本公開是關(guān)于一種光刻方法。

背景技術(shù)：

在集成電路(ic)制造中，圖案化光刻膠層用來將具有細(xì)小特征尺寸的設(shè)計圖案從掩模轉(zhuǎn)移至晶片。光刻膠為感光材料且可被光刻過程圖案化。此外，光刻膠層提供對于蝕刻或離子植入的阻抗，因此需要足夠的厚度。當(dāng)ic技術(shù)持續(xù)地發(fā)展以產(chǎn)生更小的特征尺寸，例如縮小至32納米、28納米、20納米或更小，厚度將因為阻抗的需求而無法再微縮化。足以涵蓋更厚光刻膠的聚焦深度將降低影像分辨率。可使用多膜光刻膠以克服上述的挑戰(zhàn)。然而，雖然各種此類多膜光刻膠通常已足以達(dá)到所欲之目的，但并非在每個方面都十分令人滿意。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本公開提供一種方法的各種實施例，以形成交聯(lián)層，其可同時保護(hù)覆蓋基底/層，且被移除時不會導(dǎo)致覆蓋基底/層的損壞。在一實施例中，方法包括：形成交聯(lián)層于基底上方；藉由使用輻射源以處理交聯(lián)層，從而減少交聯(lián)層的分子量；以及藉由使用一溶液以移除具有減少的分子量的交聯(lián)層。

在另一實施例中，方法包括形成交聯(lián)層于基底上方；形成圖案化層于交聯(lián)層上方；藉由使用圖案化層作為掩模以圖案化交聯(lián)層及基底；藉由使用輻射源來處理交聯(lián)層，從而減少交聯(lián)層的分子量；以及藉由使用一溶液以移除具有減少的分子量的交聯(lián)層。

在又一實施例中，方法包括：提供基底；形成交聯(lián)層于基底上方，其中交聯(lián)層與基底接觸；形成圖案化層于交聯(lián)層上方；藉由使用圖案化層作為掩模，以形成圖案于交聯(lián)層及基底中；藉由使用輻射源來處理交聯(lián)層，以將交聯(lián)層轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂袦p少的分子量的去交聯(lián)層；以及藉由使用不會導(dǎo)致基底損壞的溶液以移除去交聯(lián)層。

附圖說明

以下將配合所附附圖詳述本公開的實施例，應(yīng)注意的是，依照工業(yè)上的標(biāo)準(zhǔn)實施，以下附圖并未按照比例繪制，事實上，可能任意的放大或縮小元件的尺寸以便清楚表現(xiàn)出本公開的特征。而在說明書及附圖中，除了特別說明外，同樣或類似的元件將以類似的符號表示。

圖1為根據(jù)本公開各種實施例，使用交聯(lián)層來制造半導(dǎo)體裝置的方法的流程圖。

圖2a、2b、2c、2d、2e、2f及2g為根據(jù)本公開一些實施例，例示性半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在各個制造階段的剖面圖。

圖3a及3b為根據(jù)本公開一些實施例，分別繪示經(jīng)由處理的交聯(lián)層及去交聯(lián)層的圖解實例。

圖4a及4b為根據(jù)本公開一些實施例，分別繪示經(jīng)由處理的交聯(lián)層及去交聯(lián)層的圖解實例。

圖5a及5b為根據(jù)本公開一些實施例，分別繪示經(jīng)由處理的交聯(lián)層及去交聯(lián)層的圖解實例。

其中，附圖標(biāo)記說明如下：

方法100

操作102

操作104

操作106

操作108

操作110

操作112

操作114

半導(dǎo)體裝置200

基底202

可交聯(lián)層204

交聯(lián)層205

圖案化層206

處理207

開口208

處理209

圖案210

聚合物主鏈302

聚合物主鏈304

光可裂解官能基306

光可裂解鍵306a

光可裂解鍵306b

交聯(lián)劑308

片段310

片段312

片段314

聚合物主鏈402

聚合物主鏈404

光可裂解交聯(lián)劑406

光可裂解鍵406a

光可裂解鍵406b

聚合物主鏈410

聚合物主鏈412

聚合物主鏈414

聚合物主鏈502

聚合物主鏈504

光可裂解官能基506

光可裂解鍵506a

光可裂解鍵506b

光可裂解官能基507

光可裂解鍵507a

光可裂解鍵507b

交聯(lián)劑508

聚合物主鏈510

聚合物主鏈514

具體實施方式

以下提供許多不同的實施方法或是例子來實行各種實施例的不同特征。以下描述具體的元件及其排列的例子以闡述本公開。當(dāng)然這些僅是例子且不該以此限定本公開的范圍。例如，在描述中提及第一個元件形成一第二個元件上時，其可以包括第一個元件與第二個元件直接接觸的實施例，也可以包括有其他元件形成于第一個元件與第二個元件之間的實施例，其中第一個元件與第二個元件并未直接接觸。此外，在不同實施例中可能使用重復(fù)的標(biāo)號或標(biāo)示，這些重復(fù)僅為了簡單清楚地敘述本公開，不代表所討論的不同實施例及/或結(jié)構(gòu)之間有特定的關(guān)系。

隨著光刻特征縮小，例如低于40納米(nm)，需要高數(shù)值孔徑工藝以克服分辨率限制。多層光刻膠(例如：雙層及/或三層光刻膠堆迭)的使用在這方面似乎是具有發(fā)展前景的。具體而言，此類多層光刻膠通常包括可交聯(lián)層(cross-linkablelayer)，其直接位于覆蓋基底上方并與其接觸。可交聯(lián)層在被交聯(lián)之后，可作為覆蓋基底的保護(hù)層。在一實例中，可交聯(lián)層通常包括多個成分(例如聚合物鏈)，其中每個成分能夠經(jīng)由處理而彼此互連。在此類處理(即：不同聚合物鏈的互連)之后，可交聯(lián)層可變成交聯(lián)層(cross-linkedlayer)，且該交聯(lián)層可因此具有顯著增加的分子量。由于增加的分子量，故交聯(lián)層可配置以保護(hù)覆蓋基底(例如：防止光刻膠混入基底中，特別是在加熱及/或鍛燒處理期間)。通常，使用等離子蝕刻(具有高能量)及/或強溶液(例如強酸、堿、氧化劑)以移除此類交聯(lián)層，其可能導(dǎo)致覆蓋基底的損壞。因此，本公開提供處理此類交聯(lián)層的方法，從而使該交聯(lián)層可利用溫和溶液來移除。如此一來，被交聯(lián)層覆蓋的基底(或?qū)?可不受到傳統(tǒng)方法的損壞。

圖1為根據(jù)本公開的各方面，圖案化基底(例如半導(dǎo)體晶片)的方法100的流程圖。方法100可全部或部分藉由采用深紫外(deepultraviolet,duv)、極紫外(extremeultraviolet,euv)光刻、電子束(e-beam)光刻、x射線(x-ray)光刻及/或其他光刻工藝的系統(tǒng)來執(zhí)行，以提高圖案尺寸準(zhǔn)確性?？梢杂诜椒?00之前、期間及之后提供額外的操作，且一些所述操作在此方法的額外的實施例中可以被取代、刪除或移動。

方法100與圖2a、2b、2c、2d、2e、2f、2g一同描述于下方，其中半導(dǎo)體裝置200為藉由使用方法100的實施例來制造。半導(dǎo)體裝置200可為在ic處理或其部分期間所制造的中間裝置，其可包括靜態(tài)隨機存取存儲器(staticrandomaccessmemory,sram)及/或其他邏輯電路；無源元件，例如電阻器、電容器及電感器；以及有源元件，例如p型場效應(yīng)晶體管(p-typefieldeffecttransistor,pfets)、n型場效應(yīng)晶體管(n-typefieldeffecttransistor,nfets)、鰭式場效應(yīng)晶體管(fin-likefieldeffecttransistor,finfets)、其它三維(3d)場效應(yīng)晶體管(fets)、金氧半場效應(yīng)晶體管(metal-oxidesemiconductorfieldeffecttransistors,mosfet)、互補金氧半(complementarymetal-oxidesemiconductor,cmos)導(dǎo)體、雙極性晶體管(bipolartransistor)、高電壓晶體管(highvoltagetransistor)、高頻晶體管(highfrequencytransistor)、其他存儲元件及/或上述組合。

請參照圖1與圖2a，方法100開始于操作102，提供半導(dǎo)體裝置200的基底202。在本實施例中，半導(dǎo)體裝置200為半導(dǎo)體晶片。在一些實施例中，半導(dǎo)體裝置200包括半導(dǎo)體基底202，例如硅基底。在一些實施例中，基底202可包括另一元素半導(dǎo)體，例如鍺或鉆石。基底202可包化合物半導(dǎo)體，例如碳化硅、砷化鎵、砷化銦及磷化銦?；?02可包括合金半導(dǎo)體，例如硅鍺、碳化硅鍺、磷化鎵砷及磷化鎵銦?；?02可包括一或多個磊晶半導(dǎo)體層，例如磊晶生長于半導(dǎo)體基底上的半導(dǎo)體層。舉例來說，基底可具有上覆于塊狀半導(dǎo)體的磊晶層。再者，基底可應(yīng)變以提高性能。舉例來說，磊晶層可包括不同于塊狀半導(dǎo)體的半導(dǎo)體材料，例如：藉由包括選擇性磊晶生長(selectiveepitaxialgrowth,seg)工藝所形成的上覆于塊狀硅的硅鍺層或上覆于塊狀硅鍺的硅層。此外，基底202可包括絕緣體上半導(dǎo)體(semiconductor-on-insulator,soi)基底。舉例來說，基底可包括藉由諸如以氧離子植入硅晶隔離法(separationbyimplantedoxygen,simox)來分離的工藝所形成的埋藏氧化物層(buriedoxidelayer,box)。在其他實施例中，基底202可包括玻璃，例如在薄膜晶體管(thinfilmtransistor,tft)技術(shù)中。

請參照圖1與圖2b，方法100繼續(xù)至操作104，形成可交聯(lián)層204于基底202上方。半導(dǎo)體裝置200亦可包括其他材料層及其他電路圖案。舉例來說，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200可包括形成于半導(dǎo)體基底202中的各種摻雜特征，例如摻雜井結(jié)構(gòu)(例如：p型摻雜井及n型摻雜井)。在其他實施例中，半導(dǎo)體裝置200更可包括一或多個欲進(jìn)行圖案化的材料層(藉由蝕刻以移除或藉由離子注入以導(dǎo)入摻質(zhì))，例如包括：欲進(jìn)行圖案化的介電層，用以形成導(dǎo)線的溝槽或形成接觸件或?qū)椎目锥矗挥M(jìn)行圖案化的柵極材料堆迭，用以形成柵極；及/或欲進(jìn)行圖案化的半導(dǎo)體材料，用以形成隔離溝槽。在其他實施例中，諸如砷化鎵(gaas)及砷化鋁鎵(algaas)的多重半導(dǎo)體材料層磊晶生長于半導(dǎo)體基底上，且被圖案化以形成各種裝置，例如發(fā)光二極管(led)。在一些其他實施例中，半導(dǎo)體裝置200包括形成有或形成于其上的鰭式有源區(qū)及三維鰭式場效應(yīng)晶體管(finfets)。

請參照圖2b，在一些實施例中，形成可交聯(lián)層204(即操作104)的步驟可包括旋轉(zhuǎn)涂布工藝。一般而言，可交聯(lián)層包括聚合物、添加劑、溶劑。在一些實施例中，添加劑可包括交聯(lián)官能基(例如：羥基、烯基、炔基及/或環(huán)氧基)，其配置以提供交聯(lián)鍵并連接成分(例如聚合物)、交聯(lián)劑(例如同雙功能(homobifunctional)/異雙功能(heterobifunctional)交聯(lián)劑)、交聯(lián)催化劑及/或光可裂解交聯(lián)劑?？山宦?lián)層的細(xì)節(jié)將討論于下方。

請參照圖1與圖2c，方法100繼續(xù)至操作106，處理(207)可交聯(lián)層204以形成交聯(lián)層205。在一些實施例中，處理207可包括使用電磁波、加熱工藝及/或化學(xué)反應(yīng)。在一實例中，可使可交聯(lián)層204變成交聯(lián)層205的電磁波可包括無線電波、微波、紅外光、可見光及/或紫外光。此外，可直接地施用電磁波至可交聯(lián)層204持續(xù)約1秒至約100秒。在另一實例中，加熱工藝可包括烘烤基底202于升高的溫度下(例如約22℃至約400℃)。在又一實施例中，化學(xué)反應(yīng)可包括施用化學(xué)溶液，例如酸、堿、氧化劑、還原劑、親核劑及/或親電子劑，其中所施用的化學(xué)溶液的量為約0.01％至約30％。

請繼續(xù)參照圖2c，在處理207之后，交聯(lián)層205的分子量明顯高于可交聯(lián)層204的分子量(即在處理207之前)。舉例來說，分子量可從1000道爾頓(daltons)變成5000道爾頓(daltons)、從1000道爾頓(daltons)變成200000道爾頓(daltons)、從3000道爾頓(daltons)變成500000道爾頓(daltons)。如上所述，分子量的顯著增加可有利地防止設(shè)置于基底上方的任何各種層混入基底之中。

請回頭參照圖1，方法100繼續(xù)至操作108，如圖2d所示，形成圖案化層206于交聯(lián)層205上方。在一實施例中，藉由多個工藝以形成圖案化層206，包括：旋轉(zhuǎn)涂布液態(tài)聚合物材料于交聯(lián)層205上、軟烘烤過程、曝光過程、后曝光烘烤過程、顯影過程及硬烘烤過程。在一實施例中，圖案化層206為輻射敏感層，例如包含i-線光刻膠(i-lineresist)的光刻膠、包含氟化氪(krf)光刻膠及氟化氬(arf)光刻膠的深紫外(duv)光刻膠、極紫外(euv)光刻膠、電子束(e-beam)光刻膠及離子束光刻膠。因此，曝光過程可包括在光刻系統(tǒng)中，利用掩模將光刻膠層曝光至輻射束，以形成包括圖案(例如：如圖2d所示的開口208)的圖案化層206。輻射束可為i-線(i-line)(365nm)、諸如氟化氪(krf)準(zhǔn)分子激光(excimerlaser)(248nm)或氟化氬(arf)準(zhǔn)分子激光(193nm)的深紫外(duv)輻射、極紫外(euv)輻射(例如13.5nm)、電子束(e-beam)、x射線(x-ray)、離子束及/或其他合適的輻射。

在一些替代的實施例中，在形成圖案化層206于交聯(lián)層205上方之前，可具有中間層形成于圖案化層206與交聯(lián)層205之間。具體而言，中間層可為硬掩模層。此類硬掩模層可為硅基(silicon-based)硬掩模層，或在一些特定實施例中，硬掩模層可為含金屬的硅基硬掩模層。

請參照圖1與圖2e，方法100繼續(xù)至操作110，使用圖案化層206作為掩模，形成圖案210于交聯(lián)層205及基底202中。圖案210的形成可包括至少一或多個以下過程：干蝕刻過程、濕蝕刻過程及顯影過程。在一些實施例中，在形成圖案210之后，可從交聯(lián)層205上移除圖案化層206。

請繼續(xù)參照圖1，方法100繼續(xù)至操作112，處理交聯(lián)層205(如圖2f所示的處理209)以減少增加的分子量。處理209可包括將交聯(lián)層205曝光至輻射源。根據(jù)各個實施例，輻射源可為紫外(ultraviolet,uv)光源。本實施例提供各種方法以藉由使用處理過程(例如：在此所描述的uv固化過程)將交聯(lián)層去交聯(lián)(de-crosslink)。當(dāng)交聯(lián)層去交聯(lián)時可提供各種優(yōu)勢。交聯(lián)層的目的是作為保護(hù)層于覆蓋基底上方。然而，此類交聯(lián)層由于其分子量而難以被移除。因此，傳統(tǒng)方法通常使用相對較強的蝕刻工藝(例如：等離子蝕刻工藝)及/或強溶液以移除交聯(lián)層，其結(jié)果可能會導(dǎo)致基底的損壞。相較之下，本公開藉由在移除交聯(lián)層之前先去交聯(lián)，而避免使用傳統(tǒng)的方法來移除交聯(lián)層。圖3a及3b、圖4a及4b及圖5a及5b分別顯示交聯(lián)層如何經(jīng)由處理(例如：uv固化處理209)以轉(zhuǎn)變?yōu)槿ソ宦?lián)層的圖解實例。

請參照圖3a，在一些實施例中，交聯(lián)層205可包括第一聚合物鏈(包括聚合物主鏈302)、第二聚合物鏈(包括聚合物主鏈304)、光可裂解官能基306及交聯(lián)劑308。如圖3a所示，兩個聚合物鏈可經(jīng)由交聯(lián)劑308以聯(lián)結(jié)(linked)/連接(connected)/交聯(lián)(cross-linked)，且光可裂解官能基306埋置于聚合物主鏈302及304中。更具體地，光可裂解官能基306提供光可裂解鍵306a以連接其本身至聚合物主鏈302的一原子，且提供另一光可裂解鍵306b以連接其本身至聚合物主鏈302的另一原子。相似地，可具有一個以上的光可裂解官能基，配置以連接特定聚合物主鏈的任意兩個原子。此類光可裂解官能基306可經(jīng)由輻射(例如：uv固化處理209)以把鍵斷開(例如：光可裂解鍵306a及光可裂解鍵306b)。舉例來說，在處理(209)交聯(lián)層205之后，光可裂解官能基306可斷開其對聚合物主鏈的原子的鍵結(jié)，故聚合物主鏈可被分成多個片段。如圖3b所示，在光可裂解官能基306斷開其對聚合物主鏈的原子的鍵結(jié)之后，提供了片段310、312及314。包括這些片段的層在下方可被稱為"去交聯(lián)(de-crosslinked)"層。于是，相較于交聯(lián)層的較大的分子量，去交聯(lián)層可含有較小的分子量。

請參照圖4a，在一些實施例中，交聯(lián)層205可包括第一聚合物鏈(包括聚合物主鏈402)、第二聚合物鏈(包括聚合物主鏈404)、光可裂解交聯(lián)劑406。如圖4a所示，兩個聚合物鏈可經(jīng)由光可裂解交聯(lián)劑406以聯(lián)結(jié)(linked)/連接(connected)/交聯(lián)(cross-linked)。更具體地，光可裂解交聯(lián)劑406提供光可裂解鍵406a以連接其本身至聚合物主鏈402的一原子，且提供另一光可裂解鍵406b以連接其本身至聚合物主鏈404的另一原子。相似地，可具有一個以上的光可裂解交聯(lián)劑，配置以連接任意兩個聚合物主鏈。此類光可裂解交聯(lián)劑406可經(jīng)由輻射(例如：uv固化處理209)以把鍵斷開(例如：光可裂解鍵406a及光可裂解鍵406b)。舉例來說，在處理(209)交聯(lián)層205之后，光可裂解交聯(lián)劑406可斷開其對兩個聚合物主鏈的每個原子的鍵結(jié)，故兩個聚合物主鏈可被斷開/去交聯(lián)。如圖4b所示，在光可裂解交聯(lián)劑406斷開其對兩個聚合物主鏈402及404的原子的鍵結(jié)之后，聚合物主鏈410及414被斷開。在一些實施例中，聚合物主鏈410可相似于或不同于聚合物主鏈402；聚合物主鏈414可相似于或不同于聚合物主鏈404。在一些實施例中，包括這些斷開的聚合物主鏈的層亦可被稱為"去交聯(lián)(de-crosslinked)"層。于是，相較于交聯(lián)層的較大的分子量，去交聯(lián)層可含有較小的分子量。

請參照圖5a，在一些實施例中，交聯(lián)層205可包括第一聚合物鏈(包括聚合物主鏈502)、第二聚合物鏈(包括聚合物主鏈504)、光可裂解官能基506及交聯(lián)劑508。如圖5a所示，兩個聚合物鏈可經(jīng)由交聯(lián)劑508以聯(lián)結(jié)(linked)/連接(connected)/交聯(lián)(cross-linked)，再者，每個交聯(lián)劑508經(jīng)由兩個光可裂解官能基506及507連接其本身至兩個聚合物主鏈502及504。更具體地，兩個光可裂解官能基之一506提供光可裂解鍵506a以連接其本身至聚合物主鏈502的一原子，且提供另一光可裂解鍵506b以連接其本身至交聯(lián)劑508。相似地，前述兩個光可裂解官能基中的另一個507經(jīng)由兩個光可裂解鍵507a及507b連接其本身至交聯(lián)劑508及另一聚合物主鏈504。此類光可裂解官能基506及507可經(jīng)由輻射(例如：uv固化處理209)以把鍵斷開(例如：光可裂解鍵506a、光可裂解鍵506b、光可裂解鍵507a及光可裂解鍵507b)。舉例來說，在處理(209)交聯(lián)層205之后，光可裂解官能基506可斷開其光可裂解鍵506a及光可裂解鍵506b。此外，光可裂解官能基507可斷開其光可裂解鍵507a及光可裂解鍵507b。因此，如圖5b所示，兩個聚合物主鏈可被斷開/去交聯(lián)。如圖5b所示，在光可裂解鍵506a、506b、507a及507b斷開之后，聚合物主鏈510及514被斷開。在一些實施例中，聚合物主鏈510可相似于或不同于聚合物主鏈502；聚合物主鏈514可相似于或不同于聚合物主鏈504。在一些實施例中，包括這些斷開的聚合物主鏈層亦可被稱為"去交聯(lián)(de-crosslinked)"層。于是，相較于交聯(lián)層的較大的分子量，去交聯(lián)層可含有較小的分子量。

請參照圖1及圖2g，方法100繼續(xù)至操作114，藉由使用不會損壞基底202的溶液來移除去交聯(lián)層205。在一些實施例中，此類移除過程可包括施用溫和溶液于基底202上，其中該溶液包括有機溶劑及/或水溶液。有機溶劑包括：二甲基亞砜(dimethylsulfoxide,dmso)、四氫呋喃(tetrahydrofuran,thf)、丙二醇甲醚(propyleneglycolmethylether,pgme)、丙二醇甲醚乙酸酯(propyleneglycolmethyletheracetate,pgmea)、乙醇、丙醇、丁炔醇、甲醇、乙烯、乙二醇、γ-丁內(nèi)酯(gamabutylactone)、n-甲基-2-吡咯烷酮(n-methyl-2-pyrrolidone,nmp)、烷基亞砜(alkylsulfoxide)；羧酸酯、羧酸、醇、乙二醇、醛、酮、酸酐、內(nèi)酯、鹵化烷烴、非鹵化烷烴、支鏈烷烴、非支鏈烷烴、環(huán)烷烴、非環(huán)烷烴、飽和烷烴、非飽和烷烴或上述組合；水溶液包括：氯化氫(hcl)，硫酸(h2so4)、硝酸(hno3)、氟化氫(hf)、磷酸、四甲基氫氧化銨(tetramethylammoniumhydroxide,tmah)、過氧化氫(h2o2)、臭氧(o3)、聚烷氧基(polyalkyoxide)、氟烷基鹽(fluoroalkylsalt)、乙二胺、乙二胺四乙酸(ethylenediaminetetraaceticacid,edta)、二硫甘油(dimercaprol)或上述組合。再者，當(dāng)施用溶液于基板上以移除去交聯(lián)層205時，可使用列示于下方的一或多個條件：操作溫度為約室溫至150℃及操作壓力為約0.9atm至10atm。上述溶液(有機溶液、無機溶液、水溶液或上述組合)在本領(lǐng)域中被認(rèn)為是溫和溶液，故本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)可此類溫和溶液不會導(dǎo)致基底的損壞。

本公開提供一種方法的各種實施例，以形成交聯(lián)層，其可同時保護(hù)覆蓋基底/層，且被移除時不會導(dǎo)致覆蓋基底/層的損壞。在一實施例中，方法包括：形成交聯(lián)層于基底上方；藉由使用輻射源以處理交聯(lián)層，從而減少交聯(lián)層的分子量；以及藉由使用一溶液以移除具有減少的分子量的交聯(lián)層。

在另一實施例中，方法包括形成交聯(lián)層于基底上方；形成圖案化層于交聯(lián)層上方；藉由使用圖案化層作為掩模以圖案化交聯(lián)層及基底；藉由使用輻射源來處理交聯(lián)層，從而減少交聯(lián)層的分子量；以及藉由使用一溶液以移除具有減少的分子量的交聯(lián)層。

在又一實施例中，方法包括：提供基底；形成交聯(lián)層于基底上方，其中交聯(lián)層與基底接觸；形成圖案化層于交聯(lián)層上方；藉由使用圖案化層作為掩模，以形成圖案于交聯(lián)層及基底中；藉由使用輻射源來處理交聯(lián)層，以將交聯(lián)層轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂袦p少的分子量的去交聯(lián)層；以及藉由使用不會導(dǎo)致基底損壞的溶液以移除去交聯(lián)層。

前述內(nèi)文概述了許多實施例的特征，使本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以更佳的了解本公開的各個方面。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該可理解，他們可以很容易的以本公開為基礎(chǔ)來設(shè)計或修飾其它工藝及結(jié)構(gòu)，并以此達(dá)到相同的目的及/或達(dá)到與本公開介紹的實施例相同的優(yōu)點。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員也應(yīng)該了解這些相等的結(jié)構(gòu)并不會背離本公開的發(fā)明精神與范圍。本公開可以作各種改變、置換、修改而不會背離本公開的發(fā)明精神與范圍。