1.一種全介質(zhì)超薄二維圓偏振二色性器件，其特征在于：所述全介質(zhì)超薄二維圓偏振二色性器件由結(jié)構(gòu)單元陣列組成；所述結(jié)構(gòu)單元包括透光基底與覆蓋于透光基底上的介質(zhì)層；所述介質(zhì)層設(shè)有Z型通孔；所述Z型通孔貫穿介質(zhì)層的上表面與下表面；所述Z型通孔的縱向臂長為0.18μm～0.24μm，橫向臂長為0.48μm～0.54μm，縫寬為0.30μm～0.33μm；所述介質(zhì)層的厚度為0.23μm～0.26μm；所述全介質(zhì)超薄二維圓偏振二色性器件中，每個(gè)結(jié)構(gòu)單元的周期為0.97μm～1.00μm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述全介質(zhì)超薄二維圓偏振二色性器件，其特征在于：所述透光基底為二氧化硅基底；所述介質(zhì)層為半導(dǎo)體介質(zhì)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述全介質(zhì)超薄二維圓偏振二色性器件，其特征在于：所述Z型通孔上，任意兩條邊的距離都小于每個(gè)結(jié)構(gòu)單元的周期。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述全介質(zhì)超薄二維圓偏振二色性器件，其特征在于：所述Z型通孔的縱向臂長為0.2μm，橫向臂長為0.5μm，縫寬為0.32μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述全介質(zhì)超薄二維圓偏振二色性器件，其特征在于：所述介質(zhì)層的厚度為0.25μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述全介質(zhì)超薄二維圓偏振二色性器件，其特征在于：所述全介質(zhì)超薄二維圓偏振二色性器件中，每個(gè)結(jié)構(gòu)單元的周期為0.98μm。
7.一種全介質(zhì)超薄二維圓偏振二色性器件，其特征在于：所述全介質(zhì)超薄二維圓偏振二色性器件由結(jié)構(gòu)單元陣列組成；所述結(jié)構(gòu)單元為絕緣體硅片；所述絕緣體硅片的頂層硅層設(shè)有Z型通孔；所述Z型通孔貫穿頂層硅層的上表面與下表面；所述Z型通孔的縱向臂長為0.18μm～0.24μm，橫向臂長為0.48μm～0.54μm，縫寬為0.30μm～0.33μm；所述頂層硅層的厚度為0.20μm～0.26μm；所述全介質(zhì)超薄二維圓偏振二色性器件中，每個(gè)結(jié)構(gòu)單元的周期為0.97μm～1.00μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述全介質(zhì)超薄二維圓偏振二色性器件，其特征在于：所述Z型通孔上，任意兩條邊的距離都小于每個(gè)結(jié)構(gòu)單元的周期。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述全介質(zhì)超薄二維圓偏振二色性器件，其特征在于：所述Z型通孔的縱向臂長為0.2μm，橫向臂長為0.5μm，縫寬為0.32μm；所述頂層硅層的厚度為0.25μm。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述全介質(zhì)超薄二維圓偏振二色性器件，其特征在于：所述全介質(zhì)超薄二維圓偏振二色性器件中，每個(gè)結(jié)構(gòu)單元的周期為0.98μm。