技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于傳感器領(lǐng)域，并公開了一種基于微電子機(jī)械系統(tǒng)的光子晶體納米流體傳感器，包括光刻膠層、硅晶片基底、第一折射率材料薄膜層、第二折射率材料薄膜層和聚合物材料封接層，所述第二折射率材料薄膜層的頂端設(shè)置有方波形的光柵結(jié)構(gòu)，所述光柵結(jié)構(gòu)包括多個通槽和多個凸起并且它們交替排列，所述光刻膠層、硅晶片基底、第一折射率材料薄膜層和第二折射率材料薄膜層共同構(gòu)成傳感器基體層，所述傳感器基體層上設(shè)置有進(jìn)流口和出流口本。本傳感器為基于光子晶體的納米流體傳感器，成功解決了傳統(tǒng)的光子晶體傳感器消耗檢測物過多、檢測時間長、測試精度不高的問題，同時，也消除了傳統(tǒng)納米流體傳感器功能單一、結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定、通道少的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：陳幼平;彭望;艾武;張代林;張岡;謝經(jīng)明
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華中科技大學(xué)
文檔號碼：201611073288
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.29
技術(shù)公布日：2017.05.10