本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種具有新型的像素結(jié)構(gòu)的陣列基板、顯示面板以及該顯示面板的分壓電容電極短路的檢測(cè)方法。

背景技術(shù)：

VA(Vertical Alignment)模式賦予了TFT-LCD非常高的正面對(duì)比度，但在側(cè)面觀看時(shí)，由于VA模式液晶分子在垂直方向轉(zhuǎn)動(dòng)的特點(diǎn)，導(dǎo)致VA的對(duì)比度下降十分明顯，不同視角下會(huì)出現(xiàn)明顯的色偏現(xiàn)象。大視角是VA模式液晶顯示器的一貫追求，最常見的做法就是8疇技術(shù)的低色結(jié)構(gòu)，使次區(qū)像素電位低于主區(qū)的像素電位，以降低部分區(qū)域亮度的代價(jià)換取大視角技術(shù)。為了使得次區(qū)像素電位低于主區(qū)，“電荷分享”是VA類型TFT-LCD顯示面板常用的大視角改善方案。常見的采用“電荷分享”方式的像素結(jié)構(gòu)中，像素開口區(qū)分為主區(qū)和次區(qū)，當(dāng)充電掃描線開啟時(shí)，數(shù)據(jù)信號(hào)線向主區(qū)和次區(qū)的像素電極充電，然后充電掃描線關(guān)閉，電荷共享掃描線開啟，分壓電容與次區(qū)像素電極導(dǎo)通，分擔(dān)一部分次區(qū)像素電極上原本充滿的電荷，使次區(qū)像素電極的電壓降低到適當(dāng)比例。

在TFT-LCD產(chǎn)品中，分壓電容經(jīng)常采用MII電容結(jié)構(gòu)，MII電容結(jié)構(gòu)為：M1，G-SiNx，PA-SiNx，ITO。且在常規(guī)的MII的像素設(shè)計(jì)中，分壓電容的ITO與本身像素的Sub區(qū)ITO相鄰設(shè)置，較容易發(fā)生短路，但是由于像素電壓變化小，常規(guī)的陣列檢測(cè)(Array Test)無(wú)法檢出，從而無(wú)法及時(shí)對(duì)其進(jìn)行修補(bǔ)，影響產(chǎn)品品質(zhì)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種具有新型的像素結(jié)構(gòu)的陣列基板、具有該陣列基板的顯示面板以及該顯示面板的分壓電容電極短路的檢測(cè)方法，能夠在陣列測(cè)試中很容易檢查出缺陷像素，從而能夠及時(shí)對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行修補(bǔ)，保證產(chǎn)品品質(zhì)。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是提供一種具有新型的像素結(jié)構(gòu)的陣列基板，所述陣列基板的所述像素結(jié)構(gòu)包括依次排列的多個(gè)子像素，每一所述子像素包括電連接的主區(qū)、次區(qū)以及分壓電容；其中，任一所述子像素的所述分壓電容設(shè)置于同一行的相鄰另一所述子像素的所述次區(qū)的下方。

其中，所述子像素包括對(duì)應(yīng)于不同顯示色彩的第一子像素、第二子像素和第三子像素；所述第一子像素的所述分壓電容設(shè)置于同一行的相鄰的所述第三子像素或者所述第二子像素的所述次區(qū)的下方；所述第二子像素的所述分壓電容設(shè)置于同一行的相鄰的所述第一子像素或者所述第三子像素的所述次區(qū)的下方；所述第三子像素的所述分壓電容設(shè)置于同一行的相鄰的所述第二子像素或者所述第一子像素的所述次區(qū)的下方。

其中，每一所述子像素包括對(duì)應(yīng)于不同顯示色彩的第一子像素、第二子像素和第三子像素；第N個(gè)所述第一子像素的所述分壓電容設(shè)置于同一行的相鄰的第N個(gè)所述第二子像素的所述次區(qū)的下方；第N個(gè)所述第二子像素的所述分壓電容設(shè)置于同一行的相鄰的第N個(gè)所述第三子像素的所述次區(qū)的下方；第N個(gè)所述第三子像素的所述分壓電容設(shè)置于同一行的相鄰的第N+1個(gè)所述第一子像素的所述次區(qū)的下方；其中：N為大于或等于1的正整數(shù)。

其中，每一所述子像素包括對(duì)應(yīng)于不同顯示色彩的第一子像素、第二子像素和第三子像素；第N個(gè)所述第一子像素的所述分壓電容設(shè)置于同一行的相鄰的第N-1個(gè)所述第三子像素的所述次區(qū)的下方；第N個(gè)所述第二子像素的所述分壓電容設(shè)置于同一行的相鄰的第N個(gè)所述第一子像素的所述次區(qū)的下方；第N個(gè)所述第三子像素的所述分壓電容設(shè)置于同一行的相鄰的第N個(gè)所述第二子像素的所述次區(qū)的下方；其中：N為大于3的正整數(shù)。

其中，多個(gè)所述子像素包括奇數(shù)子像素和偶數(shù)子像素；所述奇數(shù)子像素的所述分壓電容設(shè)置于同一行的相鄰的所述偶數(shù)子像素的所述次區(qū)的下方；所述偶數(shù)子像素的所述分壓電容設(shè)置于同一行的相鄰的所述奇數(shù)子像素的所述次區(qū)的下方。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是提供一種顯示面板，其包括陣列基板，所述陣列基板為上述任一種陣列基板。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是提供一種顯示面板的分壓電容電極短路的檢測(cè)方法，所述顯示面板的像素結(jié)構(gòu)包括依次排列的多個(gè)子像素，其中，所述檢測(cè)方法包括：將所述顯示面板的像素結(jié)構(gòu)中的子像素的分壓電容設(shè)置于同一行的相鄰另一所述子像素的次區(qū)的下方；給相鄰的所述子像素提供不同的電平信號(hào)；對(duì)所述子像素的短路情況進(jìn)行檢查。

其中，多個(gè)所述子像素包括對(duì)應(yīng)于不同顯示色彩的第一子像素、第二子像素和第三子像素；所述給相鄰的所述子像素提供不同的電平信號(hào)包括：給所述第一子像素提供第一電平信號(hào)；給所述第二子像素提供第二電平信號(hào)；給所述第三子像素提供第三電平信號(hào)；其中，所述第一電平信號(hào)、所述第二電平信號(hào)和所述第三電平信號(hào)之間的差值大于10V；所述第一電平信號(hào)、所述第二電平信號(hào)和所述第三電平信號(hào)同為正信號(hào)或者負(fù)信號(hào)或者分別為正信號(hào)和負(fù)信號(hào)。

其中，多個(gè)所述子像素包括依次排列的奇數(shù)子像素和偶數(shù)子像素；所述給相鄰的所述子像素提供不同的電平信號(hào)包括：給所述奇數(shù)子像素提供第一電平信號(hào)；給所述偶數(shù)子像素提供第二電平信號(hào)；其中，所述第一電平信號(hào)與所述第二電平信號(hào)之間的差值大于10V；所述第一電平信號(hào)與所述第二電平信號(hào)同為正信號(hào)或者負(fù)信號(hào)或者一個(gè)為正信號(hào)另一個(gè)為負(fù)信號(hào)。

其中，所述對(duì)所述子像素的短路情況進(jìn)行檢查包括：獲取各所述子像素的所述主區(qū)和所述次區(qū)的電壓值；計(jì)算各所述子像素的所述主區(qū)和所述次區(qū)的電壓差值；根據(jù)所述電壓差值，判斷所述子像素的所述分壓電容電極是否短路。

本發(fā)明的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，每個(gè)子像素的分壓電容設(shè)置于同一行的相鄰另一子像素的次區(qū)的下方，使像素電極的短路只會(huì)發(fā)生在不同子像素的分壓電容與次區(qū)之間，這樣在陣列測(cè)試時(shí)，分別依次對(duì)相鄰像素施加高電位和低電位，如果發(fā)生短路現(xiàn)象，缺陷像素與正常像素的電壓差異會(huì)增大，這樣陣列測(cè)試就能夠很容易檢查出缺陷像素來。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一種具有新型的像素結(jié)構(gòu)的陣列基板一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是圖1中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖的A-A’剖面示意圖；

圖3為本發(fā)明一種具有新型的像素結(jié)構(gòu)的陣列基板另一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明一種具有新型的像素結(jié)構(gòu)的陣列基板又一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明一種具有新型的像素結(jié)構(gòu)的陣列基板再一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明顯示面板一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明一種顯示面板的分壓電容電極短路的檢測(cè)方法一實(shí)施方式的流程示意圖；

圖8為本發(fā)明一種顯示面板的分壓電容電極短路的檢測(cè)方法另一實(shí)施方式的流程示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。

請(qǐng)參閱圖1，圖1為本發(fā)明一種具有新型的像素結(jié)構(gòu)的陣列基板一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖，陣列基板10包括依次排列的多個(gè)子像素12，其中，子像素12在陣列基板10上呈矩陣排布。

每個(gè)子像素12包括電連接的主區(qū)121、次區(qū)122以及分壓電容123，主區(qū)121、次區(qū)122以及分壓電容123在列的方向依次排列。每一行子像素12都連接有對(duì)應(yīng)的充電掃描線G和電荷共享掃描線G’，每一列子像素12都連接有對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)線D。例如，第N行的子像素都連接有對(duì)應(yīng)的充電掃描線G_N和電荷共享掃描線G_N’,第N-1列子像素連接有對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)線D_N-1。

請(qǐng)結(jié)合圖2，任一子像素12的分壓電容123設(shè)置于同一行的相鄰另一子像素12的次區(qū)122的下方。

在本實(shí)施例中，當(dāng)某個(gè)子像素在前期的陣列工程中由于一些雜物或者導(dǎo)電顆粒引起子像素電極短路，由于子像素12的分壓電容123設(shè)置于同一行的相鄰另一子像素的次區(qū)122的下方，使像素電極的短路只會(huì)發(fā)生在不同子像素的分壓電容123與次區(qū)122之間，這樣在陣列測(cè)試時(shí)，很容易就能檢查出產(chǎn)生缺陷的子像素。

在其他實(shí)施例中，陣列基板10中依次排列的多個(gè)子像素包括對(duì)應(yīng)于不同顯示色彩的第一子像素22、第二子像素24和第三子像素26。具體地，第一子像素22包括依次排列的主區(qū)221、次區(qū)222以及分壓電容223，第二子像素24包括依次排列的主區(qū)241、次區(qū)242以及分壓電容243，第三子像素26包括依次排列的主區(qū)261、次區(qū)262以及分壓電容263。

請(qǐng)結(jié)合圖3，其中，第一子像素22的分壓電容223設(shè)置于同一行的相鄰的第二子像素24的次區(qū)242的下方；第二子像素24的分壓電容243設(shè)置于同一行的相鄰的第三子像素26的次區(qū)262的下方；第三子像素26的分壓電容263設(shè)置于同一行的相鄰的第一子像素22的次區(qū)222的下方。

請(qǐng)結(jié)合圖4，作為一種可實(shí)施方式，第一子像素22的分壓電容223設(shè)置于同一行的相鄰的第三子像素26的次區(qū)262的下方；第二子像素24的分壓電容243設(shè)置于同一行的相鄰的第一子像素22的次區(qū)222的下方；第三子像素26的分壓電容263設(shè)置于同一行的相鄰的第二子像素24的次區(qū)242的下方。

例如，陣列基板10中依次排列的多個(gè)子像素包括對(duì)應(yīng)于紅、綠、藍(lán)的第一子像素22、第二子像素24和第三子像素26，其中，陣列基板上有不少于3N列子像素，N為大于或等于1的正整數(shù)。每一行的第一子像素22、第二子像素24和第三子像素26都連接有對(duì)應(yīng)的充電掃描線G和電荷共享掃描線G’，例如，第5行的第一子像素22、第二子像素24和第三子像素26都連接有對(duì)應(yīng)的充電掃描線G₅和電荷共享掃描線G₅’；每一列子像素都連接有對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)線D，例如，第N列第一子像素連接有對(duì)應(yīng)的第一數(shù)據(jù)信號(hào)線D_1,N,第N-1列第二子像素連接有對(duì)應(yīng)的第一數(shù)據(jù)信號(hào)線D_2,N-1。以第M行子像素為例，第N個(gè)第一子像素22的分壓電容223設(shè)置于同一行的相鄰的第N個(gè)第二子像素24的次區(qū)242的下方；第N個(gè)第二子像素24的分壓電容243設(shè)置于同一行的相鄰的第N個(gè)第三子像素26的次區(qū)262的下方；第N個(gè)第三子像素26的分壓電容263設(shè)置于同一行的相鄰的第N+1個(gè)第一子像素22的次區(qū)222的下方?？梢岳斫獾氖?，我們需要在陣列基板最后一列子像素的后方再設(shè)置至少一列檢測(cè)用子像素，將最后一列子像素的分壓電容設(shè)置在檢測(cè)用子像素次區(qū)的下方，由于檢測(cè)用子像素是否短路對(duì)產(chǎn)品品質(zhì)不產(chǎn)生影響，故不用考慮其缺陷問題，可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明中的像素結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。

在其他實(shí)施例中，陣列基板上有不少于3M列子像素，M為大于3的正整數(shù)。第M個(gè)第一子像素22的分壓電容223設(shè)置于同一行的相鄰的第M-1個(gè)第三子像素26的次區(qū)262的下方；第M個(gè)第二子像素24的分壓電容243設(shè)置于同一行的相鄰的第M個(gè)第一子像素22的次區(qū)222的下方；第M個(gè)第三子像素26的分壓電容263設(shè)置于同一行的相鄰的第M個(gè)第二子像素24的次區(qū)242的下方。此時(shí)，需要在陣列基板最前一列子像素的前方再設(shè)置至少一列檢測(cè)用子像素，將最前一列子像素的分壓電容設(shè)置在檢測(cè)用子像素次區(qū)的下方，由于檢測(cè)用子像素是否短路對(duì)產(chǎn)品品質(zhì)不產(chǎn)生影響，故不用考慮其缺陷問題，可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明中的像素結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。

同樣地，請(qǐng)結(jié)合圖5，在其他實(shí)施例中，上述陣列基板的像素結(jié)構(gòu)包括依次排列的奇數(shù)子像素31和偶數(shù)子像素32，奇數(shù)子像素31包括依次排列的主區(qū)311、次區(qū)312以及分壓電容313，偶數(shù)子像素32包括依次排列的主區(qū)321、次區(qū)322以及分壓電容323，其中，第N列奇數(shù)子像素連接有對(duì)應(yīng)的第一數(shù)據(jù)信號(hào)線D_1,N,第N列偶數(shù)子像素連接有對(duì)應(yīng)的第一數(shù)據(jù)信號(hào)線D_2,N。

其中，第N個(gè)奇數(shù)子像素31的分壓電容313設(shè)置于同一行的相鄰的第N個(gè)偶數(shù)子像素32的次區(qū)322的下方；第N個(gè)偶數(shù)子像素32的分壓電容323設(shè)置于同一行的相鄰的第N+1個(gè)奇數(shù)子像素31的次區(qū)312的下方，此時(shí)需要在最后一列子像素的后方增加至少一列檢測(cè)用子像素。同樣地，當(dāng)?shù)贜個(gè)奇數(shù)子像素31的分壓電容313設(shè)置于同一行的相鄰的第N-1個(gè)偶數(shù)子像素32的次區(qū)322的下方；第N個(gè)偶數(shù)子像素32的分壓電容323設(shè)置于同一行的相鄰的第N個(gè)奇數(shù)子像素31的次區(qū)312的下方時(shí)，此時(shí)需要在最前一列子像素的前方增加至少一列檢測(cè)用子像素。

可以理解的是，本實(shí)施例中的像素結(jié)構(gòu)也可以這樣設(shè)置：第N個(gè)奇數(shù)子像素31的分壓電容313設(shè)置于同一行的相鄰的第N個(gè)偶數(shù)子像素32的次區(qū)322的下方；第N個(gè)偶數(shù)子像素32的分壓電容323設(shè)置于同一行的相鄰的第N個(gè)奇數(shù)子像素31的次區(qū)312的下方，此時(shí)則可以不用設(shè)置檢測(cè)用子像素。

參閱圖6，圖6是本發(fā)明顯示面板一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，本實(shí)施例的顯示面板包括上述實(shí)施例的陣列基板10。

當(dāng)然，本實(shí)施例還包括構(gòu)成顯示面板的一些必須組成部分，如構(gòu)成顯示面板的彩色濾光片基板、液晶材料、驅(qū)動(dòng)電路、配向膜等，在此不進(jìn)行詳述。

請(qǐng)參閱圖7，圖7為本發(fā)明一種顯示面板的分壓電容電極短路的檢測(cè)方法一實(shí)施方式的流程示意圖，包括以下步驟：

S101：將所述顯示面板的像素結(jié)構(gòu)中的子像素的分壓電容設(shè)置于同一行的相鄰另一所述子像素的次區(qū)的下方。

其中，顯示面板包括依次排列的多個(gè)子像素，子像素呈矩陣排布，每個(gè)子像素都包括主區(qū)、次區(qū)以及分壓電容，主區(qū)、次區(qū)以及分壓電容在列的方向依次排列。每一行子像素都連接有對(duì)應(yīng)的充電掃描線和電荷共享掃描線，每一列子像素都連接有對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)線。其中，任一子像素的分壓電容設(shè)置于同一行的相鄰另一子像素的次區(qū)的下方。

S102：給相鄰的所述子像素提供不同的電平信號(hào)。

其中，給任意相鄰的兩個(gè)子像素提供的電平信號(hào)之間存在較大差值，差值一般大于10V，這樣便于檢測(cè)出電極短路缺陷。

在其他實(shí)施例中，顯示面板包括對(duì)應(yīng)于不同顯示色彩的第一子像素、第二子像素和第三子像素，例如第一子像素對(duì)應(yīng)紅色、第二子像素對(duì)應(yīng)綠色、第三子像素對(duì)應(yīng)藍(lán)色。步驟S102包括：給所述第一子像素提供第一電平信號(hào)；給所述第二子像素提供第二電平信號(hào)；給所述第三子像素提供第三電平信號(hào)。其中，第一電平信號(hào)、第二電平信號(hào)和第三電平信號(hào)之間存在較大差值，所述差值一般大于10V。

具體地，第一電平信號(hào)、第二電平信號(hào)和第三電平信號(hào)可以同為正信號(hào)或者負(fù)信號(hào)或者分別為正信號(hào)和負(fù)信號(hào)。例如，第一電平信號(hào)為15V，第二電平信號(hào)為5V，第三電平信號(hào)為-5V?？梢岳斫獾氖?，也可以使某種電平信號(hào)為0V，即不施加電平信號(hào)。

當(dāng)然，在其他實(shí)施例中，顯示面板中的像素結(jié)構(gòu)也可以是包括依次排列的奇數(shù)子像素和偶數(shù)子像素。此時(shí)，步驟S102則包括：給所述奇數(shù)子像素提供第一電平信號(hào)；給所述偶數(shù)子像素提供第二電平信號(hào)。同樣的，第一電平信號(hào)和第二電平信號(hào)之間存在較大差值，一般大于10V；第一電平信號(hào)和第二電平信號(hào)可以同為正信號(hào)或者負(fù)信號(hào)或者分別為正信號(hào)和負(fù)信號(hào)。

S103：對(duì)所述子像素的短路情況進(jìn)行檢查。

本實(shí)施例中，若所有的第二子像素的分壓電容都設(shè)置在相鄰的第一子像素的次區(qū)的下方，通過數(shù)據(jù)信號(hào)線向所有的第一子像素提供低電位，向所有的第二子像素提供高電位，低電位與高電位之間相差10V以上。打開電荷共享掃描線后，某個(gè)第一子像素的次區(qū)像素電極與位于其正下方的分壓電容電極發(fā)生短路，則此時(shí)，該第一子像素的次區(qū)的電位將會(huì)由于短路被充入高電位。而該第一子像素的主區(qū)是低電位，因此形成較大的電位差，能夠讓陣列測(cè)試檢查出來。

請(qǐng)參閱圖8，圖8為本發(fā)明一種顯示面板的分壓電容電極短路的檢測(cè)方法另一實(shí)施方式的流程示意圖。在本實(shí)施例中，上述步驟S103具體包括：

S201：獲取各所述子像素的所述主區(qū)和所述次區(qū)的電壓值；

S202：計(jì)算各所述子像素的所述主區(qū)和所述次區(qū)的電壓差值；

S203：根據(jù)所述電壓差值，判斷所述子像素的所述分壓電容電極是否短路。

在一個(gè)應(yīng)用場(chǎng)景中，以正常的像素結(jié)構(gòu)排列順序?yàn)槔?，顯示面板中子像素按照紅綠藍(lán)(R，G，B)依次排列。針對(duì)該顯示面板的分壓電容電極短路的的檢測(cè)方法，首先，將R子像素的分壓電容在同一行的左側(cè)相鄰的B子像素的次區(qū)的正下方；G子像素的分壓電容在同一行相鄰左側(cè)的R子像素的次區(qū)的正下方；B子像素的分壓電容在同一行相鄰左側(cè)的G子像素的次區(qū)的正下方。要說明的是，短路棒的連接方式采用常規(guī)的R、G、B數(shù)據(jù)信號(hào)線和奇數(shù)與偶數(shù)掃描線的方式。然后，給相鄰的子像素提供不同的電平信號(hào)。先給奇數(shù)充電掃描線以高電平，同一行所有子像素的充電掃描線均會(huì)打開，將數(shù)據(jù)信號(hào)線R提供0V，即所有的R子像素寫入0V電壓，此時(shí)R子像素的主區(qū)和次區(qū)被寫入0V的電壓；然后，保持充電掃描線打開，將數(shù)據(jù)信號(hào)線G提供15V，此時(shí)G子像素的主區(qū)和次區(qū)被寫入15V的電壓；接著，保持?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)線G的15V高電位，關(guān)閉充電掃描線，打開電荷共享掃描線。然后獲取各子像素的主區(qū)和次區(qū)的電壓值，計(jì)算每個(gè)子像素的主區(qū)和自己的次區(qū)的電壓差值。這時(shí)發(fā)現(xiàn)，有1個(gè)R子像素得到的電壓差值為15V，故判斷此R子像素為缺陷像素。由于正常情況下R子像素的主區(qū)電壓為0V，然而當(dāng)R子像素的次區(qū)電極與位于其正下方但屬于G子像素的分壓電容電極發(fā)生短路后，R子像素的次區(qū)電壓將會(huì)由于短路被位于其正下方但屬于G子像素的分壓電容充入15V的高電位，故此R子像素的主區(qū)和次區(qū)存在電壓差值。通過上述方式，子像素的分壓電容與次區(qū)之間發(fā)生的短路只會(huì)發(fā)生在相鄰的不同顏色的子像素之間，且存在較大的電壓差值，因而能夠容易的將發(fā)生短路的缺陷像素檢測(cè)出來，從而及時(shí)對(duì)缺陷像素進(jìn)行修補(bǔ)，有效保證了產(chǎn)品的質(zhì)量。

在本發(fā)明所提供的幾個(gè)實(shí)施方式中，應(yīng)該理解到，所揭露的新型像素結(jié)構(gòu)可以通過在預(yù)先制作好的電極圖形掩模版上進(jìn)行設(shè)置，通過制作過程中的蝕刻等步驟來實(shí)現(xiàn)。當(dāng)然，也可以在像素結(jié)構(gòu)中增加轉(zhuǎn)層結(jié)構(gòu)或者進(jìn)行跨線來實(shí)現(xiàn)上述結(jié)構(gòu)。另外，由于檢測(cè)時(shí)并不需要看畫面表現(xiàn)，為了檢測(cè)可以重新定義像素，不限于上述幾種像素表現(xiàn)方式。

以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施方式，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。