方向較長的矩形狀。另外，在一個例子中，是使柵極布線G間的寬度為30μm、使源極線S間的寬度為15μm、縱橫比為2：1的像素。但是，該縱橫比只是一個例子，例如也可以是縱橫比為3：1的像素。

以下，參考圖4至圖6對開關(guān)元件SW以及陣列基板AR的層構(gòu)造的概略進行說明。圖4是像素PX4以及PX5的放大圖。圖5是圖4的A－B剖面圖。圖6是圖4的C－D剖面圖。

以圖5以及圖6為參考，說明陣列基板AR的層構(gòu)造。這里，陣列基板AR中的表示方向的“上”是液晶層LQ側(cè)，“下”設(shè)為第1絕緣基板SUB1側(cè)。陣列基板AR具備第1絕緣基板SUB1。第1絕緣基板SUB1例如是玻璃基板或塑料基板。在第1絕緣基板SUB1上具備第1遮光層BM1(參照BM15，圖4的C－D線，圖6)。第1遮光層BM1例如由黑色的樹脂材料、遮光性的金屬材料形成。第1絕緣膜INF1覆蓋第1遮光層BM1 以及第1絕緣基板SUB1，例如由氧化硅膜、氮化硅膜那樣的無機材料形成。在第1絕緣膜INF1上形成半導(dǎo)體層SC(SC4、SC5)，并形成覆蓋第1絕緣膜INF1以及半導(dǎo)體層SC的第2絕緣膜INF2。半導(dǎo)體層SC例如由多晶硅(p－Si)形成，但也可以由非晶體硅(a-Si)、氧化物半導(dǎo)體等形成。第2絕緣膜INF2例如由氧化硅等的無機材料形成。在第2絕緣膜INF2上配置柵極布線G(G2，圖6)，并形成覆蓋柵極布線G以及第2絕緣基板INF2的第3絕緣膜INF3。第3絕緣膜INF3例如由氧化硅或氮化硅等的無機材料形成。在第3絕緣膜INF3上形成源極布線S(S1、S3，圖5、6)以及中繼電極DE(DE5，圖6)，并形成覆蓋源極布線S、中繼電極DE以及第3絕緣膜INF3的第4絕緣膜INF4。第4絕緣膜INF4例如由有機材料形成。在第4絕緣膜INF4上形成公共電極CE，并形成覆蓋公共電極CE以及第4絕緣膜INF4的第5絕緣膜INF5。公共電極CE例如由銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)等的透明導(dǎo)電材料形成。第5絕緣膜INF5例如由氧化硅膜或氮化硅膜等的無機材料形成。在第5絕緣膜INF5上形成像素電極PE(PE4、PE5，圖4、5、6)，并形成覆蓋像素電極PE的第1取向膜PI1。像素電極PE例如由銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)等的透明導(dǎo)電材料形成。第1取向膜PI1例如由聚酰亞胺等的有機材料形成。此外，第1絕緣膜INF1至第5絕緣膜INF5并非必須是一層，也可以形成雙層的層疊構(gòu)造。

以圖5以及圖6為參考，說明對置基板CT的層構(gòu)造。這里，對置基板CT中的表示方向的“上”是液晶層LQ側(cè)，“下”設(shè)為第2絕緣基板SUB2側(cè)。對置基板CT具備第2絕緣基板SUB2。第2絕緣基板SUB2例如是玻璃基板或塑料基板。在第2絕緣基板SUB2上形成第2遮光層BM2，并形成覆蓋第2遮光層BM2以及第2絕緣基板SUB2的濾色器CF。第2遮光層BM2例如由黑色的樹脂材料、遮光性的金屬材料形成。濾色器CF例如由著色為紅·藍·綠·白色等的樹脂材料形成。此外，在使濾色器CF為白色的情況下，可以是無色彩的濾色器，也有使用例如著色為淺色(例如著色為淺黃色或淺藍色)的濾色器，或不存在相當于白色的濾色器的情況。形成覆蓋濾色器CF上的外包敷層OC，并依次層疊有覆蓋外包敷層OC的第2取向膜PI2。另外，也可以取代上述的第2絕緣基板SUB2、第2 遮光層BM2、濾色器CF的依次層疊構(gòu)造，例如采用第2絕緣基板SUB2、濾色器CF、第2遮光層BM2、外包敷層OC、第2取向膜PI2的依次層疊構(gòu)造。另外，也可以是第2絕緣基板SUB2、濾色器CF、外包敷層OC、第2遮光層BM2、第2取向膜PI2的依次層疊構(gòu)造。

如圖5以及圖6所示，在第1取向膜PI1與第2取向膜PI2間夾持有液晶層LQ。另外，在圖2至圖6中雖然未圖示，但是在圖7之后的構(gòu)成中說明的、用于調(diào)整液晶層LQ的單元間隙的間隔件被形成在對置基板CT、陣列基板AR中的某一方或兩方。

以圖2以及圖4、圖6為參考，對第1構(gòu)成例的開關(guān)元件SW以及第1遮光層BM1進行說明。圖4是圖2的像素PX4以及PX5的放大圖。形成于像素PX4的開關(guān)元件SW4的半導(dǎo)體層SC4經(jīng)由形成于柵極布線G2與柵極布線G3間的接觸孔CH1與源極布線S2連接，配置于源極布線S2的下層。半導(dǎo)體層SC4例如形成為U字或J字形狀，沿源極布線S2朝向柵極布線G2延伸，并在超過柵極布線G2的位置，向源極布線S1側(cè)彎曲并向第1方向延伸，在構(gòu)成像素PX4的短邊的柵極布線G2的大致中央處，沿第2方向且向柵極布線G3側(cè)超過柵極布線G2地延伸。另外，在像素PX4的柵極布線G2與半導(dǎo)體層SC4的交叉部形成第1遮光層BM14。第1遮光層BM14在本構(gòu)成中呈島狀形成于源極布線S1與源極布線S2之間。在柵極布線G2與源極布線S2的交叉區(qū)域也存在與半導(dǎo)體層交叉的區(qū)域，在該區(qū)域中的半導(dǎo)體層SC4的下層未形成有第1遮光層BM1，但也可以是第1遮光層BM1也形成于源極布線S2、柵極布線G2、半導(dǎo)體層SC4的交叉的區(qū)域的構(gòu)成。半導(dǎo)體層SC4在像素PX4內(nèi)經(jīng)由接觸孔CH2而與中繼電極DE4連接，中繼電極DE4從接觸孔CH2向柵極布線G2側(cè)延伸，在接觸孔CH2與柵極布線G2之間經(jīng)由接觸孔CH3與像素電極PE4連接。像素電極PE4從接觸孔CH3向柵極布線G3側(cè)延伸。開關(guān)元件SW4是具有半導(dǎo)體層SC4、一體地形成于與半導(dǎo)體層SC4的源極區(qū)域連接的源極布線S2的源極電極、與對置于半導(dǎo)體層SC4的溝道區(qū)域的柵極布線G2一體地形成的兩個柵極電極、以及連接于半導(dǎo)體層SC4的漏極區(qū)域的中繼電極DE4的、所謂的雙柵極構(gòu)造的開關(guān)元件。

像素PX5中的開關(guān)元件SW5是相對于柵極布線G2與開關(guān)元件SW4 線對稱的形狀，在柵極布線G1側(cè)形成有用于與半導(dǎo)體層SC和源極布線S連接的接觸孔CH1、用于將像素電極PE與中繼電極DE連接的接觸孔CH3。另外，將半導(dǎo)體層SC與中繼電極DE連接的接觸孔CH2也形成在柵極布線G2與接觸孔CH3之間。

包含半導(dǎo)體層SC的開關(guān)元件SW并非必須在像素PX4與像素PX5中為線對稱，接觸孔CH1只要至少形成于夾著柵極布線G的區(qū)域即可。

像素PX1至PX3、像素PX6至PX9的各個開關(guān)元件SW1至SW3、SW6至SW9也存在源極布線S的傾斜方向不同的情況，但基本上是與開關(guān)元件SW4相同的構(gòu)造。即，開關(guān)元件SW4以及SW6的接觸孔CH3沿第1方向形成為實質(zhì)上相同的直線狀，相對于此，開關(guān)元件SW5的接觸孔CH3成為夾著柵極布線G2位于相反的一側(cè)的構(gòu)成。另外，開關(guān)元件SW1至SW3的接觸孔CH3在第1方向上實質(zhì)上位于相同的直線狀，此外，開關(guān)元件SW7至SW9的接觸孔CH3也在第1方向?qū)嵸|(zhì)上位于相同的直線狀。

開關(guān)元件SW1至SW4、SW6至SW9的接觸孔CH3形成于各個像素PX1至PX4、PX6至SW9內(nèi)，相對于此，像素PX5的開關(guān)元件SW5的接觸孔CH3形成于像素PX2內(nèi)。

如圖6所示，接觸孔CH1是源極布線S與半導(dǎo)體層SC的接觸孔，形成于第2絕緣膜INF2以及第3絕緣膜INF3。此外，接觸孔CH2是半導(dǎo)體層SC與中繼電極DE的接觸孔，形成于第2絕緣膜INF2以及第3絕緣膜INF3。接觸孔CH3是中繼電極DE與像素電極PE的接觸孔，形成于第4絕緣膜ING4以及第5絕緣膜ING5。

在圖2中，省略了像素電極PE，關(guān)于像素電極PE(PE4、PE5)表示在圖4中。像素PX4的像素電極PE4具有與形成于像素PX4內(nèi)的接觸孔CH3中的中繼電極DE接觸的接觸部、與源極布線S大致平行地延伸的兩個主像素電極、將兩個主像素電極的前端連接的副像素電極。像素PX5的像素電極PE5具有在形成于像素PX2內(nèi)的開關(guān)元件SW5的接觸孔CH3中與中繼電極DE6連接的接觸部、超過柵極布線G2而在像素PX5內(nèi)與源極布線S大致平行地延伸的兩個主像素電極、和將兩個主像素電極連接的副像素電極。在本構(gòu)成中，像素電極PE5是在第2方向上比像素電極PE4長的像素電極形狀。

另外，如圖2所示，由于像素PX5的開關(guān)元件SW5形成于像素PX2內(nèi)，因此像素PX2的形成有像素電極PE2的區(qū)域與其他像素相比變小。因此，像素PX2的像素電極PE2與其他像素電極相比變短。

以下，以圖2至圖6為參考，在第1構(gòu)成例的陣列基板AR上重合對置基板CT的第2遮光層BM2，對第2遮光層BM2的形狀進行說明。第2遮光層BM2具有分別與柵極布線G以及源極布線S對置的形狀，在與柵極布線G對置的區(qū)域以覆蓋形成于柵極布線G的附近的接觸孔CH3的方式具備向第2方向延伸的延伸部(其也可以稱作延伸部或遮光部)BME1(圖3)。在像素PX1、PX2、PX3中，各個開關(guān)元件SW1、SW2、SW3的接觸孔CH3在第1方向上以大致相同的直線狀排列，第2遮光層BM2的延伸部BME1從柵極布線G1朝向柵極布線G2側(cè)延伸，并與像素PX1、PX2、PX3的各自的接觸孔CH3對置。此時，在第2遮光層BM2的柵極布線G1區(qū)域，形成為在第1方向上具有相同的第2方向?qū)挾鹊拇笾轮本€狀。與柵極布線G3、G4對置的第2遮光層BM2的構(gòu)成也和與柵極布線G1對置的構(gòu)成相同，像素PX6、PX7、PX8的接觸孔CH3在第1方向呈大致相同的直線狀排列，因此第2遮光層BM2的延伸部BME1形成為在第1方向上具有相同的第2方向?qū)挾鹊拇笾轮本€狀。

另外，像素PX5的接觸孔CH3形成于柵極布線G2附近且是像素PX2內(nèi)，另一方面，像素PX4、PX6的接觸孔CH3形成于柵極布線G2的附近且是像素PX4、PX6內(nèi)。因此，與柵極布線G2對置的第2遮光層BM2具有在像素PX4、PX6中向柵極布線G3側(cè)延伸、并將像素PX4、PX6的接觸孔CH3遮光的延伸部BME1，以及在像素PX5中向柵極布線G1側(cè)延伸、并將形成于像素PX2內(nèi)的像素PX5的接觸孔CH3遮光的延伸部BME2。

與柵極布線G2對置、并包含向柵極布線G3側(cè)延伸并覆蓋接觸孔CH3的延伸部BME1的第2遮光層BM2的第2方向?qū)挾萀1例如為13.5μm至16μm，相對于像素的柵極線間的間距，成為接近一半的寬度。同樣，與柵極布線G2對置、并包含向柵極布線G1側(cè)延伸并覆蓋接觸孔CH3的延伸部BME2的第2遮光層BM2的第2方向?qū)挾萀2也是實質(zhì)上與L1相等的寬度。因此，與柵極布線G對置并向第1方向延伸的第2遮光層BM2成為從直線形狀起在一部分像素中向第2方向偏離的彎折形狀或折線形狀。

由上述第2遮光層BM2包圍的像素的區(qū)域是各個像素的開口區(qū)域。如圖3所示，像素PX1、PX3、PX4、PX6、PX7、PX8、PX9的開口區(qū)域大致同等，相對于此，由于在像素PX2中與柵極布線G2對置并向柵極布線G1側(cè)延伸的第2遮光層BM2的延伸部BME1，導(dǎo)致開口區(qū)域設(shè)定得比其他像素小。另一方面，在像素PX5中，由于與柵極布線G2對置的第2遮光層BM2向柵極布線G1側(cè)的延伸，因此能夠確保像素PX5的開口區(qū)域比其他像素大。

接下來，對濾色器的顏色的配置進行說明。在第1構(gòu)成例中，對于紅·綠·藍·白的4色的濾色器的配置進行舉例。例如像素PX1、PX4是著色為綠色的濾色器，像素PX2是顯示白色的濾色器，像素PX3、像素PX6是著色為紅色的濾色器，像素PX5配置有著色為藍色的濾色器。藍色濾色器與紅·綠·白相比，對于視覺辨認者的亮度最低，此外，白色顯示濾色器與紅·綠·藍相比，對于視覺辨認者的亮度最高，考慮基于產(chǎn)品規(guī)格的最佳的色彩平衡，能夠?qū)⑺{色像素的開口區(qū)域設(shè)定為比其他像素大，將白色顯示像素的開口區(qū)域設(shè)定為比其他像素小。在第1構(gòu)成例中，對開口區(qū)域較大的像素PX5配置藍色濾色器，對開口區(qū)域較小的像素PX2配置白顯示濾色器，能夠?qū)崿F(xiàn)最佳的色彩平衡。

隨著高精細化的期望提高，像素的大小越來越小，難以使源極布線間的間距縮窄到某種程度以上。根據(jù)本構(gòu)成，使陣列基板AR側(cè)的開關(guān)元件SW的接觸孔CH3的位置不同于鄰接像素，對置基板CT側(cè)的第2遮光層BM2具有一定寬度并且將各個像素的接觸孔CH3遮光，從而能夠?qū)γ總€像素的開口區(qū)域賦予變化。

以下，以圖7至圖9為參考，對第2構(gòu)成例進行說明。圖7是從對置基板側(cè)觀察第2構(gòu)成例的陣列基板AR中的像素的概略圖。圖8是在圖7所示的陣列基板AR上重合有對置基板CT的第2遮光層BM2與間隔件SS的構(gòu)成的概略圖。圖9是圖8的E－F剖面圖。

如圖7所示，對于像素PX1至PX7以及像素PX9的構(gòu)成，與第1構(gòu)成例在圖2以及上述說明中的構(gòu)成大致相同，省略詳細的說明，作為不同點，是像素PX8的開關(guān)元件SW8的構(gòu)造不同這一點、和配置有間隔件SS這一點。開關(guān)元件SW8的半導(dǎo)體層SC8經(jīng)由接觸孔CH1與源極布線S3 連接，沿源極布線S3向柵極布線G3側(cè)延伸，并在超過柵極布線G3的位置向源極布線S2側(cè)彎曲，朝向第1方向延伸，在像素PX8的短邊側(cè)(柵極布線G3)的大致中央部處，向柵極布線G3側(cè)彎曲，并延伸至超過柵極布線G3的位置。像素PX8的中繼電極DE8在像素PX8內(nèi)朝向柵極布線G4側(cè)延伸至大致像素中央部，在柵極布線G3附近的半導(dǎo)體層SC8的前端部分經(jīng)由接觸孔CH2而連接，并在像素中央部經(jīng)由接觸孔CH3連接于像素電極PE8。像素PX1至PX7以及PX9的接觸孔CH3形成在接觸孔CH2與柵極布線G之間，相對于此，像素PX8的接觸孔CH2在形成于柵極布線G與接觸孔CH3之間這一點上是不同的。

如圖8、圖9所示，在對置基板CT的外包敷層OC上形成用于規(guī)定單元間隙的間隔件SS，該間隔件SS抵接于陣列基板AR側(cè)的第1取向膜PI1。間隔件SS的形狀例如是柱狀的間隔件。間隔件SS所配置的位置在本實施例中是像素PX8的中繼電極DE8的上方，更詳細地說是柵極布線G3與接觸孔CH3之間。接觸孔CH2比第4絕緣膜INF4更平坦化，間隔件SS的抵接部也可以是柵極布線G3以及接觸孔CH2上方。另外，間隔件SS也可以與像素電極PE8的接觸部局部重疊。

間隔件SS既可以在外包敷層OC的形成工序中通過半色調(diào)曝光等與外包敷層OC一體地形成，也可以區(qū)別于外包敷層OC地使用間隔件材料而形成。另外，在第2遮光層BM2形成在濾色器CF上的構(gòu)成的情況下，也能夠由與第2遮光層BM2相同的材料一體地形成。

間隔件SS抵接于陣列基板AR的第1取向膜PI1，雖然抑制使用者的按壓帶來的單元間隙的變化，但按壓會導(dǎo)致間隔件與第1取向膜PI1摩擦，可能成為間隔件周圍的漏光的一個因素。此外，間隔件SS周圍的摩擦不良也可能成為漏光的一個因素。因此，在間隔件SS的周圍，為了防止漏光，期望在與第2遮光層BM2同一層設(shè)置一體地形成的間隔件用遮光部BME3。間隔件用遮光部BME3例如形成為直徑33μm左右的圓形狀，覆蓋像素PX8的接觸孔CH3并且覆蓋間隔件SS的周圍的像素PX4至PX9的各自的一部分。此外，間隔件用遮光部BME3并不局限于圓形，也可以是八邊形狀等其他的多邊形狀。

關(guān)于第2遮光層BM2與陣列基板AR的重合，雖然通過在像素PX2 形成像素PX5的接觸孔CH3而使與柵極布線G2對置的第2遮光層BM2的一部分彎曲的構(gòu)成與第1構(gòu)成例的圖3相同，但在設(shè)有間隔件用遮光部BME3這一點上是不同的。由此，由第2遮光層BM2形成的開口率也與第1構(gòu)成例不同。例如，未被間隔件用遮光部BME3覆蓋的像素PX1、PX3的開口區(qū)域較大，局部被間隔件用遮光部BME3覆蓋的像素PX4、PX6、PX7、PX9與像素PX1以及PX2相比成為較小的開口區(qū)域。像素PX2的開口區(qū)域由于在內(nèi)部具備像素PX5的接觸孔CH3，因此通過將其遮光的與柵極布線G2對置的第2遮光層BM2的向像素PX2的延伸部BME2，而成為與第1構(gòu)成例同樣小的開口區(qū)域。另一方面，在像素PX8中，由于被間隔件用遮光部BME3較廣地覆蓋了像素區(qū)域，因此成為較小的開口區(qū)域。在第1構(gòu)成例中具有相對較大的開口區(qū)域的像素PX5，在第2構(gòu)成例中被間隔件用遮光部BME3較寬地覆蓋，從而開口區(qū)域總體上變小，但與像素PX2以及PX8相比是較大的開口區(qū)域。

對第2構(gòu)成例中的濾色器的配色進行說明。在第2構(gòu)成例中，對于紅·綠·藍的三色的濾色器的使用進行了舉例。例如像素PX1、PX6、PX7是著色為綠色的濾色器，像素PX2、PX8是顯示藍色的濾色器，像素PX3、像素PX5、PX9是著色為紅色的濾色器。在第1構(gòu)成例中，對紅·綠·藍的三色像素追加了白色像素，設(shè)定了色彩平衡，相對于此，在第2構(gòu)成例中，使用紅·綠·藍的三色像素，將藍色像素配置于具有較小的開口率的像素PX2以及PX8，由此設(shè)定了整體的色彩平衡。紅色、綠色、藍色這三原色中的、發(fā)光效率(luminous efficiency)最高的顏色是綠色。在間隔件SS形成于與亮度較高的綠色像素相對應(yīng)的區(qū)域的情況下，存在間隔件用遮光部BME3比像素大、間隔件用遮光部BME3的圖案條紋醒目、顯示品質(zhì)下降的可能性。根據(jù)本第2構(gòu)成例，能夠與第1構(gòu)成例相同地、不改變源極布線間的距離而對每個像素設(shè)定任意的開口區(qū)域，并且間隔件SS配置于將相對較不醒目的兩色的像素所對應(yīng)的區(qū)域遮光的間隔件用遮光部BME3，從而能夠減少對顯示品質(zhì)的影響、并且使色彩平衡最佳化。

濾色器的配置并不局限于上述配置，期望的是為了抑制間隔件用遮光部BME3的圖案條紋而將間隔件遮光部BME3配置于與相對較不醒目的兩色的像素相對應(yīng)的區(qū)域，例如，也能夠使像素PX8為紅色，使像素PX5為 藍色。

圖10是第2構(gòu)成例的變形例。在第2構(gòu)成例的變形例中，除了第2構(gòu)成例的像素PX1至像素PX9之外，還具備分別由柵極布線G4、柵極布線G5、以及源極布線S1至S4劃分的像素PX10至PX12。

像素PX10與像素PX7的第2方向鄰接，像素PX10的開關(guān)元件SW10的構(gòu)造與第2構(gòu)成例中的開關(guān)元件SW4相同。像素PX12與像素PX9的第2方向鄰接，像素PX12的開關(guān)元件是與像素PX10相同的構(gòu)成。

另外，將第2構(gòu)成例中的形成于像素PX8的開關(guān)元件SW8、間隔件SS以及間隔件用遮光部BME3在第2構(gòu)成例的變形例中形成于像素PX11。關(guān)于第2構(gòu)成例的變形例的像素PX5以及像素PX8的開關(guān)元件SW5以及SW8，是與第2構(gòu)成例的像素PX8的開關(guān)元件SW8相同的構(gòu)成。

即，在第2構(gòu)成例的變形例中，像素PX1、PX2、PX3、PX4、PX6、PX7、PX9、PX10、PX11、PX12的各自的接觸孔CH3形成在各個像素內(nèi)，另一方面，像素PX5的接觸孔CH3形成于像素PX2內(nèi)，像素PX8的接觸孔CH3形成于像素PX5內(nèi)。

對第2構(gòu)成例的變形例的第2遮光層BM2的構(gòu)成進行說明。與柵極布線G1對置的第2遮光層BM2為了覆蓋像素PX1至PX3的接觸孔CH3而成為在柵極布線G2方向上具有延伸部BME1的大致直線形狀。與柵極布線G2對置的第2遮光層BM2為了在像素PX4、PX6中覆蓋各個接觸孔CH3而在柵極布線G3側(cè)設(shè)置延伸部BME1，另一方面，在像素PX5中，由于像素PX5的接觸孔CH3形成在像素PX2內(nèi)，因此是向柵極布線G1側(cè)具有延伸部BME2的彎折形狀或折線。與柵極布線G3對置的遮光層BM2為了在像素PX7、PX9中覆蓋各個接觸孔CH3而在柵極布線G4側(cè)設(shè)置延伸部BME1，另一方面，在像素PX8中，由于像素PX8的接觸孔CH3形成在像素PX5內(nèi)，因此是向柵極布線G2側(cè)具有延伸部BME2的彎折形狀。與柵極布線G4對置的第2遮光層BM2與像素PX11的間隔件用遮光部BME3一體地形成，且為了在像素PX10、12中覆蓋各個接觸孔CH3而在柵極布線G5側(cè)設(shè)置延伸部BME1。間隔件用遮光部BME3形成于像素PX11的間隔件周圍且將像素PX11的接觸孔CH3和像素PX7至PX12的各自的一部分覆蓋，并與像素PX10以及12的第2遮光層BM2連接。

關(guān)于第2構(gòu)成例的變形例的像素PX1至PX12的開口區(qū)域，如圖10所示，配置有間隔件SS以及間隔件遮光部BME3的PX11、和被第2遮光層BM2的向柵極布線G1側(cè)延伸的延伸部BME2覆蓋的PX2與其他像素相比開口區(qū)域較小。關(guān)于像素PX1、PX3、PX4、PX5、PX6，在變形例中記載的12像素中具有最大的開口區(qū)域。關(guān)于像素PX8，由于與柵極布線G3對置的第2遮光層BM2的延伸部BME2形成于柵極布線G2側(cè)，因此是開口區(qū)域相對較寬的構(gòu)成，但由于被間隔件用遮光部BM3覆蓋了大半，因此比PX1的開口區(qū)域小，但比PX2、PX11大。由于像素PX7、PX9、PX10、PX12的一部分被間隔件用遮光部BME3覆蓋，因此比像素PX1的開口區(qū)域小，但比像素PX2、PX11大。

接著，對第2構(gòu)成例的變形例的濾色器排列進行說明。關(guān)于第2構(gòu)成例的變形例，與第2構(gòu)成例相同，使用紅·藍·綠的三色的濾色器，在開口區(qū)域為最小的像素中配置藍色濾色器。例如，將紅色濾色器配置于像素PX3、PX4、PX8、PX12，將綠色濾色器配置于像素PX1、PX5、PX9、PX10，將藍色濾色器配置于像素PX2、PX6、PX7、PX11。

根據(jù)本第2構(gòu)成例的變形例，能夠與第1構(gòu)成例相同地、不改變源極布線間的距離而對每個像素設(shè)定任意的開口區(qū)域，并且間隔件SS配置于將與相對較不醒目的兩色的像素相對應(yīng)的區(qū)域遮光的間隔件用遮光部BME3，從而能夠減少對顯示品質(zhì)的影響，并且使色彩平衡最佳化。

以下，關(guān)于第3構(gòu)成例，以圖11、圖12、圖13為參考進行說明。第3構(gòu)成例雖然是與第1構(gòu)成例大致相同的構(gòu)成，但具備形成于陣列基板AR側(cè)的第1間隔件SSA、以及形成于對置基板CT側(cè)并抵接于第1間隔件SSA的第2間隔件SSC。通過第1間隔件SSA與第2間隔件SSC的抵接，設(shè)定液晶層的單元間隙。

圖11是從對置基板CT側(cè)觀察第3構(gòu)成例的陣列基板AR的概略圖。圖11是在示出了第1構(gòu)成例的陣列基板側(cè)構(gòu)造的圖2中配置有第1間隔件SSA的圖。圖11、圖12所示的包含開關(guān)元件的像素構(gòu)造以及遮光層的關(guān)系是與圖4記載的包含開關(guān)元件的像素構(gòu)造以及遮光層相同的構(gòu)成。

圖12是在第3構(gòu)成例的陣列基板AR上使形成于對置基板CT的第2遮光層BM2與第2間隔件SSC重合的圖。第2間隔件SSC形成于與第1 間隔件SSA交叉的位置。

第1間隔件SSA的一端在像素PX2中配置于與和柵極布線G2對置的第2遮光層BM2的向柵極布線G1側(cè)延伸的延伸部(遮光部)BME2重疊的區(qū)域，另一端在像素PX6中配置于與和柵極布線G2對置的第2遮光層BM2的向柵極布線G3側(cè)延伸的延伸部(遮光部)BME1重疊的區(qū)域。

第2間隔件SSC的一端在像素PX2中配置于與和柵極布線G2對置的第2遮光層BM2以及其向柵極布線G1側(cè)延伸的延伸部(遮光部)BME2重疊的區(qū)域，另一端在像素PX6中配置于與和柵極布線G2對置的第2遮光層BM2以及其向柵極布線G3側(cè)延伸的延伸部(遮光部)BME1重疊的區(qū)域。另外，第1間隔件SSA與第2間隔件SSC的交叉角度具有比0度大且小于90度的角度α。

圖13是圖12的G－H剖面圖，雖然在圖13中未圖示，但第1間隔件SSA形成在第5絕緣膜INF5上。第1取向膜PI1既可以以覆蓋第1間隔件SSA的方式形成，也可以是覆蓋第1間隔件SSA的側(cè)面且不覆蓋頂面的構(gòu)成。此外，也可以第1間隔件SSA形成在第1取向膜PI1上的構(gòu)成。在本構(gòu)成中，是在第5絕緣膜上配置第1間隔件SSA的構(gòu)成，但也可以是與第4絕緣膜一體地形成的構(gòu)成。另外，既可以是在像素電極PE上形成第1間隔件SSA的構(gòu)成，也可以是第1間隔件SSA的一部分與像素電極PE重疊的構(gòu)成。

第2間隔件SSC形成在外包敷層OC上。第2取向膜PI2既可以以覆蓋第2間隔件SSC的方式形成，也可以是覆蓋第2間隔件SSC的側(cè)面且不覆蓋頂面的構(gòu)成。此外，也可以是第2間隔件SSC形成在第2取向膜PI2上的構(gòu)成。在本構(gòu)成中，是在外包敷層OC上配置第2間隔件SSC的構(gòu)成，但也可以是與外包敷層OC一體地形成的構(gòu)成。另外，在是第2遮光層BM2形成在濾色器上的構(gòu)成的情況下，第2間隔件SSC也可以由與第2遮光層BM2相同的材料形成。

如圖11至圖13所示，第1間隔件SSA與像素電極PE同層地形成，并配置為不與接觸孔CH3接觸。

圖11所示的第1間隔件SSA除了上述構(gòu)成之外，例如還可以具備如下第二個第1間隔件SSA，該第1間隔件SSA的一端在像素PX2中配置于 與和柵極布線G2對置的第2遮光層BM2的向柵極布線G1側(cè)延伸的延伸部BME2重疊的區(qū)域，另一端在像素PX4中配置于與和柵極布線G2對置的第2遮光層BM2的向柵極布線G3側(cè)延伸的延伸部BME1重疊的區(qū)域。同樣，圖11所示的第2間隔件SSC除了上述構(gòu)成之外，例如還可以具備如下第二個第2間隔件SSC：其一端在像素PX2中配置于與和柵極布線G2對置的第2遮光層BM2以及第2遮光層BM2的向柵極布線G1側(cè)延伸的延伸部BME2重疊的區(qū)域，另一端在像素PX4中配置于與和柵極布線G2對置的第2遮光層BM2以及第2遮光層BM2的向柵極布線G3側(cè)延伸的延伸部BME1重疊的區(qū)域。

以下，以圖14、圖15為參考說明第3構(gòu)成例的變形例。圖14是在第3構(gòu)成例的變形例的陣列基板AR上使對置基板CT的第2遮光層BM2以及間隔件重合的圖。在陣列基板AR側(cè)的構(gòu)成中，第1間隔件SSA的配置位置與第3構(gòu)成例不同。

陣列基板AR側(cè)的第1間隔件SSA(SSA1、SSA2)分別分割地形成于像素PX2以及像素PX6，并在接觸孔CH2與柵極布線G2之間形成在像素電極PE5上。另外，第1間隔件SSA1配置于與和柵極布線G2對置的第2遮光層BM2的向柵極布線G1側(cè)延伸的延伸部BME2重疊的區(qū)域，第1間隔件SSA2在像素PX6中配置于與和柵極布線G2對置的第2遮光層BM2的向柵極布線G3側(cè)延伸的延伸部BME1重疊的區(qū)域。

對置基板側(cè)CT的第2間隔件SSC的一端在像素PX2中配置于與和柵極布線G2對置的第2遮光層BM2以及第2遮光層BM2的向柵極布線G1側(cè)延伸的延伸部BME2重疊的區(qū)域，并抵接于像素PX2的第1間隔件SSA1，另一端在像素PX6中配置于與和柵極布線G2對置的第2遮光層BM2以及第2遮光層BM2的向柵極布線G3側(cè)延伸的延伸部BME1重疊的區(qū)域，并抵接于像素PX6的第1間隔件SSA2。在像素PX2中，第1間隔件SSA1與第2間隔件SSC的交叉角度具有比0度大且小于90度的角度α。另外，在像素PX6中，第1間隔件SSA2與第2間隔件SSC的交叉角度具有比0度大且小于90度的角度α。像素PX2中的間隔件彼此的交叉角度與像素PX6中的間隔件彼此的交叉角度既可以相同，也可以是不同的交叉角度。

對第3構(gòu)成例以及第3構(gòu)成例的上述變形例中的濾色器的配置舉例進 行介紹。例如，與第1構(gòu)成例相同地將綠色濾色器配置于像素PX1、PX4，將紅色濾色器配置于像素PX3、PX6，在開口區(qū)域較小的像素PX5中配置白色顯示濾色器，在開口區(qū)域較大的像素PX8中配置藍色濾色器。另外，也可以不使用白色顯示濾色器，而是例如將綠色濾色器配置于像素PX1、PX4，將藍色濾色器配置于像素PX2、PX5，將紅色濾色器配置于像素PX3、PX6的構(gòu)成。

已知有將分別形成于陣列基板與對置基板的間隔件彼此交叉的構(gòu)成。在該情況下，如第2構(gòu)成例所示的間隔件用遮光部那樣，需要擴寬第2遮光層BM2以便將間隔件周圍遮光。另外，考慮使陣列基板與對置基板貼合時的組合偏差，也需要較寬地確保間隔件用遮光部。因此，期望像素的開口區(qū)域變小，且陣列基板側(cè)的間隔件以及對置基板側(cè)的間隔件盡可能小，但若較小則有時可能因組合偏差導(dǎo)致間隔件彼此不能抵接。

根據(jù)本第3構(gòu)成例以及變形例，第1間隔件SSA以及第2間隔件SSC是將各個間隔件周圍擴寬且由第2遮光層BM2以及其延伸部包圍的構(gòu)成，無需另外設(shè)置間隔件用遮光部，能夠較寬地確保開口區(qū)域。另外，能夠使間隔件自身形成得長，另外，由于將第1間隔件與第2間隔件的交叉角度設(shè)定為比0度大且小于90度這樣小，因此即使產(chǎn)生了陣列基板與對置基板的組合偏差，也能夠較大地確保間隔件抵接所用的余量。

以上，將在構(gòu)成例1中說明過的特別是像素PX4以及PX5的開關(guān)元件構(gòu)造以及其第2遮光層BM2的組合作為第2構(gòu)成例以及其變形例、第3構(gòu)成例以及其變形例進行了說明，這些實施方式并不限定于此。例如，也可以使第1構(gòu)成例或第3構(gòu)成例的像素PX4～PX6的開關(guān)元件構(gòu)造以及其第2遮光層BM2為一像素單位，或使第2構(gòu)成例的像素PX4～PX9為一像素單位，并配置于有源區(qū)域內(nèi)的多個位置，也可以僅配置于間隔件配置位置，也能夠沿一像素單位的第1方向以及第2方向連續(xù)而規(guī)則地配置。

圖16是表示第2構(gòu)成例的間隔件配置的分布的概略圖。

在第2構(gòu)成例中，如圖16所示，除了間隔件SS之外具備子間隔件SubSS。子間隔件SubSS被設(shè)定為比間隔件SS高度低，與間隔件SS同樣形成于對置基板CT。間隔件SS例如在圖16中的虛線所包圍的60像素中配置一個，子間隔件SubSS配置19個。圖16僅示出間隔件SS以及子間 隔件SubSS的配置，關(guān)于第2遮光層BM2雖然未記載，但在間隔件SS所配置的位置成為圖8所示的構(gòu)成。在圖8中雖然沒有子間隔件的記載，但如圖16所示，間隔件SS配置于鄰接的源極布線之間，相對于此，子間隔件SubSS配置于源極布線與柵極布線的交叉部。另外，子間隔件SubSS也與間隔件SS同樣具備間隔件用遮光部，但子間隔件SubSS的間隔件用遮光部比間隔件SS的間隔件用遮光部BME2小。

另外，本發(fā)明并不局限于構(gòu)成例1至3以及其變形例，也可以任意地組合圖17的第1像素圖案、圖18的第2像素圖案、圖19的第3像素圖案。

圖17所示的第1像素圖案如圖4的像素PX4的開關(guān)元件SW4那樣，是具備將形成于柵極布線G的第2方向一側(cè)的像素電極PE與半導(dǎo)體層SC電連接的接觸孔CH3、以及向比接觸孔CH3靠第2方向一側(cè)延伸的像素電極PE的像素圖案。

圖18所示的第2像素圖案如圖4的像素PX5的開關(guān)元件SW5那樣，是具備將形成于柵極布線G的第2方向另一側(cè)的像素電極PE與半導(dǎo)體層SC電連接的接觸孔CH3、以及超過柵極布線G而向比接觸孔CH3靠第2方向一側(cè)延伸的像素電極PE的像素圖案。

圖19所示第3像素圖案如圖8的像素PX8的開關(guān)元件SW8的那樣，是如下像素圖案：具備將形成于柵極布線G的第2方向一側(cè)的中繼電極DE與半導(dǎo)體層SC電連接的接觸孔CH2、將中繼電極DE與像素電極PE電連接的接觸孔CH3、以及從接觸孔CH3向第2方向一側(cè)延伸的像素電極PE，且接觸孔CH2形成于柵極布線G與接觸孔CH3之間。

上述第1至第3像素圖案中的半導(dǎo)體層SC也可以分別具有不同的形狀。雖然說明了在柵極布線G中使用U字形狀或J字形狀的半導(dǎo)體層SC而在兩個位置交叉的雙柵極的形狀，但例如也可以使用圖20所示的那種L字形狀而形成雙柵極構(gòu)造。在圖20(a)中，示出第1像素圖案的半導(dǎo)體層SC的形狀，在圖20(b)中，示出第2像素圖案的半導(dǎo)體層SC的形狀。另外，也可以組合它們，是第1像素圖案的半導(dǎo)體層SC的形狀、第2像素圖案的半導(dǎo)體層SC的形狀各不相同的形狀。在到此為止的說明中，第1像素圖案與第2像素圖案具有實質(zhì)上成為對稱的形狀，但也可以是例如L字形狀的半導(dǎo)體層與U字形狀的半導(dǎo)體層的組合。

與上述第1像素圖案、第2像素圖案對應(yīng)的對置基板CT的遮光層BM2基本上將各自的柵極布線G與接觸孔CH3遮光，由于第1像素圖案與第2像素圖案的接觸孔CH3夾著柵極布線G配置于第2方向一側(cè)與第2方向另一側(cè)，因此遮光層BM2的中心軸在第1像素圖案與第2像素圖案中成為不同的構(gòu)成。

關(guān)于形成間隔件的位置，能夠使用第3像素圖案在不與接觸孔CH3重疊的柵極布線G附近形成柱狀間隔件。在該情況下，能夠使用間隔件用遮光部BME3將第3像素圖案的柵極布線G以及接觸孔CH3遮光。

另外，如果使用與第1像素圖案以及第2像素圖案對置的遮光層BM2，則能夠使用分別形成于第3構(gòu)成例以及第3構(gòu)成例的變形例所示的陣列基板AR與對置基板CT的間隔件，不降低開口率地形成單元間隙。

如果匯總在上述實施方式中說明的顯示裝置的要點，則可以如以下那樣記載。

(1)一種顯示裝置，具備第1基板和與上述第1基板對置的第2基板，該第1基板具備：

多個源極布線，沿第1方向排列而形成；多個柵極布線，沿第2方向排列而形成；第1開關(guān)元件與第2開關(guān)元件，連接于作為上述多個柵極布線中之一的第1柵極布線；第1像素電極，從上述第1柵極布線經(jīng)由形成于第2方向一側(cè)的第1接觸孔而與上述第1開關(guān)元件電連接，并向上述第2方向一側(cè)延伸；以及第2像素電極，從上述第1柵極布線經(jīng)由形成于第2方向另一側(cè)的第2接觸孔而與上述第2開關(guān)元件電連接，并超過上述第1柵極布線而向上述第2方向一側(cè)延伸。

(2)在上述(1)記載的顯示裝置中，

具備與上述第1開關(guān)元件電連接的第1源極布線、與上述第2開關(guān)元件電連接的第2源極布線、將上述第1開關(guān)元件與上述第1源極布線連接且形成于上述第2方向一側(cè)的第3接觸孔、以及將上述第2開關(guān)元件與上述第2源極布線連接且形成于上述第2方向另一側(cè)的第4接觸孔。

(3)在上述(2)記載的顯示裝置中，

上述第1開關(guān)元件具備與上述第1柵極布線交叉的第1形狀的第1半導(dǎo)體層，上述第2開關(guān)元件具備與上述第1柵極布線交叉的第2形狀的第2 半導(dǎo)體層。

(4)在上述(1)至(3)中任一項所記載的顯示裝置中，具備：

第1寬度的第1遮光部，形成于上述第2基板，并對置于上述第1柵極布線與上述第1接觸孔；以及

第2遮光部，形成于上述第2基板，并對置于上述第1柵極布線和上述第2接觸孔，具有與上述第1寬度實質(zhì)上相等的寬度。

(5)在上述(4)記載的顯示裝置中，

具備形成于上述第1基板的第1間隔件、以及形成于上述第2基板并與上述第1間隔件抵接的第2間隔件，

上述第1間隔件的一端形成于與上述第1遮光部重疊的區(qū)域，并且上述第1間隔件的另一端形成于與上述第2遮光部重疊的區(qū)域，

上述第2間隔件的一端形成于與第1遮光層重疊的區(qū)域，并且上述第2間隔件的另一端形成于與第2遮光層重疊的區(qū)域，

上述第1間隔件與上述第2間隔件的交叉角度比0度大，且比90度小。

(6)在上述(4)記載的顯示裝置中，

具備形成于上述第1基板的第1間隔件和第2間隔件、以及形成于上述第2基板并與上述第1間隔件及上述第2間隔件抵接的第3間隔件，

上述第1間隔件形成于與第1遮光層重疊的區(qū)域，并且上述第2間隔件形成于與第2遮光層重疊的區(qū)域，

上述第3間隔件的一端在與上述第1遮光層重疊的區(qū)域中抵接于上述第1間隔件，上述第3間隔件的另一端在與上述第2遮光層重疊的區(qū)域中抵接于上述第2間隔件。

(7)一種顯示裝置，具備陣列基板、對置基板、以及上述陣列基板與上述對置基板之間的間隔件，

上述陣列基板具備：多個源極布線，沿第1方向?qū)嵸|(zhì)上等間隔地配置；多個柵極布線，沿第2方向?qū)嵸|(zhì)上等間隔地配置；多個像素，由上述多個柵極布線與上述多個源極布線劃分而成；第1開關(guān)元件與第2開關(guān)元件，與第1柵極布線連接；第1像素，具備從上述第1柵極布線經(jīng)由形成于第2方向一側(cè)的第1接觸孔而與上述第1開關(guān)元件連接的第1像素電極；以及第2像素，具備從上述第1柵極布線經(jīng)由形成于第2方向另一側(cè)的第2接 觸孔而與上述第2開關(guān)元件連接的第2像素電極，且該第2像素與上述第1像素的上述第1方向鄰接；

上述對置基板具備：第1遮光部，和上述第1柵極布線與上述第1接觸孔對置，并以第1寬度延伸；以及與第1遮光部一體地形成的第2遮光部，該第2遮光部對置于上述第1柵極布線和上述第2接觸孔，并以與第1寬度實質(zhì)上相等的寬度延伸。

(8)在上述(7)記載的顯示裝置中，

上述第2像素在上述第1方向上與上述第1像素鄰接，并且還在上述第2方向另一側(cè)與第3像素鄰接，上述第3像素具備與上述第1開關(guān)元件以及上述第1遮光部相同的構(gòu)成。

(9)在上述(8)記載的顯示裝置中，

上述對置基板具備與上述多個源極布線對置的第3遮光部，利用上述第1遮光部至第3遮光部形成上述多個像素的開口區(qū)域。

(10)在上述(9)記載的顯示裝置中，

上述第1像素的開口區(qū)域比上述第2像素的開口區(qū)域小，且比上述第3像素的開口區(qū)域大。

(11)在上述(7)至(9)中任一項所記載的顯示裝置中，

上述間隔件形成于鄰接的兩個源極布線之間，并位于與上述第2像素的上述第2方向一側(cè)鄰接的第4像素中。

(12)在上述(11)記載的顯示裝置中，

上述間隔件形成于上述對置基板，上述顯示裝置還具備覆蓋上述間隔件的周圍且比上述第1寬度大的間隔件用遮光部，上述間隔件用遮光部對包含配置有上述間隔件的上述第4像素在內(nèi)、與上述第4像素的第1方向鄰接的兩個像素和上述第1像素各自的一部分進行覆蓋。

(13)在上述(7)至(10)中任一項所記載的顯示裝置中，

上述間隔件由配置于上述陣列基板的第1間隔件、以及配置于對置基板且抵接于上述第1間隔件的第2間隔件構(gòu)成，

上述第1間隔件的一端形成于與第2遮光層重疊的區(qū)域，并且上述第1間隔件的另一端形成于與第1遮光層重疊的區(qū)域，

上述第2間隔件的一端形成于與上述第2遮光層重疊的區(qū)域，并且上 述第2間隔件的另一端形成于與上述第1遮光層重疊的區(qū)域，

上述第1間隔件與上述第2間隔件的交叉角度比0度大且比90度小。

(14)在上述(7)至(10)中任一項所記載的顯示裝置中，

上述間隔件由配置于在陣列基板側(cè)形成的上述第1像素的第1間隔件、配置于上述第2像素的第2間隔件、配置于對置基板側(cè)且抵接于上述第1間隔件以及第2間隔件的第3間隔件構(gòu)成，

上述第1間隔件形成于與第2遮光層重疊的區(qū)域，并且上述第2間隔件形成于與第1遮光層重疊的區(qū)域，

上述第3間隔件的一端在與上述第2遮光層重疊的區(qū)域中抵接于上述第1間隔件，上述第3間隔件的另一端在與上述第1遮光層重疊的區(qū)域中抵接于上述第2間隔件。