本發(fā)明的實(shí)施例涉及用于先進(jìn)光刻的薄膜組件和方法。

背景技術(shù)：

在半導(dǎo)體集成電路(ic)工業(yè)中，ic材料和設(shè)計(jì)的技術(shù)進(jìn)步已經(jīng)產(chǎn)生了多代ic，其中，每一代都具有比前一代更小且更復(fù)雜的電路。在ic演進(jìn)的過(guò)程中，功能密度(即，每一芯片面積上互連器件的數(shù)量)已普遍增加，而幾何尺寸(即，使用制造工藝可產(chǎn)生的最小組件或線)有所降低。這種按比例縮小工藝通常通過(guò)增加產(chǎn)量效率和降低相關(guān)成本來(lái)提供很多益處。這樣的按比例縮小還增大了處理和制造ic的復(fù)雜程度。

光刻工藝形成了用于各種圖案化工藝的圖案化的光刻膠層，諸如，蝕刻或離子注入?？赏ㄟ^(guò)這樣的光刻工藝圖案化的最小部件尺寸受到投射的輻射源的波長(zhǎng)的限制。光刻機(jī)器已經(jīng)經(jīng)歷了從使用具有365納米的波長(zhǎng)的紫外光至使用包括248納米的氟化氪激光(krf激光)和193納米的氟化氬激光(arf激光)的深紫外(duv)光，以及至使用波長(zhǎng)為13.5納米的遠(yuǎn)紫外(euv)光，在各個(gè)階段提高了分辨率。

在光刻工藝中，使用了光掩模(或掩模)。掩模包括襯底和限定在光刻工藝期間將被轉(zhuǎn)印至半導(dǎo)體襯底的集成電路的圖案化的層。該掩模通常包括有薄膜組件，共同稱為掩模系統(tǒng)。薄膜組件包括透明薄膜和薄膜框架，其中，該膜安裝在薄膜框架上方。薄膜保護(hù)掩模免受掉落的顆粒的影響且保持顆粒遠(yuǎn)離焦點(diǎn)，從而它們不產(chǎn)生圖案化的圖像，這在使用掩模時(shí)可能造成缺陷。膜通常被拉伸且安裝在薄膜框架上方，且通過(guò)膠或其它粘合劑附接至薄膜框架?？梢酝ㄟ^(guò)掩模、膜以及薄膜框架形成內(nèi)部空間。平衡內(nèi)部壓力和外部壓力之間的壓力差中的缺陷可造成膜變得扭曲、起皺、折斷、或其它損壞，從而導(dǎo)致掩模薄膜系統(tǒng)無(wú)法使用。因此，用于制造掩模薄膜系統(tǒng)的現(xiàn)有的技術(shù)尚未證明在各個(gè)方面都是完全令人滿意的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種用于半導(dǎo)體光刻工藝的裝置，包括：薄膜，具有導(dǎo)熱表面；多孔薄膜框架，其中，所述多孔薄膜框架包括從所述多孔薄膜框架的外表面連續(xù)延伸至所述多孔薄膜框架的內(nèi)表面的多個(gè)孔道；以及導(dǎo)熱粘合層，將所述薄膜固定至所述多孔薄膜框架。

本發(fā)明的另一實(shí)施例提供了一種用于制造用于光刻工藝的薄膜組件的方法，包括：制造具有可調(diào)節(jié)孔尺寸的多孔薄膜框架；形成具有導(dǎo)熱表面的薄膜；以及使用導(dǎo)熱粘合材料，將所述薄膜附接至所述薄膜框架，從而由所述薄膜框架懸置所述薄膜。

本發(fā)明的又一實(shí)施例提供了一種用于光刻工藝的方法，包括：提供薄膜裝置，其中，所述薄膜裝置包括具有導(dǎo)熱表面的膜和多孔薄膜框架，所述薄膜框架通過(guò)導(dǎo)熱粘合材料固定橫跨所述薄膜框架的所述膜；將所述薄膜裝置安裝至掩模上，其中，所述掩模包括圖案化的表面；將具有安裝在所述掩模上的所述薄膜裝置的所述掩模加載至光刻系統(tǒng)且將半導(dǎo)體晶圓加載至所述光刻系統(tǒng)的襯底工作臺(tái)上；以及實(shí)施光刻曝光工藝以將所述圖案化的表面的圖案從所述掩模轉(zhuǎn)印至所述半導(dǎo)體晶圓。

附圖說(shuō)明

當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí)，根據(jù)下面詳細(xì)的描述可以更好地理解本發(fā)明的實(shí)施例。應(yīng)該強(qiáng)調(diào)的是，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，對(duì)各種部件沒(méi)有按比例繪制并且僅僅用于說(shuō)明的目的。實(shí)際上，為了清楚的討論，各種部件的尺寸可以被任意增大或縮小。

圖1是根據(jù)一些實(shí)施例的光刻系統(tǒng)的示意圖。

圖2是根據(jù)一些實(shí)施例的掩模的截面圖。

圖3a、圖3b和圖3c分別是根據(jù)一些實(shí)施例的掩模薄膜系統(tǒng)的頂視圖、立體圖和沿著線a-a’的截面圖。

圖4是根據(jù)一些實(shí)施例的薄膜的截面圖。

圖5是根據(jù)一些實(shí)施例的薄膜框架的局部截面圖。

圖6a、圖6b和圖6c是根據(jù)一些實(shí)施例的在各個(gè)制造階段的薄膜框架的多孔材料的示意圖。

圖7是根據(jù)一些實(shí)施例的具有由此接合在一起的兩個(gè)部件的導(dǎo)熱粘合層的截面圖。

圖8是根據(jù)一些實(shí)施例構(gòu)建的導(dǎo)熱粘合層與熱導(dǎo)率和填料用量之間的關(guān)系的示意圖。

圖9是根據(jù)一些實(shí)施例構(gòu)建的粘合材料的示意圖。

圖10是根據(jù)一些實(shí)施例構(gòu)建的方法的流程圖。

圖11是根據(jù)一些其它實(shí)施例構(gòu)建的方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

以下公開(kāi)內(nèi)容提供了許多用于實(shí)現(xiàn)所提供主題的不同特征的不同實(shí)施例或?qū)嵗?。下面描述了組件和布置的具體實(shí)例以簡(jiǎn)化本發(fā)明。當(dāng)然，這些僅僅是實(shí)例，而不旨在限制本發(fā)明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成為直接接觸的實(shí)施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之間可以形成額外的部件，從而使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實(shí)施例。此外，本發(fā)明可在各個(gè)實(shí)例中重復(fù)參考標(biāo)號(hào)和/或字母。該重復(fù)是為了簡(jiǎn)單和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個(gè)實(shí)施例和/或配置之間的關(guān)系。

而且，為便于描述，在此可以使用諸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)，以便于描述如圖所示的一個(gè)元件或部件與另一個(gè)(或另一些)元件或部件的關(guān)系。除了圖中所示的方位外，空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。裝置可以以其他方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或在其他方位上)，而在此使用的空間相對(duì)描述符可以同樣地作相應(yīng)的解釋。

圖1中示出的是根據(jù)一些實(shí)施例的光刻系統(tǒng)100的示意圖。光刻系統(tǒng)100還可以一般地稱為掃描儀，該掃描儀可操作地以相應(yīng)的輻射源和特定的曝光模式實(shí)施包括曝光的光刻工藝。在至少一些實(shí)施例中，光刻系統(tǒng)100包括設(shè)計(jì)為通過(guò)euv光曝光光刻膠層的遠(yuǎn)紫外(euv)光刻系統(tǒng)。因?yàn)?，在各個(gè)實(shí)施例中，光刻膠層包括對(duì)euv光(例如，euv光刻膠)敏感的材料。圖1的光刻系統(tǒng)100包括多個(gè)子系統(tǒng)，諸如輻射源102、照明器104、配置為接收掩模108的掩模臺(tái)106、投影光學(xué)組件110、以及配置為接收半導(dǎo)體襯底116的襯底工作臺(tái)118。光刻系統(tǒng)100的操作的總體描述可如下給出：來(lái)自輻射源102的euv光被導(dǎo)向照明器104(包括一組反射鏡)且投射至反射掩模108上。反射的掩模圖像被導(dǎo)向投影光學(xué)組件110，該投影光學(xué)組件110聚焦euv光和投射euv光至半導(dǎo)體襯底116上以曝光沉積在其上的euv光刻膠層。附加地，在各個(gè)實(shí)例中，光刻系統(tǒng)100的每個(gè)子系統(tǒng)可被容納在高真空環(huán)境中，并且因此在高真空環(huán)境內(nèi)操作，例如，以減小euv光的大氣吸收。

在本文中描述的實(shí)施例中，可以使用輻射源102以生成euv光。在一些實(shí)施例中，輻射源102包括等離子體源，諸如例如，放電產(chǎn)生的等離子體(dpp)或激光產(chǎn)生的等離子體(lpp)。在一些實(shí)例中，euv光可包括具有從約1nm至約100nm的范圍的波長(zhǎng)的光。在一個(gè)特定的實(shí)例中，輻射源102產(chǎn)生波長(zhǎng)集中在約13.5nm的euv光。因此，輻射源102還可被稱為euv輻射源102。在一些實(shí)施例中，輻射源102還包括可以用于收集生成于等離子體源的euv光和將euv光導(dǎo)向諸如照明器104的成像光學(xué)組件的集電極。

如上所述，來(lái)自輻射源102的光被導(dǎo)向照明器104。在一些實(shí)施例中，照明器104可包括反射光學(xué)組件(例如，用于euv光刻系統(tǒng)100)，諸如單反射鏡或者具有多個(gè)反射鏡的反射鏡系統(tǒng)以將光從輻射源102導(dǎo)向至掩模臺(tái)106上，并且特別地將光從輻射源102導(dǎo)向至固定在掩模工作臺(tái)106上的掩模108。在一些實(shí)例中，照明器104可包括例如波帶片以提高euv光的對(duì)焦。在一些實(shí)施例中，照明器104可配置為根據(jù)特定的光瞳形狀塑造從那里穿過(guò)的euv光，且包括，例如，雙極子形狀、四極子形狀、環(huán)形現(xiàn)狀、單光束形狀、多光束形狀、和/或它們的組合。在一些實(shí)施例中，照明器104可操作地配置反射鏡(即，照明器104的反射鏡)以為掩模108提供期望的照明。在一個(gè)實(shí)例中，照明器104的反射鏡可配置為將euv光反射至不同的照明位置。在一些實(shí)施例中，在照明器104之前的階段可另外包括可用于將euv光導(dǎo)向照明器104的反射鏡內(nèi)的不同的照明位置的其他可配置的反射鏡。在一些實(shí)施例中，照明器104配置為向掩模108提供同軸照明(oni)。在一些實(shí)施例中，照明器104配置為向掩模108提供離軸照明(oai)。應(yīng)該注意，在euv光刻系統(tǒng)100中利用的光學(xué)組件，且具體地用于照明器104和投影光學(xué)組件110的光學(xué)組件可以包括具有稱為布拉格(bragg)反射器的多層薄膜型涂層的反射鏡。舉例說(shuō)明，這樣的多層薄膜型涂層可包括mo和si的交替層，其以euv波長(zhǎng)(例如，約13nm)提供較高反射率。

如上所述，光刻系統(tǒng)100也包括配置為固定掩模108的掩模工作臺(tái)106。由于光刻系統(tǒng)100可被容納在高真空環(huán)境中，且因此在高真空環(huán)境內(nèi)操作，掩模工作臺(tái)106可包括靜電卡盤(e-卡盤)以固定掩模108。和euv光刻系統(tǒng)100的光學(xué)組件一樣，掩模108也是反射的。以下參照?qǐng)D2的實(shí)例更詳細(xì)地討論掩模108的細(xì)節(jié)。如圖1的實(shí)例中所示，光從掩模108反射且被導(dǎo)向投影光學(xué)組件110，投影光學(xué)組件110收集從掩模108反射的euv光。舉例說(shuō)明，由投影光學(xué)組件110收集的euv光(從掩模108反射)承載由掩模108限定的圖案的圖像。在各個(gè)實(shí)施例中，投影光學(xué)組件110提供將掩模108的圖案成像在固定在光刻系統(tǒng)100的襯底工作臺(tái)118上的半導(dǎo)體襯底116上。特別地，在各個(gè)實(shí)施例中，該投影光學(xué)組件110聚焦收集的euv光和投射euv光至半導(dǎo)體襯底116上以曝光沉積在半導(dǎo)體襯底116上的euv光刻膠層。如上所述，投影光學(xué)組件110可包括如用于諸如光刻系統(tǒng)100的euv光刻系統(tǒng)中的反射光學(xué)組件。在一些實(shí)施例中，照明器104和投影光學(xué)組件110共同稱為光刻系統(tǒng)100的光學(xué)模塊。

如上所述，光刻系統(tǒng)100還包括襯底工作臺(tái)118以固定將被圖案化的半導(dǎo)體襯底116。在各個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體襯底116包括半導(dǎo)體晶圓，諸如硅晶圓、鍺晶圓、硅鍺晶圓、iii-v晶圓、或本領(lǐng)域已知的其它類型的晶圓。半導(dǎo)體襯底116可涂覆有對(duì)euv光敏感的光刻膠層(例如，euv光刻膠層)。euv光刻膠可具有嚴(yán)格的性能標(biāo)準(zhǔn)。出于說(shuō)明的目的，euv光刻膠可以被設(shè)計(jì)為提供至少約22nm的分辨率、至少約2nm的線寬粗糙度(lwr)，以及具有至少約15mj/cm²的敏感度。在本文中描述的實(shí)施例中，包括以上那些描述的光刻系統(tǒng)100的各個(gè)子系統(tǒng)被集成且是可操作的以實(shí)施包括euv光刻工藝的光刻曝光工藝。的確，光刻系統(tǒng)100還可包括可集成有(或被連接至)本文描述的子系統(tǒng)或組件中的一個(gè)或多個(gè)的其它模塊或子系統(tǒng)。

光刻系統(tǒng)可包括其它組件且可具有其他可選方式。在一些實(shí)施例中，光刻系統(tǒng)100可包括光瞳相位調(diào)制器112以調(diào)制從掩模108射出的euv光的光學(xué)相位，從而使得光沿著投影光瞳面114具有相位分布。在一些實(shí)施例中，光瞳相位調(diào)制器112包括為了相位調(diào)制而調(diào)整投影光學(xué)組件110的反射鏡的機(jī)制。例如，在一些實(shí)施例中，投影光學(xué)組件110的反射鏡可配置為通過(guò)光瞳相位調(diào)制器112反射euv光，從而通過(guò)投影光學(xué)組件110調(diào)制光的相位。在一些實(shí)施例中，光瞳相位調(diào)制器112利用放置在投影光瞳面114上的光瞳濾波器。舉例說(shuō)明，光瞳濾波器可被利用以過(guò)濾掉從掩模108中反射的euv光的特殊空間頻率分量。在一些實(shí)施例中，光瞳濾波器可用作調(diào)制通過(guò)投影光學(xué)組件110射出的光的相位分布的相位光瞳濾波器。

轉(zhuǎn)回至掩模108，且參照?qǐng)D2的實(shí)例，本文中示出的是圖1的euv掩模108的實(shí)例橫截面。如圖2所示，euv掩模108可包括具有背側(cè)涂層203的襯底202、多層結(jié)構(gòu)204、覆蓋層206、以及具有抗反射涂(arc)層210的一個(gè)或多個(gè)吸收器208。在一些實(shí)施例中，襯底202包括低熱膨脹材料(ltem)襯底(例如，諸如tio2摻雜的sio2)，并且背側(cè)涂層203包括氮化鉻(crxny)層。在一些實(shí)例中，襯底202具有約6.3mm至6.5mm的厚度。在一些實(shí)施例中，背側(cè)涂層203具有約70nm至100nm的厚度。舉例說(shuō)明，例如，多層結(jié)構(gòu)204可包括使用離子沉積技術(shù)在襯底202的頂部上沉積的鉬-硅(mo-si)多層。在一些實(shí)施例中，多層結(jié)構(gòu)204具有約250nm至350nm的厚度，且在在一些實(shí)例中，每個(gè)鉬-硅層對(duì)具有約3nm(對(duì)于mo層)和約4nm(對(duì)于si層)的厚度。在各個(gè)實(shí)施例中，覆蓋層206包括釕(ru)覆蓋層，其在一些實(shí)例中可具有約2.5nm的厚度。在一些實(shí)施例中，覆蓋層206可包括具有約4nm的厚度的si覆蓋層。覆蓋層206可幫助保護(hù)多層結(jié)構(gòu)204(例如，在掩模108的制造期間)且還可用作蝕刻停止層以用于隨后的吸收層蝕刻工藝。在一些實(shí)施例中，吸收器208可包括，例如，taxny層或taxbyoznu層，其可具有約50nm至約75nm的厚度且配置為吸收euv光(例如，具有約13.5nm的波長(zhǎng))。在一些實(shí)例中，其它材料可用于吸收器208，諸如，al、cr、ta、和w等。在一些實(shí)例中，arc層210包括taxbyoznu層、hfxoy層、或sixoynz層的至少一個(gè)。盡管已經(jīng)給出了可用于襯底202、背側(cè)涂層203、多層結(jié)構(gòu)204、覆蓋層206、吸收器208、以及arc層210的每種層的材料的一些實(shí)例，應(yīng)該理解，可等同地使用本領(lǐng)域已知的其它合適的材料，而不背離本發(fā)明的范圍。

出于說(shuō)明的目的，本文中描述了用于掩模108的示例性制造方法。在一些實(shí)施例中，制造工藝包括兩個(gè)工藝階段：(1)空白掩模制造工藝，以及(2)掩模圖案化工藝。在空白掩模制造工藝期間，通過(guò)在合適的襯底(例如，具有平坦的、無(wú)缺陷的表面的ltem襯底)上沉積合適的層(例如，諸如mo-si多層的反射多層)來(lái)形成空白掩模。在各個(gè)實(shí)施例中，空白掩模的表面粗糙度小于約50nm。舉例說(shuō)明，在多層涂覆的襯底上方形成覆蓋層(例如，釕)，接下來(lái)沉積吸收層。然后，可圖案化空白掩模(例如，圖案化吸收層)以在掩模108上形成期望的圖案。在一些實(shí)施例中，在圖案化空白掩模之前，可在吸收層上方沉積arc層。然后，圖案化的掩模108可用于轉(zhuǎn)印電路和/或器件圖案至半導(dǎo)體晶圓上。在各個(gè)實(shí)施例中，可通過(guò)多種光刻工藝將由掩模108限定的圖案反復(fù)轉(zhuǎn)印至多個(gè)晶圓上。此外，一組掩模(諸如，掩模108)可用于構(gòu)建完整的集成電路(ic)器件和/或電路。

在各個(gè)實(shí)施例中，可制造掩模108(上述的)以包括不同的結(jié)構(gòu)類型，諸如，例如，二元強(qiáng)度掩模(bim)或相移掩模(psm)。說(shuō)明性的bim包括不透明吸收區(qū)和反射區(qū)，其中，bim包括將被轉(zhuǎn)印至半導(dǎo)體襯底116的圖案(例如，和ic圖案)。不透明吸收區(qū)包括如上所述的吸收器，其配置為吸收入射光(例如，入射的euv光)。在反射區(qū)中，吸收器已經(jīng)被去除(例如，在上述的掩模圖案化工藝期間)且入射光由多層反射。附加地，在一些實(shí)施例中，掩模108可以是利用由從其反射的光的相位差產(chǎn)生的干涉的psm。psm的實(shí)例包括交替的psm(altpsm)、衰減的psm(attpsm)、和少鉻的psm(cpsm)。舉例說(shuō)明，altpsm可包括在每個(gè)圖案化的掩模部件的任意一側(cè)上設(shè)置的(相反相位的)相位移位器。在一些實(shí)例中，attpsm可包括具有大于零的透射率(例如，具有約6％的強(qiáng)度透射率的mo-si)的吸收層。在一些情況中，cpsm可以被描述為100％的傳輸altpsm，例如，因?yàn)閏psm不包括位于掩模上的相位移位器材料或鉻。在psm的一些說(shuō)明性實(shí)施例中，圖案化的層208是具有類似于多層結(jié)構(gòu)204的材料的材料堆疊件的反射層。

如上所述，掩模108包括通過(guò)光刻系統(tǒng)100可以用于轉(zhuǎn)印電路和/或器件圖案至半導(dǎo)體晶圓(例如，半導(dǎo)體襯底116)的圖案化的圖像。為實(shí)現(xiàn)圖案從圖案化的掩模108轉(zhuǎn)印至半導(dǎo)體襯底116的高保真度，光刻工藝應(yīng)該沒(méi)有缺陷。如圖2所示，顆?？赡芊枪室獾爻练e在覆蓋層206的表面上且，如果未去除，能夠?qū)е鹿饪剔D(zhuǎn)印的圖案的退化。顆粒可通過(guò)各種方法的任何一個(gè)被引入，諸如在蝕刻工藝期間、清洗工藝期間、和/或在euv掩模108的處理期間。因此，掩模108被集成在薄膜組件中且由薄膜組件保護(hù)。掩模和薄膜組件共同地稱為掩模薄膜系統(tǒng)。例如，在通過(guò)光刻系統(tǒng)100的光刻圖案化工藝期間，掩模薄膜系統(tǒng)被固定至掩模工作臺(tái)106。

參照?qǐng)D3a、圖3b、和圖3c，其中示出的分別是掩模薄膜系統(tǒng)300的頂視圖、立體圖和沿著線a-a’的截面圖。參照?qǐng)D3a、圖3b、和圖3c，描述了掩模薄膜系統(tǒng)300和使用掩模薄膜系統(tǒng)300的方法。

掩模薄膜系統(tǒng)300包括通過(guò)粘合材料層308和310集成在一起的掩模302、薄膜框架304和膜(或薄膜)。如上所論述的，掩模302還包括通過(guò)光刻工藝用于圖案化半導(dǎo)體襯底的圖案化的表面312。在一些實(shí)施例中，掩模302可以與上述的掩模108基本上相同。在本實(shí)施例中，掩模302集成在掩模薄膜系統(tǒng)300中且在光刻圖案化工藝期間與膜306和薄膜框架304共同地固定在掩模工作臺(tái)106上。

膜306配置為接近掩模302且通過(guò)粘合層308附接至薄膜框架304。特別地，膜306通過(guò)粘合材料層308附接至薄膜框架304。掩模302還通過(guò)粘合材料層310附件至薄膜框架304。因此，掩模302、薄膜框架304、和膜306因此配置和集成以封閉內(nèi)部空間312。掩模302的圖案化的表面314被封閉在內(nèi)部空間312中且因此在光刻圖案化工藝、掩模運(yùn)輸、和掩模處理期間被保護(hù)免受污染。

膜306是由對(duì)用于光刻圖案化工藝的輻射束透明的薄膜制成的，且還具有導(dǎo)熱表面。膜306還配置為接近如圖3c中示出的掩模302上的圖案化的表面308。在各個(gè)實(shí)施例中，膜306包括在一個(gè)表面(或兩個(gè)表面)上具有導(dǎo)熱膜的透明材料層。

圖4是根據(jù)一些實(shí)施例構(gòu)建的膜306的截面圖。膜306包括含有硅的一種或多種材料的透明層402，諸如多晶硅(多晶硅)、非晶硅(α-si)、摻雜的硅(諸如磷摻雜的硅-sip)或硅基化合物。可選地，透明層402包括聚合物、石墨烯或其它合適的材料。透明層402具有足夠機(jī)械強(qiáng)度的厚度但不降低膜的透明度。在一些實(shí)例中，透明層402的厚度的范圍在30nm和50nm之間。

在一些實(shí)施例中，膜306還可以包括在透明層402的外表面上形成的第一覆蓋層404或附加地在透明層402的內(nèi)表面上形成的第二覆蓋層406。覆蓋層(404或406)設(shè)計(jì)為保護(hù)透明層402免受諸如由化學(xué)物質(zhì)和/或顆粒的撞擊。例如，當(dāng)透明層402是硅層時(shí)，其易受環(huán)境的化學(xué)物質(zhì)或顆粒的影響。在一些實(shí)施例中，覆蓋層包括氧化硅(sio)、氮化硅(sin)、碳化硅(sic)、或它們的混合物，諸如碳氮化硅(sicn)、氮氧化硅(sion)。在一些實(shí)施例中，覆蓋層包括氮化硼(bn)或碳化硼(bc)。覆蓋層是薄的而不降低膜306的透明度。在一些實(shí)例中，覆蓋層(同樣地，404和406，如果存在)的厚度的范圍在3nm和10nm之間，且優(yōu)選為5nm，具有10％或更少的變化?？梢酝ㄟ^(guò)使用諸如化學(xué)汽相沉積(cvd)、原子層沉積(ald)或其它合適的技術(shù)的合適的沉積技術(shù)形成覆蓋層。

膜306具有導(dǎo)熱表面，諸如在膜306的任意一個(gè)表面或兩個(gè)表面上形成的導(dǎo)熱膜408以驅(qū)散熱量，諸如在光刻圖案化工藝期間生成的熱量，從而消除或減小翹曲、其它變形或其它熱相關(guān)的退化。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)熱膜408包括釕(ru)、或諸如石墨、石墨烯、金剛石、或碳納米管的碳基材料。導(dǎo)熱膜的厚度的范圍在3nm和10nm之間，且優(yōu)選為5nm，具有10％或更小變化?？梢酝ㄟ^(guò)諸如物理汽相沉積(pvd)、cvd、ald或其它合適的技術(shù)的合適的沉積技術(shù)形成導(dǎo)熱層。

可選地，覆蓋層和導(dǎo)熱膜可以組合成一個(gè)導(dǎo)熱材料覆蓋層中以共同地起兩種功能的作用-導(dǎo)熱和保護(hù)。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)熱覆蓋層包括銅、鎳、鐵、它們的組合的合金、或其它合適的金屬或金屬合金。這樣的導(dǎo)熱覆蓋層可通過(guò)pvd、ald、鍍、或它們的組合形成。

掩模薄膜系統(tǒng)300還包括配置的薄膜框架304，從而使得膜306可附接至和固定至薄膜框架304。薄膜框架304可以設(shè)計(jì)為各種尺寸、形狀和配置。在那些和其它可選方案中，薄膜框架304可具有單一組分或多種組分。薄膜框架304包括具有機(jī)械強(qiáng)度的材料，且設(shè)計(jì)為形狀、尺寸、和配置以適當(dāng)?shù)臋M跨薄膜框架304固定膜306。在一些實(shí)施例中，可通過(guò)多孔材料整體地形成薄膜框架304。

薄膜框架304包括為通風(fēng)和壓力平衡設(shè)計(jì)的多孔材料，因?yàn)樵诠饪虉D案化工藝期間，薄膜掩模系統(tǒng)300當(dāng)被固定在掩模工作臺(tái)106上時(shí)是在真空環(huán)境中。如圖3c中示出的，薄膜框架304的多孔材料具有從薄膜框架304的內(nèi)表面316延伸至薄膜框架304的外表面318的連接的孔道以用于通風(fēng)。特別地，通過(guò)具有使多孔材料的孔尺寸在薄膜框架形成工藝期間可調(diào)節(jié)的機(jī)制的薄膜框架形成工藝形成薄膜框架304。

圖5是根據(jù)一些實(shí)施例構(gòu)建的局部的掩模薄膜系統(tǒng)300的截面圖。在薄膜框架304中，連接的孔道502隨機(jī)配置有從內(nèi)表面316延伸至外表面318的路徑504。在各個(gè)實(shí)例中，隨機(jī)配置意味著下面中的一種或任何組合：連接的孔道的孔尺寸從內(nèi)表面316至外表面318隨機(jī)地變化；連接的孔道隨機(jī)地路由；以及連接的孔道隨機(jī)地布置。

除了多孔結(jié)構(gòu)，選擇多孔材料以具有其他特征，諸如熱傳導(dǎo)、高機(jī)械強(qiáng)度、和/或輕量。薄膜框架304的多孔材料可包括金屬、合金或陶瓷材料。在一些實(shí)施例中，薄膜框架304的多孔材料包括al、sio2、al-mg、al-ti、al-ni、al-fe、aln、al2o3、zro2、bn、bc、或它們的組合。

薄膜框架形成工藝包括形成多孔材料和成型多孔材料以形成薄膜框架304。在一些實(shí)施例中，多孔材料的成型包括注入模制、壓縮模制、車床、銑床、激光切片或它們的組合。在一些實(shí)施例中，用于形成薄膜框架的多孔材料的成型和多孔材料的形成可以組合以同時(shí)或重疊地執(zhí)行，而不是依次地執(zhí)行。例如，在壓縮模制方法中，可以同時(shí)執(zhí)行為形成多孔材料的燒結(jié)和模制?？赏ㄟ^(guò)一種或多種合適的機(jī)制實(shí)現(xiàn)多孔材料的形成且以下根據(jù)一些實(shí)施例進(jìn)一步描述多孔材料的形成。

在一些實(shí)施例中，通過(guò)固相燒結(jié)形成薄膜框架304的多孔材料。形成工藝包括混合固體粉末(固體顆粒)；以及在升高的溫度下燒結(jié)固體粉末以形成多孔材料。固體顆粒是由金屬、合金、或不同材料的混合物(諸如以上列舉的那些)制成的。例如，固體顆粒包括al、sio2、aln、al2o3、zro2、bn、或bc。固體顆?？砂ǖ谝徊牧系牡谝蛔蛹筒煌诘谝徊牧系牡诙牧系牡诙蛹＠?，固體顆粒包括兩種類型的材料，諸如al-mg、al-ti、al-ni或al-fe。燒結(jié)溫度的范圍是從500℃至1000℃，取決于固體顆粒的金屬或合金。燒結(jié)時(shí)間的范圍可在幾秒和幾小時(shí)之間。形成工藝還包括制備固體粉末。在各個(gè)實(shí)例中，固體顆?？删哂星蛐?、立方體形、或諸如橄欖形、橢圓形、蛋形或圓柱體的不規(guī)則形狀。在一些實(shí)施例中，固體顆粒的尺寸的范圍在50nm和100nm之間。固體顆粒可具有基本上均勻的尺寸或可選地具有在較寬范圍內(nèi)分布的尺寸。孔隙率的范圍為從10％至40％，取決于諸如尺寸分布、顆粒形狀、定向的各種因素?？紫堵时欢x為孔體積比多孔材料的總體積。在一個(gè)實(shí)例中，固體顆粒包括混合在一起的兩種尺寸的顆粒(雙模混合)。在另一實(shí)例中，固體顆粒具有球形且基本上相同的尺寸，孔隙率可在從50％至40％的范圍以形成從薄膜框架304的內(nèi)表面316至薄膜框架304的外表面318延伸的貫穿溝道。

如圖6a、圖6b、和圖6c中的各個(gè)階段的示意圖，在一些實(shí)施例中，薄膜框架304通過(guò)液相燒結(jié)形成。如圖6a中所示，在液相燒結(jié)中，兩種類型的固體顆粒(粉末)602和604混合在一起。兩種類型的粉末通常是兩種金屬或金屬合金。兩種類型的粉末可包括以上列舉的成合適的對(duì)的材料或其它合適的材料。在一些實(shí)施例中，兩種粉末包括al-mg、al-ti、al-ni、al-fe、或al-si。如圖6b中所示，在混合的粉末中，兩種類型的顆粒彼此接觸且發(fā)生原子擴(kuò)散606。通過(guò)原子擴(kuò)散，在兩種顆粒之間的界面處形成共晶組分。如圖6c所示，然后，對(duì)混合的粉末應(yīng)用退火工藝(燒結(jié))從而使得共晶組分熔化，從而形成多孔材料。燒結(jié)溫度等于或高于共晶組分的熔點(diǎn)的共晶溫度。共晶溫度通常低于每種顆粒(602或604)的熔點(diǎn)。在一些實(shí)施例中，燒結(jié)溫度等于或高于共晶溫度但是低于(第一顆粒602和地?zé)犷w粒604的)兩個(gè)熔點(diǎn)。在一些實(shí)施例中，燒結(jié)溫度在從200℃至1000℃的范圍，取決于固體顆粒的金屬或合金。燒結(jié)時(shí)間的范圍可在幾秒和幾小時(shí)之間。形成工藝還包括制備固體粉末。在各個(gè)實(shí)例中，固體顆粒可具有球形、立方體形、或諸如橄欖形、橢圓形、蛋形或圓柱體的不規(guī)則形狀。在一些實(shí)施例中，固體顆粒的尺寸的范圍在50nm和100nm之間。固體顆粒可具有基本上均勻的尺寸或可選地具有在較寬范圍內(nèi)分布的尺寸。第一顆粒602的填充率在從40％至80％的范圍，取決于諸如尺寸分布、顆粒形狀、定向的各種因素。此處，填充率定義為第一顆粒602的體積比多孔材料的總體積。

在一些實(shí)施例中，薄膜框架304通過(guò)蒸發(fā)燒結(jié)形成。在該方法中，粉末(固體顆粒，諸如如以上列舉的金屬、金屬合金或陶瓷材料)與揮發(fā)性材料(諸如蠟)混合在一起。然后，在升高的溫度下對(duì)混合物應(yīng)用退火(燒結(jié))工藝從而使得固體顆粒鍵合在一起且揮發(fā)性材料被蒸發(fā)，從而導(dǎo)致在燒結(jié)的材料中形成孔。填充率的范圍為從0.1％至74％，取決于諸如尺寸分布、顆粒形狀、定向的各種因素。在本情況中，填充率被定義為揮發(fā)性材料的相對(duì)體積比混合物的總體積。為了形成具有連接的孔道的多孔材料，微調(diào)填充率至合適的范圍，取決于固體顆粒的形狀和尺寸分布。在另一實(shí)例中，固體顆粒具有球形和基本上相同的尺寸，填充率的范圍可以從20％至30％。

在各個(gè)實(shí)施例中，孔道502配置為均衡內(nèi)部空間312和圍繞掩模薄膜系統(tǒng)300的空間之間的壓力。額外地，孔道502配置為防止顆粒進(jìn)入內(nèi)部空間312。因此，可根據(jù)應(yīng)用要求配置包括孔的尺寸和形狀、結(jié)構(gòu)、密度、孔間距離、定向、和/或孔道的均勻性的孔道502的特性。形成多孔薄膜框架304的方法提供微調(diào)孔尺寸的機(jī)制，諸如通過(guò)調(diào)節(jié)下面參數(shù)中的一個(gè)或多個(gè)：固體顆粒的形狀、尺寸和尺寸分布、填充率或孔隙率、對(duì)準(zhǔn)或定向?？椎赖目烧{(diào)節(jié)機(jī)制能使薄膜框架的制造具有更多的自由以在通風(fēng)和顆粒防止方面具有更好的設(shè)計(jì)。

參照回圖3c，膜306和掩模302通過(guò)粘合層308和310與薄膜框架304集成。粘合層包括導(dǎo)熱粘合材料以用作粘合界面并且還提供熱傳導(dǎo)從而使得在光刻圖案化期間產(chǎn)生的熱量可以被適當(dāng)?shù)財(cái)U(kuò)散，并且消除或減小熱量相關(guān)的應(yīng)力和翹曲。特別地，來(lái)自膜306、薄膜框架304和粘合層的熱傳導(dǎo)導(dǎo)致掩模薄膜系統(tǒng)300具有持續(xù)的熱傳導(dǎo)，從而熱量可以被適當(dāng)?shù)貍鲗?dǎo)至環(huán)境。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)熱粘合材料還設(shè)計(jì)為具有其他特征，諸如機(jī)械強(qiáng)度、沒(méi)有缺陷和除氣、可兼容euv(euv輻射之后沒(méi)有明顯的退化)、高操作溫度的持續(xù)性、用于簡(jiǎn)單分解工藝的水溶性(為了清洗，掩?？梢匀菀椎貜谋∧た蚣芊蛛x)。

圖7是根據(jù)一些實(shí)施例構(gòu)建的導(dǎo)熱粘合層700的示意圖。導(dǎo)熱粘合層700將第一部件702和第二部件704接合在一起；且從第一部件702至第二部件704進(jìn)一步提供熱傳導(dǎo)。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)熱粘合層700可以與上述的導(dǎo)熱粘合層308或310基本上相同。在另外的實(shí)施例中，第一部件702和第二部件704分別是如圖3c中所示的薄膜框架304和膜306，或分別是掩模302和薄膜框架304。導(dǎo)熱粘合層700包括粘合組分706和在粘合組分中分散的導(dǎo)熱組分708。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)熱組分708混合在粘合組分706中或與粘合組分706化學(xué)地鍵合。

在一些實(shí)施例中，粘合組分706是適當(dāng)?shù)恼澈喜牧?，諸如熱塑性彈性體、或通過(guò)熱或干燥固化的其他大分子粘合材料。在各個(gè)實(shí)例中，粘合組分包括苯乙烯乙烯/丁烯苯乙烯橡膠(sebs)、聚酯類熱塑性彈性體(tpe)、聚醚氨酯(tpu)、聚烯烴型熱塑性彈性體(tpo)、或熱塑性硫化橡膠(tpv)。

在各個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)熱組分708包括金屬、陶瓷、合金、金屬和陶瓷的化合物、或聚合物。例如，導(dǎo)熱組分包括al、ag、alo、aln、bn、碳(石墨烯、納米管或石墨片)be、b4c、sic、或它們的混合物、鋁、銅、導(dǎo)熱聚合物或它們的組合。導(dǎo)熱組分可包括在粘合組分中分散的多個(gè)顆粒。導(dǎo)熱顆?？删哂幸?guī)則形狀或不規(guī)則形狀，諸如球形、立方體形、橄欖形、橢圓形、蛋形、圓柱體、或它們的組合。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)熱顆粒的尺寸的范圍在50nm和100nm之間。導(dǎo)熱顆?？删哂谢旧暇鶆虻某叽缁蚩蛇x地具有在較寬范圍內(nèi)分布的尺寸。在粘合組分706和導(dǎo)熱組分708的混合物中，填充率在合適的范圍中，從而使得導(dǎo)熱顆粒連接以形成從第一部件702至第二部件704的導(dǎo)熱路徑。在該情況下，填充率被定義為導(dǎo)熱組分的相對(duì)體積比混合物的總體積。在一些實(shí)施例中，填充率的范圍為從0.1％至74％，取決于諸如尺寸分布、顆粒形狀、定向的各種因素。例如，導(dǎo)熱顆粒具有伸長(zhǎng)的形狀且沿著方向y基本上對(duì)準(zhǔn)，在填充率遠(yuǎn)小于74％時(shí)，導(dǎo)熱顆粒仍然能夠形成導(dǎo)熱路徑。以下進(jìn)一步進(jìn)行解釋。

在圖8中，為配置和熱導(dǎo)率之間的關(guān)系，示意性地示出各種配置(形狀、尺寸、定向和布置)。橫軸表示以％為單位的填充率(填充量)且縱軸表示以w/mk為單位的熱導(dǎo)率。在導(dǎo)熱粘合層700a中，導(dǎo)熱顆粒是圓柱體且沿著方向y定向。熱導(dǎo)率非常高，即使填充率很低。在導(dǎo)熱粘合層700b中，導(dǎo)熱顆粒具有伸長(zhǎng)的形狀和更小的尺寸。當(dāng)填充率相對(duì)較小時(shí)，熱導(dǎo)率相對(duì)較高。在導(dǎo)熱粘合層700c中，導(dǎo)熱顆粒具有伸長(zhǎng)的形狀和更大的尺寸。熱導(dǎo)率相對(duì)更小，即使填充率相對(duì)較高但是仍然小于74％。在導(dǎo)熱粘合層700d中，導(dǎo)熱顆粒是圓柱體且沿著x定向。熱導(dǎo)率基本上較低(零或接近零)即使當(dāng)填充率非常高時(shí)(74％或更多)。以上實(shí)例被示出以用于理解相關(guān)參數(shù)以影響熱導(dǎo)率，以更好地設(shè)計(jì)導(dǎo)熱粘合層。那些參數(shù)包括形狀、尺寸、尺寸分布、布置(諸如隨機(jī)地布置或?qū)?zhǔn))、以及填充率。因此，在保持粘合效率的同時(shí)，為了足夠的熱傳導(dǎo)和機(jī)械強(qiáng)度，在設(shè)計(jì)導(dǎo)熱粘合層中適當(dāng)?shù)乜紤]導(dǎo)熱顆粒。例如，在熱導(dǎo)率和粘合效果方面，導(dǎo)熱粘合層700a比導(dǎo)熱粘合層700d更好。

在一個(gè)實(shí)例中，固體顆粒包括混合在一起的兩種尺寸的顆粒(雙模混合)。在另一實(shí)例中，固體顆粒具有球形且基本上相同的尺寸，填充率可高達(dá)74％以形成從薄膜框架304的內(nèi)表面316至薄膜框架304的外表面318延伸的貫穿溝道。

在另一實(shí)例中，導(dǎo)熱顆粒具有伸長(zhǎng)的形狀和通過(guò)力定向，諸如在相應(yīng)的接合工藝期間至y方向的外場(chǎng)(例如，電場(chǎng)或磁場(chǎng))。因此，類似于圖7中示出的，形成的粘合層具有類似于導(dǎo)熱粘合層700a的結(jié)構(gòu)且提供更高的熱導(dǎo)率。

根據(jù)一些實(shí)施例，在圖9中示意性地示出了粘合材料900。在一些實(shí)例中，導(dǎo)熱粘合層700包括粘合材料900。粘合材料900包括具有化學(xué)鍵合的第一嵌段902和第二嵌段904的嵌段共聚物。在一些實(shí)施例中，第一嵌段902是具有機(jī)械強(qiáng)度較小的柔性化學(xué)結(jié)構(gòu)的軟段且第二嵌段904是具有較高機(jī)械強(qiáng)度的剛性結(jié)構(gòu)的硬段。額外的氫鍵可存在于硬段之間?？偟膩?lái)說(shuō)，這樣的粘合材料在玻璃轉(zhuǎn)換溫度tg以下的溫度中具有較高的機(jī)械強(qiáng)度；由于從固體至彈性體的相變具有極好的間隙填充性能；以及具有塑料和交聯(lián)材料的優(yōu)點(diǎn)(諸如較高的延展性和機(jī)械強(qiáng)度)。特別地，由于彈性和剛性的二元性，其具有更好的納米尺寸間隙填充，這同時(shí)提高了粘合性和機(jī)械強(qiáng)度。此外，如果第二嵌段904設(shè)計(jì)為是導(dǎo)熱的，那么在其本身上的這樣的粘合材料能夠用作導(dǎo)熱粘合層而無(wú)需添加其它導(dǎo)熱顆粒。

現(xiàn)在參照?qǐng)D10，示出的是在一些實(shí)施例中根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)方面構(gòu)建的制造掩模薄膜系統(tǒng)300的方法1000的流程圖。方法1000包括制造多孔薄膜框架304的操作1002。薄膜框架304的形成可以包括固相燒結(jié)、液相燒結(jié)、蒸發(fā)燒結(jié)或其它合適的技術(shù)，如以上在各個(gè)實(shí)例中描述的。

該方法1000包括制造具有導(dǎo)熱表面的薄膜306的操作1004。膜306的形成可包括在透明膜上沉積覆蓋層和在覆蓋層上進(jìn)一步沉積導(dǎo)熱層?？蛇x地，形成包括在透明膜上沉積同時(shí)用作熱傳導(dǎo)和保護(hù)的一個(gè)層。

方法1000包括形成導(dǎo)熱粘合材料的操作1006。導(dǎo)熱粘合材料的形成包括混合粘合組分和導(dǎo)熱組分。該形成還可包括其它步驟，諸如通過(guò)外場(chǎng)(諸如電場(chǎng)或磁場(chǎng))定向伸長(zhǎng)的導(dǎo)熱顆粒以用于提高熱導(dǎo)率。

該方法1000包括使用導(dǎo)熱粘合材料將薄膜接合至薄膜框架的操作1008。接合工藝可包括施加壓力、固化、施加外場(chǎng)(用于定向)、或它們的組合。例如，可在接合工藝期間對(duì)導(dǎo)熱粘合材料的伸長(zhǎng)的導(dǎo)熱顆粒應(yīng)用外場(chǎng)以提高熱導(dǎo)率。

在一些實(shí)施例中，該方法1000還可包括使用導(dǎo)熱粘合材料將掩模安裝至薄膜框架的操作1010。安裝工藝可以類似于操作1008。例如，安裝工藝包括施加壓力、固化、施加外場(chǎng)(用于定向)、或它們的組合?？蛇x地，可以在半導(dǎo)體制造工藝中執(zhí)行該操作。因此，形成的掩模薄膜系統(tǒng)用于光刻圖案化工藝。

現(xiàn)在參照?qǐng)D11，示出的是在一些實(shí)施例中根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)方面構(gòu)建的在集成電路制造中用于實(shí)施光刻工藝的方法1100的流程圖。

如在圖1、圖2和圖3中示出的，方法1100可開(kāi)始于使用導(dǎo)熱粘合材料將掩模安裝至薄膜裝置(具有附接在其上的膜的薄膜框架)的操作1102，從而得到掩模薄膜系統(tǒng)300。安裝工藝可以類似于操作1008。例如，安裝工藝包括施加壓力、固化、施加外場(chǎng)(用于定向)、或它們的組合。

該方法1100包括加載掩模薄膜系統(tǒng)300至光刻系統(tǒng)的操作1104。方法1100中的操作1004還可以包括其他步驟，諸如在掩模薄膜系統(tǒng)被固定在掩模工作臺(tái)106上之后的對(duì)準(zhǔn)。

然后，方法1100繼續(xù)進(jìn)行操作1106，其中，半導(dǎo)體晶圓被加載至光刻系統(tǒng)100的襯底工作臺(tái)118。在一些實(shí)例中，半導(dǎo)體晶圓可以是涂覆有光刻膠層的硅晶圓。光刻膠層對(duì)來(lái)自輻射源102的輻射束敏感且通過(guò)光刻曝光工藝被圖案化，從而使得在掩模上限定的圖案被轉(zhuǎn)印至光刻膠層。然后，該方法1100繼續(xù)進(jìn)行操作1108，其中，實(shí)施光刻曝光工藝以將圖案從掩模轉(zhuǎn)印至半導(dǎo)體晶圓。

在方法1100之前、期間和之后可以提供額外的操作，并且對(duì)于方法1100的額外的實(shí)施例，可以替代、刪除或顛倒這些步驟。在一個(gè)實(shí)例中，光刻工藝包括軟烘烤、掩模對(duì)準(zhǔn)、曝光、曝光后烘烤、顯影光刻膠、以及硬烘烤。

本發(fā)明提供了一種用于半導(dǎo)體光刻工藝的系統(tǒng)，其中，該系統(tǒng)包括導(dǎo)熱膜、多孔材料的薄膜框架，用于固定膜和導(dǎo)熱粘合材料以將掩模和膜接合至薄膜框架。多孔材料包括配置為過(guò)濾顆粒和提供壓力均衡的多個(gè)孔道。膜和粘合層的熱導(dǎo)率提供熱路徑從而使得由光刻曝光工藝生成的熱量能夠被傳導(dǎo)，從而減小或消除掩模的熱應(yīng)力和變形。

因此，本發(fā)明根據(jù)一些實(shí)施例提供了一種用于半導(dǎo)體光刻工藝的裝置。該裝置包括具有導(dǎo)熱表面的薄膜；多孔薄膜框架；以及將薄膜固定至多孔薄膜框架的導(dǎo)熱粘合層。多孔薄膜框架包括從多孔薄膜框架的外表面連續(xù)延伸至多孔薄膜框架的內(nèi)表面的多個(gè)孔道。

在上述裝置中，其中：所述多個(gè)孔道被隨機(jī)地配置：所述多個(gè)孔道的每個(gè)孔道從所述多孔薄膜框架的所述外表面上的第一開(kāi)口延伸至所述多孔薄膜框架的所述內(nèi)表面上的第二開(kāi)口；以及所述多個(gè)孔道的所述每個(gè)孔道從所述外表面至所述內(nèi)表面具有隨機(jī)變化的直徑。

在上述裝置中，其中，所述多孔薄膜框架包括選自由金屬、合金和陶瓷材料構(gòu)成的組的多孔材料。

在上述裝置中，其中，所述多孔薄膜框架包括選自由金屬、合金和陶瓷材料構(gòu)成的組的多孔材料，所述多孔材料包括選自由al、sio2、al-mg、al-ti、al-ni和al-fe、aln、al2o3、zro2、bn、bc以及它們的組合構(gòu)成的組的材料。

在上述裝置中，其中，所述多孔薄膜框架是由選自由液相燒結(jié)、固相燒結(jié)、蒸發(fā)燒結(jié)和它們的組合構(gòu)成的組的技術(shù)制造的。

在上述裝置中，還包括：掩模，包括圖案化的表面；以及另一導(dǎo)熱粘合層，將所述掩模固定至所述多孔薄膜框架，其中，所述薄膜框架安裝在所述掩模上，并且其中，所述膜遠(yuǎn)離所述圖案化的表面懸置相隔距離，以及其中，內(nèi)部空間由所述膜的底面、所述掩模的頂面以及所述薄膜框架的所述內(nèi)表面限定。

在上述裝置中，還包括：掩模，包括圖案化的表面；以及另一導(dǎo)熱粘合層，將所述掩模固定至所述多孔薄膜框架，其中，所述薄膜框架安裝在所述掩模上，并且其中，所述膜遠(yuǎn)離所述圖案化的表面懸置相隔距離，以及其中，內(nèi)部空間由所述膜的底面、所述掩模的頂面以及所述薄膜框架的所述內(nèi)表面限定，其中，具有可調(diào)節(jié)的孔尺寸的所述多個(gè)孔道被調(diào)節(jié)以防止顆粒進(jìn)入所述內(nèi)部空間，且其中，所述多個(gè)孔道被配置為在所述內(nèi)部空間和圍繞所述系統(tǒng)的空間之間提供壓力均衡。

在上述裝置中，其中，所述裝置用于遠(yuǎn)紫外(euv)光刻系統(tǒng)且在光刻曝光工藝期間保持在真空環(huán)境中。

在上述裝置中，其中，所述薄膜包括：選自包括psi、a-si、sicn、和sip石墨烯構(gòu)成的組的材料的低透射率材料層；以及在所述低透射率材料層上設(shè)置的導(dǎo)熱材料層，其中，所述導(dǎo)熱材料層包括選自由ru、ir、碳基材料、cu、ni、fe和它們的組合構(gòu)成的組的材料。

在上述裝置中，其中，所述薄膜包括：選自包括psi、a-si、sicn、和sip石墨烯構(gòu)成的組的材料的低透射率材料層；以及在所述低透射率材料層上設(shè)置的導(dǎo)熱材料層，其中，所述導(dǎo)熱材料層包括選自由ru、ir、碳基材料、cu、ni、fe和它們的組合構(gòu)成的組的材料，其中，所述碳基材料包括石墨、石墨烯、金剛石和納米管中的一種。

在上述裝置中，其中，所述導(dǎo)熱粘合層包括在粘合聚合物中設(shè)置的導(dǎo)熱填充物。

在上述裝置中，其中，所述導(dǎo)熱粘合層包括在粘合聚合物中設(shè)置的導(dǎo)熱填充物，所述導(dǎo)熱填充物包括金屬、金屬合金、導(dǎo)熱陶瓷材料、導(dǎo)熱聚合物和導(dǎo)熱化合物中的一種。

在上述裝置中，其中，所述導(dǎo)熱粘合層包括在粘合聚合物中設(shè)置的導(dǎo)熱填充物，所述導(dǎo)熱填充物包括al、ag、alo、aln、bn、碳(石墨烯、納米管或石墨片)be、b4c、sic和它們的混合材料中的一種。

上述裝置中，其中，所述導(dǎo)熱粘合層包括在粘合聚合物中設(shè)置的導(dǎo)熱填充物，所述粘合聚合物包括苯乙烯乙烯/丁烯苯乙烯橡膠(sebs)、聚酯類熱塑性彈性體(tpe)、聚醚氨酯(tpu)、聚烯烴型熱塑性彈性體(tpo)或熱塑性硫化橡膠(tpv)中的一種。

上述裝置中，其中，所述導(dǎo)熱粘合層包括在粘合聚合物中設(shè)置的導(dǎo)熱填充物，所述粘合聚合物包括具有軟嵌段和硬嵌段的嵌段共聚物。

本發(fā)明還根據(jù)一些實(shí)施例提供了一種用于制造用于光刻工藝的薄膜組件的方法。該方法包括制造具有可調(diào)節(jié)孔尺寸的多孔薄膜框架；形成具有導(dǎo)熱表面的薄膜；以及將薄膜附接至薄膜框架，從而使得使用導(dǎo)熱粘合材料由薄膜框架懸置薄膜。

在上述方法中，其中，所述薄膜框架的制造包括使用選自由al、sio2、al-mg、al-ti、al-ni和al-fe、aln、al2o3、zro2、bn和bc構(gòu)成的組的材料，通過(guò)液相燒結(jié)、固相燒結(jié)和蒸發(fā)燒結(jié)中的一種，制造所述薄膜框架。

在上述方法中，其中，形成所述薄膜包括：形成選自包括psi、a-si、sicn、和sip石墨烯構(gòu)成的組的材料的低透射率材料層；以及在所述低透射率材料層上形成導(dǎo)熱材料層，其中，所述導(dǎo)熱材料層包括選自由ru、ir、碳基材料、cu、ni、fe和它們的組合構(gòu)成的組的材料。

在上述方法中，其中，使用所述導(dǎo)熱粘合材料將所述薄膜附接至所述多孔薄膜框架包括：使用液相燒結(jié)、固相燒結(jié)和蒸發(fā)燒結(jié)中的一種將導(dǎo)熱填充物分散至粘合材料中，其中，所述導(dǎo)熱填充物包括金屬、金屬合金、導(dǎo)熱陶瓷材料、導(dǎo)熱聚合物和導(dǎo)熱化合物中的一種。

本發(fā)明還提供了一種用于光刻工藝的方法。該方法包括提供薄膜裝置，其中，薄膜裝置包括具有導(dǎo)熱表面的膜和通過(guò)導(dǎo)熱粘合材料跨薄膜框架固定膜的多孔薄膜框架；將薄膜裝置安裝至掩模上，其中，掩模包括圖案化的表面；加載具有安裝在其上的薄膜裝置的掩模至光刻系統(tǒng)中且加載半導(dǎo)體晶圓至光刻系統(tǒng)的襯底工作臺(tái)上；以及實(shí)施光刻曝光工藝以將圖案化的表面的圖案從掩模轉(zhuǎn)印至半導(dǎo)體晶圓。

上面概述了若干實(shí)施例的部件、使得本領(lǐng)域技術(shù)人員可以更好地理解本發(fā)明的方面。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，他們可以容易地使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來(lái)設(shè)計(jì)或修改用于實(shí)現(xiàn)與在此所介紹實(shí)施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)勢(shì)的其他工藝和結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該意識(shí)到，這種等同構(gòu)造并不背離本發(fā)明的精神和范圍、并且在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，在此他們可以做出多種變化、替換以及改變。