本申請要求于2015年12月18日提交的標題為“Substrate Tuning System and Method Using Optical Projection”的美國專利申請第14/974,974號的權(quán)益，其全部內(nèi)容通過引用并入本文中。

背景技術(shù)：

本公開內(nèi)容總體上涉及包括半導(dǎo)體基板(例如硅晶片)的基板的圖案化。本公開內(nèi)容還涉及與作為半導(dǎo)體裝置制造的一部分的包括在基板上涂覆膜和對膜進行顯影的光刻有關(guān)的過程。本公開內(nèi)容特別地涉及作為光刻和圖案化過程的一部分的對圖案化特征的尺寸和精度的控制。

光刻包括使用對電磁(EM)輻射敏感的膜對基板進行涂覆，將這些膜曝露于光化輻射的圖案以在膜內(nèi)限定隱性圖案，然后顯影掉(溶解并去除)所述膜中的一些以顯露基板上的物理圖案或凹凸圖案。用于對基板進行涂覆和顯影的制造工具通常包括可以用于添加膜、添加抗蝕劑以及對基板進行顯影的許多模塊。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本文中的技術(shù)包括提供將光或電磁(EM)輻射空間上控制地投影到基板上的系統(tǒng)和方法。指向物體的400nm至700nm波長的光、紫外光(UV)、紅外光或任何波長可以通過加熱或提供光化輻射來處理基板。

本公開內(nèi)容解決了用于空間上改變基板的關(guān)鍵尺寸(CD)和/或溫度的技術(shù)，并且可以適用于包括沉積系統(tǒng)、蝕刻系統(tǒng)(濕式和干式)的半導(dǎo)體、平板顯示器和光伏系統(tǒng)中的真空和非真空處理系統(tǒng)。例如，基于像素的投影光圖案可以校正關(guān)鍵尺寸、光刻曝光非均勻性、步進曝光延遲時間等。

當然，為了清楚起見，已經(jīng)呈現(xiàn)如本文描述的不同步驟的討論順序。通常，這些步驟可以以任意適當?shù)捻樞蜻M行。另外，盡管本文中的不同的特征、技術(shù)、配置等中的每一個都可以在本公開內(nèi)容的不同地方進行討論，但是每個構(gòu)思旨在可以彼此獨立或彼此結(jié)合執(zhí)行。因此，本發(fā)明可以以許多不同的方式實施和呈現(xiàn)。

注意，本發(fā)明內(nèi)容部分并不指定本公開內(nèi)容或所要求保護的發(fā)明的每個實施方式和/或增加的新穎方面。替代地，本發(fā)明內(nèi)容僅提供不同實施方式的初步討論和與常規(guī)技術(shù)相比的對應(yīng)新穎點。對于本發(fā)明和實施方式的另外的細節(jié)和/或可能的方面，讀者應(yīng)關(guān)注如以下進一步討論的本公開內(nèi)容的具體實施方式部分和對應(yīng)的附圖。

附圖說明

當結(jié)合附圖考慮時，通過參考以下詳細描述，本發(fā)明的各種實施方式的更完整的理解及其許多附帶的優(yōu)點將變得非常明顯。附圖不一定按比例繪制，而是將重點放在示出特征、原理和構(gòu)思上。

圖1是用于調(diào)整基板的示例性圖像投影系統(tǒng)的示意性透視圖。

圖2是用于調(diào)整基板的示例性圖像投影系統(tǒng)的示意性側(cè)視圖。

圖3是表示空間上變化的屬性的示例性基板標識的圖。

圖4是用于調(diào)整基板的示例性圖像投影系統(tǒng)的示意性側(cè)視圖。

圖5是跨基板截面的示例性簡化關(guān)鍵尺寸或熱標識的圖。

圖6是表示補償給定熱標識的投影圖像的圖。

圖7是跨基板截面的示例性簡化關(guān)鍵尺寸或熱標識的圖。

圖8是半導(dǎo)體制造工具的示意圖。

具體實施方式

本文中的技術(shù)包括提供將光空間上控制地或基于像素地投影到基板上以調(diào)整各種基板屬性的系統(tǒng)和方法。這樣的基于像素的光投影可以用于調(diào)整基板的各種屬性，包括調(diào)整關(guān)鍵尺寸(CD)、加熱均勻性、蒸發(fā)式冷卻、光刻閃耀(flare)、光柵延遲和光敏劑的產(chǎn)生。這樣的基于像素的光投影可以實現(xiàn)跨基板的表面的關(guān)鍵尺寸均勻性的顯著提高。將這樣的基于像素的光投影與光刻圖案化過程相結(jié)合可以提高處理均勻性并且降低缺陷率。

在一個實施方式中，與光源耦合的數(shù)字光處理(DLP)芯片、光柵光閥(GLV)、激光檢流計或其他的基于網(wǎng)格的微投影技術(shù)可以使圖像(可選地使用透鏡)聚焦到基板上，并且校正或調(diào)節(jié)關(guān)鍵尺寸、溫度和其他的非均勻性。該系統(tǒng)可以被配置成使投影圖像的輻射輸出變化。例如，利用可見光譜燈投影到板上的純白色圖像將對板進行加熱至該特定燈的給定最高溫度。每個投影像素的溫度可以通過使用由該光源產(chǎn)生的所有波長的光或一些波長的光或不使用由該光源產(chǎn)生的波長的光來調(diào)節(jié)。這種技術(shù)給出了對半導(dǎo)體的給定烘烤過程的極其精確的控制，足以在1nm內(nèi)對半導(dǎo)體進行烘烤。同樣地，在基板的工作表面上的每個投影像素位置的光化輻射的量可以在沒有投影輻射和全投影輻射(對于給定光源)之間調(diào)節(jié)，并且其之間具有許多等級。DLP芯片或激光檢流計可以例如將圖像投影到基板上并且改變基板上的任意一個或多個特定點處的加熱量或CD調(diào)節(jié)量(經(jīng)由光活性劑的產(chǎn)生)。

如本文所公開的投影圖像可以根據(jù)由選擇的投影系統(tǒng)所支持的像素的數(shù)目或像素投影的尺寸和入射區(qū)來改變至基板上的個體特征的輸出。也就是說，使用微鏡投影可獲得的CD控制可以如其最大投影分辨率那樣靈活或精細調(diào)整。注意，本文中的系統(tǒng)可以被配置成將給定圖像投影到基板上，或者為所有指示像素位置的同時投影，或者為其中將給定圖像逐行投影到基板上的光柵掃描投影。在一個實施方式中，基于像素的光投影系統(tǒng)連接至烘烤裝置、曝光室、分散(dispense)室、熱板、蝕刻室等的控制計算機?；谙袼氐墓馔队跋到y(tǒng)可以可選地通過透鏡系統(tǒng)聚焦到對準基板的曝光室中。然后，投影到基板的光或在基板處的光例如通過產(chǎn)生更多的光酸調(diào)節(jié)基板的期望區(qū)域。這樣的方法和系統(tǒng)具有多種用途。一種應(yīng)用是保持溫度均勻性。另一種應(yīng)用是減少或增加作為半導(dǎo)體制造的一部分的被制造的晶片的關(guān)鍵尺寸。

圖1示出了示例性基板調(diào)整系統(tǒng)的示意圖。處理室108可以被定尺寸為容納諸如硅晶片、平板等的基板。處理室108可以為諸如具有安裝在較大工具內(nèi)的模塊的相對最小尺寸(基于基板的尺寸)?；鍖氏到y(tǒng)107可以用于將圖像對準到基板上的可工作區(qū)，其可以在0.1納米內(nèi)對準?；?05可以定位在基板保持器上?；?05可以是具有任何類型的涂層的常規(guī)的反射或非反射硅盤。

系統(tǒng)包括光源102，光源102可以位于處理室108內(nèi)、與處理室108相鄰或遠離處理室108。光源102可以是若干光源(例如，可見光源、紅外光源、UV光源、激光器或產(chǎn)生其他波長的光的燈)中的任意一個?？梢葬槍Ρ惶幚淼奶囟ɑ搴吞囟ㄕ{(diào)整應(yīng)用定制(或選擇)光源的特性。對于一些基板，在400nm至700nm的波長范圍和1080p(逐行掃描的1080條水平線的垂直分辨率)的DLP分辨率的情況下，60瓦(或等同量)的光源可能是足夠的。其他的應(yīng)用可能需要更高的功率和更高的分辨率。光源可以基于所需的一個或更多個特定波長來選擇。例如，可以選擇紫外光源用于某些應(yīng)用，而可以選擇白色或紅外線源用于其他應(yīng)用。光源選擇可以基于特定基板和/或膜的吸收特性?？梢允褂糜蒁LP、GLV、激光檢流計或其他光投影技術(shù)支持的任意分辨率。

光投影裝置103可以實施為激光檢流計、DLP芯片、光柵光閥(GLV)或其他光投影技術(shù)。常規(guī)可用的是DLP芯片和GLV。數(shù)字激光檢流計也是已知的。透鏡系統(tǒng)104可以可選地用于幫助產(chǎn)生當投影到基板105上時與基板105的尺寸具有最小像差的圖像。投影線106表示在同時投影或基于光柵投影條件下朝向基板105投影的圖像域(image field)或視頻。所述視頻或圖像可以基于期望的CD值和/或來自被配置成識別跨基板的CD差異的計量裝置的動態(tài)反饋來進行設(shè)計。項101示出了基板105上的具有與基板的其他位置關(guān)鍵尺寸不同的關(guān)鍵尺寸的示例性位置。投影圖像109以項101中之一的形狀來投影光。如果與基板105的剩余表面區(qū)域相比，項101恰好具有較大CD值，那么投影圖像109可以例如通過增加光活性劑的產(chǎn)生以幫助去除多余的材料來增加投影在這些區(qū)域上的光化輻射以跨基板105的整個表面產(chǎn)生均勻的CD值標識。

因此，本文中的這樣的系統(tǒng)結(jié)合了用于精細控制關(guān)鍵尺寸的精細和粗控制系統(tǒng)。因此，可以打開或關(guān)閉投影像素的每個位置成為可以精細調(diào)整熱、溫度、CD校正和光反應(yīng)性的區(qū)域。

圖5是示出對于給定基板的簡化示例性CD標識的圖。這可以是跨基板的截面的CD標識。在該示例性CD標識中，存在用于測量CD的相對差異的19個點位置。該圖的頂部表示相對較大的CD變化或CD值。該圖的底部也可以指示CD的相對差異，而且可以指示太小的CD，而該圖的頂部指示太大的CD。注意，跨基板存在CD變化，其中，平面位置的CD變化是熱標識的一個實施方式。

圖6是表示校正來自圖5中所表示的CD標識的CD變化的投影圖像的圖。換句話說，投影圖像補償具有波動的CD標識。例如，注意來自圖5中的CD標識中的點1、點9、點10、點17和點18具有相對較小的CD。注意，圖6中的投影圖像在這些位置處沒有光投影，這會導(dǎo)致沒有光反應(yīng)劑增加。來自圖5中的CD標識中的點位置2和點位置12具有相對大的CD，因此在圖6中的圖像投影中，這些點位置示出為白色，其表示全光/輻射曝光以引起可以從給定光源產(chǎn)生最大量的光反應(yīng)劑。其他的點位置被示出為不同的灰色深淺度，其表示用可變的光投影對CD值的適度波動進行類似地校正。圖7示出了將圖6中的投影圖像應(yīng)用至圖5的CD標識而產(chǎn)生的經(jīng)修改的或經(jīng)校正的CD標識。注意，與圖5的CD標識相比，大多數(shù)的CD值已經(jīng)被修改，使得存在大體上較小的CD變化。還要注意，可以在烘烤和/或顯影的任意中間步驟之后實現(xiàn)經(jīng)校正的CD標識以從大于所需的CD中去除材料。

在圖5中所示的基板標識是簡化的線形標識。基板通常是平面的，因而均勻性波動可以基于基板上的平面或X、Y位置而變化。圖3是描繪出示例性關(guān)鍵尺寸標識的視圖。此關(guān)鍵尺寸標識被映射為如在微制造過程中使用的給定基板(例如晶片)的表面上的點位置。注意，在CD標識視圖上的各個點在黑暗或明亮程度上變化。在CD標識視圖上的點位置處的這些相對差異表示CD均勻性的相對差異。例如，完全黑暗的點位置可以表示具有太小的CD的區(qū)域，然而完全照亮或較亮的點位置可以表示具有太大的CD的區(qū)域。該CD標識可以基于所觀察的和/或所測量的尺寸來產(chǎn)生。

圖3中的該基板標識視圖還可以表示給定光投影在被處理的基板上可能呈現(xiàn)出的樣子。注意，給定光源可以是UV或紅外線，并且因此圖3可以表示投影能量標識所呈現(xiàn)的樣子或者能量標識的累積效果將呈現(xiàn)的樣子。陰影線圖案的黑暗變化可以表示光的強度、振幅和/或頻率。因此，在基板表面上的接收全投影光的強度的點位置可以包括視圖中的淺色區(qū)域或白色區(qū)域。同樣地，具有較少的空白的點位置可以具有投影在這些位置處的中等強度或部分強度的光。在該視圖中示出為黑方塊的點位置可能不接收光或接收相對較少的曝光量。注意，基板標識可以基于標識類型或不均勻性而在視覺表示上變化。例如，CD標識可能呈現(xiàn)為具有對應(yīng)于劃道的一些可感知的線的標識。示出光柵延遲的不均勻性的基板標識可以示出跨基板的表面的給定步進/掃描器的進展的證據(jù)。對于加熱不均勻的基板標識可以具有圓形圖案或示出在加熱區(qū)界面處的差異。

圖4類似于圖1并且示出了用于調(diào)整基板105的光學(xué)投影調(diào)整系統(tǒng)的示例性實施方式?；?05可以包括膜115以及下面的層110，膜115可以是光致抗蝕劑膜，下面的層110可以成為硬掩模層或其他圖案化層或用于圖案傳遞的記憶層。光投影裝置103或附帶的控制器可以接收基于像素的圖像以投影到基板105上。用投影圖像109示出該基于像素的圖像的投影。注意，基板105的一部分被輻照而其他部分沒有被輻照。代替用于光刻曝光的基于掩模的光投影，使用基于像素的圖像投影。在投影期間，投影圖像可以例如響應(yīng)于實時反饋或其他的調(diào)整目標而改變或變化。

投影的特定圖像或視頻可以基于在處理過程之前(靜態(tài)調(diào)節(jié))或在用于動態(tài)調(diào)節(jié)的處理過程期間可以收集數(shù)據(jù)的一個或更多個傳感器。在反饋回路中，給定傳感器或傳感器陣列可以收集數(shù)據(jù)(例如，CD標識)，并且然后將該所收集的數(shù)據(jù)發(fā)送至控制器。然后，控制器可以基于所收集的數(shù)據(jù)和/或基于是否是所需要的熱或光校正(CD校正)來計算圖像以投影到基板上。比例積分微分控制器(PID控制器)可以用來實現(xiàn)熱標識反饋。投影的圖像可以基于跨基板的任何振蕩(例如從中心到邊緣的振蕩)而改變。

注意，光的強度或振幅可以基于基板表面上的材料的類型來調(diào)節(jié)。例如，一些聚合物可以具有低反射率，而其他材料(如硅和金屬)可以有最大反射率值。在一個具體的示例性材料(即銅)中，反射率可以為45％至99％，但是，當光入射到銅上時，銅表面仍然會升溫。因此，本文中的技術(shù)可以應(yīng)用于大多數(shù)的基板材料。

圖2是改進的基板處理的示例性系統(tǒng)的側(cè)視圖?；?05放在基板保持器130上，基板保持器130可以被實施為熱卡盤或包括熱卡盤。在基板上方(面對被處理的基板側(cè))，可以定位有激光檢流計、DLP投影儀等作為光投影裝置103的一部分將圖像投影到基板表面。投影儀的位置可以基于給定室內(nèi)的空間可用性而變化。例如，微制造工具的許多加熱模塊相對短。在這些實施方式中，各種孔135和/或透鏡系統(tǒng)可以用于在基板上方的任何有限的豎直空間內(nèi)投影圖像。示出了示例性高度和寬度測量值，但這些都是非限制性的，并且只為示出一個特定實施方式。

專用的光投影系統(tǒng)可以被制造成在這種基板調(diào)整或加熱模塊中使用?？商孢x地，可以使用常規(guī)的激光檢流計和DLP投影儀。

其他實施方式可以使用用于光投影到單個基板上的不同波長的燈。這些燈都可以有助于光投影，或者被選擇性地激活。同樣地，每個基板處理模塊可以使用多個投影儀。在其他實施方式中，光投影可以具有用于例如利用3D圖形來更精細的調(diào)整的基于頻率的輸出。除了基于圖像的光投影儀之外，相機143或其他計量裝置可以考慮到基板105來進行定位以實時識別給定CD標識，以用于基于投影的圖像來動態(tài)調(diào)節(jié)CD標識。在另一實施方式中，傳感器陣列可以安裝成并且連接至PID控制器的反饋回路。

將基于熱標識的圖像投影到定位在熱板上的基板上僅是本文中的系統(tǒng)和方法的一個實施方式。在半導(dǎo)體制造的各個階段處，存在用于處理基板的許多另外的應(yīng)用和實施方式。因此，應(yīng)用不限于光刻。在另一實施方式中，可以在基板的涂覆(例如，用光致抗蝕劑涂覆)期間使用投影的光-熱技術(shù)。在液體的涂覆期間將圖像投影到旋轉(zhuǎn)的基板上可以有助于減輕蒸發(fā)式冷卻的影響。益處是需要較少的分散量，同時提供更好的涂覆均勻性。如果在旋轉(zhuǎn)室中存在阻礙光投影的不透明物體，則因為基板的旋轉(zhuǎn)，光至少可以投影到基板的一部分上，其本質(zhì)上將是基于頻率的投影(這是針對在給定點處恰好僅徑向部分可以被照射的實施方式)。

在其他實施方式中，光圖像投影可以用于施加后烘烤(PAB)和曝光后烘烤(PEB)兩者。光圖像投影可以用于復(fù)雜的邊緣球狀物去除(EBR)清除區(qū)(clear outs)—可以“繪制”或投影以用于邊緣球狀物去除的區(qū)域。光圖像投影可以用于以印刷陣列的方式限定嵌段共聚物的定向自組裝的區(qū)域。也就是說，可以充分地促進可以以陣列印刷定向自組裝(DSA)的區(qū)域曝光，而剩余區(qū)域沒有曝光使得嵌段共聚物將不使用切割掩模而自組裝，這節(jié)省了一些微制造過程中的過程步驟。

本文中的實施方式可以使用濕式或干式基板清洗系統(tǒng)。利用濕式清洗系統(tǒng)，投影光圖像可以有助于中心到邊緣的溫度均勻性。在其中液體被分散在旋轉(zhuǎn)基板上的一些過程中，與基板邊緣的膜的厚度相比，朝向基板中心的膜的厚度較大。然而，本文中的技術(shù)甚至可以有助于徑向溫度的均勻性。取決于分散噴嘴和分散臂的位置，投影到分散室中的圖像本質(zhì)上可以是部分圖像(例如，餅形圖)。投影到基板的僅一部分上仍然可以是有效的，特別是在旋轉(zhuǎn)基板的情況下，這是因為所有的表面都可以被輻照或穿過投影圖像。使用UV光投影圖像還可以有助于化學(xué)品的反應(yīng)以改進這樣的化學(xué)品的徑向反應(yīng)作為空間光增強技術(shù)，該技術(shù)可以與例如直接提供大部分輻照的UV燈結(jié)合。注意，對于UV光增強和投影，應(yīng)該選擇使得UV能夠透射的光學(xué)件，例如石英、氟化鈣或其他透明傳導(dǎo)介質(zhì)。例如，在許多溫度增強和光化輻射增強的實施方式中，增強的量通常小于主要熱或光化輻射處理的15％。例如，具有光致抗蝕劑膜的給定基板采用掃描器或步進工具暴露于基于掩模的圖案。利用這種光刻曝光，在每個管芯位置處的光劑量基本上相同。然后，本文中的實施方式可以用于根據(jù)基板的點位置增加相對少量和不同量的曝光劑量。

應(yīng)當明顯的是，存在本文所公開的系統(tǒng)和方法的許多實施方式和各種實施方式。

一個實施方式包括用于處理基板的系統(tǒng)或裝置。該系統(tǒng)包括被定尺寸并且配置成容納用于處理的基板的室?；灞３制鞅欢ㄎ辉谑覂?nèi)并且被配置成保持基板。該系統(tǒng)包括被配置成當基板在室中時將圖像投影到基板的上表面(即，工作表面或被處理的表面)上的圖像投影系統(tǒng)。圖像投影系統(tǒng)使用微鏡投影裝置來投影圖像。微鏡裝置可以包括例如用于反射激光束的可控鏡，或者對應(yīng)于待投影的圖像中的像素的微鏡陣列。該系統(tǒng)包括被配置成控制圖像投影系統(tǒng)并且使圖像投影系統(tǒng)將基于像素的圖像投影到基板的工作表面上的控制器。圖像投影系統(tǒng)包括光源并且可以使用基于像素的投影系統(tǒng)。每個投影的像素可以通過選自光波長、光強度、光頻率和光振幅中的參數(shù)而變化。圖像投影系統(tǒng)可以被配置成基于預(yù)定的基板標識投影圖像，該預(yù)定的基板標識可以是變化的表面屬性(熱、曝光劑量、關(guān)鍵尺寸變化)的基于像素的表示。光源可以被配置成向給定基板提供光化輻射。光源可以被配置成提供小于400納米波長的輻射，例如紫外輻射。給定光源可以基于基板上的特定輻射敏感膜被選擇成具有特定光譜線?；陬A(yù)定基板標識的投影可以包括空間上映射基板表面的不同特性的基板標識。

在其他實施方式中，給定投影圖像可以基于基板標識和基于給定/特定蝕刻室的CD蝕刻標識兩者。給定蝕刻室的CD蝕刻標識表示或識別由給定蝕刻圖案轉(zhuǎn)移過程產(chǎn)生的各種蝕刻非均勻性。例如，對于基于等離子體的干式蝕刻室，根據(jù)等離子體反應(yīng)器的特定類型，通常在跨基板的表面上存在蝕刻非均勻性。例如，等離子體可以具有中心到邊緣的密度變化和/或方位角密度變化。因此，與其他區(qū)域相比，在基板的一些區(qū)域處可能發(fā)生或多或少的蝕刻。所得到的是包括具有CD非均勻性的轉(zhuǎn)移圖案的蝕刻的基板(即使蝕刻掩模具有均勻的CD也是如此)。本文中的系統(tǒng)和方法可以補償這種蝕刻非均勻性。通過使投影圖像基于基板標識(引入的CD標識)和識別給定蝕刻室將如何蝕刻基板或已經(jīng)如何典型地蝕刻基板的數(shù)據(jù)兩者，然后所得到的是投影圖像以創(chuàng)建預(yù)偏置的CD，其使得在隨后的蝕刻過程期間能夠使CD標準化。作為非限制性示例，如果給定蝕刻系統(tǒng)在基板的中心部分中蝕刻得較多，并且在基板的邊緣部分中蝕刻得較少，則可以將投影的圖像配置成調(diào)節(jié)引入的CD并且使CD偏置使得與邊緣相比，在中心部分存在較大(或較小)的CD。然后，當對基板進行蝕刻時，引入的CD已經(jīng)由于蝕刻非均勻性，使得所得到的蝕刻產(chǎn)生跨基板的均勻的CD。

注意，諸如半導(dǎo)體晶片的基板通常放在或安裝在其背側(cè)表面上(背側(cè)表面面向地面)，而諸如涂覆、烘烤、光刻、顯影、蝕刻等的過程在相對的表面上進行。如此，工作表面通常面向上，因而是與背側(cè)表面相對的“上表面”。然后上表面是指與背側(cè)表面相對的表面，換言之，是指工作表面。在一些制造過程(例如電鍍)中，基板可以豎直地保持。在這種豎直配置中，工作表面面向側(cè)面，并且因此上表面面向側(cè)面，但仍然是上表面。

處理系統(tǒng)還可以包括被配置成識別基板的基于像素的CD標識的CD計量系統(tǒng)。圖像投影系統(tǒng)可以使用激光檢流計、數(shù)字光處理(DLP)裝置或光柵光閥(GLV)裝置以將圖像投影到基板的工作表面上?？梢允褂每梢酝ㄟ^位置調(diào)制光強度的任意圖像投影裝置。該系統(tǒng)可以包括被配置成在同一處理室中將液體組合物分散在基板的表面上的分散系統(tǒng)。該室可以定位在半導(dǎo)體制造工具內(nèi)，該半導(dǎo)體制造工具包括將液體分散在旋轉(zhuǎn)基板上的至少一個模塊，并且包括具有用于加熱基板的加熱機構(gòu)的至少一個模塊。這種工具有時被稱為涂覆機/顯影機。在另一實施方式中，該室被定位在半導(dǎo)體制造工具內(nèi)，該半導(dǎo)體制造工具包括被配置成將光致抗蝕劑分散在基板上的至少一個模塊、被配置成將顯影化學(xué)品分散在基板上的至少一個模塊、測量CD的至少一個模塊、以及被配置成烘烤基板的至少一個模塊，如圖8所示。其他系統(tǒng)可以實現(xiàn)為包括微鏡投影系統(tǒng)或基于像素的投影系統(tǒng)的掃描器/步進工具。這樣的實施方式可以被配置有為與光刻曝光堆疊分開的模塊，或者被定位成在光刻曝光期間將圖像投影在基板表面上的處理室。

在其他實施方式中，圖像投影系統(tǒng)被配置成將給定圖像逐行地投影到晶片的工作表面上。在另一實施方式中，圖像投影系統(tǒng)被配置成通過使用一個或更多個鏡將給定圖像投影到晶片的工作表面上，所述一個或更多個鏡被配置成使激光束跨工作表面移動并且改變指向基板的工作表面的每個像素的激光輻射的量。例如，這種圖像投影系統(tǒng)可以包括使用激光檢流計。圖像投影系統(tǒng)可以被配置成將給定圖像投影到基板的工作表面上小于例如30秒或60秒?？商孢x地，可以每秒多次將給定圖像投影到基板的工作表面上。例如，激光檢流計具有光柵掃描或基于光柵的投影機構(gòu)。這種基于光柵的投影可以包括逐行地跨基板表面投影激光束。投影速度可以在從約每秒幾百次到每幾秒或更長時間一次的范圍內(nèi)。當激光檢流計使給定激光束或UV光束跨基板移動時，激光束的強度可以在基板的工作表面上的每個像素位置或分辨率點處從零到100％變化。例如，聲光調(diào)制器可以用于調(diào)制在給定基板表面上的每個點位置處的光強度?？商孢x地，也可以改變在給定像素位置處的投影輻射的駐留時間以提供期望的光劑量。

另一實施方式包括用于處理基板的方法。該方法包括將基板定位在基板保持器上。定位基板可以包括將基板容納在半導(dǎo)體制造工具的模塊中。該半導(dǎo)體制造工具可以包括在基板上分散光致抗蝕劑的至少一個模塊。這樣的制造工具可以包括用于將基板在處理模塊之間自動移動的基板操作機構(gòu)。然后，光經(jīng)由被配置成隨位置改變投影的光的振幅的基于網(wǎng)格的光投影系統(tǒng)而被投影到基板的表面上。使用阻擋一部分光的掩?；蛑虚g掩模來執(zhí)行典型的光刻曝光，使得光的圖案到達基板表面。與此相反，基于網(wǎng)格的光投影系統(tǒng)將光投影為點的陣列或矩陣，其中，每個投影點都可以打開或關(guān)閉和/或在頻率或振幅方面變化。然后，投影的光根據(jù)基板上的位置通過在基板的表面上的基于基板標識變化的振幅而變化。將光投影到基板的表面上可以包括經(jīng)由激光檢流計或數(shù)字光處理(DLP)裝置將圖像投影到基板上。特定的投影圖像可以基于對應(yīng)于基板的屬性或基板上的特征的預(yù)定標識。這種標識可以包括關(guān)鍵尺寸標識、熱標識、光反射標識、表面能、X射線、微波等。生成的圖像可以基于對應(yīng)于基板的預(yù)定的或?qū)崟r測量的關(guān)鍵尺寸(CD)標識，或?qū)?yīng)于基板的預(yù)定的光刻曝光標識，這可以是光柵延遲或閃耀的結(jié)果。這樣的標識可以補償光柵掃描/曝光延遲和極紫外(EUV)閃耀。

注意，給定基板標識可以根據(jù)已經(jīng)由特定工具、成套工具、和/或處理序列處理過的先前基板來識別。換句話說，可以針對被處理的基板實時計算基板標識，或根據(jù)給定微制造過程的標識的重復(fù)圖案計算/觀察基板標識。這種重復(fù)圖案可能是由于所使用的特定工具和/或材料的制品導(dǎo)致的?；鍖傩钥梢园ü鈱W(xué)屬性、電學(xué)屬性、機械屬性、結(jié)構(gòu)高度、膜厚度、溫度等。

在一些實施方式中，激光檢流計或數(shù)字光處理裝置被配置成將獨立可尋址像素的圖像投影到基板的表面上。數(shù)字光處理裝置可以被配置成改變每個獨立可尋址像素的光強度。

另一實施方式包括一種處理基板的方法?；灞欢ㄎ辉谔幚硎覂?nèi)的基板保持器上。在基于基板標識生成基于像素的圖像的情況下，基于像素的圖像經(jīng)由數(shù)字控制的微鏡投影裝置被投影到基板的表面上?；蹇梢园ň哂泄夥磻?yīng)劑的層，使得所投影的基于像素的圖像使光反應(yīng)劑在基板的給定點位置處基于投影的光的振幅和/或波長對于基于像素的圖像起化學(xué)反應(yīng)。換句話說，投影的光的圖案可以有助于引起光反應(yīng)劑產(chǎn)生酸、堿或其他溶解性變化的材料。基板標識可以對應(yīng)于在基板表面上的溫度的預(yù)定的熱標識。投影基于像素的圖像可以包括通過每個投影像素改變光的強度、持續(xù)時間和波長。

在另一實施方式中，處理基板的方法包括：將基板定位在半導(dǎo)體制造工具的基板保持器上；使用位于基板保持器內(nèi)的加熱機構(gòu)對基板保持器上的基板進行加熱；以及通過使用數(shù)字控制微鏡投影裝置將基于像素的圖像投影到基板上來對基板的表面溫度進行空間調(diào)節(jié)。基于像素的圖像通過獨立可尋址像素來改變光的振幅，并且投影的基于像素的圖像基于基板的熱標識。

另一實施方式包括：容納具有使用嵌段共聚物的定向自組裝的膜的基板。使用數(shù)字光投影將圖像投影到基板膜上，使得圖像根據(jù)空間投影圖像來修改膜。施加嵌段共聚物的膜，并且自組裝被激活或啟動，使得共聚物組裝成基于空間投影的(基于像素的)圖像的圖案。

在前面的描述中，已經(jīng)闡述了具體的細節(jié)，例如處理系統(tǒng)的特定幾何形狀和其中使用的各種組件和過程的描述。然而，應(yīng)當理解的是，本文中的技術(shù)可以以脫離這些具體的細節(jié)的其他實施方式進行實踐，而這些細節(jié)是為了說明而不是限制的目的。本文所公開的實施方式已經(jīng)參照附圖進行了描述。類似地，為了說明的目的，已經(jīng)對具體的附圖標記、材料和配置進行了闡述，以便提供透徹的理解。然而，實施方式可以在沒有這些具體細節(jié)的情況下實踐。基本上具有相同的功能結(jié)構(gòu)的組件由相同的附圖標記來表示，因而可以省略任何多余的描述。

各種技術(shù)已經(jīng)被描述為多個分立操作以有助于理解各種實施方式。描述的順序不應(yīng)該被理解為暗示這些操作一定是順序相關(guān)的。實際上，這些操作不必以所呈現(xiàn)的順序執(zhí)行。所描述的操作可以以與所描述的實施方式不同的順序來執(zhí)行。在另外的實施方式中可以執(zhí)行各種另外的操作和/或可以省略所描述的操作。

如本文使用的“基板”或“目標基板”一般地指根據(jù)本發(fā)明的正在被處理的物體?；蹇梢园ㄑb置(特別是半導(dǎo)體或其他電子裝置)的任何材料部分或結(jié)構(gòu)，并且可以例如是基底基板結(jié)構(gòu)，如半導(dǎo)體晶片、中間掩?；蛟诨谆褰Y(jié)構(gòu)上或上覆蓋的層(如薄膜)。因此，基板不限于任何特定的基底結(jié)構(gòu)、下面的層或上覆蓋層、圖案化或未圖案化的，確切地說，是設(shè)想到包括任何這樣的層或基底結(jié)構(gòu)，以及層和/或基底結(jié)構(gòu)的任意組合。描述可以參考特定類型的基板，但是這僅是為了說明的目的。

本領(lǐng)域的技術(shù)人員還將理解，在仍實現(xiàn)本發(fā)明的相同的目的的情況下，可以存在對以上說明的技術(shù)的操作進行的許多變型。這樣的變型旨在由本公開內(nèi)容的范圍覆蓋。如此，本發(fā)明的實施方式的前述描述并不旨在是限制性的。確切地說，對本發(fā)明的實施方式的任何限制呈現(xiàn)在所附的權(quán)利要求中。