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一種基于多小孔缺陷直接耦合微腔的高性能光子晶體傳感器結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號:12457781閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種基于多小孔缺陷直接耦合微腔的高性能光子晶體傳感器結(jié)構(gòu)的實(shí)現(xiàn)方法,其特征在于:該光子晶體傳感器是基于空氣孔三角晶格二維光子晶體結(jié)構(gòu),即空氣孔硅介質(zhì)背景結(jié)構(gòu),其中硅的折射率為3.48;在光子晶體中引入一個(gè)多小孔結(jié)構(gòu)的缺陷微腔并與W1波導(dǎo)直接耦合構(gòu)成光子晶體傳感器。

2.根據(jù)權(quán)利1所述的實(shí)現(xiàn)方法,其特征在于光子晶體微腔的具體設(shè)計(jì)方法,即:將光子晶體中間一行兩側(cè)的空氣孔移除只剩中間的七個(gè),兩側(cè)形成W1波導(dǎo),在最中心的空氣孔與其周圍六個(gè)空氣孔構(gòu)成的六個(gè)等邊三角形中心的位置分別放置一個(gè)小空氣孔,其半徑遠(yuǎn)小于晶格常數(shù),最后將最中心的空氣孔移除,形成多小孔缺陷腔。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光子晶體傳感器,其特征在于:所述光子晶體結(jié)構(gòu)包含的空氣柱陣列大小為11×23,結(jié)構(gòu)尺寸僅為5μm×10.5μm,該傳感器結(jié)構(gòu)尺寸小,利于集成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光子晶體傳感器,其特征在于:改變六個(gè)小孔的半徑,可調(diào)節(jié)多小孔缺陷腔的品質(zhì)因數(shù)Q。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光子晶體傳感器,其特征在于:改變中間兩側(cè)的第二個(gè)空氣孔向左右兩邊移動距離L,可調(diào)節(jié)多小孔缺陷腔的品質(zhì)因數(shù)Q。

6.如權(quán)利要求1所述的一種光子晶體傳感器的傳感方法,其特征在于:通過在缺陷腔中引入多個(gè)小孔,增加缺陷腔區(qū)域的表面積,進(jìn)而增加缺陷腔的品質(zhì)因數(shù)Q和靈敏度S,達(dá)到增加傳感器性能FOM的目的。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種光子晶體傳感器的傳感方法,其特征在于:采用所述的光子晶體傳感器進(jìn)行傳感時(shí),傳感器多小孔缺陷腔的品質(zhì)因數(shù)Q最高可達(dá)71881,靈敏度可達(dá)236nm/RIU,性能參數(shù)FOM高達(dá)11238。

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