本發(fā)明涉及光學(xué)元件制備技術(shù),具體涉及一種基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器的設(shè)計(jì)與制作。
背景技術(shù):
近年來,隨著偏振技術(shù)的不斷發(fā)展,其在目標(biāo)識(shí)別與探測(cè)方面發(fā)揮著越來越重要的作用。有菲涅爾公式可知,當(dāng)物體在發(fā)射、反射、散射以及透射電磁波的過程中,會(huì)產(chǎn)生與自身特性相關(guān)的特定偏振信息。不同物體,甚至不同狀態(tài)的相同物體的偏振信息都會(huì)存在差別。偏振探測(cè)可以提供比傳統(tǒng)強(qiáng)度探測(cè)和光譜探測(cè)更多的關(guān)于目標(biāo)的信息。偏振成像技術(shù)成為傳統(tǒng)強(qiáng)度成像和光譜成像之外的第三種成像技術(shù),逐漸引起各國(guó)研究者越來越多的關(guān)注。偏振成像技術(shù)是將偏振探測(cè)技術(shù)與成像技術(shù)相結(jié)合的產(chǎn)物。偏振成像技術(shù)主要是在原有的成像系統(tǒng)上,增加偏振檢測(cè)裝置,配合相應(yīng)的偏振調(diào)制器件和偏振測(cè)量算法,通過測(cè)量光線的各個(gè)偏振分量,進(jìn)而得到被測(cè)光線的部分或全部的偏振狀態(tài)信息,通常是Stokes矢量圖像或Mueller矩陣圖像,用以表征被測(cè)光線的偏振狀態(tài)。通過對(duì)這些偏振信息圖像的分析和計(jì)算,可以進(jìn)一步得到更多的偏振參數(shù)圖像,如偏振度、偏振角、橢圓率角、偏振傳輸特性等圖像,其結(jié)果可用于分析被測(cè)物的形狀,粗糙度、介質(zhì)性質(zhì)甚至生物化學(xué)等各項(xiàng)特征信息。
近幾十年來,偏振成像技術(shù)已經(jīng)成為國(guó)內(nèi)外眾多高校和科研機(jī)構(gòu)的研究對(duì)象,在天文探測(cè)、目標(biāo)識(shí)別、醫(yī)療、軍事、測(cè)量等眾多方面具有重要的作用,發(fā)揮著巨大的潛力。例如:(1)在天文領(lǐng)域,偏振成像探測(cè)最早應(yīng)用于行星表面土壤、大氣探測(cè)和恒星、行星以及星云狀態(tài)等的探測(cè)。在許多天文觀測(cè)領(lǐng)域,偏振測(cè)量或者偏振成像都是非常重要的輔助手段。(2)偏振信息圖像可以增強(qiáng)目標(biāo)與背景的對(duì)比度,實(shí)現(xiàn)目標(biāo)檢測(cè)或增強(qiáng)的作用。偏振相機(jī)不僅可以用于目標(biāo)識(shí)別,還可以利用消除反射光提高信噪比,增強(qiáng)被測(cè)目標(biāo)的分辨能力。由于偏振圖像特別適用于物體的邊緣形狀檢測(cè),因此還可以利用測(cè)量得到的偏振圖像回復(fù)被測(cè)物體的幾何形狀,特別對(duì)透明物體的檢測(cè)和形狀恢復(fù)具有重要意義。(3)在醫(yī)療領(lǐng)域,可以通過偏振圖像進(jìn)行無接觸、無痛和無損的病變檢測(cè),尤其適用于皮膚和眼部的檢測(cè)。(4)在軍事方面,由于人造物體與自然背景的偏振特性差異比較大,即使是反射率相近的軍事偽裝物與自然環(huán)境之間,在偏振特征圖像上都會(huì)有比較明顯的差別,因此偏振成像技術(shù)是非常有效的軍事識(shí)別手段。
傳統(tǒng)的偏振成像技術(shù)一般是通過高速旋轉(zhuǎn)偏振片,來獲得物體不同偏振方向的信息,但是這種方法只能適用于靜態(tài)物體或者低速移動(dòng)物體的探測(cè),無法實(shí)時(shí)獲取目標(biāo)在同一時(shí)刻的不同偏振方向的偏振信息,并且這種方法對(duì)成像系統(tǒng)的穩(wěn)定性要求比較高。像素式微型偏振器陣列的出現(xiàn)解決了這個(gè)問題,它通過將不同取向的金屬光柵偏振器集合到一個(gè)陣列中,可以將此陣列與CCD相機(jī)相結(jié)合,陣列中的像素與CCD相機(jī)的像素一一對(duì)應(yīng),因而可以同時(shí)獲得物體不同偏振方向上的偏振信息,實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)偏振成像,并且無需旋轉(zhuǎn)偏振片,因而對(duì)成像系統(tǒng)的穩(wěn)定性要求較低。這樣,同一目標(biāo)場(chǎng)景的全Stokes矢量偏振信息就能一次性獲得,并且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,可以實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)全偏振成像。在此方案中,重點(diǎn)在于獲得性能良好,易于制備的全Stokes矢量偏振器陣列。但是現(xiàn)有材料存在明顯的偏振光透過率不高的缺點(diǎn),無法適合工業(yè)應(yīng)用。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明的目的是提供一種全介質(zhì)像素式全斯托克斯成像偏振器及其制備方法,能夠?qū)崿F(xiàn)可以實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)全偏振成像,并具波段較寬,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,易于制作的特點(diǎn),克服了現(xiàn)有材料偏振光的透過率不高等缺點(diǎn)。
為達(dá)到上述發(fā)明目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:
一種全介質(zhì)像素式全斯托克斯成像偏振器,包括透光基底以及位于透光基底上的介質(zhì)層;所述介質(zhì)層由超像素單元陣列組成;所述超像素單元包括三個(gè)不同趨向的介質(zhì)線柵結(jié)構(gòu)和一個(gè)手性結(jié)構(gòu);所述手性結(jié)構(gòu)由Z型通孔結(jié)構(gòu)單元陣列構(gòu)成;所述介質(zhì)線柵結(jié)構(gòu)的周期為0.98μm-1.04μm,占空比為1/4-1/5;所述手性結(jié)構(gòu)中,Z型通孔結(jié)構(gòu)單元的周期為0.97μm-1.0μm;所述介質(zhì)層的厚度為0.21μm -0.27μm。
本發(fā)明中,以Z型通孔結(jié)構(gòu)單元兩條平行邊的方向?yàn)闄M向,與橫向垂直的水平方向?yàn)榭v向。三個(gè)不同趨向的介質(zhì)線柵結(jié)構(gòu)分別為0°、45°以及90°趨向的介質(zhì)線柵結(jié)構(gòu);介質(zhì)線柵結(jié)構(gòu)的趨向是指介質(zhì)線柵結(jié)構(gòu)中凹槽的朝向,三個(gè)角度是以縱向作為基準(zhǔn),即0°趨向則是與縱向平行,90°趨向與縱向垂直,45°趨向與縱向成45°夾角。超像素單元包含四個(gè)相互獨(dú)立的方形結(jié)構(gòu),其中三個(gè)方形結(jié)構(gòu)是趨向?yàn)?°、45°以及90°的柵線結(jié)構(gòu),第四個(gè)為手性Z型通孔陣列結(jié)構(gòu),0°、45°、90°趨向的介質(zhì)線柵結(jié)構(gòu)以及手性結(jié)構(gòu)所占面積大小由實(shí)用像素相機(jī)像素決定。
本發(fā)明中,每個(gè)超像素單元的周期尺寸由探測(cè)器的實(shí)際像素大小決定。Z型通孔結(jié)構(gòu)單元貫穿介質(zhì)層,其厚度和介質(zhì)線柵厚度一致,能夠兼容線偏振和圓偏振片制作;所述手性結(jié)構(gòu)中,相鄰Z型結(jié)構(gòu)單元不接觸,以提高結(jié)構(gòu)的圓偏振二色性強(qiáng)度。優(yōu)選的,超像素結(jié)構(gòu)單元中,所述介質(zhì)線柵結(jié)構(gòu)的周期為0.99μm,占空比為1/4;所述Z型通孔結(jié)構(gòu)單元的周期為0.98μm;所述介質(zhì)層的厚度為0.25μm。參見本發(fā)明實(shí)施例一,介質(zhì)線柵周期為0.99μm,占空比為1/4;Z型通孔結(jié)構(gòu)周期為0.98μm縱向臂長(zhǎng)為0.20μm,橫向臂長(zhǎng)為0.50μm,縫寬為0.32μm,介質(zhì)層(頂層硅層)的厚度為0.25μm;通過限定,可以使結(jié)構(gòu)達(dá)到波段最寬,圓二色性較好的優(yōu)點(diǎn);得到的全介質(zhì)像素式全斯托克斯成像偏振器線偏振片的透過率在1.40μm-1.60μm接近100%,消光比20dB以上,最高可到70dB;其圓二色性在1.50μm -1.61μm波段平均在70%以上,在1.53μm處圓二色性最高可達(dá)到98.3%,取得了意想不到的技術(shù)效果。
本發(fā)明中,所述透光基底為無機(jī)氧化物透光基底;所述介質(zhì)層為半導(dǎo)體介質(zhì)層;優(yōu)選所述透光基底為二氧化硅基底;所述介質(zhì)為硅半導(dǎo)體材料。二氧化硅為常用的光學(xué)材料,同時(shí)硅的制作工藝較為成熟,而且價(jià)格便宜,而且硅與其氧化物的結(jié)合有效的消除了材料對(duì)光的吸收,有利于結(jié)構(gòu)發(fā)揮全斯托克斯成像效果。
本發(fā)明公開的全介質(zhì)像素式全斯托克斯成像偏振器的結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)應(yīng)的工作波段為通訊波段,可根據(jù)結(jié)構(gòu)參數(shù)的選取進(jìn)行調(diào)制,獲得最佳效果,在光學(xué)成像系統(tǒng)具有很大的應(yīng)用價(jià)值。因此本發(fā)明還公開了上述全介質(zhì)像素式全斯托克斯成像偏振器在偏振成像中的應(yīng)用。
本發(fā)明進(jìn)一步公開了上述全介質(zhì)像素式全斯托克斯成像偏振器的制備方法,包括以下步驟:在透光基底表面利用電子束蒸發(fā)鍍一介質(zhì)層,然后涂上一層光刻膠;然后經(jīng)過電子束曝光顯影、反應(yīng)離子束工藝刻蝕、去除殘余光刻膠,得到全介質(zhì)像素式全斯托克斯成像偏振器;具體的在透光基底表面利用電子束蒸發(fā)鍍一層介質(zhì),然后涂上一層光刻膠;然后利用電子束曝光顯影技術(shù)得到三個(gè)不同趨向的光刻膠線柵結(jié)構(gòu)和一個(gè)手性結(jié)構(gòu);再使用反應(yīng)離子束工藝刻蝕;接著去除殘余光刻膠得到全介質(zhì)像素式全斯托克斯成像偏振器。
本發(fā)明還公開了上述全介質(zhì)像素式全斯托克斯成像偏振器的制備方法,包括以下步驟:利用化學(xué)氣相沉積法在透光基底表面生長(zhǎng)出一層介質(zhì)層,然后利用聚焦離子束直寫工藝或者光刻工藝在介質(zhì)層上制備超像素單元(線柵和Z型通孔),即得到全介質(zhì)像素式全斯托克斯成像偏振器。
本發(fā)明全介質(zhì)像素式全斯托克斯成像偏振器由透明二氧化硅基底和半導(dǎo)體介質(zhì)層組成;所述介質(zhì)層由超像素單元陣列組成;所述超像素單元包括三個(gè)不同趨向的介質(zhì)線柵結(jié)構(gòu)和一個(gè)手性結(jié)構(gòu);所述手性結(jié)構(gòu)由Z型通孔結(jié)構(gòu)單元陣列構(gòu)成;Z型通孔結(jié)構(gòu)單元陣列構(gòu)成二維手性結(jié)構(gòu),手形結(jié)構(gòu)是指自身的鏡像不能夠與自身重合。手形結(jié)構(gòu)能夠?qū)θ肷涞淖笥倚龍A偏振光有著不同的反射和透射作用,即圓二色性。
由于上述技術(shù)方案運(yùn)用,本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn):
1.本發(fā)明首次公開了全介質(zhì)像素式全斯托克斯成像偏振器,可以實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)全偏振成像;全介質(zhì)像素式全斯托克斯成像偏振器線偏振片的透過率在1.40μm-1.60μm為99%以上,消光比20dB以上,最高可到70dB;其圓二色性在1.50μm-1.61μm波段平均在70%以上,在1.53μm處圓二色性最高可達(dá)到98.3%,取得了意想不到的技術(shù)效果。
2.本發(fā)明公開的全介質(zhì)像素式全斯托克斯成像偏振器結(jié)構(gòu)合理、易于制作,結(jié)構(gòu)單元的尺寸參數(shù)可調(diào),制備方法與現(xiàn)有的工藝完全兼容;克服了現(xiàn)有技術(shù)需要繁瑣的制備過程才能得到檢偏器的缺陷。
3.本發(fā)明公開的全介質(zhì)像素式全斯托克斯成像偏振器,制備原料來源廣、制備簡(jiǎn)易,相比現(xiàn)有技術(shù),財(cái)力、時(shí)間成本更低;并且性能優(yōu)異,在光學(xué)成像系統(tǒng)具有很大的應(yīng)用價(jià)值。
4. 公開的全介質(zhì)像素式全斯托克斯成像偏振器性能優(yōu)良、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,并且在工藝制備上與現(xiàn)代半導(dǎo)體制作工藝兼容,為下一步實(shí)現(xiàn)全斯托克斯像素式偏振元件實(shí)際應(yīng)用奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
附圖說明
圖1為實(shí)施例一的全介質(zhì)像素式全斯托克斯成像偏振器以及超像素單元結(jié)構(gòu)陣列示意圖;
圖2為實(shí)施例一的全斯托克斯矢量偏振器中多趨向的介質(zhì)線柵結(jié)構(gòu)截面結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3為實(shí)施例一的全斯托克斯矢量偏振器中Z型通孔結(jié)構(gòu)單元的俯視結(jié)構(gòu)示意圖;
其中:1、二氧化硅基底;2、0°趨向的介質(zhì)線柵結(jié)構(gòu);3、45°趨向的介質(zhì)線柵結(jié)構(gòu);4、90°的介質(zhì)線柵結(jié)構(gòu);5、Z型通孔結(jié)構(gòu)單元;6、手性結(jié)構(gòu);
圖4為實(shí)施例一中周期P對(duì)左右旋圓偏振光由基底入射Z型通孔結(jié)構(gòu)后的透過率曲線的影響圖;
圖5為實(shí)施例一中橫向臂長(zhǎng)L1對(duì)左右旋圓偏振光由基底入射Z型通孔結(jié)構(gòu)后的透過率曲線的影響圖;
圖6為實(shí)施例一中縱向臂長(zhǎng)L2對(duì)左右旋圓偏振光由基底入射Z型通孔結(jié)構(gòu)后的透過率曲線的影響圖;
圖7為實(shí)施例一中通孔寬度W對(duì)左右旋圓偏振光由基底入射Z型通孔結(jié)構(gòu)后的透過率曲線的影響圖;
圖8為實(shí)施例一中介質(zhì)層厚度H對(duì)左右旋圓偏振光由基底入射Z型通孔結(jié)構(gòu)后的透過率曲線的影響圖;
圖9為實(shí)施例二中線偏振光(TE,TM)由基底入射到介質(zhì)線柵結(jié)構(gòu)后的透過率曲線圖;
圖10為實(shí)施例二中線偏振光(TE,TM)由基底入射到介質(zhì)線柵結(jié)構(gòu)后的消光比曲線圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合實(shí)施例、附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步描述:
實(shí)施例一
參見附圖1所示,為全介質(zhì)像素式全斯托克斯成像偏振器結(jié)構(gòu)示意圖(右圖)以及超像素單元結(jié)構(gòu)陣列示意圖(左圖);全介質(zhì)像素式全斯托克斯成像偏振器,包括透光二氧化硅基底1以及位于基底上的介質(zhì)層;介質(zhì)層由超像素單元陣列組成;超像素單元包括0°趨向的介質(zhì)線柵結(jié)構(gòu)2;45°趨向的線柵結(jié)構(gòu)3;90°趨向的線柵結(jié)構(gòu)4;Z型通孔結(jié)構(gòu)單元5;手性結(jié)構(gòu)6;多個(gè)超像素單元陣列組合即得到全介質(zhì)像素式全斯托克斯成像偏振器。
參見附圖2,為0°趨向的介質(zhì)線柵結(jié)構(gòu)的截面結(jié)構(gòu)示意圖,為了表示更清楚,附圖包括透光二氧化硅基底1,0°趨向的介質(zhì)線柵結(jié)構(gòu)2,其周期P為0.99μm,占空比為1/4;介質(zhì)層的厚度H為0.25μm。90°趨向的介質(zhì)線柵結(jié)構(gòu)和45°趨向的介質(zhì)線柵結(jié)構(gòu)的參數(shù)與0°趨向的介質(zhì)線柵結(jié)構(gòu)一致。
參見附圖3,Z型通孔結(jié)構(gòu)周期P為0.98μm;縱向臂長(zhǎng)L1為0.20μm,橫向臂長(zhǎng)L2為0.50μm,縫寬W為0.32μm,介質(zhì)層(頂層硅層)的厚度H為0.25μm;上述全介質(zhì)像素式全斯托克斯成像偏振器的制作方法,包括如下步驟:
(1)二氧化硅表面利用電子束蒸發(fā)或者化學(xué)氣相沉積法生長(zhǎng)出一層硅,用勻膠機(jī)涂上一層光刻膠;
(2)利用電子束曝光和顯影技術(shù)得Z型結(jié)構(gòu)單元以及0°趨向、45°趨向、90°趨向的線柵結(jié)構(gòu)光刻膠結(jié)構(gòu);
(3)使用反應(yīng)離子束工藝刻蝕,接著去除殘余光刻膠得到全介質(zhì)像素式全斯托克斯成像偏振器。
附圖4為周期P對(duì)左右旋圓偏振光由基底入射Z型通孔結(jié)構(gòu)后的透過率曲線的影響;由圖可見透過率的相應(yīng)峰值隨P的增大發(fā)生紅移。附圖5和附圖6為縱向臂長(zhǎng)L1和橫向比長(zhǎng)L2對(duì)左右旋圓偏振光由基底入射Z型通孔結(jié)構(gòu)后的透過率曲線的影響。由圖可知,縱向臂長(zhǎng)對(duì)透過率的影響不大,單橫向臂長(zhǎng)的增大會(huì)引起峰值的紅移。附圖7通孔寬度W對(duì)左右旋圓偏振光由基底入射Z型通孔結(jié)構(gòu)后的透過率曲線的影響;由圖可知,隨著通孔的增加右旋圓偏振光的透過率有所下降,整體的區(qū)分度降低。附圖8介質(zhì)層厚度H對(duì)左右旋圓偏振光由基底入射Z型通孔結(jié)構(gòu)后的透過率曲線的影響。由圖可見,隨著介質(zhì)層厚度的增加圓偏振光的區(qū)分度有所下降,但作用帶寬有所增加。因此可以根據(jù)實(shí)際器件的要求綜合考慮介質(zhì)層厚度的實(shí)際取值。當(dāng)Z型通孔結(jié)構(gòu)周期P為0.98μm;縱向臂長(zhǎng)L1為0.20μm,橫向臂長(zhǎng)L2為0.50μm,縫寬W為0.32μm,介質(zhì)層(頂層硅層)的厚度H為0.25μm時(shí),其圓二色性在1.50μm-1.61μm波段平均在70%以上。
實(shí)施例二
一種全介質(zhì)像素式全斯托克斯成像偏振器,包括透光基底以及位于基底上的介質(zhì)層;介質(zhì)層由超像素單元陣列組成;超像素單元包括0°趨向的線柵結(jié)構(gòu)、90°趨向的線柵結(jié)構(gòu)、45°趨向的線柵結(jié)構(gòu)和Z型通孔結(jié)構(gòu)單元陣列構(gòu)成;多個(gè)超像素單元陣列組合即得到全介質(zhì)像素式全斯托克斯成像偏振器。介質(zhì)線柵的周期為P=0.99μm,占空比為1/4;介質(zhì)層的厚度H=0.25μm,Z型通孔結(jié)構(gòu)周期P為0.98μm;縱向臂長(zhǎng)L1為0.20μm,橫向臂長(zhǎng)L2為0.50μm,縫寬W為0.32μm。制備方法如下:
(1)二氧化硅表面利用電子束蒸發(fā)或者化學(xué)氣相沉積法生長(zhǎng)出一層硅;
(2)利用聚焦離子束直寫技術(shù)直接刻蝕出線柵和Z型通孔結(jié)構(gòu),為全介質(zhì)像素式全斯托克斯成像偏振器。
附圖9為實(shí)施例二中線偏振光(TE,TM)由基底入射到介質(zhì)線柵結(jié)構(gòu)后的透過率曲線。由圖可知,TM光的透過率在相應(yīng)波段接近100%。附圖10為實(shí)施例二中線偏振光(TE,TM)由基底入射到介質(zhì)線柵結(jié)構(gòu)后的消光比曲線。由圖可知,全介質(zhì)像素式全斯托克斯成像偏振器線偏振片在1.40μm-1.60μm消光比20dB以上,最高可到70dB。
實(shí)施例三
二氧化硅表面利用電子束蒸發(fā)法生長(zhǎng)出一層硅;利用聚焦離子束直寫技術(shù)直接刻蝕出線柵和Z型通孔結(jié)構(gòu),為全介質(zhì)像素式全斯托克斯成像偏振器。介質(zhì)線柵的周期為P=0.99μm,占空比為1/4;介質(zhì)層的厚度H=0.21μm,Z型通孔結(jié)構(gòu)周期P為0.97μm;縱向臂長(zhǎng)L1為0.20μm,橫向臂長(zhǎng)L2為0.50μm,縫寬W為0.32μm。
實(shí)施例四
二氧化硅表面利用化學(xué)氣相沉積法生長(zhǎng)出一層硅;利用聚焦離子束直寫技術(shù)直接刻蝕出線柵和Z型通孔結(jié)構(gòu),為全介質(zhì)像素式全斯托克斯成像偏振器。介質(zhì)線柵的周期為P=1.04μm,占空比為1/4;介質(zhì)層的厚度H=0.27μm,Z型通孔結(jié)構(gòu)周期P為1μm;縱向臂長(zhǎng)L1為0.20μm,橫向臂長(zhǎng)L2為0.50μm,縫寬W為0.32μm。
實(shí)施例五
二氧化硅表面利用化學(xué)氣相沉積法生長(zhǎng)出一層硅,用勻膠機(jī)涂上一層光刻膠;利用電子束曝光和顯影技術(shù)得Z型結(jié)構(gòu)單元以及0°趨向、45°趨向、90°趨向的線柵結(jié)構(gòu)光刻膠結(jié)構(gòu);使用反應(yīng)離子束工藝刻蝕,接著去除殘余光刻膠得到全介質(zhì)像素式全斯托克斯成像偏振器。介質(zhì)線柵的周期為P=0.98μm,占空比為1/5;介質(zhì)層的厚度H=0.25μm,Z型通孔結(jié)構(gòu)周期P為0.98μm;縱向臂長(zhǎng)L1為0.20μm,橫向臂長(zhǎng)L2為0.50μm,縫寬W為0.32μm。